YMF18 özet kitapçığı - Department of Physics

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 201118. YOĞUN MADDE FĠZĠĞĠANKARA TOPLANTISIOrta Doğu Teknik ÜniversitesiKültür Kongre Merkezi – B Salonu25 Kasım 2011Danışma Kurulu• Yalçın Elerman (Ankara Ü)• Bekir S. Kandemir (Ankara Ü)• Ceyhun Bulutay (Bilkent Ü)• Oğuz Gülseren (Bilkent Ü)• Süleyman Özçelik (Gazi Ü)• Mehmet Çakmak (Gazi Ü)• Tezer Fırat (Hacettepe Ü)• Recai Ellialtıoğlu (Hacettepe Ü)• Şinasi Ellialtıoğlu (ODTÜ)• Mehmet Parlak (ODTÜ)Düzenleme Kurulu• Şinasi Ellialtıoğlu (ODTÜ)• Mehmet Parlak (ODTÜ)İletişimODTÜ Fizik Bölümü, Ankara 06800Tel: 0312–210 3290 - 7646Faks: 0312–210 5099ymf18@newton.physics.metu.edu.trAyrıntılı Bilgi içinhttp://www.physics.metu.edu.tr/ymf181

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 20112

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011ÖnsözBu yıl 18.incisi düzenlenen Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, 4 Çağrılı, 16 Sözlü, 113Poster sunumu ve çok sayıda katılımcı ile gerçekleştirilmektedir. Öncelikle Ankara’dakiyoğun madde fizikçilerinin bilgi ve deneyim alışverişi amacıyla başlatılmış olan AnkaraToplantıları zaman içinde Ankara dışındaki üniversitelerin de artan sayılarda katılımlarısayesinde ulusal bir kimlik kazanmıştır. Orta Doğu Teknik Üniversitesi’nde 3.üncü kezdüzenleniyor olan bu toplantıda meslektaşlarımızı ve öğrencilerimizi tekrar konuk edecekolmak bizlere büyük mutluluk verecektir.Düzenleme Kurulu olarak tüm katılımcılara, Danışma Kurulu üyelerine, toplantıya destekveren kuruluşlara, ODTÜ Rektörlüğü’ne ve düzenlemede emeği geçen herkese teşekküreder toplantının başarılı ve yararlı olmasını dileriz.Düzenleme KuruluProf. Dr. Şinasi EllialtıoğluProf. Dr. Mehmet Parlak3


18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Program08:30 – 08:55 Kayıt08:55 – 09:00 Açılış: Şinasi Ellialtıoğlu (Orta Doğu Teknik Üniversitesi)1. Oturum : Oturum BaĢkanı: Ceyhun Bulutay (Bilkent Üniversitesi)09:00 – 09:30 Ç01 Nejat Bulut (Ġzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü)“Yüksek-sıcaklık süperiletkenlerinde ve Hubbard modelinde d(x 2 –y 2 ) simetrilisüperiletkenlik”09:30 – 09:45 S01 Afif Sıddıki (Ġstanbul Üniversitesi)“Kuantum Hall tabanlı Aharonov–Bohm spektroskopisi: Kuram ve deney”09:45 – 10:00 S02 Orhan Öztürk (Ġzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü)“Plazma nitrürlenmiĢ 316L paslanmaz çeliği ve CoCrMo alaĢımı üzerindemanyetik tabaka oluĢumu”10:00 – 10:15 S03 Ercüment Yüzüak (Ankara Üniversitesi)“Epitaksiyel Ni–Mn–Sn ultra ince filmlerin yapısal, elektriksel, ve manyetiközelliklerinin incelenmesi”10:15 – 10:30 S04 M. Burak Kaynar (Hacettepe Üniversitesi)“Nanogözenekli TiO 2 seramik su filtrelerinin hazırlanması”10:30 – 11:00 Çay Arası (Posterler)2. Oturum : Oturum BaĢkanı: Mehmet Çakmak (Gazi Üniversitesi)11:00 – 11:30 Ç02 İsmet İ. Kaya (Sabancı Üniversitesi)“Grafen: Karbon tülünün sihiri”11:30 – 11:45 S05 Veysel Çelik (Balıkesir Üniversitesi)“TiO 2 (110) yüzeyinde güneĢ pili uygulamaları için oluĢturulmuĢ kusurdurumlarının analizi”11:45 – 12: 00 S06 Şevket Şimşek (Çukurova Üniversitesi)“Oda sıcaklığında AgTaO 3 kristalinin elektronik ve dinamik özelliklerininincelenmesi: Ab initio hesabı”12:00 – 12:15 S07 Mustafa Kulakcı (Orta Doğu Teknik Üniversitesi)“Nanotellerle kaplanmıĢ endüstriyel boyutlarda kristal silisyum güneĢgözeleri”12:15 – 12: 30 S08 Mehmet Ağartıoğlu (Dokuz Eylül Üniversitesi)“Dinamik metamanyetik durulmanın kritik ve üçlükritik noktalar yakınındakifrekans bağlılığı”12:30 – 14:00 Yemek Arası (Kafeterya)5

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011ÇAĞRILIKONUġMALAR7


18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Yüksek-sıcaklık süperiletkenlerinde ve Hubbard modelinded(x 2 –y 2 ) simetrili süperiletkenlikNejat Bulutİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Urla, 35430 İzmirÇ011987 yılındaki keĢiflerinden buyana yüksek-sıcaklık süperiletkenlerinin elektronik yapısınıinceleyen birçok deneysel çalıĢma yapılmıĢtır. Bu deneyler göstermiĢtir ki yüksek-sıcaklıksüperiletkenlerinde Cooper çiftlerinin dalgafonksiyonu d(x 2 –y 2 ) simetrisine sahiptir. Bu sonuçise yüksek-sıcaklık süperiletkenliğinin mekanizmasını anlamak için önemli ipuçları verir,çünkü d(x 2 –y 2 ) simetrili süperiletkenliğe sebep olabilecek sadece birkaç çeĢit mikroskopikmekanizma bulunmaktadır. Bunların arasında en olası olanı ise fermiyonlar arasında spindalgalanmalarının değiĢ–tokuĢundan kaynaklanır. Günümüzde yüksek-sıcaklık superiletkenliğinianlamak için gerekli olan en yalın mikroskopik modelin iki-boyutlu Hubbardmodeli olduğu varsayılmaktadır. Maalesef, bu modelin yakınlaĢtırma yapmaksızın tamçözümüne ulaĢmak henüz mümkün değil. Fakat iki tane Hubbard zincirinin birleĢtirilmesiyleoluĢan Hubbard merdiveni için sayısal yoğunluk-matrisi renormalizasyon grubu ve kuantumMonte Carlo yöntemlerini kullanarak tam çözüme ulaĢmak mümkün. Uygun modelparametreleri seçildiği zaman Hubbard merdivenin de fermiyonlar arasında kuvvetli d(x 2 –y 2 )simetrili süperiletkenlik bağlantıları gözlenmiĢtir. Burada çok-tanecik fiziğinin sayısalyöntemlerini kullanarak Hubbard merdivenindeki d(x 2 –y 2 ) simetrili süperiletkenlik hakkındaneler öğrendiğimizi ve bunların bakır-oksit tabanlı materyallerde gözlenen yüksek-sıcaklıksüperiletkenliği için ne anlama geldiğini konuĢacağım. Özellikle d(x 2 –y 2 ) simetrilisüperiletkenliğin gücünün nasıl belirlendiğini inceleyeceğiz. Göreceğimiz sayısal sonuçlard(x 2 –y 2 ) simetrili süperiletkenliğin oluĢumunda spin dalgalanmalarının öneminivurgulamaktadır.9

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ç02Grafen: Karbon tülünün sihiriİsmet İ. KayaSabancı Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, İstanbulGrafen üzerine yapılan bilimsel ve teknolojik araĢtırmalar son yıllarda hızla artmaktadır.Temel ve uygulamalı yoğun madde fiziğinin gözbebeği haline gelen bu malzemeye bu denliilgi duyulmasının en önemli nedeni ise gelecekte önemli uygulama alanları bulabileceğinedair yaygın bir kanaat oluĢmasıdır. Bu yılki Nobel ödülü de bu malzeme üzerinde eldeettikleri ilginç deneysel sonuçlarla 2004 yılında grafen çığırını baĢlatan Geim ve Novoselov‟averilmiĢtir. Bu konuĢmamda grafenin sıradıĢı özellikleri ve bu özelliklerin ne tür potansiyeluygulamalarda iĢe yarayabileceğinden bahsedeceğim. Grafenin uygulama alanı bulabilmesiiçin ucuz, çok miktarda ve üstün nitelikli üretebileceği tekniklerin geliĢtirilmesigerekmektedir. Grafitten ayrıĢtırmayla, epitaksiyel olarak ve kimyasal buhar çöktürmesiylegrafen üretim tekniklerindeki geliĢmeleri ve ve bu alanlarda yapmakta olduğumuzaraĢtırmaları özetleyeceğim. KonuĢmanın son kısmında grafende kuantum Hall etkisi,uygulamaları ve bu etkinin yüksek akımlarda çökmesi konusunda aldığımız verilerianlatacağım.10

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Yüksek çözünürlüklü mikroskopi ve spektroskopi yöntemlerininbiyolojik örnek analizinde uygulamalarıAlpan BekOrta Doğu Teknik Üniversitesi - Fizik Bölümü, 06800 AnkaraÇ03Son 15 – 20 yıldır bilimcilerin yüksek çözünürlüklü veri toplamadaki yeterlikleri teknik geliĢimeparalel olarak büyük ölçüde artıĢ göstermiĢtir. 20. yüzyılın sonlarında atom-altı konumsal veattosaniye zamansal çözünürlük hayatımıza girmiĢ bulunuyor. Fizikte ve kimyada olduğu gibigünümüzde biyolojide de, belki daha fizik ve kimyadan da büyük ölçüde, önceleri mümkün olmayandetayda gittikçe küçülen ölçütlerde veri toplama yeteneğinden faydalanılmaktadır.Örneğin katlanmıĢ bir proteinin üstyapısından bu proteininfibril çökeltilerinin (ġekil 1) üstyapısına uzanan bilgi birikimibilimcilerin moleküler yapı düzeyinden baĢlayarak hücredüzeyine kadar uzanan akıllı ilaç dağıtım tasarımlarıyapmalarına yardım etmektedir [1].Hücrelerin mikroskopik düzeyde moleküler ve fonksiyonelharitalarının çıkarılması [2] artık günümüzde bilim kurgudeğil bir laboratuvar rutini haline gelmektedir (ġekil 2).Şekil 1: Prion protein oligomer vefibrillerinin atomik kuvvetmikroskopu görüntüleriBu konuĢmada biyolojik sistemlerin yüksekçözünürlükte mikroskopik ve spektroskopikgörüntülenmelerinden birkaç örnek sunulacaktırve büyük hacimli deneylere yüksek çözünürlüklü,küçük hacimli verinin nasıl tamamlayıcıdestek oluĢturduğu gösterilecektir.Şekil 2: Nöronların çeşitli bantlardamikroskopik kızılötesi emilim haritalarıKaynakça1. M. Polano, A. Bek, F. Benetti, M. Lazzarino, G. Legname, “Structural Insights Into Alternate AggregatedPrion Protein Forms”, Journal of Molecular Biology 393, 1033–1042 (2009).2. A. Didonna, L. Vaccari, A. Bek, G. Legname, "Infrared Microspectroscopy: a multiple-screening platformfor investigating single-cell biochemical perturbations upon prion infection", ACS Chemical Neuroscience,2 (3), 160–174 (2011).11

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ç04Kuantum nokta ve kuantum sınırlı safsızlık atomlarının terahertz uygulamalarıBülent AslanAnadolu Üniversitesi Fizik Bölümü, Yunusemre Kampüsü, 26470 EskişehirTerahertz (THz) frekans bölgesi, son yıllarda hızla artan sayıdaki çalıĢmalara rağmenelektromanyetik tayfın en az geliĢmiĢ bölgesidir. Sahip olduğu büyük potansiyelinkullanılabilmesi için, THz bölgede çalıĢan ıĢık kaynaklarına ve algılayıcılarına ihtiyaç vardır.Bu amaç doğrultusunda yürütülen çalıĢmalarda, kuantum kuyu ve kuantum nokta yarıiletkennano-yapılar önemli yer tutmaktadır. Bunun sebebi, temel olarak yarıiletken nano-yapılarınözelliklerinin, katman yapılarının, katkı türü ve miktarlarının farklı Ģekillerde tasarlanarakistenilen bölge için ayarlanabilmesidir. Kuantum kuyu yapılarının büyütülmesindeki tecrübeve rahatlık, kuantum noktaların atom benzeri enerji seviyelerinin sağladığı avantajlarlabirleĢtirilebilir. Bu amaçla, kuantum kuyu içine katkılanmıĢ az miktardaki safsızlıkatomlarının bağlanma enerjileri THz uygulamalarda kullanılabilir. Kuantum kuyu içindeki bubağlanma enerjilerinin birkaç meV mertebesinden 80–90 meV mertebesine kadardeğiĢtirilebilmesiyle dipol izinli (1s – 2p) geçiĢlerini aktif mekanizma olarak kullanan aygıtlarüretilebilir.Bu konuĢma, THz üretimi–algılaması için kuantum nokta içeren yeni yapılara ve benzeriyaklaĢımlara odaklanacaktır. EĢik akım yoğunluğunun düĢük olması, yüksek sıcaklıktaçalıĢabilirliği, yüksek diferansiyel kazanç mekanizması ve dalgaboyu ayarlanabilirliği gibipotansiyel avantajlarının olması, kuantum nokta yapıları THz bölge uygulamalarındakullanılmak üzere umut veren bir aday yapmaktadır. GaAs içinde kendiliğinden oluĢan InAskuantum nokta yapılar üzerinden tınlaĢım tünelleme olayının gözlenmesi, kuantumnoktayapıların THz uygulamalarda kullanılmasının ilk adımı olarak tartıĢılacaktır. InAs/GaAskuantum noktaların enerji seviyelerin, büyütme sonrası gerçekleĢtirilen ısıl iĢlem sonucundaayarlanabileceği bir dedektör yapısında gösterilmiĢtir.Benzer Ģekilde, çift engelli bir kuantum kuyu tınlaĢım tünelleme diyot yapısı, THzbölgedeıĢıma yapan yayıcılar için ön aĢama olarak sunulacaktır. Bu yapıda, safsızlık atomlarıüzerinden tünelleme akımının gözlenmesi sonraki aĢamalar için kritik önemtaĢımaktadır.Verici destekli tünelleme iĢleminde, dıĢarıdan uygulanan voltajın etkisiylekuantum kuyu içindeki 2p-benzeri verici seviyesine geçen elektronlar, 1s-benzeri tabandurumuna geçiĢ yaparak foton yayarlar. THz bölgedeki fotonların algılanması çalıĢmalarındaise (1s→ 2p) geçiĢlerini kullanan yanal taĢıyıcı iletimine dayalı çoklu kuantum kuyu yapılarkullanılır. Son olarak, verici katkı atomlarıyla katkılanmıĢ GaAs/AlGaAs kuantum kuyularınTHz bölgedeki lineer olmayan (nonlinear) optik özelliklerinin incelendiği hesaplamalartartıĢılacaktır. Yapılan hesaplamalar, kuyu geniĢliği ve/veya Al konsantrasyonu arttıkça lineerolmayan optik alınganlığın azaldığını göstermektedir. Benzer Ģekilde, kuyu içindeki katkımerkezinin pozisyonu kuyu kenarlarına kaydırıldıkça lineer olmayan optik alınganlıkazalmaktadır. Ek olarak, büyütme doğrultusunda uygulanan manyetik alanın 2p±enerjilerindeki çakıĢıklılığı kaldırdığı ve böylece büyük ve ayarlanabilir lineer olmayan değerkatsayısı (nonlinear figure of merit) elde edilebileceği gösterilmiĢtir.12

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011SÖZLÜSUNUMLAR13


18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011S01Kuantum Hall tabanlı Aharonov–Bohm spektroskopisi: Kuram ve deneyA. Sıddıkiİstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Vezneciler, 34134 İstanbulAharonov–Bohm spektroskopisi sanki-parçacıkların kuantum istatiksel özelliklerinintamsayılı ve kesirli kuantize Hall rejimlerinde incelenmesinde önemli bir araçtır. Konuylailgili araĢtırmalar özellikle Abelyen olmayan (non-Abelian) durumların topolojikkuantumbilgi iĢlenmesine yol açacağı öngörüsü üzerinde yoğunlaĢmaktadır.Ancak,etkileĢimlerin bu kuantum durumlarını kuantize Hall Ģartları altında nasıl etkilediği hal-ihazırda araĢtırılmaktadır. Bu konuĢmada faz bağımlı manyeto-transport deneyleri ile birlikteelektron–elektron etkileĢimlerini de hesaba katan öz-uyumlu çözüm yöntemleri kısacaanlatılacaktır. Odak nokta, doğrusal olmayan fakat eĢ evreli (coherent) olan kenar durumtaĢınımı olacaktır. Bu rejim mevcut araĢtırma etkinliklerinin epeyce ötesindedir. Deneyler,GaAs heteroyapıda oluĢturulan iki boyutlu elektron gölcüğünde (noktasında) tanımlıAharonov–Bohm interferometrelerinde gerçekleĢtirilmektedir. Bu aygıt aynı zamandakuantum anahtarı olarak da kullanılabilecektir. Kuantum Hall kenar durumları faz eĢ evresini(phase coherent) korumaktadır ve interferometrenin kolları olarak düĢünülmektedir. Elektrongölcüğünün geometrisi ve kenar durumların doğası yüzey kapılarına uygulanan gerilim ilekontrol edilebilmektedir. Bu alan etkili teknik, tuzaklama potansiyelinin dikliğini kontroletmemize olanak sağlamakta ve bu sayede her bir interferometre kolununa simetrik olaraktanımlanmasına imkan vermektedir. Bu deneyleri yapmak için, yüksek manyetik alanlar (B >5 Tesla) ve düĢük sıcaklıklar (T < 1.4 K) gerekmektedir. Süperiletken magnet (B ~ 20 Tesla)ve soğutucu sistem (T ~ 10 mK), Ġstanbul Üniversitesi Fizik bölümünde birkaç ay içerisindehizmete girecektir ve bu konuĢmada ilgililerin dikkatine sunulacaktır.15

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Plazma nitrürlenmiĢ 316L paslanmaz çeliği ve CoCrMo alaĢımı üzerindemanyetik tabaka oluĢumuO. Öztürk 1 , S. Okur 1 , J. P. Riviere 2 , M. O. Liedke 31 Department of Physics, Izmir Institute of Technology, Urla 35430, Izmir, Turkey2 Institute PPRIME UPR3346 CNRS, ENSMA, Universite de Poitiers, Chasseneuil-Futuroscope Cedex, France3 Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Forschungszentrum, Dresden-Rossendorf, P.O. Box 510119, D-01314 Dresden, GermanyS02Östenit paslanmaz çelik (304, 310, 316) ve CoCrMo alaĢım yüzeylerine 400 ºC alttaĢ sıcaklıkcivarında çeĢitli iyon ıĢınımı metodlarıyla azotun girmesi sonucunda, bu alaĢım yüzeylerindeyüksek azot içeren yarıkararlı bir faz, γ N , oluĢmaktadır. γ N fazı, katı solusyon fazı veyageniĢletilmiĢ östenit fazı olarakta bilinmektedir. Bu fazı içeren tabakaların ortak özellikleriyüksek sertliğe ve aĢınma dayanımına ve iyileĢtirilmiĢ korozyon dayanımına sahipolmalarıdır. Bu fazın az bilinen diğer bir özelliği ise magnetic yapısı ile ilgilidir. Azotmiktarına ve kafes geniĢlemesine bağlı olarak, bu faz hem ferromanyatik hem deparamanyatik özelliklere sahiptir (östenit paslanmaz çelik ve CoCrMo alaĢım alttaĢmalzemeleri fcc kristal yapıda olup, oda sıcaklığında paramanyetik özelliktedir). Bu sunumunamacı bir FeCrNi alaĢımı olan 316L paslanmaz çeliğinde ve CoCrMo alaĢımında oluĢangeniĢletilmiĢ östenit fazının manyetik özelliklerini incelemek olacaktır. Bu fazın her ikialaĢımda oluĢumu, 400 ºC alttaĢ sıcaklığı civarında ve gaz karıĢımı 60% N 2 – 40% H 2 olandüĢük-basınç RF plazma nitrürleme metoduyla gerçekleĢtirilmiĢtir. γ N fazını içerentabakaların manyetik karakteri, yüzey-duyarlı bir teknik olan manyeto-optik Kerr etkisi(MOKE) cihazı ve bir taramalı uç mikroskobunun manyetik kuvvet modunda (MFM)kullanılmasıyla analiz edildi. Bu analizler sonucu gözlemlenen Ģerit Ģeklindeki domainyapıları ve histeri eğrileri, bu geniĢletilmiĢ fazların, γ N -(Fe,Cr,Ni) ve γ N -(Co,Cr,Mo),ferromanyetik doğaya sahip olduklarının güçlü birer kanıtı olarak gösterilebilir. Buradagözlemlenen ferromagnetic yapı ana olarak büyük kafes geniĢlemelerine (~10%) ve yüksekazot miktarlarına (~30 at.%) bağlanabilir. Azot atomları paslanmaz çelik ve CoCrMoalaĢımlarında fcc örgüsünde octahedral boĢluklara girerek, bu malzemelerin kafesleriningeniĢlemesine neden olmakta ve bu da fcc örgüsünde Co–Co (veya Fe–Fe) mesafeleriniartırmakta ve bu değiĢim manyetik etkileĢimleri güçlü bir Ģekilde etkilemektedir. Östenitpaslanmaz çelik ve CoCrMo alaĢımlarında oluĢan bu geniĢletilmiĢ fazların, γ N -(Fe,Cr,Ni) andγ N -(Co,Cr,Mo) ferromanyetik özellikleri, fcc kristal yapılarına sahip demir/demir nitrür (fcc γ-Fe/fccFe 4 N) ve kobolt/kobolt nitrür (fcc γ-Co/fccCo 4 N) yapılarının, manyetik özelliklerininhacme bağlı olmasıyla iliĢiklendirilmektedir.16

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Epitaksiyel Ni–Mn–Sn ultra ince filmlerin yapısal, elektriksel, ve manyetiközelliklerinin incelenmesiE. Yüzüak 1 , I. Dinçer 1 , Y. Elerman 1 , A. Auge 2 , M. Meinert 2 , ve A. Hütten 21 Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fak., Fizik Müh. Beşevler, 06100 Ankara2Bielefeld Üniversitesi, Thin Films and Physics of Nanostructures, Fizik Bölümü,Bielefeld, AlmanyaS03Heusler alaĢımları, çok zengin yapısal, elektriksel ve manyetik davranıĢlar göstermektedirler. Buözelliklerinde en önemlisi, bu tip alaĢımlar yarı-metalik davranıĢ göstermeleridir. Özelikle günümüzünileri teknoloji ürünü olan spin elektroniği (spintronik) uygulamaları açısından ideal malzemelerolmaktadırlar ve son zamanlarda birçok bilim adamı tarafından incelenilmektedirler. Spin elektroniği,Spintronik, manyetizma ve elektroniğin en yeni ve hızlı bir Ģekilde geliĢen dalıdır [1]. Spintronik,özellikle katıhal fiziği ile ilgili çalıĢan bilim adamları için yeni bir araĢtırma sahası olup, birçokdisiplinden ilgi çeken bir çalıĢma alanıdır. ġu anda kullanılan elektronik cihazlar, elektronun yükününserbestlik derecesine göre çalıĢmakta ve elektronun spinin serbestlik derecesini yok saymaktadır.Spintronik ise elektronun spininide elektronik cihazlara eklemektedir. Böylece, elektronun spinininserbestlik derecesinin geleneksel elektronik cihazlara eklenmesi, bu cihazların veri iĢleme hızınıartmasına, elektriksel güç kullanımını azaltmasına ve sürekli bellek kullanabilmesine olanaksağlayacaktır [2].Ni 50 Mn 35 Sn 15 Heusler alaĢımının yapısal faz geçiĢinin ferromanyetik bölgede olması ve manyetikalana bağlı olarak çok büyük zor (strain) gösterdiği için bu alaĢımların ince filmleri üretilmiĢtir [3]. Bukapsamda, Ni (99.998), Mn (99.99), Sn (99.9999) saf elementlerden yapılmıĢ hedefler kullanılarak0.60.6 cm 2 büyüklüğünde MgO(100) tek kristal alt taĢ üzerine Ni 50 Mn 35 Sn 15 alaĢımlarının incefilmleri, manyetik alanda sıçratma sistemi kullanılarak elde edilmiĢtir. Manyetik alanda sıçratmasisteminin temel basıncı, 210 –9 mbar ve sıçratma iĢlemi azot gaz basıncı ise, 210 –3 mbar‟dır. Eldeedilen manyetik ince filmlerin yapısal, kalınlık ve kompozisyon karakterizasyonu, XRD, XRR ve XRFteknikleriyle gerçekleĢtirildi. Elde edilen manyetik ince filmlerin elektriksel özellikleri, BielefeldÜniversitesindeki ev yapımı direnç ölçüm sisteminde incelendi. Ġnce filmlerin manyetik özellikleri,manyetik alan altında ısıtma (FH) ve manyetik alan altında soğutma (FC) kiplerinde, 10–330 Ksıcaklık aralığında, 150 Oe‟lık manyetik alan altında SQUID ile belirlendi [3].Ölçümler sonucunda, manyetik alanda sıçratma sistemiyle 10 nm, 20 nm, 35 nm, 50 nm ve 100 nmkalınlığında, Ni 51.6 Mn 34.9 Sn 13.5 kompozisyonunda ultra ince filmler MgO (100) tek kristal alttaĢ üzerineepitaksiyel üretilmiĢtir. Oda sıcaklığı yakınlarında yapılan XRD ölçümleri ile 10 nm ve 20 nmkalınlığındaki ince filmlerin daha yüksek oranda Austenit (L2 1 ) fazda olduğu bulunurken, 35 nm, 50nm ve 100 nm kalınlığındaki ince filmlerin daha yüksek oranda Martensitik (7O) fazda olduğubulunmuĢtur. Manyetik ve elektriksel ölçümler sonucunda, manyetik ince filmlerin kalınlığı artıkça,yapısal faz geçiĢini düĢük sıcaklıktan yüksek sıcaklığa doğru değiĢtiği gözlemlenmiĢtir. Ayrıca 10 ve20 nm kalınlığında üretilen ince filmlerde dünyada ilk defa yapısal faz geçiĢi ve buna bağlı olarak taĢekil hafıza etkisi gözlemlenmiĢtir [3].Teşekkür: Bu çalıĢma, Tübitak (Proje Numarası: 109T582) tarafından desteklenmektedir.Referanslar:[1] I. Zutic et al., Rev. Mod. Phys. 76, 323(2004).[2] B. Balke et al., Phys. Rev. B 74, 104405 (2006).[3] A.Auge et al.,Phys. Rev. Lett.‟egönderildi.17

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Nanogözenekli TiO 2 seramik su filtrelerinin hazırlanmasıM. Burak Kaynar 1 , İsmat Shah 2 , Şadan Özcan 1 , Tezer Fırat 11 SNTG Lab. Fizik Mühendisliği Bölümü Hacettepe Üniversitesi Beytepe Ankara, Türkiye2 Materials Science and Engineering University of Delaware Newark, DES04Bu çalıĢmada kendi kendini temizleyebilen ve bakteri boyutuna kadar organik ve inorganikkontaminantların sudan filtrelenmesinde kullanılacak ucuz ve güvenli filtreler hazırlanmasıamaçlanmıĢtır. Amaç doğrultusunda 50 nm ortalama gözenek büyüklüğüne sahip TiO 2 sufiltreleri ticari TiO 2 nanoparcacıklar (Degussa TiO 2 P25) ve polyvinylpyrrolidone (PVP 10)kullanılarak yakma–sinterleme yöntemiyle çözücü kullanmaksızın hazırlandı. Hazırlananfiltrelerin yapısal analizi x-ıĢını toz difraksiyonu (XRD) ve taramalı elektron mikroskopu(TEM) kullanılarak yapıldı. Filtrelerin %79 rutil %21 anataz fazından oluĢtuğu ve ortalamagözenek büyüklüğünün 50 nm olduğu belirlendi. Filtreler su-demiroksit nanoparcacık (30 nm)karıĢımı kullanılarak testedildi. Hazırlanan 50 nm ortalama gözenek büyüklüklü filtrelerin 30nm ortalama tanecik büyüklüğüne sahip nanoparçacıları dahi %90 filtrelediği x-ıĢınıfotoelektron spektroskopisi kullanılarak belirlendi.18

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011TiO 2 (110) yüzeyinde güneĢ pili uygulamaları için oluĢturulmuĢ kusurdurumlarının analiziV. Çelik 1 , H. Ünal 1 , E. Mete 1 , ve Ş. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Balıkesir Üniversitesi, 10145 Balıkesir2 Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 06800 AnkaraS05GüneĢ enerjisinin doğrudan kullanımı, elektron–deĢik çifti üretmek için soğurulan fotonlarınkullanıldığı fotovoltaikler ve boya duygunlaĢtırıcılı güneĢ hücreleri (DSSC) sayesindemümkün olmaktadır. Kristal yüzey ve nanotüp, nanotel gibi formlarıyla titanyum dioksit(TiO 2 ), DSSC uygulamalarında kullanılmak üzere tercih edilen yarıiletkendir. Saf TiO 2 ‟insoğurma frekansı (rutile fazı için ~414 nm ve anataz fazı için ~387 nm) güneĢ tayfınınmorötesi bölgesindedir. ÇeĢitli katyonik veya anyonik safsızlıklarla TiO 2 ‟nin elektronik bandaralığı değiĢtirlebilmekte ve fotokatalitik aktivitesi güçlendirilebilmektedir. Yüzeysafsızlıklarının incelenmesinde platin kümeleri önemli bir prototiptir. Pt n (n=1–4) kümelerininadsorpsiyon profilleri ve elektronik yapıları sistematik olarak stokiyometrik, indirgenmiĢ verekonstruktif rutil (110) yüzeylerinde, Hubbard U tipi mahallinde (on-site) CoulombetkileĢimi ile düzeltilmiĢ hibrid yoğunluk fonksiyoneli kuramı (DFT) çerçevesinde hesaplandı[Phys. Rev. B 82, 205113 (2010)]. Özellikle indirgenmiĢ yüzeylerde standart DFT, Ti 3delektronlarına ait kuvvetli korelasyon enerjisinin yerel yoğunluk yaklaĢımdan (LDA) dolayıolması gerekenden küçük tahmin etmektedir. Deneyler, bu gibi, stokiyometrik olmayan rutil(110) yüzeylerine ait iletim bandının ~0.9 eV altında yer alan kusur durumlarının varlığınıortaya koymaktadır. Bu kusur durumlarının, Ti 3d elektronları arasına ampirik olarak eklenenHubbard U tipi mahallinde (on-site) Coulomb itmesiyle deneysel gözlemlerle paralel biçimdetüretilebileceği gösterildi. Platin kümeleri için rekonstruktif yüzey çalıĢmasında deneysel veteorik olarak en çok kabul gören Onishi ve Iwasawa [Surf. Sci. Lett. 313, 783 (1994)] modelikullanıldı. Son zamanlarda deneysel olarak desteklenen Park [Phys. Rev. B 75, 245415(2007)] modeli termodinamik stabilite bakımından Onishi modeliyle, DFT+U çerçevesindekarĢılaĢtırıldı [Phys. Rev. B 84, 115407 (2011)]. Onishi–Iwasawa modelinin yüzey enerjisinindaha düĢük olduğu gösterildi. Standart DFT rekonstrüktif yüzeydeki oksijen eksikliğindenkaynaklanan fazla yükün oksijen boĢluğu etrafında toplandığını öngörmektedir. Oysadeneysel sonuçlar bu fazla yükün yüzey altı Ti katyonu etrafında yoğunlaĢtığını rapor etmekteve bu veri, DFT+U hesaplarımızla örtüĢmektedir.Teşekkür: Bu çalıĢma TÜBĠTAK tarafindan desteklenmektedir (110T394).19

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Oda sıcaklığında AgTaO 3 kristalinin elektronik ve dinamik özelliklerininincelenmesi: Ab initio hesabıŞevket Şimşek ve Süleyman ÇabukÇukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 01330 Balcalı-ADANAS06Ferroelektrik kristallerin önemli bir sınıfı ABO 3 genel formunda olan perovskitlerdir. AgTaO 3kristali perovskite kristal yapısına sahip olup, oda sıcaklıklığında rombohedral fazdadır.Sıcaklığın azalmasıyla, yapıdaki simetri bozularak sırasıyla,663K692K777KRombohedral Monoklinik Tetragonal Kübikfaz geçiĢlerine uğrar. AgTaO 3 , perovskite bileĢikler içinde en az araĢtırılan malzemedir. BuçalıĢmadaki amaç, yerel yoğunluk yaklaĢımı (LDA) altında yoğunluk fonksiyon teorisi (DFT)ve ab-initio pseudo-potansiyel yöntemini kullanarak rombohedral fazdaki AgTaO 3 kristalininelektronik ve dinamik özelliklerinin araĢtırılmasıdır. Ġlk önce, AgTaO 3 kristalinin Brillouinbölgesindeki yüksek simetri yönlerindeki band yapısı incelendi. Rombohedral fazdakiAgTaO 3 kristalinin dolaylı band aralığına sahip olduğu görüldü ve X– simetri noktasındakideğeri 1.949 eV olarak hesaplandı. Fermi seviyesi yakınlarında valans band spektrumunudaha iyi anlayabilmek için AgTaO 3 kristalinin toplam ve parçalı durum yoğunluğu (DOS)hesaplandı. Ayrıca rombohedral fazdaki AgTaO 3 kristalinin elastik sabitleri, Born efektifyükleri ve optik dielektrik sabiti hesaplandı.20

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Nanotellerle kaplanmıĢ endüstriyel boyutlarda kristal silisyum güneĢ gözeleriM. Kulakci 1, 2 , F. Es 1 , B. Ozdemir 1, 3 , H. E. Unalan 1,3 , ve R. Turan 1,21 Güneş Enerjisi Araştırma ve Uygulama Merkezi (GÜNAM), Orta Doğu Teknik Üniversitesi,06800 Ankara2 Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi , 06800 Ankara3 Metalurji ve Malzeme Mühendisliği, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 06800 AnkaraS07Son yıllarda opto-elektronik ve elektronik yeni nesil aygıt uygulamaları için, yarıiletkennanotel araĢtırmaları oldukça ilgi çekmektedir. Günümüz elektronik ve fotovoltaikendüstrisinin temel malzemesi olmasından dolayı silisyum nanoteller diğer yarıiletkennanotellere gore ayrı bir ilgi alanına sahiptir. Silisyum nanoteller ya kristal silisyum tabanlıgüneĢ gözeleri için verimli ıĢık tuzaklayan yüzey kaplaması olarak aktif ve pasif olarak, ya dadiğer organic ve inorganic yarı iletken malzemelerle heteroeklem yapısında aktif malzemeolarak kullanılabilmektedir. Nanotel tabanlı radyal ya da aksiyal yapıda p–n eklemleriningüneĢ gözesi olarak kullanılabileceği yakın zamanlarda öne sürülmüĢtür. Silisyumnanotellerin güvenilir ve verimli olarak fotovoltaik uygulamalarda kullanılabilmesi içingeometrisi ve katkılanabilirliğinin tekrarlanabilmesi büyük önem arzetmektedir. Ayrıcaendüstriyel boyutta uygulamalar için, nanotel üretiminin büyük ölçekli alanlardayapılabilmesi çok önemlidir. Böyle bir uygulama endüstride var olan üretim hatlarınauygunluk gerektirmesi yanında, nanotellerin üretimi için gerekecek ekstra maliyet, nanotelinsağlayacağı verimlilik artıĢıyla fazlasıyla karĢılanabilmelidir. Üretildiği taban yongayla aynıfiziksel özelliklere sahip olmasından dolayı elektrotsuz kazıma yöntemi, diğer silisyumnanotel üretim yöntemlerine gore çok büyük avantajlar içermektedir. Bu yöntemle üretilennanotel kaplanmıĢ yüzey alanı sadece elde var olan alttaĢ alnıyla limitlidir.Bu çalıĢmada, elektrotsuz kazıma yöntemiyle endüstriyel çoklu- ve tek-kristal silisyumyongalar (15.615.6 cm 2 ) üzerinde, GÜNAM labaratuvarında silisyum nanoteller üretilmiĢtir.Oda sıcaklığında farklı uzunlukta nanotellerle kaplanmıĢ silisyum yongalardan büyük ölçekli,endüstriyel üretim hattında güneĢ gözeleri üretilmiĢ ve test edilmiĢtir. Üretilen güneĢ gözeleri,Ģu anda bilindiği kadarıyla nanotel tabanlı olan dünyada üretilen en büyük güneĢ gözeleridir.Reflektivite ölçümleri göstermiĢtir ki nanoteller oldukça verimli bir Ģekilde anti-reflektifyüzeyler oluĢturmaktadır. Bu ıĢık hapsetme kabiliyetlerinin nanotel uzunluğuna bağlılığıgösterilmiĢtir ve de endüstriyel uygulamalar için iyi bir anti-reflektör olabileceği anlaĢılmıĢtır.Henüz optimizasyonu yapılmamasına rağmen, nanotel kaplı güneĢ gözelerinin, belirli nanoteluzunluklarında standart endüstriyel gözelerle hemen hemen aynı verimliliğe sahip olduğugözlenmiĢtir. Standart ve nanotelli gözeler standart gözelere uygun Ģekilde yapıldığı için,üretim parametrelerinin bazıları nanotelli gözeler aleyhine olduğu gözlenmiĢtir. Bu sorunlarıngiderilmesinden sonar, nanotelle kaplı gözelerden daha yüksek verim alınabileceğigörülmüĢtür.21

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Dinamik metamanyetik durulmanın kritik ve üçlükritik noktalar yakınındakifrekans bağlılığıGül Gülpınar, Mehmet Ağartıoğlu, Yenal Karaaslan, ve Erol VatanseverFizik Bölümü, Dokuz Eylül Üniversitesi, 35180 İzmirS08Yüksek alan ve düĢük sıcaklık değerleri için birinci dereceden, düĢük alan ve yüksek sıcaklıkdeğerleri için ise ikinci dereceden geçiĢler sergileyen spin-½ metamanyetik Ising modeli üçlükritik nokta ile karakterize bir faz diyagramına sahiptir. Bu çalıĢmada spin-½ Isingmetamıknatısına ait karmaĢık veya dinamik alınganlıklar ( velineer yanıt kuramı kullanılarak elde edilmiĢtir.Anti-ferromanyetik fazda sekmeli alınganlık, frekansın logaritması cinsinden sunulduğundadispersiyon katsayısı iki ardıĢıl plato bölgesine sahipken absorbsiyon katsayısı iki maksimumsergilemektedir. Paramanyetik fazda ise dispersiyon katsayısı tek bir plato ile karakterizedir.Benzer Ģekilde düzensiz fazda sistemdeki ısıl kaybı ifade eden absorbsiyon katsayısı tek birminimuma sahiptir. Bu durum Cole–Cole eğrilerindeki düzenli fazdaki iki yarı çemberin veparamanyetik fazdaki tek yarı çemberin varlığı ile uyum içindedir.Teşekkür: Bu çalıĢma TBAG 109T721 numaralı Proje bünyesinde Türkiye Bilimsel ve Teknolojik AraĢtırmaKurumu (TÜBĠTAK) tarafından desteklenmiĢtir.22

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Yüksek hassasiyetli, düĢük sıcaklık atomik kuvvet mikroskobu tasarımıÖzgür Karcı 1,2 , Münir Dede 1 , ve Ahmet Oral 31 NanoManyetik Bilimsel Cihazlar Ltd., Hacettepe Teknokent, 3.ArGe, 31, Beytepe, Ankara2 Hacettepe Üniversitesi, Nanoteknoloji ve Nanotıp Bölümü, Beytepe, 06800 Ankara3 Sabancı Üniversitesi, Doğa Bilimleri ve Mühendislik Fak., Orhanlı - Tuzla, 34956 İstanbulS09Fiber interferometrik ölçüm sistemleri, düĢük sıcaklık atomik kuvvet mikroskop (DS-AKM)sistemlerinde, kuvvet algılayıcısı olarak kullanılan yayların sapmalarını ölçmede yaygınolarak kullanılır. Tipik bir Michelson interferometresi Ģeklinde çalıĢan bu ölçüm sistemlerindeelde edilen ölçüm hassasiyeti ~100fm/√Hz mertebesindedir. Bir interferometre ölçüm sistemi,ucu elmas bir kesiciyle düzlenmiĢ bir fiber ve fibere dik olacak Ģekilde hizalanmıĢ bir yaydanoluĢur. 1320 nm dalga boyundaki bir lazer demeti, 22 %50‟lik bir fiber çiftleyiciye gelerekburada ikiye ayrılır: birinci kısım fiber kablo aracılığıyla taĢınarak, ucu düzlenmiĢ fiberegelerek %2–3‟lük kismi buradan geri yansır. Kalan kısım dıĢarıya yayılarak, yaya çarpar veyansıyarak geri döner ve fiber kabloya girerek ilerler. Bu iki demet, fiber kablo içerisindeilerleyerek bir phodedektöre ulaĢır ve burada bir giriĢim deseni oluĢturarak bir akım oluĢturur.Bu akım, i =i o [1–Vcos(4πd/λ)] Ģeklinde ifade edilir. Denklemdeki V parametresi „görünürlük‟,d ise fiber ile yay arasındaki mesafeyi ifade etmektedir. Bu iki parametre, bir fiberinterferometrenin hassasiyetini belirleyen iki ana unsurdur.Bu çalıĢmada, DS-AKM‟de kuvvet etkileĢimlerinden doğan yay sapmalarını ölçmek içinMichelson türü bir interferometre geliĢtirdik. RF modülasyonu uyguladığımız laser demetiDS-AKM sisteminde ~25 fm/√Hz mertebesinde bir hassasiyet elde ettik. Bu hassasiyetmertebesinde elde ettiğimiz Manyetik Kuvvet Mikroskobu (MKM) görüntülerinde, 10 nmmertebesinde bir çözünürlük elde ettik. Örnek olarak yüksek yoğunluklu bilgisayar harddisklerini kullandık. Elde ettiğimiz MKM çözünürlüğünü artırmak için, DS-AKM‟ninhassasiyetini artırmak ve gürültü seviyesini düĢürmek gerekmektedir. Bu amaçla iki önemlieylem önerisini ortaya koyduk: (1) düzlenmiĢ fiberin %2–3 seviyesinde olan yansımasınıartırmak, (2) fiber ile yay arasındaki mesafeyi azaltmak. Bu amaçla, düzlenmiĢ fiberidielektrik malzemelerle çok katmanlı bir Ģekilde kaplayarak yansımayı ~%50 seviyesineçıkardık. Fiber ile yay arasındaki mesafeyi azaltmak için, tarayıcı piezo tüpü kullancakĢekilde bir kaydırak mekanizması geliĢtirdik. Bu Ģekilde fiber, z-doğrultusunda yaya göre ilerive geri yönde hareket kabiliyeti kazandı. Mevcut tasarımdaki 30–40 µm olan yay–fibermesafesi bu mekanizma ile ayarlanabilir hale getirildi ve mesafe ~2–3 µm‟a düĢürüldü.Çok katmanlı dielektrik kaplama fiber–yay arasında, çoklu yansımalar oluĢmasını sağlayarakbir Fabry–Perot interferometresi olarak çalıĢmaya baĢladı. Bu Ģekilde yaptığımız gürültüölçümlerinde oda sıcaklığında ~8 fm/√Hz mertebesinde hassasiyet ölçmüĢ bulunmaktayız.Shot noise adını verdiğimiz gürültü tabanımız ise ~2 fm/√Hz olarak hesaplandı. Yeni sistemile devam eden çalıĢmalarımızda, hassasiyeti daha da artırmayı ve 5–6 nm seviyesinde MKMçözünürlüğü elde etmeyi amaçlamaktayız.23

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011W safsızllığı içeren ZnO yapılarda polarize spin akıĢıMusa Mutlu Can 1,2* ve Tezer Fırat 11 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, 06800 Ankara2Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Sabancı Üniversitesi, Tuzla, 34956 İstanbulS10Yarı iletken örgü içindeki kusurlar, teknolojik uygulamalardaki faklılıkların oluĢumuna nedenolmaktadır [1]. Yarı iletken örgü içerisinde kontrollü kusur oluĢumunu sağlayarak; elektriksel,optik ve hatta manyetik davranıĢı kontrol etmek mümkündür [2]. Yapılan çalıĢmalarda geniĢband aralığına sahip oksit yarı iletkenlerin sahip olduğu noktasal örgü kusurlar nedeni ilemagnetik davranıĢların meydana geldiğini göstermektedir [3,4]. Günümüzde ise manyetikolmayan f veya d enerji seviyesine sahip elementlerin de yarı iletken örgüye safsızlık olarakyerleĢimlerinin, magnetik davranıĢa neden olacağı belirlenmiĢtir. Yapılan çalıĢmada, polarizespin akıĢı ve ferromagnetik davranıĢı belirlemeye en uygun yarıiletken örneklerden biri olanW katkılı ZnO yarıiletkenler incelendi. Ġnce film üretimi, rf-magnetron kopartma sistemindeyapıldı. Ġnce film üretiminde, %1 ile %2 arasında değiĢen W safsızlığı sahip ev yapımı ZnOhedefler kullanıldı. ÇalıĢmada, ZnO yapıdaki W safsızlığının miktarı belirlenerek; busafsızlıklar nedeni ile oluĢan magnetik ve elektriksel değiĢimler irdelendi. W safsızlıklarınınyanı sıra örgü kusurlarının etkilerini belirlemek üzere de büyütme sonrası farklı ısıl iĢlemleruygulanan ince filmler de büyütüldü. Büyütülen ince filmlerin yapısal analizleri, x-ıĢını tozkırınım metresi (XRD), enerji dağıtıcı x-ıĢını spektrometresi (EDS) ve x-ıĢını foto elektronspektrometresi (XPS) ile yapıldı. Yapısal analizler , , , , O i ve O Zn gibi örgükusurlarının yanı sıra; W atomlarının da W +6 , W +5 ve W +4 iyonları halinde örgüye dâhilolduğu anlaĢıldı. Büyütülen filmlerde magnetik oluĢum magneto elektriksel ölçümler ileanlaĢıldı. Yapılan boyuna elektriksel ölçümlerde, örgü kusurlarına bağlı 50 K ve altındakisıcaklıklarda, negatif magneto direnç (NMD) ve pozitif magneto direnç (PMD) değiĢimlerininher ikisinin de etkileri görüldü. Sıcaklık 5 K değerinde ulaĢtığında ise büyütme sonrası ısıliĢlemlere bağlı olarak %28.8 ile %12.7 değerine kadar çıkan PMD değiĢimi belirlendi.Hesaplamalar PMD değiĢimlerinin örgüdeki polarize spin akıĢı ile iliĢkili olduğunu gösterdi.Polarize spin akıĢının belirlendiği bir diğer analiz ise “enine Hall” ölçümleri ile bulundu.noktasal kusurlarının baskın olduğu örneklerde normal olmayan Hall etkilerinin oluĢtuğuanlaĢıldı.Referanslar:[1] A. Janotti and C. G.V. De Walle, Phys. Rev. B 76, 165202 (2002).[2] Q.Wang, Q. Sun, G. Chen, Y. Kawazoe, and P. Jena,Phys. Rev. B 77, 205411 (2008).[3] N. H. Hong, J. Sakai, N. Poirot, and V. Brize, Phys. Rev. B 73, 132404 (2006).[4] K. R. Kittilstved, W. K. Liu, and D. R. Gamelin, Nature Mater. 5, 291 (2006).[5] B. Ali, L. R. Shah, C. Ni, J. Q. Xiao, and S. I. Shah, J. Phys.: Condens. Mater. 21, 125504 (2009).[6] H. Pan, J. B. Yi, L. Shen, R. Q. Wu, J. H. Yang, J. Y. Lin, Y. P. Feng, J. Ding, L. H. Van, and J. H. Yin,Phys. Rev. Lett. 99, 12701 (2007).[7] Q. Xu, H. Schmidt, S. Zhou, K. Potzger, M. Helm, H. Hochmuth, M. Lorenz, A. Setzer, P. Esquinazi, C.Meinecke, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 92, 082508 (2008).24

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Çok tabakalı küresel kuantum nokta yapı içerisindeki hidrojen tipi donorsafsızlığının elektronik özellikleriHatice Taş ve Mehmet Şahin*Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Selçuk Üniversitesi, Konya, TürkiyeS11Bu çalıĢmada, çekirdek/kabuk/kuyu/kabuk biçimli çok tabakalı bir küresel kuantumnoktasının, yüksüz bir donor safsızlığının varlığında ve yokluğunda, enerji özdeğerleri,dalga fonksiyonları, elektron olasılık dağılımları ve bağlanma enerjileri gibi elektroniközellikleri detaylı bir Ģekilde araĢtırılmıĢtır. Göz önüne alınan yapıda, taban (1S) veuyarılmıĢ (1P) durumlarına ait enerji özdeğerleri ve bu enerjilere karĢılık gelen dalgafonksiyonları, safsızlık yok iken (Z=0) ve safsızlık var iken (Z=1) hesaplanmıĢ vekarĢılaĢtırılmıĢtır. Enerji özdeğerleri ve dalga fonksiyonlarını belirlemek için Schrödingerdenklemi, etkin kütle yaklaĢımı altında ve sonlu sınırlandırma potansiyelinde, shootingmetodu ile tamamen sayısal olarak çözülmüĢtür. Yüksüz donor safsızlığının elektroniközellikler üzerindeki etkisi, farklı çekirdek yarıçapları, kabuk kalınlıkları ve kuyugeniĢlikleri için sabit potansiyel altında çalıĢılmıĢtır. Sonuçlar, tabaka kalınlıklarınınfonksiyonu olarak incelenmiĢ ve meydana gelen durumlar ayrıntılı olarak yorumlanmıĢtır.25

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Çizgi kusurlu fotonik kristal dalga kılavuzlarında saçıcıların konumlarınındeğiĢtirilmesi ile yavaĢ ıĢık özelliklerinin iyileĢtirilmesiFulya Bağcı ve Barış AkaoğluFizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100 AnkaraS12YavaĢ ıĢık optik gecikme hatları, optiksel ara bellekler, tamamen optik sinyal iĢleme ve çok hassasçalıĢan algılayıcılar gibi alanlarda uygulama bulmaktadır [1,2]. Fotonik kristal dalga kılavuzları(PCW) oda sıcaklığında çalıĢabilmeleri, çip üzerine entegre edilebilmeleri, geniĢ ve ayarlanabilir bandaralıkları ile bu alanda tercih edilen yapılardır [3,4]. Fakat PCW'ların da yavaĢ ıĢık rejiminde görülenyüksek dereceden dağınım etkileri sinyalde bozulmaya neden olmaktadır [5]. Ayrıca gelenekselPCW'larında kayıp oranının yüksek olması bu tip yapıların tasarımlarında yavaĢ ıĢık uygulamaları içinbazı değiĢikliklerin yapılmasını gerektirmektedir.Halka Ģeklinde saçıcılar algılayıcı uygulamalarında yüksek duyarlılık sağlamaktadır [6]. Saçıcınınkonumunu değiĢtirmek daha fazla kontrol imkanı verdiğinden teknolojik olarak tercih edilmektedir[7]. Bu çalıĢmada, silika alttaĢ üzerinde kusuru çevreleyen ilk sırada halka Ģeklinde saçıcılara sahipsilikon üçgen örgülü fotonik kristal dalga kılavuzları kullanılmıĢtır. Kusur etrafındaki ilk ve ikinci sırasaçıcılarının konumları dikey doğrultuda aĢağı veya yukarı yönde değiĢtirilerek dalga kılavuzununyavaĢ ıĢık performansı grup indisi, band geniĢliği ve grup hız dağınımı açısından incelenmiĢtir.Hesaplamalarda düzlem dalga açılımı yöntemini uygulayan “MIT Photonic-Bands” (MPB) paketikullanılmıĢtır [8]. Üç boyutlu hesaplamalar etkin indis yöntemi ile iki boyuta indirgenerek yapılmıĢtır.Ġlk sıra saçıcıların konumunda değiĢme s1 ve ikinci sıra saçıcıların konumunda değiĢme ise s2 ilegösterilecek olursa,s2'nin artıĢı ile grup indisindeki değiĢimin s1=0 için en fazla olduğu bulunmuĢtur.s1 negatif yönde arttıkça (çizgi kusurundan uzaklaĢtıkça) s2'nin artıĢı ile grup indisindeki artıĢ oranıazalmaktadır. Grup indisi–frekans eğrileri baĢlangıçta basamak biçiminde iken s2'nin artması ile grupindisi değeri artmakta, band aralığı azalmakta ve eğri U-biçimine dönüĢmektedir. Ayrıca s2'nin çizgikusuruna doğru kayma oranının artırılması bandın band aralığı kılavuzlu kısmını hava bandına doğruyaklaĢtırdığından yavaĢ ıĢık rejiminin görüldüğü bölge maviye kaymaktadır. Örgü sabiti(a) cinsindenilk sıra saçıcılar çizgi kusuruna 0.02a, ikinci sıra saçıcılar ise 0.08a kadar yaklaĢtırıldığında ıĢığın hızı0.005c'ye kadar düĢürülebilmektedir. YavaĢ ıĢığın gözlendiği bölgeye karĢılık gelen grup hız dağınımıdeğerleri de oldukça düĢük (GVD

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Kuantum hall rejiminde gerçek örnekler için interferometrelerin teorikmodellenmesiD. Ekşi (1) , Ö. Kılıçoğlu (1) , ve A. Sıddıki (2,3)1 Trakya Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Edirne 22030,2 İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, İstanbul 341343 Physics Department, Harvard University, Cambridge, 02138 MA, USAS13DüĢük boyutlu yarı iletken tabanlı parçacık interferometreleri düĢük sıcaklık ve yüksekmanyetik alanlarda kuantum taĢınım özellikleri göstermektedir. Ġki boyutlu elektron sistemi(2BES) üzerinde metalik kapılar veya kimyasal kesme yöntemleri ile tanımlanan buinterferometrelerin en yaygın araĢtırılanları Mach–Zehnder (MZ), Fabry–Perot (FP) veAharanov–Bohm (AB) interferometreleridir. Yapılan deneylerde örneğin faz farkının yoldanbağımsızlığı [1] gibi olguların açıklanabilmesi için malzemenin geometrik özellikleri veparçacıklar arası etkileĢmelerin de hesaba katılması gerekmektedir. Bundan dolayı deneyselparametreleri kullanarak kuantum Hall rejimi altında bu interferometreleri modelledik.Hesaplamalarda sıfır sıcaklık ve sıfır manyetik alan değerlerinde üç boyutlu yapı için Poissondenklemini çözdük ve potansiyel profilini elde ettik. Dik bir manyetik alan varlığında elektronelektron etkileĢmelerini de hesaba katarak, Thomas Fermi yaklaĢıklığı yöntemini kullanılarakelektron yoğunluğunun uzaysal dağılımını belirledik. 2BES‟e dik uygulanan manyetik alanyük taĢınım durumlarını kuantize eder ve elektron dağılımında iki farklı rejim olmasına nedenolur (sıkıĢtırılabilir bölgeler (SB) metal gibi davranır ve sıkıĢtırılamaz Ģeritler (Sġ) yalıtkangibi davranır). Manyetik alanın büyüklüğüne göre Sġ‟lerin kalınlıkları artmakta ya daazalmaktadır. FP tipi interferometre için yapılan deneysel çalıĢmada [2] gözlenen iletkenlikosilasyonları bahsedilen aygıtın boyutlarına bağlı olduğu gösterilmiĢtir. DıĢ bir manyetikalanın fonksiyonu olarak side gate (SG) durumu ile tanımlanan (A>5 µm 2 ) alandaki giriĢimlerAB periyodikliği gösterir. Bu durumda Sġ‟lerin çevrelediği kapalı alan içindeki manyetik akısayısı manyetik alan ile lineer artar. Buna karĢılık, küçük örnekler (A < 3 µm 2 ) Coulombdominated (CD) rejim olarak adlandırılan karĢıt bir davranıĢ gösterir. Akı sayısı manyetikalanı ile azalır. Fakat örnek üzerine yerleĢtirilen top gate (TG) ile AB periyodikliği durumunadönmesine neden olur. Manyetik alanın etkisiyle oluĢan iki SB arasındaki Sġ bölgesinde hemkuantum etkilerden hem de geometrik yapıdan meydana gelen iki sığa oluĢmaktadır. Bu ikisığayı toplayarak toplam sığayı hesapladık. Elde ettiğimiz toplam sığa, Halperin ve ekibitarafından önerilen CD rejiminin fiziksel sistemlerde geçerli olamayacağını göstermiĢtir. Buönemli bulgu, iki boyutlu elektron gazında ölçülen fazın tamamen kuantum mekanikselgeometrik bir faz olduğunu kanıtlamaktadır. Sığa etkilerinden arındırılmıĢ Aharonov–Bohmfazı kuantum anahtarları yolu ile kuantum bilgisayarlarının yapım yolunu epeycekolaylaĢtırmıĢ bulunmaktadır.Referanslar:[1] I. Neder, M. Heiblum, Y. Levinson, D. Mahalu, and V. Umansky, Phys. Rev. Lett. 96, 1016804(2006).[2] Y. Zhang, D. T. McClure, E. M. Levenson-Falk, C. M. Marcus, L. N. Pfeiffer, and K. W. West,Phys. Rev. B 79, 241304 (2009).27

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Kesirli sayılı kenar durumlarındaki overshooting etkisinin analitik modellenmesiS14A. Salman 1 , A. I. Mese 2 , M. B. Yücel 1 , and A. Sıddıki 3, 41 Akdeniz Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Antalya, Türkiye2 Trakya Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Edirne, Türkiye3 İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 34134 Vezneciler-İstanbul, Türkiye4 Harvard Üniversitesi, Fizik Bölümü, Cambridge 02138 MA, USABu çalıĢmada, yüksek mobiliteli iki boyutlu elektron sistemlerinde (2BES) ve kesirli kuantizeHall rejiminde gözlemlenen kenar durumlarının Hall direnci üzerindeki etkileri araĢtırılmıĢtır.Akım taĢıyan kanalların etkin geniĢliklerini hesaplamak için 2BES'nin perdeleme özellikleri,sisteme dik olarak uygulanan güçlü manyetik alanın etkisi ile birleĢtirilmiĢtir. Kesirli sayılıkenar durumlarının ortaya çıkmasında çok parçacık etkileĢmeleri önemli rol oynamaktadır.Çok parçacık etkileri hesaplarımıza kompozit fermiyon yaklaĢımı ile katılmıĢtır. ÇalıĢmadakesirli sayılı durumlar için de geçerli olduğu belirtilen Chklovskii vd. [1]‟ nin kendindentutarlı olmayan elektrostatik yaklaĢımı, yoğunluk dağılımlarında düzeltmeler yapılarak vedalga fonksiyonlarının sonlu geniĢlikleri de ele alınarak kullanılmıĢtır. Üst kapılar iletanımlanmıĢ dar (L < 10 μm) bir Hall çubuğu geometrisi ile yaptığımız bu çalıĢmada Halldirencinde anormal davranıĢlar gözlenmiĢtir. / ile / ve / ile /kesirli sayılı doldurma faktörlerine karĢı gelen sıkıĢtırılamaz Ģeritlerin belli manyetik alandeğerlerinde bir arada bulundukları ve Hall direncinde overshoot etkisi yarattıklarıgözlemlenmiĢtir. SıkıĢtırılamaz Ģeritlerin bir arada bulunması durumunun, kenar profilininkonuma bağlı değiĢim hızı ile iliĢkili olduğu ve çok hızlı değiĢimin olduğu durumlardasıkıĢtırılamaz Ģeritlerin bir arada oluĢmadığı tespit edilmiĢtir. Bu durum tam sayılı Halletkisindeki ile benzerdir. Böyle bir durumda, tam sayılı kuantum Hall olayındaki overshootetkisinde olduğu gibi, toplam enine direnç birbiri üzerine binen Ģeritlerin geniĢliklerine bağlıolarak artmaktadır.Referans:[1] D. B. Chklovskii, B. I. Shklovskii, and L. I. Glazman, Phys. Rev. B 46, 4026 (1992).28

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011S15AlInN/(GaN)/AlN/GaN hetero-eklem yapılarda magneto transport ölçümlerAydın BayraklıHacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Beytepe, 06800 AnkaraMOCVD tekniği ile büyütülmüĢ GaN tabanlı bazı heteroeklem yapılar (baĢlıkta verilen); 1.9 –300 K sıcaklık aralığında Hall ölçümleri, van der Pauw ölçümleri ve SdH ölçümleri ileincelenmiĢ ve örneklerin, hacimsel taĢıyıcı yoğunluğu, 2-boyutlu taĢıyıcı yoğunluğu, transportmobilitesi ve 2-boyutlu elektronların kuantum mobilitesi elde edilmiĢtir. Örneklerin tabakayapısının sonuçlara etkisi araĢtırılmıĢtır.29

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011S16Ġki boyutlu elektron gazında manyetodirenç hesabıDidem KetenoğluAnkara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Beşevler, 06100 AnkaraHacim içindeki rastgele potansiyel (RP) saçılmalarına ek olarak düzlemine dik rastgelemanyetik alan (RMF) etkisi altındaki iki boyutlu elektron gazı (2DEG) için özdirenç hesabıyapılmıĢtır. Elektron dağılım fonksiyonunun düzeltme kısmı olan g( r , )‟nin sağladığıdoğrusallaĢtırılmıĢ Boltzmann taĢınım denklemi (BTE) Green fonksiyonu yöntemi ileçözülmüĢtür. Özdirenç değiĢiminin rastgele potansiyelin etkisi azaldıkça saf rastgele manyetikalan etkisi altındaki duruma indirgendiği ve sonuçların beklentilere uyduğu görülmüĢtür.30

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011POSTERLER31


18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Döndürerek kaplama yöntemi ile bakır oksit filmlerinin elde edilmesi ve optik,yapısal özelliklerinin belirlenmesiY. Demirci 1* , A. Ş. Aybek 2 , M. Peker 3 , M. Kul 2 , T. Ünaldı 3 , E. Turan 2 , ve M. Zor 21 Fen Bilimleri Enstitüsü, Anadolu Üniversitesi, 26470 Eskişehir2 Fen Fakültesi, Anadolu Üniversitesi, 26470 Eskişehir3 Fen-Edebiyat Fakültesi, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, 26480 EskişehirP01CuO filmi döndürerek kaplama yöntemiyle mikroskop cam tabanlar üzerinde oda sıcaklığındaüretilmiĢtir. Elde edilen filmler 600 o C sıcaklıkta hava ortamında tavlanmıĢtır. Filmlerinkalınlıkları elipsometri ölçümleri yardımıyla 0,65 μm olarak belirlenmiĢtir. X-ıĢınları kırınımdesenlerinden filmlerin rastgele yönelimlere sahip polikristal tenorite yapıda olduğusaptanmıĢtır. Numunenin tane boyutları yaklaĢık 42 nm olarak hesaplanmıĢtır. Taramalıelektron mikroskobu yardımıyla filmlerin yüzey görüntüleri incelenmiĢtir. Optik absorpsiyonölçümlerinden CuO filmlerinin direkt bant aralığına sahip olduğu ve yasak enerji aralığıdeğeri 1,67 eV olarak belirlenmiĢtir. 190–3300 nm dalgaboyu aralığında incelenen saydamlıkspektrumlarından filmlerin görünür bölgede opak ve kızılötesi bölgede daha saydam özellikgösterdiği belirlenmiĢtir.33

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ferromanyetik FeAs tabanlı süperiletkenlerin özelliklerininGinzburg–Landau teorisi kapsamında analiziIman Askerzade (Askerbeyli)Ankara Üniversitesi, BilgisayarMühendisliği Bölümü, Beşevler, 06100 AnkaraP02Ferromanyetik FeAstabanlı süperiletkenlerin keĢfi son üç yılda manyetik süperiletkenleryönündeki araĢtırmalara önemli bir ivme kazandırmıĢtır. Yüksek sıcaklıklı kuprat tabanlı(CuO) süperiletkenlere benzer olarak, Fe tabanlı yeni süperletkenler de katmanlı yapıyasahiptirler. Fe tabanlı superiletkenlerde Fe katlarındakı elektronlar Cooper çiftlerioluĢturmaktadırlar. Oksijenli (O) katmanlar ise katkılama (doping) yapılarken stekiometrikyapılardan farklılık hesabına serbest yük taĢıyıcıları oluĢturmaktadırlar. CuO tabanlısüperiletkenlerin tek-bantlı olduğu katı hal fiziği camiası tarafından genel kabul görmektedir.Son yıllar yoğun olarak yapılan araĢtırmalar sonucu olarak, Fe tabanlı süperiletkenlerin çokbantlıolduğu anlaĢılmaktadırġimdiki anda Fe tabanlı süperiletkenlerin araĢtırılmasındaki en önemli problem yüktaĢıyıcılarının çiftlenme mekanizmasının aydınlığa kavuĢturulmasıdır. Ġzotopik kayma etkisiaraĢtırılarken 16 O izotopunun 18 O la deyiĢtirilmesinin 56 Fe-nın 58 Fe-le deyiĢdilmesindekietkiden daha küçük olması ortaya çıkmıĢtır. Bu ise Fe katmanlarının süperiletkenliğinoluĢturulmasında önemli rol oynadığını ortaya koymuĢtur.Izotop etki faktorüd ln Tc 0.4 olarak hesaplanmıĢtır ki, bu da standart Bardeen–Cooper–Schriefferd ln M(BCS) teorisindeki değere (0.5) yakındır. Bu sonuç klasik electron–fonon mekanizmasınıdesteklese de, burada araĢtırılacak çok problemler bulunmaktadır. Bu problemlerantiferromanyetik düzlenme ile süperiletken düzlenme parametresinin etkileĢiminden, nadirtoprak elementlerinin spin düzlenmesinden ve kritik sıcaklık civarında spindalgalanmalarından kaynaklanmaktadır. Fe tabanlı yeni süperiletkenlerde Cooper çiftlenmesimekanizması probleminin hala da açık olarak kalmaktadır ve çeĢitli teorik yaklaĢımlarönerilmektedir.Bilindiği gibi, süperiletkenliğin Ginzburg–Landau makroskobik modeli mikroskobikteorilerden farklı olarak kritik sıcaklık civarında bütün süperiletkenlere uygulanabilmektedirve hala da güçlü bir araĢtırma yöntemi olarak kullanılmaktadır. GenelleĢtirilmiĢ Ginzburg–Landau teorisi kapsamında elde edilen ifadeler 111 sınıfından olan LiFeAs bileĢiği için üstkritik manyetik alan ve onun anisotropi parametresinin hesaplanması için kullanılmıĢtır. 122sınıfından olan Ba(K)Fe 2 As 2 bileĢiği için üst kritik manyetik alanın anizotropi parametresi deLiFeAs‟a benzer davranıĢ sergilemektedir. 1111 sınıfından olan SmFeOAs ve PrFeAsO 1–ytürlü bileĢiklerde ise anizotopi parametresi sıcaklık azaldıkça artmaktadır, yani durum dahaçok magnezyum dibörürü hatırlatmaktadır. Bu da SmFeOAs ve PrFeAsO 1–y bileĢiklerininFermi yüzeyinin MgB 2 ‟ye benzer olması ile izah edile bilir.Teşekkür:AraĢtırma TUBĠTAK 110T748 Nolu proje ile desteklenmektedir.34

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Lazer atmalı depolama ile oluĢturulan NbN x ince filmlerinde sıcaklık etkisiH. Farha 1 , A. O. Er 2 , Y. Ufuktepe 3 , and H. E. Elsayed-Ali 11 Electrical and Computer Engineering, Old Dominion University, Norfolk VA 235292 Department of Physics, Old Dominion University, Norfolk VA 235293 Department of Physics, Cukurova University, Adana TurkeyP03Oda sıcaklığı ile 950 o C arasındaki değiĢik depolama alt taban sıcaklıklarında, reaktif lazeratmalı depolama yöntemi (PLD) ile niyobyum nitrat (NbN x ) ince film tabakaları Nb alt tabanıüzerinde oluĢturuldu. Filmlerin kristal yapısı ve yüzey özellikleri x-ıĢınları kırınımı, taramalıelektron mikroskobu ve atomik kuvvet mikroskobu ile belirlendi. Sıcaklığın NbN x filmlerinyüzey özellikleri, kristal yapıları ve fazı üzerinde çok etkili bir parametre olduğu gözlendi.450 o C de zayıf bir kristalleĢme gözlenirken, sıcaklığın artmasına bağlı olarak 650 ile 850 o Cbölgesinde filmler kübik ve altıgen yapıda karıĢık fazda izlendi. Bundan sonra uygulanandaha yüksek sıcaklıkta ise tek faz olan altıgen yapı baskın olmaktadır. Yüzey pürüzlülüğüsıcaklığa bağlı olarak artmaktadır.35

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Güçlü antiferromanyetik etkileĢme içeren metamanyetik Ising modelinindinamik alınganlıklarının frekansla değiĢimleriGül Gülpınar, Yenal Karaaslan, ve Mehmet AğartıoğluFizik Bölümü, Dokuz Eylül Üniversitesi, 35180 İzmirP04Metamanyetik Ising modeli iki farklı etkileĢimi bünyesinde barındırır ve bu etkileĢmelerinoranına bağlı olarak farklı faz diyagramı topolojileri sergiler. Bu çalıĢmada r = J f /J af < 0.6için kritik son nokta ve ikili kritik nokta içeren bir faz diyagramının varlığı halinde dinamiksekmeli (staggered) ve toplam alınganlıkların çoklu kritik noktalar yakınındaki frekanskarakteristikleri iki farklı Ģekilde incelenmiĢtir. Bu amaçla ilk olarak toplam ve sekmelidispersiyon ve absorbsiyon katsayılarının frekansla değiĢimleri logaritmik ölçekteincelenmiĢtir. Daha sonra dinamik alınganlıkların gerçel ve sanal kısımlarını içeren Arganddiyagramları sunulmuĢtur. Elde edilen sonuçların literatürdeki deneysel ve kuramsalçalıĢmalarla uyumu tartıĢılmıĢtır.Teşekkür: Bu çalıĢma TBAG 109T721 Numaralı Proje bünyesinde TÜBĠTAK tarafından desteklenmiĢtir.36

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Bor-karbür tipi B 12 NXN, X=Be, Mg kristallerinin yapısal, elektronik vemekanik özelliklerinin ilk-prensiplerle incelenmesiSezgin Aydın ve Mehmet ŞimşekFizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP05Bor-karbür tipi B 12 NXN, X=Be, Mg kristallerinin yapısal, elektronik ve mekanik özellikleriilk-prensipler yoğunluk fonksiyoneli teorisi kullanılarak incelendi. Kohesif enerji ve elastiksabitler yardımıyla, B 12 NXN, X=Be, Mg kristallerinin enerjitik ve mekanik olarak kararlıoldukları tespit edildi. Hesaplanan band yapılarından ve kısmi durum yoğunluğu eğrilerindenher iki bileĢiğin yarıiletken karakter sergilediği görüldü. Mulliken popülasyon analiziyardımıyla yapısal birimlerin (B 12 ikosahedron ve lineer zincir NXN) bağlanmasıaydınlatılarak, bileĢiklerin mikro-sertlikleri hesaplandı. Sonuçlar literatür ile karĢılaĢtırıldı.37

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011NiPd magnetik nanoparçacıklarının sentezi ve magnetik özellikleriSenem Çitoğlu 1 , Özer Çelik 1 , Telem Şimşek 2 , Şadan Özcan 2 , Tezer Fırat 21Nanoteknoloji ve Nanotıp Anabilim Dalı, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP06Günümüzde kanser tedavisi için cerrahi müdahale, kemoterapi veya radyoterapi yöntemlerikullanılmaktadır. Bu uygulamaların en büyük dezavantajı, kanserli dokunun yanında sağlıklıdokuya da aynı ölçüde zarar vermesidir. Bu nedenle özellikle son yıllarda daha etkin ve yereltedavi yöntemleri üzerinde durulmaktadır. Bunlar arasında en umut verici olanı magnetiknanoakıĢkan hipertermi yöntemidir.Bu çalıĢmada, magnetik nanoakıĢkan hipertermi yönteminde kullanılmak üzere çeĢitlikimyasal kompozisyonlarda NiPd magnetik nanoparçacıklar sentezlenmiĢtir. Sentez, diğeryöntemlere göre boyut kontrolü, parçacık boyut dağılımı ve kalitesi daha baĢarılı olan yükseksıcaklık ısıl-ayrıĢtırma metodu ile gerçekleĢtirilmiĢtir. Sentezlenen parçacıkların karakterizasyonuXRD, TEM, VSM ve SEM-EDS teknikleri kullanılarak yapılmıĢtır. Elde edilen XRDkırınım desenlerinden, yapı analizleri gerçekleĢtirilmiĢ ve ortalama parçacık boyutlarıbelirlenmiĢtir. TEM ölçümleri ile sentezlenen nanoparçacıkların boyutlarının daha ayrıntılıtayini ve Ģekil analizleri gerçekleĢtirilmiĢtir. Kimyasal kompozisyonun belirlenmesi için iseSEM-EDS kullanılmıĢtır. Ayrıca VSM tekniği ile parçacıkların magnetik karekterizasyonlarıyapılmıĢtır.38

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011LiNH 2 /MgH 2 sisteminin hidritlenme reaksiyonlarının termodinamiközelliklerinin incelenmesiSerkan Akansel 1 , Maximilian Fichtner 2 , Şadan Özcan 1 , ve Tezer Fırat 11 SNTG Laboratuarı, Fizik mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara,Türkiye2 Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Karlsruhe, GermanyP07Günümüzde alternatif bir enerji kaynağı olarak düĢünülen hidrojenin, katılarda depolanmasıhidrit yapılar olarak da bilinir. Katı fazda hidrojen depolama sistemlerinin yüksek kapasite,oda koĢullarına yakın koĢullarda hızlı Ģekilde hidrojen soğurma ve salma, tekrarlanabilirlikgibi bazı özelliklere sahip olması gerekmektedir. Amerika Enerji Bakanlığının verilerine göre2015 yılında bu sistemlerin kütlece kapasitesinin %5.5, maksimum çalıĢma sıcaklığının 60 o Colması ve 1500 çevrim boyunca aynı performansla kendilerini tekrarlayabilmesi hedeflenmektedir.Bu hedeflere diğer sistemlere göre daha yakın olan LiNH 2 /MgH 2 karıĢımı üzerindeçalıĢmalar yoğun Ģekilde devam etmektedir.Yapılan çalıĢmada LiNH 2 /MgH 2 karıĢımının termodinamik özellikleri termogravimetrikanaliz (TGA) ve diferansiyel taramalı kalorimetre (DSC) yöntemleriyle incelendi.Termodinamik ölçümler öncesinde, karıĢıma CaH 2 ve Ca(BH 4 ) 2 malzemeleri katalizör olarakeklendi ve bu bileĢiklerle birlikte karıĢım mekanik öğütme yöntemiyle öğütüldü. Katalizörkullanılmadan hazırlanan karıĢımda, hidrojen salma reaksiyonu 187 o C de gerçekleĢirken,katalizör olarak Ca(BH 4 ) 2 kullanılan karıĢımda aynı reaksiyonun 15 o C daha düĢük sıcaklıkta172 o C de gerçekleĢtiği gözlemlendi. Ayrıca çalıĢma kapsamında Fourrier dönüĢüm kızıl ötesi(FTIR) tekniği ile karıĢımın yapısal analizi yapılarak farklı öğütme parametrelerinin karıĢımınyapısı üzerindeki etkileri incelendive LiNH 2 /MgH 2 karıĢımının LiH/Mg(NH 2 ) karıĢımınadönüĢtüğü gözlendi.39

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Kimyasal püskürtme ve daldırmalı kaplama tekniği ile üretilenkatmanlı ZnO ince filmlerin optik özellikleriEbru Güngör ve Tayyar GüngörFizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15100 BurdurP08Fotovoltaik türdeki çalıĢmalarda yoğun Ģekilde tartıĢılan Zn-tabanlı saydam oksit yapılar,çeĢitli türde alttaĢlar üzerine farklı yöntemler kullanılarak biriktirilebilmektedir. Bu çalıĢmadaZnO saydam oksit ince filmler, farklı iki yöntemle hazırlanmıĢ ve optik özelliklerikarĢılaĢtırmalı olarak tartıĢılmıĢtır. Her iki yöntem için çinko asetat dihidrat(Zn(CH 3 COO) 2·2H 2 O) (%99.9, Merck) tuzu, methanol ve kristalleĢmeyi engelleyecek uygunkimyasallar ile aynı molaritede hazırlanarak, mikroskop cam üzerine, tek ve çok katmanlıbiçimde Kimyasal Püskürtme (KP) ve Daldırmalı Kaplama tekniği (DK, Dip Coating)kullanılarak biriktirilmiĢtir. KP teknikle, cam alttaĢ üzerine tek katmanlı olarak biriktirilenörnekler ilk grubu oluĢturmaktadır. Ġkinci grup; DK teknikle cam alttaĢın her iki yüzünde birve daha fazla katmanlı biçimde biriktirilen filmlerdir. Son grup örnekler için, bir yüzüne KPteknikle ZnO film kaplanan cam alttaĢın aynı yüzüne, DK teknikle birden fazla katmanlıolacak biçimde ZnO film kaplaması yapılmıĢtır. DK teknikle hazırlanan örneklerin tümü,belirli bir ısıl iĢleme maruz bırakılmıĢtır. Farklı yöntemlerle hazırlanmıĢ olan filmlerin optiksabitleri, 300–900 nm dalgaboyu aralığında elde edilen optik geçirgenlik spektrumların noktatabanlı kısıtlamasız minimizasyon algoritmalarının değerlendirilmesi ile belirlenmiĢtir.40

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Tip-II kuantum nokta nanokristal yapıdaki ekzitonların optik özellikleriF. Koç 1,* , A. Aktürk 1 , M. Şahin 1 , ve A. Erdinç 21 Selçuk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 42075 Konya, Türkiye2 Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039 Kayseri, TürkiyeP09Bu çalıĢmamızda, tip-II bir kuantum nokta (çekirdek–kabuk) nanokristal yapıdaki ekziton veikili ekzitonların optik özellikleri incelendi. Bunun için etkin kütle yaklaĢımı kullanıldı.Öncelikle, Poisson–Schrödinger denklemi öz-uyumlu bir Ģekilde çözülerek yapının elektroniközellikleri belirlendi. Ġkili ekzitonlarda kuantum çok parçacık etkileri, yerel yoğunlukyaklaĢımı altında ele alındı. Bulunan dalga fonksiyonları ve enerji değerleri kullanılarakekzitonların örtüĢme integralleri, osilatör Ģiddetleri, yaĢam süreleri, soğurma katsayılarıhesaplandı. Sonuç olarak tip-II kuantum nokta çekirdek–kabuk nanokristal yapılarda optiközelliklerin çekirdek çapı ve kabuk kalınlığına sıkı bir Ģekilde bağlı oldukları gözlendi.References:[1] Klaus D.Sattler, Handbook of Nanophysics, “Nanoparticles and Quantum Dots” (2011).[2] Takuma Tsuchiya, Physica E 7, 470 (2000).[3] M. Sahin, S. Nizamoglu, A. E. Kavruk, and H. V. Demir, J. Appl. Phys. 106, 043704 (2009).[4] M. Califano, A. Franceschetti, and A. Zunger, Phys. Rev. B 75, 115401 (2007).[5] B. Aln, J. Bosch, D. Granados, J. Martnez-Pastor, J. M. Garca, and L. Gonzlez, Phys. Rev. B 75, 045319(2007).[6] J. Shumway, A. Franceschetti, and Alex Zunger, Phys. Rev. B 63, 155316 (2001).[7] S. Adachi, Properties of Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors (Wiley, 2005).[8] J. M. Thijssen, Computational Physics (Cambridge University Press, 1999).[9] J. P. Perdew and A. Zunger, Phys. Rev. B 23, 5048 (1981).41

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011ABO 3 sistemlerinde simetrik spin hamiltoniyenleriHasan Şevki Mert ve Gülistan MertFizik Bölümü, Selçuk Üniversitesi, KonyaABO 3 sistemlerinde Pbnm uzay grubunda kristalleĢen manyetik bileĢiklerin spin dönüĢümözelliklerinden hareketle uzay grubu altında değiĢmez (invaryant) kalan ikinci mertebedenspin hamiltoniyenleri indirgenemez temsillerin taban vektörleri cinsinden türetilmiĢtir. Bununiçin Bertaut‟un geliĢtirdiği makroskobik metot kullanılmıĢtır [1,2].P10Referanslar:[1] E. F. Bertaut, Comptes Rendus de l`Académie des Sciences 252, 76 (1961).[2] E. F. Bertaut, J. Phys. Chem. Solids 21, 256 (1961).42

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Bükümlü femtotellerle yoğun madde tasarımı: Bükücü tanımıT. ŞengörYıldız Teknik Üniversitesi, Elektrik-Elektronik Fakültesi, Elektronik ve HaberleşmeMühendisliği Bölümü, Davutpaşa Yerleşkesi, Esenler, 34220 İstanbulP11Bu makalede, tümleĢik elektronik sistemlerde kapasitif elemanların gerçeklenmesindekarĢılaĢılan güçlüklerin üstesinden gelmeye elveriĢli yoğun madde yapılarının tasarımıüzerinde çalıĢılarak uygun bir yapay eleman oluĢturulmuĢtur. Yapay elemanın oluĢumu,büküm noktaları civarındaki ve süreksizliklere sahip elektromagnetik olayların karakteristiklerindenyararlanılarak tasarlanmıĢtır. Büküm noktalarının varlığından kaynaklananproblemler, bükümlü koordinat sistemleri kullanılmak suretiyle aĢılmıĢtır. Bu türdensüreksizliklerin en basit formu, biri içbükey diğeri dıĢbükey iki yarım çember halindeki incetelin, nanotelin ve/veya femtotelin bir ve yalnız birer ucundan birleĢtirilmeleri yoluylagerçeklenebilir. Bahsedilen bu formdaki yapılar bükücü (inflector) olarak tanımlanmıĢtır.Genel halde bükücü, en az bir bükülme noktasına sahip ve zamanla değiĢen bir potansiyeldağılımı taĢıyan bir ince (ideal olarak kalınlıksız) ve kısa bir çizgi (yol, yörünge, path) olaraktanımlanmıĢtır. Bükücü devre ve/veya sistem elemanının gösterdiği potansiyel değiĢimleribükümlü tel üzerindeki uzamsal koordinatlara bağlıdır. Dalga ve Schrödinger denklemlerininbükümlü dairesel silindirik koordinatlar sisteminde çözümü geniĢletilmiĢ ayırma yöntemi ileverilmiĢtir [1]–[8]. Bazı faydalı yoğun madde yapılarının geliĢtirilmesi üzerinde çalıĢılmıĢtır.Referanslar:[1] Leo C. Kempel, John L. Volakis, Thomas B. A. Senior, S. Stanley Locus, and Kenneth M. Mitzner,“Scattering by S-Shaped Surfaces,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation, AP-41, 701–708 (1993).[2] Prabhakar H. Pathak and Ming C. Liang, “On a Uniform Asymptotic Solution Valid Across Smooth Causticsof Rays Reflected by Smoothly Indented Boundaries,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation,AP-38,1192–1203 (1990).[3] Hiroyoshi Ikuno and Leopold B. Felsen, “Complex Ray Interpretation of Reflection from Concave-ConvexSurfaces,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation,AP-36, 1260–1271 (1988).[4] Hiroyoshi Ikuno and Leopold B. Felsen, “Complex Rays in Transient Scattering from Smooth Targets withInflection Points,” IEEE Transactions on Antennas and Propagation, AP-36, 1272–1280 (1988).[5] Taner ġengör, “Contribution of Inflection Points to Field,” Electronics Lett.AP-34, 1571–1573 (1988).[6] Taner ġengör, Static field near inflection points” Helsinki Univ. Tech. Electromagnetics Lab. Rept. 350, Jan2001.[7] Taner ġengör, “Contribution of Inflection Points to waves,” Electronics Lett.AP-35, 1593-1594 (1999).[8] Taner ġengör, Static field near inflection points, Helsinki Univ. Tech. Electromagnetics Lab. Rept. 351, Jan2001.43

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Kuantum kuyu lazerlerin çift farklı yapılar kullanılarak incelenmesiSinan Yaşar 1 , İsmail Bilican 2 , Bünyamin Şahin 2 , Sedat Ağan 2 , ve İhsan Uluer 21 Mustafa Kemal Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Hatay2 Kırıkkale Üniversitesi, Fen- Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, KırıkkaleP12Bu çalıĢmada, günümüzde nano teknolojik uygulamalarda bir çok araĢtırmacının dikkatleriniüzerine çeken kuantum kuyu lazerlerin simülasyon yoluyla üretimi ve analizi yapılmıĢtır. Buaçıdan mevcut çalıĢmalar takip edilmiĢ 5 ayrı farklı yapılı kuantum kuyu malzemesinin çeĢitlikompozisyon ve konfigürasyonlarda dizaynı ile 25 farklı yapı ayrı ayrı incelenmiĢtir. Lazeryapılar simülasyonda dizayn edilirken Fabry–Parot ve Fabry–Parot Ridge tipi lazer yapıolarak iki farklı konfigürasyonda ele alınmıĢtır. Her yapının bölge bölge (aktif bölge, kuantumkuyu bölge, bariyer ve hapis bçlgeleri gibi) Bant–Enerji grafikleri ve değerleri, kırılma indisliprofili ve değerleri, katkı oranları (n tipi ve p tipi bölgeler için) profili ve değerleriüretilmiĢtir. Ayrı ayrı her yapıda kullanılan malzeme kompozisyonları tasarlanmıĢ ve iĢlemekonulmuĢtur. Ġstenilen sıcaklık değerleri ve taĢıyıcı yoğunlukları ayarlamarak malzemekazançları hesaplanmıĢtır. Pik–kazanç grafikleri ve verileri çıkarılmıĢtır. Kendiliğinden ıĢımagrafik ve değerleri üretilmiĢtir. Elde edilen tüm bu spnuçlar literatürle karĢılĢatırılmıĢ veuyum içerisinde olduğu görülmüĢtür.44

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Role of annealing time and temperature on structural and superconductingproperties of (Bi,Pb)-2223 thin films produced by sputteringG. Yildirim * , A. Varilci, M. Akdogan, S. Bal, G. Ozdemir, C. Terzioglu, M. Dogruer**,and E. Yucel*Abant Izzet Baysal University, Department of Physics, Bolu–Turkey 14280**Mustafa KemalUniversity, Department of Physics, Hatay–Turkey 31034P13This study reports the effect of annealing time (15 m, 1.5 h, and 3 h) and temperature (850,860, and 870 °C) on the structural and superconducting properties of thin films by means ofscanning electron microscopy (SEM), X-ray analysis (XRD), electron dispersive X-ray(EDX), resistivity and transport critical current density (J c ) measurements. Zero resistivitytransition temperatures (T c ) of the films produced are estimated from the dc resistivitymeasurements. In addition, the phase and lattice parameters are determined from XRDpatterns when the microstructure, surface morphology and element composition analyses ofthe samples are investigated by SEM and EDX measurements, respectively. The resultsindicate that T c values of the films obtained are observed to be in a range of 23–102 K. The T cof the film annealed at 870 °C for 3 h is found to be the smallest (23 K) while the filmannealed at 860 °C for 3 h is noted to obtain the maximum T c value (102 K). On the otherhand, the maximum (minimum) J c is found to be about 2068 A/cm 2 (20 A/cm 2 ) for the filmannealed at 860 °C for 3 h (870 for 3 h). Moreover, according to the refinement of cellparameters done by considering the structural modulation, the greatest Bi-2223 phase fractionis noticed to belong to the film annealed at 860 °C for 3 h. Furthermore, SEM measurementsshow that the best surface morphology, largest grain size and grain connectivity are observedfor that film. Based on these results, T c and J c values of the samples studied are found todepend strongly on the microstructure. As for EDX results, the elements used for thepreparation of samples are observed to distribute homogeneously. The aim of this study is notonly to investigate the changes of structural and superconducting properties of the filmsproduced in the varied time and temperature but also to determine the best ambient for thefilm fabrication and show the feasibility of obtaining Bi-2223 film with tailored structure.45

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Effect of MgB 2 addition on the structural and superconducting properties of(Bi,Pb)-2223 superconducting ceramicsM. Dogruer, G.Yildirim, Y. Zalaoglu*, G. Ozdemir, S. Bal, E. Yucel**, A. Varilci,and C. TerziogluAbant Izzet Baysal University, Department of Physics, Bolu–Turkey 14280*Mustafa KemalUniversity, Department of Physics, Hatay–Turkey 31034** Osmaniye Korkut Ata University, Department of Physics Osmaniye-Turkey 80000P14This study deals with the effect of MgB 2 addition on structural and superconductingproperties of Bi 1.8 Pb 0.4 Sr 2 (MgB 2 ) x Ca 2.2 Cu 3.0 O y ceramics with x = 0, 0.03, 0.05, 0.1, 0.3, 0.5,and 1 by means of X-ray analysis (XRD), scanning electron microscopy (SEM), electrondispersive X-ray (EDX) and resistivity measurement. Zero resistivity transition temperature(T c ) of the samples produced via the Standard solid-state reaction method is estimated fromthe dc resistivity measurements. Moreover, the phase fraction and lattice parameters aredetermined from XRD measurements when the microstructure, surface morphology andelement composition analyses of the samples are investigated by SEM and EDXmeasurements, respectively. It is found that T c values increase from 109 K to 114 K.According to the refinement of cell parameters done by considering the structural modulation,the MgB 2 addition is confirmed by both an increase of the lattice parameter c and a decreaseof the lattice parameter a of the samples in comparison with that of the pure sample. SEMmeasurements show that not only do the surface morphology and grain connectivity degradebut the grain sizes of the samples decrease with the increase of the MgB 2 addition, as well.46

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Investigation of some physical and magnetic properties of Mn doped BI-2223Superconducting ceramicsS. Bal, G. Yildirim, Y. Zalaoglu*, M. Dogruer, M. Gulen, C. Terzioglu, A. Varilci,and E. Yucel**Abant Izzet Baysal University, Department of Physics, Bolu–Turkey 14280*Mustafa KemalUniversity, Department of Physics, Hatay–Turkey 31034** Osmaniye Korkut Ata University, Department of Physics, Osmaniye-Turkey 80000P15In this study, the structural and superconducting properties of Mn added Bi-2223superconductors are investigated by X-ray diffraction analysis (XRD), scanning electronmicroscopy (SEM), electron dispersive X-ray (EDX), resistivity, and transport critical currentdensity (J c ) measurements. Based on the resistivity measurements, T c values are obtained todecrease from 109 K to 85 K; likewise, J c values are observed to reduce from 3200 A/cm 2 to125 A/cm 2 with the increase in the Mn addition. Moreover, resistivity measurements arecarried out under varied applied magnetic fields of 0.0, 0.3, 0.7, 1.0, 2.0, 4.0, and 7 T. It isobtained that the T c decreases with increasing the strength of the applied magnetic field. Thephase and lattice parameters are also determined from XRD measurements. It is observed thatthe Mn addition is confirmed by both an increase of the lattice parameter a and a decrease ofthe cell parameter c of the samples in comparison with that of the pure sample (Mn 0 ). As forSEM images, the grain sizes of the samples studied in this work are found to decrease withthe increase of the Mn doping. Furthermore, the surface morphology and grain connectivityare suppressed. The EDX results gives that not only the elements in the samples distributehomogeneously but also the Mn atoms enter into the crystal structure by replacing Sr and Cuatoms.47

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011LaAg ve LaZn bileĢiklerinin ab initio yöntemle yapısal, elektronik, ve fononözellikleriN. Arıkan 1 ve M. Çivi 21 İlköğretim bölümü, Ahi Evran Üniversitesi, 40100 Kırşehir2 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP16CsCl (B2) yapıdaki LaAg ve LaZn bileĢiklerinin, yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) vegenelleĢtirilmiĢ eğim yaklaĢımı (GGA) kullanılarak, yapısal, elektronik, ve fonon özelliklerihesaplandı. Hesaplanan örgü sabitleri, bulk modülleri ve bulk modüllerinin basınca görebirinci türevleri literatürdeki deneysel ve teorik sonuçlarla karĢılaĢtırıldı. Elektronik bantyapıları, toplam ve kısmi durum yoğunlukları temel simetri yönleri boyunca çizildi ve her ikibileĢiğin de metalik karakter gösterdiği bulundu. Fonon dispersiyon eğrileri ve durumyoğunlukları, yoğunluk fonksiyonel perturbasyon teorisi kullanılarak hesaplandı. Brillioinbölge merkezindeki optik frekansları LaAg için 93.429 cm –1 ve LaZn için 111.064 cm –1olarak bulundu.48

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Karbonmonoksit molekülünün NiAl(110) yüzeyine tutunması ve elektronik yükyoğunluğu durumuMeryem Evecen 1 ve Mehmet Çakmak 21 Fizik Bölümü, Fen Edebiyat Fakültesi, Amasya Üniversitesi, Amasya2 Fizik Bölümü, Fen Edebiyat Fakültesi, Gazi Üniversitesi, 06500, AnkaraP17Karbon monoksit (CO) molekülünün NiAl(110) yüzeyine tutunması yoğunluk fonksiyoneliteorisi (DFT) kullanılarak incelenmiĢtir. Tutunma iĢlemi için yüzey üzerinde yüksek simetrilitutunma noktaları kullanılmıĢ ve tutunma mekanizması tartıĢılmıĢtır. CO molekülünün yüzeyüzerindeki Ni atomuna tutunması, en düĢük enerjili model olarak bulunmuĢtur. Bu sonuçliteratürdeki teorik ve deneysel çalıĢmalarla uyumludur [1,2]. Biz bu model için COmolekülünün NiAl(110) yüzeyine tutunmasının elektronik yük yoğunluğu durumunuinceledik. Hem CO 5σ bağı hem de CO 2π* antibağından gelen katkılarla Ni–C bağınınoluĢtuğu görülmüĢtür. Ayrıca NEB (Nudged Elastic Band) algoritması kullanılarak reaksiyonyolu incelenmiĢtir. Son olarak, CO/NiAl(110) ile hidroksil (OH)/NiAl(110) tutunmalarındakimyasal bağın özellikleri karĢılaĢtırılmıĢtır.Referanslar:[1] C. H. Patterson and T. M. Buck, “The binding site of CO on NiAl(110) determined by low energy ionscattering”, Surf. Sci., 218, 431–451 (1989).[2] M. E. Grillo, G. R. Castro, and G. Doyen, “Theory of carbon monoxide adsorption on NiAl(110)”, J. Chem.Phys. 97, 7786–7797 (1992).49

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Nikel nanoparçacıkları eklenmesinin polimer tabanlı kimyasal soğurucularüzerine etkisiElerman Y. 1 , Bilenko D. I. 2 , Kardash М. M. 3 , Dinçer I. 1 ,Tozkoparan O. 1 , Yıldırım O. 1 ,Terin D. V. 2,3 , Galushka V. V. 2 , Tyurin I. A. 3 , Ainetdinov D. V. 31 Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06100, Tandoğan, Ankara, Türkiye,2 Saratov Devlet Üni., Nano ve Biyomedical Teknolojiler Fakültesi, 410012, Saratov, Rusya3Saratov Devlet Üniversitesi, EngelsTeknoloji Enstitüsü, Engels, RusyaP18Günümüzde özellikle temiz su kaynaklarının azalmasıyla, temiz su elde etme çalıĢmalarının ve suartımının önemi artmıĢtır. Artan bu önem doğrultusunda, çalıĢmamızda yüksek verimli, poliakrilonitril(PAN) fiber -«POLYCON K» [1] tabanlı kimyasal soğurucular elde etmeye çalıĢılmıĢtır. BuçalıĢmada -«POLYCON K» tabanlı soğuruculara nikel nanoparçacıkları yerleĢtirerek daha verimlisoğurucular üretilmiĢtir.a b cŞekil.1 Ġçerdikleri Nanoparçacık oranına göre fiber tabanlı kimyasal soğurucuların TEMgörüntüleri«POLYCON K»: PAN (a), PAN + 1.5% Ni (b), PAN + 5% Ni (c)Nikel nanoparçacıkları Plazma Ark BuharlaĢtırma Tekniği ile üretilmiĢ ve nanoparçacıklar fiberyapıya yerleĢtirilmeden önce yapısal ve manyetik özellikleri incelenmiĢtir. Nano-parçacıkların yapısalözellikleri Geçirimli Elektron Mikroskobu (TEM), Taramalı Elektron Mikrokobu (SEM) ve AtomikKuvvet Mikroskobu (AKM) görüntülemeleriyle bulunmuĢtur. Nanoparçacıkların manyetiközelliklerini bulmak amacıyla TitreĢimli Örnek Manye-tometresinde manyetik alana bağlı ve sıcaklığabağlı mıknatıslanma ölçümleri alınmıĢtır. Nanoparçacıkların manyetik bölme yapısı ve manyetik alanabağlı özellikleri Manyetik Kuvvet Mikroskobu görüntülemelerinden bulunmuĢtur. Fiber yapıyananoparçacıkların eklenmesi, fiberlerin yapısal ve yüzey özelliklerinde değiĢikliklere sebepolmaktadır. Fibere Nikel nanoparçacıkların yerleĢtirilmesi yüzeydeki boĢluklu yapıların yoğunlunuarttırmıĢ ve daha düzenli bir yapıya getirmiĢtir. Nikel nanoparçacıkların yapıya girmesi, fiberinyapısın-daki kıvrımları yok etmiĢ ve yüzeyde küresel yapılar oluĢmasına neden olmuĢtur (ġekil.1).Yapısına nikel nanoparçacıklar yerleĢtirilmiĢ fiberlerin elektirksel özellikleri incelenmiĢ ve kompleksdielektrik geçirgenliği bulunmuĢtur. Fiberlerin soğurucu özeliklerini bulmak ve nikel nanoparçacıklarınbu özelliklere etkisini tanımlamak amacıyla su arıtımı testleri yapılmıĢ ve yapısında nikel nanoparçacıklarıbulunan fiber tabanlı kimyasal soğurucuların %45 daha fazla petrokimyasal soğurduklarısaptanmıĢtır.Referans:M. Kardash, Cation-exchange chemisorption fibrous materials «Polycon» based on oxidized PAN fiber,M. Kardash, I. Tyurin, and Y. Volfkovich, Conf. Proc. Ion transport in organic and inorganic membranes,Krasnodar, Russia, 6–11 June 2011, pp. 77–78.Teşekkür: Bu çalıĢma RFBR (10-08-91219-CT-a, 10-08-0074-a, Rusya), ve TÜBĠTAK (209T054) numaralıprojeler çerçevesinde desteklenmektedir.50

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Polimer tabanlı kimyasal soğuruculara demir nanoparçacıkları yerleĢtirilmesininsoğurucu özelliklere etkisiElerman Y. 1 , Bilenko D. I. 2 , Kardash М. M. 3 , Dinçer I. 1 ,Tozkoparan O. 1 , Yıldırım O. 1 ,Terin D. V. 2,3 , Galushka V. V. 2 , Tyurin I. A. 3 , Ainetdinov D. V. 31 Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06100, Tandoğan, Ankara, Türkiye,2 Saratov Devlet Üni., Nano ve Biyomedical Teknolojiler Fakültesi, 410012, Saratov, Rusya3Saratov Devlet Üniversitesi, EngelsTeknoloji Enstitüsü, Engels, RusyaP19ÇalıĢmamızda, yüksek performanslı, fenol, formaldehit, sülfürik asit, poliakrilonitril (PAN) fiber-«POLYCONK» [1] tabanlı katyon değiĢimli kimyasal soğurucuların üretilmesi amaçlanmıĢtır. Biz bu çalıĢmada PAN fibertabanlı «POLYCON K» soğuruculara demir nanoparçacıkları yerleĢtirerek yapısal ve elektriksel özelliklerindekideğiĢimleri inceledik [2–4].a b cŞekil.1 «POLYCON K»: PAN (a), PAN + 1.5% Fe (b), PAN + 5% Fe (c) yapılarının SEM görüntüleri.Demir nanoparçacıkları fiber yapıya yerleĢtirilmeden önce yapısal ve manyetik özellikleri incelenmiĢtir. Yapısalözellikleri ve Ģekillerini bulmak amacıyla Geçirimli Elektron Mikroskobu (TEM), Taramalı ElektronMikroskobu (SEM) ve Atomik Kuvvet Mikroskobu görüntülemeleri yapılmıĢtır. Yapılan görüntülemelerdenparçacıkların ortalama büyüklükleri ve Ģekilleri tespit edilmiĢtir. Demir nanoparçacıklarının manyetik özellikleriTitreĢimli Örnek Manyetometresi (VSM) ve Manyetik Kuvvet Mikroskobu (MKM) ile incelenmiĢtir. VSM ilemanyetik alana ve sıcaklığa bağlı manyetik özellikleri ve MKM ölçümlerinden nanoparçacıkların manyetikbölme yapıları bulunmuĢtur. Önceki çalıĢmalarda belirtildiği üzere monomer-izomerizasyon yapılarına yabancıbir faz ekleyerek bu yapının geçiĢ tepkimesinin kinetiğinde ve ısıl özelliklerinde değiĢiklikler oluĢturulabilmektedir.Nanoparçacıkların yapıya yerleĢtirilmesiyle geçiĢ tepkimesindeki ısıl etkinin arttığı ve ısıl pikindaha düĢük sıcaklıklara kaydığı gözlenmiĢtir. Nanoparçacıkların fiber yapıya yerleĢtirilmesiyle, yapının temelözelliklerinde değiĢiklikler olmuĢtur, fiber yapının yüzeyi, oluĢan boĢluklu yapılar açısından daha yoğun vehomojen hale gelmiĢtir. Yapıdaki demir nanoparçacığı oranı artıkça fiberin kıvrımlı karakteri yok olmuĢ ve bazıküresel yapılar oluĢmaya baĢlamıĢtır (ġekil.1). Elektriksel özellikleri ve kompleks dielektrik geçirgenliği bulmakamacıyla frekansa bağlı sığa ölçümleri yapılmıĢ ve dielektrik kayıpları bulunmuĢtur. Elde edilen kimyasalsoğurucuların teknolojiye yönelik uygulamalarını belirlemek amacıyla su artımı yapılmıĢ ve demirnanoparçacıklarının bulunduğu soğurucular %25 oranında daha fazla petrokimyasal soğurmuĢtur.Kaynaklar:[1] M. Kardash Cation-exchange chemisorption fibrous materials «Polycon» based on oxidized PAN fiber, Kardash M.,Tyurin I., Volfkovich Y., Conf. Proc. Ion transport in organic and inorganic membranes, Krasnodar, Russia, 6–11 June 2011,pp. 77–78.[2] D.I. Bilenko, „Investigation of nanodisperse Fe and Ni properties‟, Bilenko D. I., Galushka V. V., Dobren'kii E. A., TerinD. V., Elerman Y., Conf. Proc. APED-2010, Saratov, Russia, 22–23 September 2010, pp.149–150.[3] Y. Elerman, Magnetic nanoparticles and measurement techniques in nanotechnology, Proc. III Inter. Workshop,“Nanoparticles, nanostructured coatings, and microcontainers: nanotechnology, properties, applications”, Antalya, Turkey,5–9 May 2011, Saratov, 2011, pp.11–12.[4] O. Tozkoparan Magnetic characterization of Fe nanoparticles, Proc. III Inter. Workshop «Nanoparticles, nanostructuredcoatings and microcontainers: nanotechnology, properties, applications» Antalya, Turkey, 5–9 May 2011, pp.33–37.Teşekkür: Bu çalıĢma RFBR (10-08-91219-CT-a, 10-08-0074-a, Rusya), ve TÜBĠTAK (209T054) numaralı projelerçerçevesinde desteklenmektedir.51

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011LBL ince filmlerde katman sayısının ve yapısınınmanyetik özellikler üzerine etkisiP20Onur Tozkoparan 1 , Oğuz Yıldırım 1 , İlker Dinçer 1 , Yalçin Elerman 1* , Sergey V.German 2 , Alexey V. Markin 2 , Gennady B. Khomutov 3,4 , Dmitry A. Gorin 2 ,ve Sergey B. Wenig 21 Ankara Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06100, Tandoğan, Ankara, Türkiye,2 Saratov Devlet Üni., Nano ve Biyomedical Teknolojiler Fakültesi, 410012, Saratov, Rusya,3 M. V. Lomonosov Moskova Devlet Üniversitesi, Fizik Bölümü, 119992 Moskova, Rusya,4 Nanoteknoloji ve Mikroelektronik Enstitüsü (RAS), 119992, Moskova, RusyaLayer by layer (LBL) tekniği, zıt yüklü polimerleri, ince film yüzeyine biriktirmek için çok sıkkullanılan bir yöntemdir. LBL yöntemi diğer ince film üretim tekniklerine göre daha ucuz ve dahakolay uygulanabilir olmasının yanı sıra yüksek kalitede ince filmler elde edilebilmesiyle günümüzdeönemli bir yere sahiptir. Ayrıca LBL yöntemi ile manyetik nanoparçacıklar da ince film üzerinebaĢarılı bir Ģekilde biriktirilebilmektedir [1]. LBL tekniği ile manyetik nanoparçacık içeriğine sahipkatmanları, zıt yüklü polielektrolit katmanlarının arasına belirli bir düzende yerleĢtirerek, farklımanyetik özelliklere sahip ince filmler elde edilebilmektedir. LBL yöntemi kalınlığı 1µm nin altındaçok katmanlı polielektrolit ince filmler üretmeye olanak sağlamaktadır [1]. Bu özelliklerinden dolayıLBL yöntemi, spin kaplama ve Langmuir–Blodgett gibi ince film üretim yöntemlerine daha avantajlıbir yöntemdir. Günümüzde LBL yöntemi ile üretilmiĢ ince filmlerin yapısal ve optik özellikleri birçokçalıĢmaya konu olmuĢtur, fakat manyetik özelliklerinin araĢtırılması ve geliĢtirilmesi üzerine yeterikadar çalıĢma yapılmamıĢtır. Bu çalıĢmada, değiĢik yapıdaki katmanların ve katman sayısınınmanyetik özelliklere etkisini incelenmiĢtir. Ġnce filmler farklı düzenlerde polielektrolit ve manyetiknanoparçacık katmanlarından oluĢmuĢ ve LBL tekniği ile üretilmiĢtir. Manyetik nanoparçacık olarakMagnetit (Fe 3 O 4 ) nanoparçacıkları kullanılmıĢtır. Örneklerin yapısal özellikleri Atomik KuvvetMikroskobu (AKM), Raman Spektroskopisi, Dynamic Light Scattering ve Geçirimli ElektronMikroskobu ile incelenmiĢtir. Ġnce filmlerin manyetik özellikleri ise TitreĢimli Örnek Manyetometresive Manyetik Kuvvet Mikroskobu (MKM) ile incelenmiĢtir. Örnekler PEI/(Fe3O4/PAH)6; (II)PEI/(Fe3O4/PAH)11; (III) PEI/(Fe3O4/PAH)16 Ģeklinde hazırlanmıĢtır. Yapılan AKM ölçümlerinde(ġekil 1), örneklerin yüzey pürüzlülükleri sırasıyla 5,62 nm, 6,29 nm, 5,93 nm olarak bulunmuĢtur.MKM ölçümlerinden örneklerin manyetik bölme yapısı ve manyetik alana bağlı kuvvet gradyentleribulunmuĢtur. Farklı sıcaklıklarda yapılan mıknatıslanma ölçümlerinden doyum mıknatıslanmaları vebunlara bağlı olarak manyetik geçirgenlikleri bulunmuĢtur.ġekil 1. Atomik kuvvet Mikroskobugörüntüleri (a-c), Manyetik kuvvetMikroskobu görüntüleri (b-d)Kaynak:[1] O. Tozkoparan, Oğuz Yıldırım ,Ġlker Dinçer, Yalçin Elerman, Sergey V.German, Alexey V. Markin,Gennady B. Khomutov, Dmitry A. Gorin, Sergey B. Wenig, J. Mag. Mag. Mat., gönderildi.Teşekkür: Bu çalıĢma, TÜBĠTAK tarafından, 209T054 no‟lu proje çerçevesinde desteklenmektedir.52

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P21CuO ince filmlerin özellikllerinde çözelti molaritesinin etkisiŞeyda Horzum Şahin*, Tülay Serin ve Necmi SerinFizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, AnkaraBu çalıĢmada, CuO ince filmlerin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinde çözeltimolaritesinin etkisi incelenmiĢtir. CuO filmler cam alttabaka üzerinde sol–gel dip coatingyöntemiyle oluĢturulmuĢtur. Molaritesi 0.06‟dan 0.28 molara değiĢen Bakır (II) asetat,baĢlangıç çözeltisi olarak kullanılmıĢtır. X-ray kırınım (XRD) deseni sonuçları tercihliyönelimin molariteye bağlı olarak değiĢtiğini göstermiĢtir. Ayrıca XRD sonuçları artanmolarite ile filmlerin kristalliğinin arttığını göstermiĢtir. Filmlerin geçirgenliği UV–visspektrumu ile belirlenmiĢ ve bu sonuçlardan filmlerin soğurum katsayısı hesaplanarak enerjiband aralığı değerleri hesaplanmıĢtır. Bu sonuçlar filmlerin band aralığının artan molarite ileazaldığını göstermiĢtir. Filmlerin yüzey morfolojisi Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ileincelenmiĢtir. AFM görüntüleri molarite artınca grainlerin büyüdüğünü göstermiĢtir. Filmleriniletkenliği 130–370 K aralığında ölçülmüĢtür. Ġletkenlik sonuçları aracılığıyla filmlerinaktivasyon enerjisi, Debye uzunluğu, yüzey tuzak yoğunluğu ve fermi düzeyindeki durumyoğunluğu farklı molariteler için hesaplanmıĢtır. Buna göre, XRD, AFM, UV, ve iletkenlikölçüm sonuçları grain boyutu, band aralığı ve iletkenlik değerlerinin artan molariteye göredeğiĢtiği göstermiĢtir. Çözelti molaritesine bağlı olarak CuO ince filmlerin farklı elektrikselve optiksel özellikleri optoelektronik ince film cihazları, ince film nem ve gaz sensörleri, incefilm güneĢ pilleri, vb. için uygulamarda yararlı olabilir.53

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011TbMg bileĢiğinin yapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özelliklerininilk ilkeler yöntemi kullanılarak incelenmesiYeşim Moğulkoç 1 , Yasemin Öztekin Çiftci 2 , Mehmet Kabak 1 , Kemal Çolakoğlu 21 Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara2 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP22TbMg bileĢiği x-ıĢınının çok kutuplu saçılımı tekniğinde test numunesi olarak kullanılan enuygun sistemler olarak gösterilebilir. Bu bileĢiğe ait birçok manyetik özellikler farklımanyetik yapılarda incelenmiĢtir. Bu çalıĢmada TbMg bileĢiğine ait temel fiziksel özelliklereait hesaplar, ilk-ilke (ab-initio) kuantum mekanik simülasyonu hesaplamalarında düzlemdalga baz setleri üzerinde pseudo potansiyel ve PAW metodu kullanan kompleks bir yazılımolan VASP (Vienna Ab Initio Simulation Package) paket programı kullanılarak yapılmıĢtır.BileĢik için CsCl kristal yapısı kullanılarak örgü sabiti hesaplanarak, diğer deneysel ve teorikçalıĢmalar ile karĢılaĢtırılmıĢtır. Bulk modülü ve bulk modülünün türevi hesaplanmıĢtır.Youngmodülü, Shear modülü, Zener anizotropi faktörü ve Poisson oranı hesaplanmıĢtır.Ayrıca elastik sabitleri bulunduktan sonra kullanılarak aynı zamanda Debye sıcaklıkları,erime sıcaklıkları ve ses hızları hesaplanmıĢtır. Termodinamik özellikleri olarak; yarı harmonikDebye modeli kullanılarak hacmin basınçla değiĢimi incelenmiĢtir ve bazı termodinamiközelliklerin basınçla ve sıcaklıkla değiĢimi incelenmiĢtir. Elektronik özellikleri olarak; bantyapıları hesaplanmıĢtır ve bant ile uyumlu durum yoğunluğu eğrileri çizdirlmiĢtir.54

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Farklı örgü ve spin değerlerine sahip çekirdek–kabuk nanoparçağınbüyüklüğe bağlı incelemesiRıza Erdem 1 , Zafer Demir 2 , ve Orhan Yalçın 31 Fizik Bölümü, Akdeniz Üniversitesi, 07058, Antalya2 Fen Bilimleri Enstitüsü, Niğde Üniversitesi, 51240 Niğde3 Fizik Bölümü, Niğde Üniversitesi, 51240, NiğdeP23Farklı örgü ve farklı spin değerlerine sahip atomlardan oluĢan homojen ve kompozityapılardaki çekirdek–kabuk nanoparçacıkların manyetik özellikleri büyüklüğe bağlı olarak,denge istatistik mekaniğin bağ yaklaĢım yöntemi (Kikuchi versiyonu) kullanılarak detaylıcaincelendi. Bu amaçla farklı örgü yapıları için parçacığın yarıçap değerine (R) göre çekirdek,kabuk ve ara yüzey (çekirdek–kabuk) bölgelerinin içerdiği spin sayıları ve spinler arası bağsayıları belirlendi. Spinler arası dipol–dipol (J) etkileĢmeli S=1/2 ve S=1 Ising modelHamiltonyenleri vasıtasıyla farklı spin değerlerine karĢılık gelen bağ enerjileri elde edildi.Büyüklüğe bağlı olarak manyetik özelliklerinin incelendiği nanoparçacıkların bağdeğiĢkenleri, nanoparçacığı oluĢturan spin sayılarını ve bağ enerjilerini kapsayacak Ģekildedüzenlendi. Bağ değiĢkenleri kullanılarak, her bir parçacığın sıcaklıkla değiĢen mıknatıslanma(manyetizasyon) davranıĢı hesaplandı. Ayrıca, bu bağ değiĢkenleri her bir sistemin histereziseğrilerinin elde edilmesinde de kullanıldı. Manyetizasyon ve histerisiz eğrileri, her birparçacığın manyetik özelliklerinin büyüklüğe bağlı olarak detaylıca araĢtırılmasında faydalıolmaktadır. Homojen ve çekirdek–yüzey yapısındaki kompozit nanoparçacıkların tam veyarım spinler esas alınarak incelenmesinden elde edilen sonuçlar karĢılaĢtırmalı olarak analizedildi.55

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011NdCo 3 bileĢiğinin elektronik band yapısı: Ab initio incelemesiH. Özışık 1 , K. Çolakoğlu 2 , Y. Ö. Çiftci 2 , E. Deligöz 1 , E. Ateşer1 ve İ. Öner 21 Aksaray Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Aksaray2 Gazi Üniversitesi, Fen Fakiltesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, AnkaraP24NdCo 3 bileĢiğinin rhombohedral yapıda, yapısal ve lektronik özellikleri ab initio yöntemlerkullanılarak incelendi. Hesaplamalar genelleĢtirilmiĢ gradyant yaklaĢımı (GGA-PBE)kullanılarak yapıldı. Spin polarize elektronik band yapısı ilk Brillouin bölgesinde yükseksimetri noktaları boyunce çizdirildi. Ayrıca toplam yük yoğunluğu ve orbital yük yoğunluklarıincelenerek yorumlandı.56

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011KatkılanmamıĢ Ga 3 InSe 4 tek kristallerinde ısıluyarılmıĢ akım ölçümleriM. Işık 1 ve N. Hasanli 21 Atılım Üniversitesi, Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü2 Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fizik BölümüP25KatkılanmamıĢ Ga 3 InSe 4 kristallerinde 10–300 K sıcaklık aralığında tuzak seviyeleriısıluyarılmıĢ akım ölçümleri tekniği kullanılarak incelendi. Tuzak seviyeleri çalıĢmasındaölçümler, akımın kristalin c-ekseni doğrultusunda akması sağlanarak gerçekleĢtirildi. Deneysüresince 0.8 K/s sabit ısıtma hızı kullanıldı. Deneysel veriler aktivasyon enerjisi 62 meV olanbir deĢik merkezinin bulunduğunu gösterdi. Elde edilen akım–sıcaklık eğrisinin analizi, yavaĢgeri tuzaklanmaya dayalı teorik modele uyumluluk gösterdi. ÇalıĢılan kristallere büyütmesüresince herhangi bir katkılanma uygulanmadığından dolayı, gözlemlenen bu tuzakmerkezinin büyütme sırasında ortaya çıkan kusurlardan veya kasıtlı olarak eklenmeyensafsızlıklardan kaynaklandığı düĢünülmektedir. Tuzak merkezinin yakalama kesit alanı 1.0 10 –25 cm 2 ve yoğunluğu ise 1.4 10 17 cm –3 olarak hesaplandı.57

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011AgSc bileĢiğinin yapısal, elastik, termodinamik ve fonon özellikleri: Bir ilkprensipler çalıĢmasıC. Çoban a , Y. Ö. Çiftçi b , Y. Moğulkoç c , ve K. Çolakoğlu ba Balıkesir Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Çağış Kampüsü, 10145,Balikesirb Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, Ankarac Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği, Tandoğan Kampüsü, 06100,AnkaraP26Bu çalıĢmada, kristal yapısı CsCl (B2) olan AgSc bileĢiğinin yapısal, elastik, termodinamik vefonon özellikleri teorik olarak incelendi. Hesaplamalar, VASP programı kullanılarak,Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi (DFT) ve genelleĢtirilmiĢ gradyent yaklaĢımı (GGA) temelalınarak yapıldı. Optimize örgü sabiti, bulk modülü ve onun basınca göre birinci türevihesaplanarak sunuldu. Bunun yanında, ikinci dereceden elastik sabitler ve bunlara bağlınicelikler (Zener anizotropi faktörü, Young modülü, Poisson oranı, makaslama modülü)hesaplandı. Elastik sabitlerin hesaplanmasında “zor–zorlama” yöntemi kullanıldı. Elastiksabitler ve bunlara bağlı nicelikler ile basınç iliĢkisi incelendi. Son olarak, termodinamiközellikler, fonon dağılım eğrileri ve fonon DOS elde edilerek sunuldu. Sonuçlar, literatürdeyer alan mevcut sonuçlar ile karĢılaĢtırıldı.58

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Metal nanoparçacıklar yardımıyla güneĢ pillerinde plazmonik iyileĢtirmelerM. Can Günendi, Gürsoy B. Akgüç, Oğuz GülserenBilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bilkent 06800 AnkaraGünümüzde enerji kaynaklarının geliĢtirilmesi çok temel bir gereksinimdir. Fosil yakıtlarakıyasla güneĢ enerjisi güvenli ve aynı zamanda en temiz (yeĢil) ve ucuz enerji kaynaklarındanbirisidir. Bu bağlamda, güneĢ enerjisinin verimli bir Ģekilde kullanımı son derece önemlidir.Silisyum tabanlı güneĢ pillerindeki en büyük problemlerden birisı silisyum malzemesinindolaylı yasak enerji aralıklı bant yapısında olmasından ötürü düĢük enerji çevirme oranları vekırmızı ve kızılötesi ıĢığı çok az soğurmasıdır. Silisyumun yasak enerji aralığı özelliğindendolayı soğurulamayan kırmızı ıĢık güneĢ ıĢığının önemli bir kısmını oluĢturmaktadır.Çözüm olarak uygulanabilecek güncel yöntemlerden bazıları güneĢ pili yarıiletken malzemesiiçine yerleĢtirilmiĢ metal nanoparçacıkların (MNP) gelen ıĢığı ıĢığın dalga boyundan dahaküçük bir mesafede yoğunlaĢtırıp kullanan antenler gibi iĢlev görmesi ve böylece MNP'lerigelen ıĢığı güneĢ pili içerisine saçıcı yapılar olarak kullanıp kırmızı ıĢığın güneĢ piliiçerisindeki efektif yolunu uzatmak ve soğurulmasını sağlamaktır.Soğurulma ve saçılma en çok plazmon rezonansları olduğu takdirde ortaya çıkmaktadır.Plazmon rezonans bölgelerini sistemdeki çeĢitli değiĢkenleri, örneğin MNP boyutları,kullanarak istenilen değerlere taĢımak mümkün olmaktadır. Bu çalıĢmada, sistem analizleriiçin Finite-Difference Time-Domain (FDTD) metodu kullanıldı. FDTD; elektromanyetikalanların, parçalara ayrılmıĢ uzayda, sınırlı büyüklükteki zaman aralıklarında, Maxwelldenklemlerini sağlayacak Ģekilde ilerletilmesi, etkileĢtirilmesi olarak özetlenebilecek biryöntemdir. ÇalıĢmadaki simülasyonlar için çoğunluklu olarak MIT'de geliĢtirilen MEEPprogramı, kodu kullanıldı. Bunun yanında sonuçları karĢılaĢtırmak, tutarlılığından eminolmak için, çeĢitli diğer yöntemler de kullanıldı; örneğin Discrete Dipole Approximation(DDA). ZnO malzeme içerisine yerleĢtirilmiĢ çeĢitli büyüklüklerdeki gümüĢ MNP‟larınplazmon rezonans değerlerinin analizleri yapıldı ve kırmızı ıĢığın soğurulmasını sağlayacakyeni sistem geometrileri, MNP dağılımları incelendi.P2759

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P28ITO ince filmlerinin üretilmesi ve optik özellikleri üzerine ısıl tavlamanın etkisiEmrah Sarıca, Vildan Bilgin, ve Barbaros DemirselçukFizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 17020, ÇanakkaleSaydam iletken oksitler, sahip oldukları üstün fiziksel özellikler sebebiyle oldukça yaygınçalıĢma alanına sahip materyallerdir. Saydam iletken oksit grubunun bir üyesi olan, direktbant geçiĢli bir yarıiletken malzeme olan ITO (indiyum kalay oksit), düĢük elektrikselözdirenç (

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P28Katkısız ve V katkılı ZnO ince filmlerinin manyetik karakterizasyonuEmrah Sarıca, Vildan Bilgin, ve Barbaros DemirselçukFizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 17020, ÇanakkaleGünümüz teknolojisinde önemli bir yere sahip olan manyetik malzemeler üzerine yapılançalıĢmalar büyük ilgi çekmektedir.Bu çalıĢmada da ZnO ince filmlerinin, geçiĢelementlerinden olan ve manyetik özellik sergileyen vanadyum elementi ile katkılanmasının,filmlerin manyetik özellikleri üzerine etkisi incelenmektedir. Katkısız ve farklı oranlardavanadyum katkılı ZnO ince filmleri, ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarakçözelti akıĢ hızı 5ml/dk olacak Ģekilde, 400C taban sıcaklığında 30 dk süresince cam tabanlarüzerine püskürtülerek çöktürülmüĢtür. Çinko kaynağı olarak 0.1 MZn(CH 3 COO) 2·2H 2 O vevanadyum kaynağı olarak ise 0.1 M VCl 3 sulu çözeltileri kullanılmıĢtır.Üretilen tüm filmlerin manyetik özelliklerini incelemek amacıyla titreĢimli örnekmagnetometresi (VSM) kullanılarak, malzemeler üzerine uygulanan dıĢ manyetik alan etkisialtında malzemelerin mıknatıslanması incelenmiĢtir. Elde edilen histerisis eğrilerindenfaydalanılarak filmlerin, doyum manyetizasyonu, kalıcı manyetizasyon ve zorlayıcı kuvvetgibi manyetik özellikleri tespit edilmiĢtir. ZnO:V filmlerinin doyum ve kalıcı manyetizasyondeğerlerinin sırasıyla 3.40×10 –3 1.34×10 –2 emu/gr ve 1.82×10 –4 8×10 –4 emu/gr aralığındadeğiĢtiği belirlenmiĢtir.Teşekkür: Bu çalıĢma Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri Komisyonu tarafındandesteklenmiĢtir. (Proje No: 2011/011)61

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011298–1400 K sıcaklık aralığında CdTe‟in ısı kapasitesiD. Sarıateş 1 , H. Koç 2 ve E. Eser 31 Yüksekokul, Teknik Programlar Bölümü, Alparslan Üniversitesi, Muş2 Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Tokat3 Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Çukurova Üniversitesi, AdanaP30Bu çalıĢmada, binomal katsayılar kullanılarak n-boyutlu Debye fonksiyonu hesaplanmıĢ vetermodinamik özellikler için basit ve güvenilir analitik ifadeler elde edilmiĢtir. Bulunananalitik ifade kullanılarak 298–1400 K sıcaklık aralığında CdTe‟in ısı kapasitesi incelenmiĢtir.Ġncelemeler sonunda elde edilen sonuçlar deneysel ve teorik çalıĢmalarla karĢılaĢtırılmıĢ vesonuçların uyum içinde olduğu görülmüĢtür.62

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Püskürtme yöntemi ile hazırlanan ZnO ince filmlerin yapısal ve optikselözellikleriÖ. Filazi a , G. Altındemir b , C. Habiboğlu b , F. Yavuz c , F. Kırmızıgül b , C. Ulutaş b ,E. Güneri d , F. Göde c , ve C. Gümüş ba Adıyaman Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 02040 Adıyamanb Çukurova Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 01330 Adanac Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 15030 Burdurd Erciyes Üniversitesi Eğitim Fakültesi İlköğretim Bölümü, 38039 KayseriP31Bu çalıĢmada, püskürtme yöntemi kullanılarak 380 o C de cam alttabanlar üzerine hayligeçirgen ve polikristal olan ZnO ince filmleri elde edildi. X-ıĢınları kırınım (XRD) analizisonucundafilmlerin hekzagonal fazda büyüdükleri görüldü ve örgü parametreleri hesaplandı.Filmlerin yüzey morfolojisi için taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanıldı. Odasıcaklığındaki optik ölçümlerden enerji bant aralıkları 3.27–3.32 eV olarak bulundu. Ġncefilmlerin kırılma indisi (n) ve sönüm katsayısı (k) değerleri zarf yöntemi kullanılarak 400–1100 nm arasında hesaplandı.63

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ġlk ilke yöntemiyle NaTaO 3 kristalinin elektronik ve dinamik özelliklerininincelenmesi: Yoğunluk fonksiyoneli teorisinin uygulamasıŞevket Şimşek ve Süleyman ÇabukÇukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 01330 Balcalı-AdanaP32Yerel yoğunluk yaklaĢımı (LDA) altında yoğunluk fonksiyoneli teorisi (DFT) ve ab-initiopseudo potansiyel yöntem kullanılarak ortorombik yapıda NaTaO 3 kristalinin dinamiközellikleri (elastik sabitlerini, Born efektif yükünü ve optik dielektrik sabiti) ve elektroniközellikleri incelendi. Brillouin bölgesindeki yüksek simetri yönlerindeki band yapısı bulundu.Ortorombik fazda NaTaO 3 kristalinin doğrudan band aralığına sahip bir kristal olduğu görüldüve yasak enerji aralığı simetri noktalarında 2.861 eV olarak bulundu. Parçalı ve toplamdurum yoğunluğu hesaplandı. Elde edilen sonuçlar teorik ve deneysel sonuçlarlakarĢılaĢtırıldı.64

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Tamsayılı kuantize Hall etkilinde yerel elektrik alan etkisiSinem Erden Gulebaglan 1 , Ismail Sokmen 1 , Afif Siddiki 2 , ve R. R. Gerhardts 31 Dokuz EylülUniversitesi, Fen Fakültesi,Fizik Bölümü, Tinaztepe Kampüsü, 35100 Izmir,Türkiye2Istanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi,Fizik Bölümü, Beyazit Kampüsü, Istanbul, Türkiye3 Max-Planck-Institut für Festkörperforschung,Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart,AlmanyaP33Kuvvetli manyetik ve elektirik alan altındaki iki boyutlu electron gazında yerel durumyoğunlukları hesaplanmıĢtır. Ġlk olarak elektrik alan ve çarpıĢma etkileri yok olduğu durumdaLandau quantizasyonu ele alınmıĢtır. Tek bir yönde düzlemde elektrik alan delta fonksiyonuĢeklindeki Landau durum yoğunluğunda geniĢlemeye yok açmaktadır. Buradan konuma bağlıolarak enerji özfonksiyonları elde edilebilir. Yerel durum yoğunluğunun elektrik alanınınĢiddetine bağlılığı ifade edilmiĢtir.65

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ga katkılı ve katkısız CdO bileĢiğinin yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesiGökhan Çabuk 1 , Senem Aydoğu 1 , M. Burak Çoban 1,2 , Aziz Uluışık 11 Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampüs, Kütahya2 Fizik Bölümü, Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Merkez Kampüs, KocaeliP34Katkısız ve Ga katkılı CdO ince filmleri kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak üretilmiĢtir.75 mlt‟lik CdO çözeltisi 275 o C taban sıcaklığına %0, %0.2, %0.4, %0.6, %0.8 oranlarında Gakatkılarak elde edilen katkılı ve katkısısız CdO ince filmin yapısal özellikler x-ıĢını kırınımı(XRD) ve optik özellileri ise optik absorbsiyon (UV spektometre) metodu ile analiz edilmiĢtir.Böylece, Ga katkısının CdO ince filminin yapısında ve optik özelliklerindeki değiĢimincelenmiĢtir.66

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Al-Pb-Zn üçlü alaĢımının termo-elektriksel özellikleriMehmet Özdemir 1 , Fatma Meydaneri 2 , Buket Saatçi 31 Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Kimya Bölümü, 38039 Talas Kayseri2 Karabük Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü,78050, Karabük3 Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039 Talas KayseriP35Al-Pb-Zn alaĢımlarının ısı iletkenlik katsayıları radyal ısı akıĢ metodu ile sıcaklığa vebileĢime bağlı olarak ölçüldü. Isı iletkenlik katsayıları ve Lorentz değerlerinden yararlanarakWiedemann–Franz kanunu ve Smith–Palmer eĢitliğinden elektriksel iletkenlik değerlerihesaplandı. Smith–Palmer eĢitliğine göre belirlenen elektriksel iletkenlik değerlerinin literatürile oldukça uyumlu olduğu belirlendi.Teşekkür: Bu çalıĢmaErciyes Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri tarafından desteklenmiĢtir. AyrıcaçalıĢmaların yürütüldüğü Fizik II Lab. sorumlusu Prof. Dr. Mehmet Gündüz‟e teĢekkür ederiz.67

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011SnO 2 ince filmlerinin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerininfilm kalınlığına bağlı incelenmesiM. Ali Yıldırım, Yunus Akaltun * , Aytunç Ateş ** , ve S. T. Yıldırım ***Fizik Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan*Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan**Malzeme Mühendisliği Bölümü, Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, 06030, Ankara***Kimya Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, ErzincanP36SnO 2 ince filmleri, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) metodukullanılarak oda sıcaklığında cam taban malzemeleri üzerine büyütüldü. SnO 2 ince filmleriiçin, ([Sn(NH 3 ) 4 ] 4+ ) kalay-amonyak kompleksi SnCl 4 (% 99) ve NH 3 (% 25–28)kullanılarakhazırlandı ve baĢlangıç katyonik çözeltisi olarak kullanıldı. SnO 2 ince filmleri 60, 80, 100, ve120 SILAR döngüsü sonunda elde edildi ve film kalınlıkları sırasıyla 215, 300, 380, ve 490nm olarak hesaplandı. X-ıĢını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), optiksoğurma ölçümleri ve sıcaklığa bağlı elektriksel ölçümler yardımıyla film kalınlığınınfilmlerin yapısal, optik ve elektriksel karakteristikleri üzerine etkisi incelendi. Bu ölçümleryardımıyla, filmlerin polikristal yapıda olduğu, filmlerin kristalliğinin ve yüzey özelliklerininfilm kalınlığının artması ile iyileĢtiği belirlendi. SnO 2 ince filmlerin yasak enerji aralığı filmkalınlığı ile 3,90 eV‟tan 3,54 eV‟a azaldığı ve soğurma kenarının dikleĢtiği gözlendi.Filmlerin yasak enerji aralığı değerleri kullanılarak filmlerin kırılma indisi (n) ve dielektriksabiti (ε o , ε ∞ ) değerleri hesaplandı. 300–500 K sıcaklık aralığında filmlerin özdirenç değerleribelirlendi.68

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Cd 1-x Zn x Se ince filmlerinin yapısal ve optik özellikleri üzerine çinkokonsantrasyonunun etkisiYunus Akaltun, M. Ali Yıldırım * , Aytunç Ateş ** , ve Recep Polat ***Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan* Fizik Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, Erzincan** Malzeme Mühendisliği Bölümü, Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, 06030, Ankara*** Fizik Bölümü, Erzincan Üniversitesi, 24030, ErzincanP37Cd 1–-x Zn x Se ince filmleri Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) metodukullanılarak oda sıcaklığında cam taban malzemeleri üzerine büyütüldü.X-ıĢını kırınımı(XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve optik soğurma ölçümleri yardımıyla çinko(Zn) konsantrasyonunun filmlerin yapısal ve optik karakteristikleri üzerine etkisiincelendi.XRD ve SEM ölçümleri yardımıyla filmlerin polikristal yapıda olduğu, çinkokonsantrasyonunun azalması ile film kristalliğinin ve yüzey özelliklerinin iyileĢtiği gözlendi.Ayrıca, çinko konsantrasyonunun artması ile kristal yapının hekzagonal yapıdan kübik yapıyadeğiĢtiği belirlendi. Cd 1–x Zn x Se ince filmlerin yasak enerji aralığı çinko konsantrasyonununartması ile 1.99 eV‟ tan 2.82 eV‟a arttığı gözlendi. Filmlerin yasak enerji aralığı değerlerikullanılarak filmlerin kırılma indisi (n), etkin kütle (m e * /m o ) ve dielektrik sabiti (ε o , ε ∞ )değerleri hesaplandı.Teşekkür:Bu çalıĢma, Erzincan Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri tarafından desteklenmektedir (ProjeNo:10.01.07).69

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P38Kobalt oksit filmlerinin fiziksel özellikleriBanu Erdoğan, İdris Akyüz, ve Ferhunde AtayEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik BölümüSon yıllarda, kobalt oksit ince filmleri teknolojik uygulamalarda yaygın kullanım potansiyeliile dikkat çekmektedir. Bu çalıĢmada, kobalt oksit ince filmlerini üretmek için uygulanmasıkolay ve ekonomik bir teknik olan ve geniĢ yüzeylere çöktürme imkânı sağlayan ultrasonikkimyasal püskürtme tekniği kullanılmıĢtır. Filmler mikroskop cam tabanlar üzerine 40 dakikasüre ile 300 ± 5° C taban sıcaklığında çöktürülmüĢtür ve deney sonrası filmler 3 saat süre ilehava ortamında 450 °C‟de ısıl iĢleme tabi tutulmuĢtur. Filmlerin soğurma ve yansımaspektrumları UV–VIS Spektrofotometre cihazı kullanılarak alınmıĢtır. Kalınlıkları ve optiksabitleri (kırılma indisi ve sönüm katsayısı) Spektroskopik Elipsometre cihazı ve yüzeytopografileri ile pürüzlülük değerleri ise Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) ileincelenmiĢtir. Filmlerin özdirençlerini belirlemek için dört uç tekniği kullanılmıĢtır.70

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen CdO:F ince filmlerininfiziksel özellikleriElif Ketenci, Ferhunde Atay ve İdris AkyüzEskişehir Osmangazi ÜniversitesiP39Bu çalıĢmada CdO:F yarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği (UKP) ile 300±5°C taban sıcaklığında üretilmiĢ ve üretim sonrası tüm filmler 450 °C sıcaklıkta ısıl iĢlemetabi tutulmuĢtur. Üretilen filmlerin optiksel, elektriksel ve yüzey özellikleri incelenerek Fkatkı elementinin etkisi araĢtırılmıĢtır. CdO:F filmlerinin spektroskopik elipsometre cihazıkullanılarak kalınlıkları belirlenmiĢ ve bazı optik parametreleri (sönüm katsayısı ve kırılmaindisi) saptanmıĢtır. Filmlerin yasak enerji aralıkları optik metot ile hesaplanmıĢ ve direktbant aralıklı malzemeler oldukları görülmüĢtür. Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) ile üçboyutlu yüzey topografileri ve faz görüntüleri alınmıĢ ve taneli yapılanmanın varlığı dikkatiçekmiĢtir. Filmlerin elektriksel iletkenlik ve özdirenç değerlerini belirlemek amacıyla dört uçtekniği kullanılmıĢtır. Tüm sonuçlar opto-elektronik endüstrisi ve fotovoltaik güneĢ piliuygulamaları açısından değerlendirilmiĢ ve üretim sonrası ısıl iĢlemin her bir fiziksel özelliküzerinde önemli bir etki yarattığı sonucuna varılmıĢtır.71

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen In katkılı CdS filmlerininelektriksel, yapısal ve morfolojik özellikleriGülşah Gürbüz, Meryem Polat, Salih Köse, ve Elif CeylanEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Eskişehir, TürkiyeP40Bu çalıĢmada CdS ve Cd 1–x In x S (x = 0.1, 0.3, 0.5) filmleri ultrasonik kimyasal püskürtmetekniği ile 275±5 o C de ısıtılmıĢ cam tabanlar üzerine çöktürülmüĢtür. Filmlerin optiközelliklerinden absorbsiyon, geçirgenlik ve yansıma spektrumları farklı ortam sıcaklıklarındaUV–VIS Spektrofotometre cihazı ile alınmıĢtır. Optik metot kullanılarak yasak enerjiaralıkları belirlenmiĢtir. Filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri (kırılma indisi ve sönümkatsayısı) spektroskopik ellipsometri tekniği ile belirlenmiĢtir. Yüzey özellikleri atomikkuvvet mikroskobu ve taramalı elektron mikroskobu, elemental analizleri ise enerji dağılımlıX-ıĢınları (EDS) spektroskopisi ile incelenmiĢtir. Filmlerin kristal yapıları x-ıĢını kırınımdesenleri kullanılarak incelenmiĢ ve özdirenç değerleri dört-uç metodu ile belirlenmiĢtir.Teşekkür: Bu çalıĢma EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi (BAP Proje No: 201019011) tarafındandesteklenmiĢtir.72

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Al x In 1-x Sb yarıiletken bileĢiğinde elektron dinamiğininMonte Carlo yöntemiyle incelenmesiMustafa Akarsu 1 , Senem Aydoğu 2 , ve Ömer Özbaş 11 Fizik Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Meşelik, Eskişehir2 Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampus, KütahyaP41Al x In 1–x Sb yarıiletken bileĢiğinde elektron dinamiği Monte Carlo yöntemiyle x = 0.2 ve x =0.3değerleri için elektrik alanın fonksiyonu olarak 77 K ve 300 K örgü sıcaklıkları için incelendi.Akustik fonon, polar optik fonon, iyonize safsızlık ve dislokasyon saçılmaları hesaplamalaradahil edildi. Sürüklenme hızı ve sürüklenme mobilitesi farklı dislokasyon yoğunlukları içinelektrik alanın fonksiyonu olarak belirlendi. DüĢük elektrik alan mobilitesi dislokasyonyoğunluğunun bir fonksiyonu olarak hesaplandı. Dislokasyon yoğunluğunun 1×10 7 cm –2değerinden daha düĢük değerlerinde mobilitenin etkilenmediği görüldü. Dislokasyon veiyonize safsızlıkların elektron sürüklenme hızı üzerinde düĢük elektrik alan değerlerinde etkilioldukları görüldü.73

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P42Ir katkılı ZnO filmlerinin üretilmesi ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesiMüge Söyleyici, Ferhunde Atay, ve İdris AkyüzEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik BölümüOptoelektronik aygıtlarda ve güneĢ pillerinde kullanılan saydam iletken oksit malzemelerinoptiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleri aygıt performansını önemli derecedeetkilemektedir. Bu çalıĢmada, % 10 Ir katkılı ZnO filmleri ultrasonik kimyasal püskürtmetekniği ile 300±5 C taban sıcaklığında üretilmiĢ ve fotovoltaik güneĢ pillerinde kullanımpotansiyelini iyileĢtirmek için 450 C‟ de 3 saat tavlama iĢlemi yapılmıĢtır. Üretilen filmlerin,optiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleri incelenmiĢ ve tavlama iĢleminin fiziksel özelliklerüzerinde önemli bir etki yarattığı sonucuna varılmıĢtır.74

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011ZnO filmlerinin üretimi ve karakterizasyonuOlcay Gençyilmaz a,b , Ferhunde Atay a , ve İdris Akyüz aa Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Eskişehir, Türkiyeb Çankırı Karatekin Üniversitesi, Fizik Bölümü, Çankırı, TürkiyeP43II–VI yarıiletken bileĢiklerinden olan ZnO filmleri düĢük özdirenç ve yüksek geçirgenliklerigibi uygun özelliklerinden dolayı pek çok teknolojik uygulamada tercih edilmektedir. BuçalıĢmada ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak 300±5 °C‟de cam tabanlarüzerine ZnO filmleri çöktürülmüĢtür. Üretilen filmlerin özelliklerini iyileĢtirmek için 450,500, ve 550 °C sıcaklıklarında tavlama iĢlemi yapılmıĢ ve filmlerin elektrik, optik ve yüzeyözellikleri üzerine tavlama sıcaklığının etkisi araĢtırılmıĢtır. Üretilen filmlerin geçirgenlik vesoğurma spektrumları UV spektrofotometre cihazı, kalınlık değerleri ve optik sabitleri (n ve k)ise spektroskopik elipsometre cihazı kullanılarak belirlenmiĢtir. Tüm filmlerin üç boyuttayüzey görüntülerini incelemek ve yüzey pürüzlülüklerini belirlemek amacı ile atomik kuvvetmikroskobu (AFM) görüntüleri alınmıĢtır. Belirtilen analizler değerlendirilerek, ZnOfilmlerinin fotovoltaik ve diğer uygulamalarda kullanılabilirlikleri araĢtırılmıĢtır.75

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011ZnO filmlerinin bazı fiziksel özellikleri üzerine Co kaynağının etkisiOlcay Gençyılmaz a,b , Ferhunde Atay a , ve İdris Akyüz aa Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Eskişehir, Türkiyeb Çankırı Karatekin Üniversitesi, Fizik Bölümü, Çankırı, TürkiyeP44Son yıllarda ZnO filmlerine geçiĢ elementleri katkılanarak yapılan çalıĢmalarda, bu filmlerinyeni uygulama alanlarında kullanımı ortaya çıkmıĢtır. Bu çalıĢmada katkısız ve farklı iki Cokaynağı kullanılarak katkılanmıĢ ZnO:Co (%12) filmleri ultrasonik kimyasal püskürtmetekniği ile elde edilmiĢtir. Üretilen filmlerin yapısal, optiksel ve yüzeysel özellikleriincelenerek Co kaynağının etkisi araĢtırılmıĢtır. ZnO filmlerinin yapısal ve yüzeyözelliklerinin Co kaynağına bağlı olarak belirgin bir değiĢim gösterdiği belirlenmiĢtir. Ayrıcafilmlerin geçirgenlik spektrumlarında Co elementine ait karakteristik sarkmalar görülmüĢtür.Sonuç olarak Co kaynağının ZnO filmlerinin yapısal, optiksel ve yüzeysel özelliklerindeönemli derecede etkiler yarattığı saptanmıĢtır.76

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Borat ve mikroskop cam tabanlar üzerine üretilen CdO filmlerin ısıl iĢlemsonucu sergilediği yüzeysel, elektriksel, ve optik özelliklerSadiye Çetinkaya Çolak, Banu Erdoğan, İdris Akyüz, ve Ferhunde AtayEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik BölümüP45Bu çalıĢmada, ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile CdO filmlerinin üretimi içingeleneksel mikroskop camı yerine farklı bir taban cam kullanılarak, filmin fiziksel özellikleriüzerine etkisi araĢtırılmıĢtır. Alternatif cam olarak alümina-borat cam seçilmiĢ ve bu çalıĢmakapsamında melt-quenching tekniği ile üretilmiĢtir. Her iki taban üzerine üretilen filmler 450°C‟de 3 saat süre ile hava ortamında ısıl iĢleme tabi tutulmuĢtur. Isıl tavlama iĢleminin her ikinumunenin yüzeysel, elektriksel ve optik özellikleri üzerine etkisi araĢtırılmıĢtır. Yüzeyselözelliklerinin incelenmesi için Atomik Kuvvet Mikroskobu kullanılarak yüzey görüntüleri vepürüzlülük değerleri elde edilmiĢtir. Dört uç tekniği ile elektriksel özdirenç değerleri borat vemikroskop cam taban kullanılan numuneler için sırası ile 2.26×10 –3 ve 1.24×10 –3 ·cm olarakbelirlenmiĢtir. Numunelerin kalınlık, kırılma indisi ve sönüm katsayısı değerlerini belirlemekiçin Spektroskopik Elipsometri Tekniği kullanılmıĢtır. Ayrıca numunelerin geçirgenlikspektrumları UV–VIS Spektrofotometre kullanılarak alınmıĢ ve optik metot yardımıyla bantaralığı değerleri belirlenmiĢtir.77

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Farklı sıcaklıklarda tavlanan In katkılı CdS filmlerinin fiziksel özelliklerininincelenmesiS. Karakaya ve Ö. ÖzbaşEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, EskişehirP46CdS ince filmleri sahip oldukları optik ve elektrik özellikleri nedeniyle fotovoltaik güneĢpilleri ve optoelektronik gibi alanlarda yaygın olarak kullanılan II–VI grubu yarıiletkenmalzemelerdir. Heteroeklem güneĢ pillerinde pencere materyali olarak kullanılacak CdSfilmlerinin düĢük özdirence sahip olması istenir. Bu çalıĢmada, %8 In katkılı CdS filmleri300±5 ◦ C taban sıcaklığında ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarak üretilmiĢtir.Elde edilen filmler, 2 saat süre ile 300 ◦ C, 400 ◦ C, ve 500 ◦ C‟de ısıl tavlama iĢlemine tabitutulmuĢtur. Filmlerin optik, elektrik ve yüzey özellikleri üzerine farklı tavlamasıcaklıklarının etkisi araĢtırılmıĢtır. Filmlerin geçirgenlik ve soğurma spektrumları UVspektrofotometre ile alınmıĢtır. Filmlerin optik geçirgenlikleri tavlama sıcaklığının artmasıylabirlikte artıĢ göstermiĢtir. Spektroskopik elipsometri tekniği ve Cauchy–Urbach modelikullanılarak filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri belirlenmiĢtir. Üretilen filmlerin üç boyuttayüzey görüntülerini incelemek ve yüzey pürüzlülüklerini belirlemek amacıyla atomik kuvvetmikroskobu kullanılmıĢtır. Oda sıcaklığında yapılan elektriksel ölçümlerden özdirençdeğerlerinin 10 1 – 10 4 Ω·cm aralığında değiĢtiği görülmüĢtür.78

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P47CdO filmlerinin optiksel, yüzeysel ve elektriksel özellikleriZeycan Atiş, İdris Akyüz, ve Ferhunde AtayEskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik BölümüYüksek elektriksel iletkenliğe sahip olan malzemelerden biri olan CdO filmleri günümüzdedüz ekranlar, güneĢ pilleri, organik LED ve diğer opto-elektronik teknolojilerde önemli yertutmaktadır. Bu çalıĢmada CdO yarıiletken filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniğikullanılarak 2255 ˚C taban sıcaklığında ısıtılmıĢ cam tabanlar üzerine çöktürülmüĢtür. Dahasonra 450 ˚C de 3 saat tavlanan filmlerin tavlamadan önce ve sonraki fiziksel özelliklerindekideğiĢim incelenmiĢtir. 350–800 nm dalgaboyu aralığında geçirgenlik ve absorbansspektrumları UV–Visible Spektrofotometre cihazı ile alınmıĢtır. Tüm filmlerin kalınlık,kırılma indisi ve sönüm katsayısı gibi optik özellikleri Spektroskopik Elipsometri tekniği ilebelirlenmiĢtir. Yüzey morfolojileri ve pürüzlülük değerleri atomik kuvvet mikroskobukullanılarak incelenmiĢtir. Ayrıca özdirenç değerlerini belirlemek için dört-uç tekniğikullanılmıĢtır.79

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Tam-Heusler Co 2 TiSn ve yarı-Heusler CoTiSn alaĢımlarının manyetik,elektronik, elastik ve fonon özelliklerinin incelenmesiA. Candan 1 , A. İyigör 1 , G. Uğur 1 , Ş. Uğur 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP48Ferromanyetik Co 2 TiSn ve CoTiSn Heusler alaĢımlarının manyetik, elektronik, elastik vefonon özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi ve yerel yoğunluk yaklaĢımı kullanılarakaraĢtırıldı. Elde edilen manyetik moment değerleri diğer teorik çalıĢmalarla karĢılaĢtırılarakoldukça uyumlu olduğu gözlendi. Yarı-Heusler CoTiSn alaĢımının tam-Heusler Co 2 TiSnalaĢımına göre daha zayıf ferromanyetik özellikte olduğu bulundu. Spin durumları göz önünealınarak hesaplanan elektronik bant yapısı sonuçları literatürdeki diğer çalıĢmalarlakarĢılaĢtırıldı. Yoğunluk fonksiyoneli pertürbasyon teorisi üzerine kurulu lineer-tepkiyaklaĢımında ele alınan alaĢımların fonon yapıları incelendi.Teşekkür: Bu çalıĢma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel AraĢtırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi iledesteklenmiĢtir.80

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011L2 1 yapıdaki Fe 2 CrAl ve C1 b yapıdaki FeCrAl alaĢımlarının yapısal, elektronik,elastik ve fonon özelliklerinin incelenmesiA. Candan 1 , A. İyigör 1 , G. Uğur 1 , Ş. Uğur 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP49Bu çalıĢmada, Fe 2 CrAl (L2 1 ) ve FeCrAl (C1 b ) Heusler alaĢımlarının yapısal, elektronik,elastik ve titreĢim özelliklerinin belirlenmesinde teorik yöntem olan yoğunluk fonksiyonelteorisi kullanıldı. Bu teori içindeki değiĢ–tokuĢ korelasyonu fonksiyoneli olarakgenelleĢtirilmiĢ gradiyent yaklaĢımı seçildi. Elde edilen örgü parametreleri kullanılarak her ikialaĢım için yukarı-spin ve aĢağı-spin durumlardaki elektronik bant yapısı ve durum yoğunluğugrafikleri çizildi. Ġkinci dereceden elastik sabitleri hesaplanarak daha önceki çalıĢmalarlakıyaslandı. TitreĢim özelliklerini incelemek için yoğunluk fonksiyoneli perturbasyon teorisikullanıldı.Teşekkür: Bu çalıĢma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel AraĢtırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi iledesteklenmiĢtir.81

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Fe 2 ScAl ve Co 2 ScAl Heusler alaĢımlarının kübik L2 1 yapıdaki elastik ve fononözelliklerinin teorik olarak incelenmesiA. İyigör 1 , A. Candan 1 , Ş. Uğur 1 , G. Uğur 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP50L2 1 yapısındaki Fe 2 ScAl ve Co 2 ScAl Heusler alaĢımlarının elastik ve fonon özellikleri abinitiohesaplamalar yardımı ile incelendi. Hesaplamalarda genelleĢtirilmiĢ gradiyent yaklaĢımıyöntemine göre oluĢturulan değiĢ-tokuĢ korelasyon fonksiyoneli kullanıldı. Hesaplanantoplam enerji-hacim eğrileri Murnaghan hal denklemine uydurularak alaĢımların örgü sabitlerive yığın modülleri hesaplandı. Elastik sabitleri örgüye hacim korunumlu küçük gerilmeleruygulanarak hesaplandı. Fonon frekansları ve fonon durum yoğunlukları (toplam ve kısmi)yoğunluk fonksiyoneli pertürbasyon teorisi kullanılarak elde edildi ve yorumlandı.Teşekkür: Bu çalıĢma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel AraĢtırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi iledesteklenmiĢtir.82

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011C15 b yapıdaki YMgNi 4 ve LaMgNi 4 üçlü bileĢiklerinin yapısal, elastik veelektronik özellikleriA. İyigör 1 , A. Candan 1 , Ş. Uğur 1 , G. Uğur 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP51Bu çalıĢmada, yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayalı genelleĢtirilmiĢ gradiyent yaklaĢımıkullanılarak C15 b yapıdaki YMgNi 4 ve LaMgNi 4 bileĢiklerinin yapısal, elastik, ve elektroniközellikleri incelendi. BileĢiklerin örgü sabitleri ve yığın modülleri ve ikinci dereceden elastiksabitleri hesaplandı ve daha önceki çalıĢmalarla karĢılaĢtırıldı. Temel simetri yönleri boyuncaçizdirilen elektronik band yapı grafikleri literatürde yer alan diğer teorik çalıĢmalarla oldukçauyumlu bulundu.Teşekkür: Bu çalıĢma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel AraĢtırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi iledesteklenmiĢtir.83

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Yarı-metalik Co 2 CrAl Heusler alaĢımının yapısal, manyetik, elastik, elektronikve fonon özelliklerinin incelenmesiG. Uğur 1 , A. Candan 1 , A. İyigör 1 , Ş. Uğur 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP52Bu çalıĢmada, kübik yapıda bulunan Co 2 CrAl Heusler alaĢımı üzerine yoğunluk fonksiyonelteorisi ve genelleĢtirilmiĢ gradiyent yaklaĢımı kullanılarak manyetik, elastik, elektronik vefonon özellikleri için hesaplamalar yapıldı. Yapısal, manyetik ve elastik özellikleri için eldeedilen değerler, daha önceki çalıĢmalarla oldukça uyumlu bulundu. AĢağı ve yukarı spindurumlar için elde edilen elektronik bant yapısı grafiklerinden bu alaĢımın yarı-metalikdavranıĢ gösterdiği sonucuna varıldı. Lineer-tepki yöntemi kullanılarak temel simetri yönleriboyunca fonon dağılım eğrileri çizildi. Ayrıca hesaplanan fononlar için toplam ve kısmidurum yoğunluğu eğrileri elde edilerek yorumlandı.Teşekkür: Bu çalıĢma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel AraĢtırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi iledesteklenmiĢtir.84

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011L2 1 yapıdaki Pd 2 XAl (X=Co, Fe, Ni, Ti, Cu) Heusler alaĢımlarının yapısal,elektronik ve elastik özelliklerinin hesaplanmasıA. Ekiz 1 , Ş. Uğur 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP53Bu çalıĢmada Pd 2 XAl (X = Co, Fe, Ni, Ti, Cu) Heusler alaĢımlarının yapısal, elastik, veelektronik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi ile beraber sanki potansiyel vegenelleĢtirilmiĢ gradiyent yaklaĢımı kullanılarak araĢtırıldı. Yapısal özellikler içerisinde örgüsabitleri, yığın modülleri ve yığın modüllerinin basınca göre birinci türevleri hesaplandı veliteratürde bulunan diğer sonuçlarla karĢılaĢtırıldı. Elastik sabitleri küçük zorlanmalarla eldeedilen enerji değerlerinden bulundu. Elektronik bant yapısı, ile kısmi ve toplam durumyoğunluğu eğrileri spin-aĢağı ve spin-yukarı durumlar için çizildi. Toplam manyetik momentPd 2 CoAl alaĢımı için 1.82 µ B ve Pd 2 FeAl alaĢımı için 3.20 µ B olarak hesaplandı. DiğeralaĢımların net bir manyetizasyona sahip olmadığı görüldü.Teşekkür:Bu çalıĢma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel AraĢtırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiĢtir.85

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011ZrO 2 bileĢiğinin LDA+U ve GGA+U metoduna bağlı olarakilk ilkeler yöntemiyle incelenmesiA. H. Ergün, Y. Ö. Çiftçi, K. Çolakoğlu, ve E. DeligözFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, 06500 Ankara, TürkiyeP54Bu çalıĢmada, ilk ilkeler yöntemiyle ZrO 2 bileĢiğinin yapısal, elektronik, mekanik, vetitreĢimsel özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisinin Yerel Yoğunluk YaklaĢımı (LDA) veGenelleĢtirilmiĢ Yoğunluk YaklaĢımı (GGA) altında incelendi. Ayrıca, yoğunluk fonksiyoneliteorisinin etkin U parametresine dayanan LDA+U ve GGA+U yaklaĢımları ZrO 2 bileĢiğineuygulandı. Toplam enerji hesabı için “Vienna Ab-initio Simulation Package” (VASP) paketprogramının düzlem dalga (PAW) metodu kullanıldı. Malzemenin seçili özelliklerinin etkin Uparametresine bağımlılığı detaylıca çalıĢıldı. Yapı parametreleri Fluorite (C1) yapıdaincelendi. Malzemenin denge geometrik yapısı, toplam ve kısmi durum yoğunlukları, elastiksabitleri ve fonon dispersiyon eğrileri önceki çalıĢmalar ve deneysel verilerle karĢılaĢtırılarakincelendi ve analiz edildi.86

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P55CaF 2 -tipi PaN 2 kristalinin yapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özellikleriA. Tatar 1,* , Y. Çiftçi 1 , ve S. Aydın 11 Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraYoğunluk fonksiyoneli çerçevesinde, CaF 2 -tipi PaN 2 kristalinin yapısal, elastik, elektronik vetermodinamik özellikleri sistematik bir Ģekilde incelendi. Ġlk-prensip hesaplamalarından eldeedilen enerji-hacim veri seti quasi-harmonik Debye modeli içinde iĢlenerek, hacim, bulkmodülü, ısı kapasitesi, termal genleĢme katsayısı, Debye sıcaklığı ve Grüneisenparametresinin, geniĢ basınç ve sıcaklık aralıklarında, basıncın ve sıcaklığın fonksiyonuolarak nasıl değiĢtikleri araĢtırıldı. Hesaplanan band yapısı ve durum yoğunluğu eğrilerindenPaN 2 ‟nin W–L ve W–K aralıklarında Fermi enerjisini kesen bir band‟dan dolayı metalikkarakterde olduğu, ve Fermi seviyesinin hemen üstünde geniĢ bir enerji aralığının meydanageldiği görüldü.87

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ab-initio yöntem ile NbIrSn bileĢiğinin elektronik, elastik ve optik özelliklerininincelenmesiB. Koçak, Y. Ö. Çiftçi, ve K. ÇolakoğluFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP56Bu çalıĢmada MgAgAs (C1 b ) kristal yapıdaki yarı iletken NbIrSn bileĢiğinin yapısal,elektronik, elastik ve optiksel özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab-initiometot kullanılarak hesaplandı. Yapılan tüm hesaplarda VASP (Vienna Ab-initio SimülasyonPaketi) paket programı kullanıldı. Foton enerjisine bağlı lineer dielektrik fonksiyonları ilesoğurma katsayısı, kırılma indisi, enerji-kayıp fonksiyonu ve yansıtıcılık gibi önemli optikselsabitler hesaplanarak, basınçla değiĢimi incelendi. Elde edilen sonuçların deneysel ve teorikçalıĢmalarla uyumlu olduğu tespit edildi.88

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P57PrZn için ilk ilkeler teoriksel çalıĢmasıB. S. Lişesivdin, Y. Ö. Çiftçi, ve K. ÇolakoğluGazi Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü, Ankara, TürkiyeB2 yapılı PrZn bileĢiğinin yapısal, elastik ve elektronik özellikleri düzlem dalgapseudopotansiyel metod kullanılarak ilk ilkeler hesaplamalarıyla incelendi. Hesaplanan örgüsabiti ve bulk modülü diğer deneysel ve teorik çalıĢmalarla uyum içerisinde bulunmuĢtur.PrZn bileĢiğinin elektronik yapısı ve DOS grafikleri bu bileĢiğin metalik doğasınıdoğrulamaktadır. Elastik sabitleri, bulk modülü, shear modülü, yound modülü, poison oranıgibi elastik özellikler bu bileĢik için incelendi ve Born kararlılık kriterlerini sağladığı görüldü.Elektron durum yoğunluğu, elektron yük yoğunluğu ve Mulliker populasyon analizi PrZn 2 ninelektronik ve bağlanma davranıĢını tartıĢmak için hesaplandı. Elde edilen sonuçlar deneyseldata ve daha önceki teorik hesaplamalarla kıyaslandı.89

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P58RuN bileĢiğinin temel fiziksel özeliklerinin ilk ilkeler yöntemiyle incelenmesiC. Bülbül, Y. Ö. Çiftçi, ve K. ÇolakoğluGazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, AnkaraBu çalıĢmada yoğunluk fonksiyoneli teorisi içinde genelleĢtirilmiĢ gradyent yaklaĢımı (GGA)kullanarak RuN bileĢiğinin NaCI(B1), CsCI (B2), Zinc-blende (B3), NiAs(B8 1 ), PbO(B10)and Wc (B h ) kristal yapıları için ilk ilkeler yöntemiyle yapısal, elastik, elektronik vetermodinamik özellikleri incelendi. Optimize edilmiĢ yapısal parametreler (örgü sabiti, bulkmodülü ve bulk modülünün türevi) teorik çalıĢmalarla uyum içinde bulundu. Ayrıca hacim,bulk modülü, ısıl genleĢme katsayısı ve ısı kapasitesinin sıcaklık ve basınçla değiĢimi quasiharmonik debye modeli kullanılarak geniĢ bir aralıkta hesaplandı.90

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011CoFe alaĢımının temel fiziksel özelliklerinin teorik çalıĢmasıG. Yeniçeri, Y. O. Çiftçi 1 , K. Çolakoğlu 1 , ve E. Deligöz 21 Gazi Üniversitesi Fizik Bölümü, Teknikokullar, Ankara2 Aksaray Üniversitesi Fizik Bölümü 68100 AksarayP59Bu çalıĢmada, B2 yapılı CoFe alaĢımının yapısal, elektronik, elastik, termodinamik vetitreĢimsel özellikleri VASP paket programı kullanılarak teorik olarak incelendi.Hesaplamalar, yoğunluk fonksiyonel teorisi (YFT) ve genelleĢtirilmiĢ gradyent yaklaĢımıtemel alınarak yapıldı. Özellikle, örgü sabiti, bulk modülü, bulk modülünün birinci türevi,elastik sabitleri, kesme modülü, Young modülü ve Poisson oranı hesaplandı ve diğer teorikdeneysel sonuçlarla kıyaslandı. Termodinamik özellikler için yarı harmonik debye modelikullanıldı.91

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011K 3 As 7 bileĢiğinin yapısal ve elastik özellikleriP60H.B. Özışık, K. Çolakoğlu, Y. Ö. Çiftçi, E. Deligöz*, G. Sürücü, ve İ. ÖnerGazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, Ankara, Türkiye,* Aksaray Üniversitesi, Fizik Bölümü, Aksaray, TürkiyeOrtorombik yapıdaki K 3 As 7 bileĢiğinin yapısal ve elastik özellikleri ab initio yöntemlerikullanılarak incelendi. Hesaplamalar GGA-PBE yaklaĢımı kullanılarak yapıldı. Örgü sabitlerihesaplandı ve literatür ile uyum içinde olduğu görüldü. Stres–strain yöntemi kullanılarakelastik sabitleri hesaplandı ve mekanik olarak kararlı olduğu görüldü. Ayrıca, elastiközelliklerle ilgili nicelikler (Young modülü, Bulk modülü, Shear modülü, Poisson oranı, seshızları, Debye Sıcaklığı, elastik anizotropi ve lineer sıkıĢabilirlik değerleri) hesaplanarakyorumlandı.92

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ab-initio yöntemlerle InS bileĢiğinin incelenmesiİ. Öner 1 , K. Çolakoğlu 1 , H. Özışık 2 , ve H. B. Özışık 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi Teknikokullar, 06500, Ankara2 Aksaray Üniversitesi, Fizik Bölümü, Aksaray, TürkiyeP61Periyodik cetvelin III–VI grubundan InS bileĢiğinin NaCl (B1) ve CsCl (B2) fazlarındakiyapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özellikleri sunulmuĢtur. Tüm hesaplamalardaVienna Ab-initio Simülasyon Paketi (VASP) / PAW Metodu / katılar için yenidendüzenlenmiĢ GenelleĢtirilmiĢ Gradyan YaklaĢımı (PBE_sol) kullanılmıĢtır. Örgüparametreleri GenelleĢtirilmiĢ Gradyan YaklaĢımı (GGA) ve PBE_sol metotları ilehesaplanarak deneysel çalıĢmalarla karĢılaĢtırılmıĢtır. Stres–strain yöntemiyle elastik sabitleriincelendiğinde B1 fazının enerjitik ve mekanik olarak kararlı olduğu ve basınç altında B2fazına geçiĢ yaptığı gözlenmiĢtir. Elektronik hesaplamalar, B1 fazının bant yapısının metalikkarakter sergilediğini göstermiĢtir. Debye sıcaklığı, enine ve boyuna ses hızları, Youngmodülü, Shear modülü, anizotropi sabiti bu çalıĢmada sunulan diğer parametrelerdir. Eldeedilen sonuçların diğer teorik ve deneysel çalıĢmalarla uyum içinde olduğu görülmüĢtür.93

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011The ınvestigations of structural, elastic, electronic and thermodynamicproperties in CeTl compound by first-principlesM. Yılmaz a , Y. Ö. Çiftçi a , K. Çolakoğlu a , ve E. Deligöz ba Gazi University, Department of Physics, Teknikokullar, 06500, Ankarab Aksaray University, Department of Physics, 68100,AksarayP62Structural, elastic, elektronic and thermodynamic properties of the CeTl were investigated bymeans of first–principles plane-wave pseudopotential method within Generalized GradientApproximation (GGA). The thermodynamic properties of the considered metalic compoundare obtained through the quasi-harmonic Debye model. In order to gain furter information, thepressure and temperature-dependent behavior of the volume, bulk modulus, thermalexpansion coefficient, heat capacity, enthalpy, Debye temperature and Grüneisen parameterare also evaluated wide pressure and temperature range. The results on the basic physicalparameters, such as the lattice constant, bulk modulus, pressure derivative of bulk modulus,Zener anisotropy factor, Poisson‟s ratio, Young‟s modulus and isotropĢc shear modulus arepresented. The obtained results are in agreement with the available experimental and othertheoretical values.94

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P63Spin-3/2 Ising modelin çoklu kritik faz diyagramlarıG. Sezgin ve N. SeferoğluGazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, İleri Teknolojiler Anabilim Dalı, 06500 AnkaraFerromagnetik bilineer etkileĢmeli spin-3/2 Blume-Emery-Griffiths (BEG) modelin manyetikalan varlığında ve yokluğunda kritik davranıĢları incelendi. Modelin simülasyonu bir cellularautomatonda gerçekleĢtirildi. Hesaplamalar, Creutz algoritmasından elde edilen soğutmaalgoritması kullanılarak basit kübik örgüler üzerinde yapıldı. ÇalıĢmada, modelin iki yeni fazdiyagramı oluĢturularak manyetik alan etkisi incelendi. Bununla birlikte, sonlu-örgüölçekleme teorisi kullanılarak ikinci derece faz geçiĢleri için statik kritik üsler (, , ) ve alankritik üssü () elde edilerek modelin seçilen parametre değerlerinde sahip olduğu evrenselliksınıfı belirlendi. ÇalıĢmada belirlenen parametre aralığında, çoklu kritik nokta civarındaevrensel Ising model kritik üslerinden farklı üs değerleri tespit edildi.95

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P64Tek kanal ve çift kanal InGaN/InN çokluyapıların kıyaslanmasıG. Atmaca, K. Elibol, G. Karakoç, C. Güneş ve S. B. LişesivdinGazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500 AnkaraSon yıllarda III-nitrür yarıiletkenlerdeki son geliĢmelerin paralelinde yüksek performanslınitrür tabanlı yüksek elektron hareketlilikli transistörler (HEMT) araĢtırmaların odağı halinegelmiĢtir. Ġndiyum Nitrür tabanlı yarıiletken malzemeler, optik ve mikrodalga uygulamalarıiçin oldukça ilgi çekici ve gelecek vaad edici bir malzeme sistemleridir. InN tabanlıHEMT'lerdeki yüksek kritik elektrik alandan dolayı yüksek doyum hızının olması bu türmalzemelerin çalıĢılmasının ana nedenlerinden biridir. InN ve InGaN arasındaki örgüuyumsuzluğu nedeniyle yüksek piezoelektrik alanlar ile elde edilen yüksek taĢıyıcı yoğunluğuaygıt performansını geliĢtirici yönde etkilemektedir. n-tipi InGaN bariyerindeki vericiyoğunluğu iletkenlik bandı süreksizliğinin kontrolünde rol almaktadır. Bu çalıĢmada tek kanaln-InGaN/InN ve çift kanal n-InGaN/InN/InGaN modülasyon katkılı alan etkili transistörlerinInGaN bariyerindeki In oranının, bariyer kalınlığının ve InN tabaka kalınlığının değiĢiminintaĢıyıcı yoğunluğu üzerindeki etkilerini 1 boyutlu kendini eĢleyebilen doğrusal olmayanSchrödinger–Poisson denklemlerini çözerek modelledik. Ayrıca, tek kanal ve çift kanal InNtabanlı bu HEMT yapıları için saçılma analizlerine göre kıyaslandı.96

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P65Voltaja bağlı iyonizasyon hücresinde sistem karakteristiklerinin incelenmesiH. Yücel Kurt ve A. YurtsevenFizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraBu çalıĢmada uygulanan voltajın sistem karakteristiklerine etkisi araĢtırılmıĢ ve uygulananvoltajın etkisi yarıiletken detektördeki iç homojensizlikleri gösteren hem profil hem desistemden yayınlanan ıĢık emisyonunu kullanarak analiz edilmiĢtir.97

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Tek ve çift tabakalı grafen alan etkili transistörlerin (GFET)akım–gerilim (I/V) performansıK. Elibol 1 , G. Atmaca 1 , E. Özbay 2,3 ve S. B. Lişesivdin 11 Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Bilkent Üniversitesi, Nanoteknoloji Araştırma Merkezi-NANOTAM, Bilkent, 06800, Ankara3 Fizik ve Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü, Bilkent Üniversitesi, Bilkent, 06800, AnkaraP66Karbon atomlarının düzlemsel tek katmanından oluĢan grafenin üstün elektronik ve mekaniközellikleri, grafen çalıĢmalarını oldukça artırmıĢtır [1]. Son zamanlarda çift tabakalı grafeninde aygıtlarda üstün performans sergilediği gösterilmiĢtir. Ġki tabaka olması nedeniyle az daolsa bir band aralığına sahip olduğu için çift katmanlı grafen kullanılarak üretilen aygıtlar tekkatman grafene göre daha iyi kontrol edilebilir. Bu çalıĢmada, Adam ve arkadaĢlarının [2]geliĢtirdiği kendini eĢleyebilen (self-consistent) iletim modeli kullanılarak elde edileniletkenlikten yararlanarak ve tek ve çift tabakalı grafen alan etkili transistörler için kendinieĢleyebilen akım gerilim hesaplamaları yapılmıĢtır. Kanal uzunluğu, kanal geniĢliği ve ikincikatmanın aygıt performansına etkisi incelenmiĢtir. Ayrıca, minimum iletim düzlükleriningeniĢliğinin iletime etkisi araĢtırılmıĢtır. Yüksek safsızlık yoğunluklarında tek ve çift tabakalıgrafende minimum iletim düzlüklerinin geniĢliğinin arttığı ve iletimin azaldığı gözlenmiĢtir.Farklı safsızlık yoğunluklarında akım gerilim transfer karakteristikleri hesaplanmıĢtır.Referanslar[1] Frank Schwierz, Graphene transistors, Nature Nanotechnology 5, 487 (2010).[2] S. Adam et. al., A self-consistent theory for graphene transport, PNAS, 104, 18392 (2007).98

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Epitaksiyel grafende Hall ve zayıf antilokalizasyon ölçümleriK. Elibol 1 , G. Atmaca 1 , S. Bütün 2,3 , S. B. Lişesivdin 1 ve E. Özbay 2,31 Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Bilkent Üniversitesi, Nanoteknoloji Araştırma Merkezi-NANOTAM, Bilkent, 06800, Ankara3 Fizik ve Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü, Bilkent Üniversitesi, Bilkent, 06800, AnkaraP67Karbon atomlarının iki boyutlu bir hegzagonal örgü dizilimden oluĢan grafen, yüksek taĢıyıcıdevingenliği ve kararlı yapısıyla elektronik aygıtlar için avantajlar sunar. Epitaksiyel grafenbüyütme, geniĢ alanlar üzerine aygıt üretmek için kolaylık sağlar. Bu çalıĢmada, SiC üzerineepitaksiyel büyütülen grafen numuneleri için Hall ölçümleri Van der Pauw yöntemi ileyapılmıĢtır. Epitaksiyel grafen numuneleri için öncelikle karanlık ve aydınlık Hall ölçümleriyapıldı. Aydınlık Hall ölçümlerinde, 450 nm ile 485 nm arasında dalga boyuna sahip bir maviLED kullanılmıĢtır. Bu ölçümde, 300 K‟den 30 K‟e inildikten sonra 30 dakika boyunca ıĢıkverildi. Daha sonra ıĢık kapatılarak 30 K‟den 300 K‟e çıkarken ölçümler yapılmıĢtır. Aydınlıkölçümlerde, düĢük sıcaklıklarda devingenlik ve taĢıyıcı yoğunluğunda önemli bir azalmaolmuĢtur. Sıcaklık 200 K civarına geldiğinde ise devingenlik ve taĢıyıcı yoğunluğu karanlıkölçüm değerlerine ulaĢmıĢtır. Epitaksiyel grafen numuneleri için elde edilen taĢıyıcıyoğunluğu, devingenlik ve iletkenlik sonuçları, benzer karakteristiğin gözlenipgözlenmediğini görmek amacıyla GaN tabanlı bir HEMT yapısı ile son derece iyi yönelmiĢpirolitik grafitin (HOPG) karanlık ve aydınlık Hall ölçümleri ile karĢılaĢtırılmıĢtır. Zayıfantilokalizasyon ölçümleri düĢük sıcaklıklarda -0.05 T ile 0.05 T arasında 0.001 T adımlarladeğiĢen magnetik alanlarda yapılmıĢtır. Elde edilen taĢıyıcı yoğunluğu, devingenlik vemagnetoiletkenlik sonuçları incelenmiĢtir.99

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P68Au/TiO 2 /nSi/Au yapıların parametrelerinin incelenmesiM. Sel ve M. ÖzerGazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, AnkaraMetal–yarıiletken (MS) kontakların son yıllarda elektronik ve optoelektronik sanayindeoldukça fazla miktarda kullanılır hale gelmesi araĢtırıcıları bu yapıları farklı yarıiletkenler vemateryallerle oluĢturulmaya ve parametreleri kararlı, tekrarlanabilir, performansı daha iyiyapılar olması yönünde araĢtırmalar yapmaya yöneltmiĢtir. MS yapıları hazırlama yöntemlerive Ģartları genellikle arayüzey durumlarının oluĢmasına sebep olmakta bunlar da elektroniközellikleri ve parametreleri önemli ölçüde etkilemektdir. Burada sunulan çalıĢmada, nSiyarıiletkenin mat yüzeyinde Au ile omik kontak ve parlak yüzeyi üzerinde ise önce püskürtmemetodu ile TiO 2 ince film ve onun üzerinde ise vakumda metal buharlaĢtırma metoduyla Aukullanılarak Schottky engeli oluĢturuldu. Akım–gerilim (I–V) ve sığa–gerilim (C–V)ölçümlerinden elde edilen verilerle yapılan hesaplardan yapının parametreleri belirlendi.Teşekkür: Bu çalıĢmayı destekleyen Gazi Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri (BAP 05/2011-39) venumuneleri hazırlayan Gazi Üniversitesi Yarıiletken Teknolojileri Ġleri AraĢtırma Labratuvarı Grubuna teĢekkürederiz.100

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011GaAs 1-x N x epitaksiyel tabakaların büyütülmesi ve karakterizasyonuN. Musayeva 1 , R. Jabbarov 1 , S. Abdullayeva 1 , S. Ş. Çetin 2 ,S. Özçelik 2 , T. Memmedli 2 , G. Attolini 3 , M. Bosi 3 ve B. Clerjaud 41 Fizik Enstitüsü, Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi, Bakü, Azerbaycan2 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara3 IMEM, CNR, Parma, İtalya4 Nanobilim Enstitüsü, Pierre et Marie Curie Üniversitesi, Paris, FransaP69GaAs ve Ge alttaĢlar üzerine metal organik buhar faz büyütme (MOVPE) tekniği ilebüyütülen GaAs 1-x N x (x~%1.0-2.1) üçlü alaĢımlarının Raman saçılması ve fotolüminesans(PL) özellikleri incelendi. Yatay reaktörde kaynak olarak Trimetilgalyum (TMGa), AsH 3 veDimetilhidrazin (DMHy) kullanıldı. Numuneler DMHy ve diğer kaynaklar arasındaki molaroran değiĢtirilerek atmosferik basınçta ve 500 C sıcaklıkta büyütüldü. Büyütülen seyreltikGaAsN yapısında azotun varlığı, Raman saçılması spektrumunda yaklaĢık 470 cm –1 de azottitreĢim modunun gözlenmesi ile tespit edildi. 500 cm –1 ve 600 cm –1 arasında TO ve LObenzeri ikinci dereceden zayıf Raman pikleri gözlendi. Büyütülen numunelerin PL özellikleriincelendi. GaAs 1-x N x yapısının 77 K‟de PL pik enerjisi 1.15 eV gözlenirken, yüksekçözünürlüklü X-ıĢını kırınımı (HRXRD) tekniği ile analizi sonucu N içeriği (x) % 2.1bulundu. Ge üzerine büyütülen numunelerin PL spektrumu GaAs alttaĢ üzerine büyütülennumunelerden ölçüm sıcaklığı artıkça çok daha fazla geniĢlediği gözlendi. Ayrıcanumunelerin bazı optik parametreleri spektroskopik elipsometre ölçümleri ile belirlendi.Teşekkür: Bu çalıĢma CBP.EAP.CLG 983724 nolu, “Diluted Nitrides for Tandem Solar cells” isimli proje ileNATO tarafından desteklenmiĢtir.101

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Si üzerine MOVPE tekniği ile büyütülen GaInPN alaĢımlarının yapısal ve optikkarakterizasyonuN. Musayeva 1 , G. Attolini 2 , M. Bosi 2 , B. Clerjaud 3 , R. Jabbarov 1 , S. Ş. Çetin 4 , S. Özçelik 4ve T. Memmedli 41 Fizik Enstitüsü, Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi, Bakü, Azerbaycan2 IMEM, CNR, Parma, İtalya3 Nanobilim Enstitüsü, Pierre et Marie Curie Üniversitesi, Paris, Fransa4 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP70InGaPN epitaksiyel tabakalarının Si alttaĢlar üzerine büyütülmesi; dimetilhidrazin,trimetilgalyum, trimetilindiyum ve fosfin kaynakları ile metal organik buhar faz büyütme(MOVPE) tekniği kullanılarak yapıldı. Silisyum yüzey üzerine, çoklu-bağlanma ve anti fazoluĢumları kaynaklı arayüzey problemlerini azaltmak amacıyla çok ince bir GaP tampontabaka büyütüldü. Tabakalar 46 Torr basınçta ve 630 C alttaĢ sıcaklığında hazırlandı. X-ıĢınıkırınımı deneyleri, tabakaların örgü sabitlerini ve alttaĢ ile örgü uyumsuzluklarınıdeğerlendirmek için kullanıldı. Taramalı elektron mikroskobu (TEM), tabakaların yapısalözelliklerini değerlendirmek ve kusurların varlığını değerlendirmek için kullanıldı.Numuneler fotolüminesans ve Raman saçılması ile karakterize edildi. Ortalama yüzeypürüzlülüğü, atomik kuvvet mikroskopu ile 20-30 nm olarak bulundu.Teşekkür: Bu çalıĢma CBP.EAP.CLG 983724 nolu, “Diluted Nitrides for Tandem Solar cells” isimli proje ileNATO tarafından desteklenmiĢtir.102

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011çinko oksit yapılarının optik ve yapısal özelliklerine film kalınlığının etkisininincelenmesiS. Ş. Çetin, T. Asar, Y. Özen, G. Kurtuluş, T. Memmedli ve S. ÖzçelikFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP71RF magnetron püskürtme tekniği kullanılarak, farklı kalınlıklara sahip üç tane ZnO yapısınıncam alttaĢ üzerine 200 C sıcaklıkta kaplandı. Numunelerin kristalografik yapısı X-ıĢınıkırınımı (XRD) tekniği ile incelendi. Soğurma katsayısı ve film kalınlıkları UV–Visspektrometresi ile elde edilen geçirgenlik spektrumu kullanılarak hesaplandı. Kırılma indisi(n) ve sönüm katsayısı (k) gibi optik sabitler geçirgenlik spektrumundan belirlendi. AyrıcaZnO yapılarının oda sıcaklığı fotolüminesans (PL) ve UV–Vis ölçümleri sonucu emisyon pikenerji pozisyonları karĢılaĢtırmalı olarak incelendi. Film kalınlığının optik ve yapısalözellikler üzerine etkisi tartıĢıldı.Teşekkür: Bu çalıĢma 2011K120290 nolu proje ile DPT tarafından desteklenmiĢtir.103

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011MBE tekniği ile büyütülen Ga x In 1-x P/GaAs alaĢımlarının kritik noktaenerjilerinin spektroskopik elipsometre ile incelenmesiS. Ş. Çetin 1 , B. Kınacı 1 , E. Pişkin 1 , H. İ. Efkere 2 , T. Memmedli 1 ve S. Özçelik 11 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Bölümü, Erciyes Üniversitesi, KayseriP72Katı kaynaklı moleküler demet büyütme (MBE) tekniği kullanılarak, farklı kompozisyonlarasahip GaInP yarıiletken alaĢımları GaAs alttaĢ üzerine büyütüldü. Yüksek çözünürlüklü X-ıĢını kırınım desenlerine LEPTOS yazılımı kullanılarak simülasyon yapılması ile numunelerinalaĢım oranı (x) belirlendi. Ayrıca, oda sıcaklığı fotolüminesans (PL) ölçümleri sonucu eldeedilen emisyon pik enerji pozisyonları alaĢım oranına bağlı olarak incelendi. GaInPyapılarının bantlararası-geçiĢ kenarlarının kritik nokta enerjileri ( E0, E0 0, E1ve E1 1),0.7–4.7 eV aralığında spektroskopik elipsometre (SE) ölçümleri ile belirlendi. Bu amaçladielektrik fonksiyonunun reel kısmının ikinci türev spektrumları “standart kritik nokta çizgi-Ģekli” eĢitliklerine en küçük kareler yöntemi ile fit edilerek, galyum kompozisyonuna görekritik nokta enerji değerlerinin değiĢimi incelendi.Teşekkür: Bu çalıĢma 2011K120290 nolu proje ile DPT ve 05/2010-34 nolu proje ile BAP tarafındandesteklenmiĢtir.104

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Üçlü ZnSnAs 2 yarıiletken bileĢiğinin elektronik, termodinamik ve optiközelliklerinin ab inito metot ile hesaplanmasıP73S. Şahin 1 , Y. Ö. Çiftci 1 *, K. Çolakoğlu 1 , S. Aydın 1 , E. Deligöz 21 Gazi Üniversitesi, Fizik bölümü, Teknikokullar,06500, Ankara, Türkiye2 Aksaray Üniversite, 68100, Aksaray, TürkiyeÜçlü ZnSnAs 2 kalkopirit yarıiletken bileĢiğin elektronik, termodinamik ve optik özellikleridüzlem-dalga psödo potansiyeli metodu yerel yoğunluk fonksiyonu yaklaĢımı kapsamında ilkprensip (ab inito) hesaplamaları yapılarak incelendi. Bu hesaplardan elde edilen bilgilerlebileĢiğin örgü sabitleri, sertliği, bulk modülü, bulk modülünün basınca göre birinci derecedentürevi, Zener anizotropi faktörü, Poisson oranı, Young modülü ve izotropik shear(kayma)modülü gibi fiziksel parametreleri hesaplandı. Yarıiletkenlerin termodinamik özelliklerininbulunmasında kullanılan yarı-harmonik Debye modeli termodinamik özelliklerininhesaplanmasında kullanıldı. Hacmin sıcaklığa ve basınca bağlı davranıĢı, lineer genleĢmekatsayısı, ısı kapasitesi, oluĢum enerjisi, Debye sıcaklığı ve Grüneisen parametresi 0–80 GPabasıncında ve 0–1000 K sıcaklık aralığında hesaplandı. ZnSnAs 2 „nın optik özellikleridielektrik fonksiyonunu kırılma indisi, sönüm katsayısı, soğrulma katsayısı, optik yansıma veelektron enerjisi kayıp spektrumu 0–25 eV enerji aralığında nasıl değiĢtiği incelendi. Eldeedilen sonuçlar mevcut deneysel ve teorik sonuçlarla karĢılaĢtırıldı.105

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Bazı nadir toprak elementi hexaboritlerin (REB 6 , RE=La ve Pr) bağlanma vesertlik karakteristiklerinin ilk-prensipler yoluyla incelenmesiS. Aydın 1,* , Y. Çiftçi 1 , A. Tatar 11 Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP74(REB 6 , RE=La ve Pr) nadir toprak elementi hexaboritlerinin yapısal, elektronik ve elastiközellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisi kapsamında, değiĢ-tokuĢ korelasyon fonksiyoneliiçin genelleĢtirilmiĢ gradyent yaklaĢımı (GGA) seçilerek, ultrasoft pseudopotansiyellerkullanılarak incelendi. Polikristal yaklaĢımı altında, hesaplanan elastik sabitler yardımıyla,Bulk modülü, Young modülü ve makaslama modülü gibi mekanik özellikler belirlendi.Kristallerin bağlanma karakteristikleri incelenerek, mikrosertliklerinin doğası araĢtırıldı.106

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Pt 2 CoAl ve Pt 2 FeAl Heusler alaĢımlarının yapısal, manyetik, elektronik veelastik özellikleriŞ. Uğur 1 , A. Ekiz 1 ve R. Ellialtıoğlu 21 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, AnkaraP75Kübik L2 1 yapıdaki Pt 2 CoAl ve Pt 2 FeAl Heusler alaĢımlarının yapısal, manyetik, elektronikve elastik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi kapsamında genelleĢtirilmiĢ gradiyentyaklaĢımı kullanılarak incelendi. AlaĢımların örgü sabitleri, ikinci dereceden elastik sabitlerive toplam manyetik momentleri hesaplanarak diğer çalıĢmalarla karĢılaĢtırıldı. Temel simetriyönleri boyunca elektronik bant yapısı, ile kısmi ve toplam durum yoğunluğu eğrileri aĢağıspinve yukarı-spin durumlar için çizildi.Teşekkür: Bu çalıĢma Hacettepe Üniversitesi Bilimsel AraĢtırmalar Birimi 0701602005 nolu projesi iledesteklenmiĢtir.107

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011CaCd bileĢiğinin yapısal, elektronik, elastik ve termodinamik özelliklerininab-initio yöntemi ile incelenmesiT. Öztürk 1 , Y. Çiftci 1 , K. Çolakoğlu 1 , ve E. Deligöz 21 Gazi Üniversitesi, Ankara ,Türkiye,2 AksarayÜniversitesi,Ankara, Türkiye,P76CaCd bileĢiğinin yapısal, elektronik, elastik ve termodinamik özellikleri genelleĢtirilmiĢgradyent yaklaĢımı (GGA) ve yerel yoğunluk yaklaĢımı (LDA) altında yoğunluk fonksiyonelteorisi ve düzlem dalga pseudo-potansiyeli teorisine dayanan ab initio metodla incelendi. Yapıparametresini incelemek için CsCl (B2) ve NaTl (B32) gibi iki farklı yapı kullanıldı. CaCd‟untermodinamik özelliklerini incelenmek için quasi-harmonik debye modeli uygulandı. CaCdbileĢiğinin her iki fazı içinde örgü parametreleri, bant yapıları ve durum yoğunluğu eğrileri,elastik sabitleri, Debye sıcaklıkları, erime sıcaklıkları, ses hızları, Zener anizotropi faktörü,Young ve izotropik Shear modülleri, Poisson oranları hesaplandı. Ayrıca, termodinamiközelliklerin basınçla ve sıcaklıkla değiĢimi incelendi. Elde edilen sonuçlar mevcut deneysel veteorik sonuçlarla karĢılaĢtırıldı. Kullandığımız metodun bileĢiklerin özelliklerini oldukçadoğru bir Ģekilde tahmin ettiği görüldü.108

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P77ZnO/p-Si GüneĢ Hücrelerinin FabrikasyonuT. Asar, B. Kınacı, K. Kızılkaya, Y. Özen, T. Memmedli ve S. ÖzçelikFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraBu çalıĢma kapsamında; fotovoltaik özelliklerini değerlendirmek amacıyla dört adet ZnO incefilm RF magnetron püskürtme yöntemi ile p-tipi Si (100) tek-kristali üzerine kaplandı. BütünZnO ince filmler 200 o C‟de, 1000 Å kalınlığında kaplanmıĢtır. Numunelerden biri sadece ZnOhedefi kullanılarak oluĢturuldu; diğer üç numune farklı O 2 /Ar oranlarındaki (10/90, 20/80,30/70) oksijen varlığında reaktif yöntemle elde edildi. Numunelerin yüzey morfolojisi atomikkuvvet mikroskopu (AFM) ile incelendi. 1×1 cm 2 boyutlarındaki örnekler kullanılarak güneĢhücresi fabrikasyonu yapıldı. Hücrelerin oda sıcaklığında, karanlık ve ıĢık altındaki akım -gerilim (I–V) ölçümleri alındı. I–V verileri kullanılarak, kısa devre akımı (I sc ), açık devregerilimi (V oc ), dolum faktörü (FF), enerji dönüĢüm verimi () gibi güneĢ hücresi çıktıparametreleri hesaplandı. Doğal n-tipi özelliğe sahip ZnO filmlerinin p-Si üzerinebüyütülmesi ile fotovoltaik etki oluĢtuğu belirlendi.Teşekkür : Bu çalıĢma 2011K120290 nolu proje ile DPT tarafından desteklenmiĢtir.109

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011GaAs güneĢ hücrelerin farklı fabrikasyonlarının hücre verimine etkisiT. Asar 1 , S. Ş. Çetin 1 , G. Kurtuluş 1 , E. Pişkin 1 , H. İ. Efkere 2 ,T. Memmedli 1 ve S. Özçelik 11 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara, Türkiye2 Fizik Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Kayseri, TürkiyeP78Bu çalıĢmada; fabrikasyon adımlarındaki değiĢimin, GaAs güneĢ hücresinin elektrikselparametrelerine (kısa devre akımı (I sc ), açık devre gerilimi (V oc ), dolum faktörü (FF), enerjidönüĢüm verimi ()) etkileri incelendi. GaAs güneĢ hücre yapısı, katı kaynaklı molekülerdemet büyütme (SSMBE) tekniği kullanılarak, n-tip, (100) yönelimli, 625 µm kalınlıklı, 3”GaAs alttaĢ üzerine, sırasıyla, 1m n-tip GaAs tampon ve 2,5 m p-tip GaAs tabaka olarakbüyütülmüĢtür. 1×1 cm 2 boyutlarındaki örneklere GüneĢ hücresi fabrikasyonu yapıldı. Ġkifarklı metalizasyon yöntemi kullanılarak, güneĢ hücresinin çıktı parametrelerindekideğiĢiklikler incelendi. Ön dairesel nokta kontaklar her iki hücre için aynı yöntemlegerçekleĢtirildi. Numunelerin arka kontak metalizasyon iĢlemlerinden biri, ön yüzeyin bellibir kısmının 4 m aĢındırılmasının ardından, aĢındırılan kısma; diğeri ise numunenin arkayüzeyinin tamamına yapıldı. Fabrikasyonları tamamlanan numunelerin oda sıcaklığında,karanlık ve ıĢık altındaki akım – gerilim (I–V) ölçümleri alındı. Ölçümler sonucunda eldeedilen verilere ait I–V grafikleri çizilerek, güneĢ hücresi çıktı parametreleri hesaplandı. Eldeedilen verilere bakıldığında, ön taraftan yapılan arka kontak metalizasyon iĢlemli hücredeenerji dönüĢüm veriminin () daha yüksek olduğu görüldü.Teşekkür : Bu çalıĢma 110T333 nolu proje ile TÜBĠTAK tarafından desteklenmiĢtir.110

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Yüksek basınç altında UC 2 kristalinin yapısal, elektronik ve elastik özelliklerininyoğunluk fonksiyoneli teorisi ile incelenmesiY. Ö. Çiftçi, A. Tatar, ve S. AydınFizik Bölümü, Fen Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP79CaC 2 -tipi UC 2 kristalinin 0–17 GPa basınç aralığında yapısal, elektronik ve mekaniközellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisini temel alan ilk-prensip hesaplamaları yapılarakaraĢtırıldı. Öncelikle 0 GPa‟daki yapının elektronik özellikleri, bağlanma karakteristikleri,elastik özellikleri ve bunlara bağlı olarak bulk modülü, makaslama modülü gibi mekaniközellikleri incelendi, sertliği hesaplandı. Yapı üzerine 0–17 GPa aralığında hidrostatik basınçuygulanarak, incelenen bu özelliklerin basınçla nasıl değiĢtikleri araĢtırıldı.111

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011% 0.2 Bor katkılı ZnO ince filmlerin elektriksel ve optik özelliklerininincelenmesiG. Babür 1 , G. Çankaya 2 , U. Kölemen 11 Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 60240 Tokat, TÜRKİYE2 Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri FakültesiMalzeme Mühendisliği 06030 Ankara, TÜRKİYEP80Çinko oksit (ZnO) yasak band aralığı yaklaĢık 3.3 eV olan ve elektromanyetik spektrumungeniĢ bir aralığında yüksek geçirgenliğe sahip bir malzemedir. Uygun katkı malzemelerikullanarak optik, yapısal ve elektriksel özelliklerini iyileĢtirmek mümkündür. Çinko oksitucuzluğu, sağlığa zararlı olmaması ve diğer Ģeffaf iletken malzemelere alternatif olmaözelliklerinden dolayı son yıllarda yaygın olarak çalıĢılmaktadır. Katkılı ve katkısız ZnOfilmler farklı metotlarla hazırlanmaktadır. Bunların arasında sol–jel metodu geniĢ yüzeylereucuz bir maliyetle kolay uygulanabilirliği ve film kompozisyonunun kontrolünün kolaylığısebebiyle tercih edilmektedir. Bu çalıĢmada, ince film üretim tekniklerinden biri olan sol–gelspin coating tekniği kullanılarak % 0.2 Bor (B) katkılı ZnO ince filmi elde edilmiĢ olup,filmin optik ve elektriksel özellikleri incelenmiĢtir. Bunun yanında, B konsantrasyonu vetavlama sıcaklığı için taĢıyıcıdan gelen B difüzyonunun etkisi de analiz edilmiĢtir.Teşekkür: Bu çalıĢma, GaziosmanpaĢa Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri BaĢkanlığı tarafından (ProjeNo: 2011/37) desteklenmiĢtir.112

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P81Farklı Se–Te katkı oranlarının (x=0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0,8, 1.0) CuIn 0.7 Ga 0.3 Se 2–x Te xince filmlerinin morfolojik ve optik özellikleri üzerine etkisiS. Fiat 1 , P. Koralli 2 , İ. Polat 3 , E. Bacaksız 3 , G. Çankaya 4 ve M. Kompitsas 51 Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 60240 Tokat, Türkiye2 School of Mechanical Engineering, National Technical University of Athens, IroonPolytechniou 9 Zografu, 15780 Atina, Greece3 Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 61080 Trabzon,Türkiye4 Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, MalzemeMühendisliği, 06030 Ankara5 National Hellenic Research Foundation, Theoretical and Physical ChemistryInstitute, 11635 Atina, GreeceSon zamanlarda ince filmler bilim ve teknolojinin geliĢiminde çok önemli rolleroynamaktadırlar. Ġnce filmler farklı birçok malzeme üzerine nano veya mikro boyutlardakaplanarak, malzemelerin optik, mekanik ve elektriksel özeliklerini arttırabilmektedirler.Özellikle kalkopirit yapılı ve I–III–VI 2 yarıiletken ince filmler baĢta fotovoltaik uygulamalarolmak üzere birçok alanda yaygın bir Ģekilde kullanılmaktadır. Periyodik tablonun I., III. veVI. Grup elementlerin üçünün ya da daha fazlasının bir araya gelmesi ile oluĢan bu bileĢikyarıiletkenlerinin soğurum katsayıları (α = 10 4 – 10 5 cm –1 ) yüksek olup; bakır, indiyum veselenyumdan yapılan üçlü bileĢik yarı-iletkenle baĢlayan bu grup CIS güneĢ pilleri olarakisimlendirilir. Bu tür yapılarda ilk üretilen güneĢ pillerindeki soğurucu tabaka CuInSe 2 yapısıolmuĢtur. Daha sonra farklı elementler katkılanarak verim artırma çalıĢmaları yapılmıĢtır veĢuanda en çok ilgi gören yapılar Ga katkılı Cu(InGa)Se 2 (CIGS) dörtlü yapılar olmuĢtur.Bizim çalıĢmamız ise bu yapıya Te katkılayarak (x = 0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0,8, 1.0); Se ve Teoranlarını değiĢtirmek suretiyle optik ve yüzey özelliklerini iyileĢtirmektir. Buna istinadenfarklı oranlarda katkıladığımız Se ve Te miktarlarının filmlerin kalınlık, kırılma indisi, sönümkatsayısı, ve band aralığı üzerine etkisi incelenmiĢ olup, AFM ile nano boyutta yüzey haritasıgörüntülenmiĢtir.113

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Kuantum noktalarda ‟ de spin droplet oluĢumuH. Atcı 1,2,3 , E. Räsänen 2 , U. Erkarslan 1 , ve A. Sıddıki 3,41Muğla Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 48170-Kötekli-Muğla, Türkiye2 Jyväskylä Üniversitesi, Nano Bilim Merkezi, Fizik Bölümü, FI-40014-Jyväskylä, Finlandiya3 İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 34134-Vezneciler-İstanbul, Türkiye4 Harvard Üniversitesi, Fizik Bölümü, MA-02138-Cambridge, ABDP82Kuantum noktalarda doldurma faktörü 5/2 durumu, doldurma faktörü 2 olan spinlerinçiftlenmiĢ olduğu tam dolu en düĢük Landau seviyesi (0LL) ve spin droplet yardımıylaaçıklanan doldurma faktörü 1/2 spin-polarize yarım dolu bir sonraki Landau seviyesinin(1LL) karıĢımını içerir. Spin droplet oluĢumu, kollektif etkileĢen elektronlar olgusudur vekuantum noktalarda toplam elektron sayısı yeterince fazla olduğunda meydana gelmektedir.Bu çalıĢmada, iki boyutlu yarı iletken kuantum noktalar doldurma faktörü 2 v 5/ 2aralığında nümerik çok elektron metotları kullanılarak spin droplet oluĢumu incelenmiĢtir.114

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011c-Si/a-Si:H heteroeklemlerinin üretilmesi ve optoelektronik özelliklerininincelenmesiG. Başer ve A. BacıoğluHacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Beytepe, 06800, Ankara.P83PECVD sisteminde, silan (SiH 4 ) gazının RF plazması kullanılarak, hidrojenlendirilmiĢ amorf silisyum(a-Si:H) ve silan-azot karıĢımının plazması kullanarak hidrojenlendirilmiĢ amorf silisyum-azot alaĢımı(a-SiN x :H) ince filmler Corning 7059 alttaĢlar üzerine büyütülerek, optik ve elektrikselkarakterizasyonları yapılmıĢtır. Daha sonra, a-Si:H ve a-SiN x :H tek katman örneklerin p tipi kristalsilisyum alttaĢ üzerine büyütülmesiyle c-Si/a-Si:H heteroeklemleri üretilmiĢtir. a-Si:H ince filmler,PECVD sisteminde, vakum odası basıncı 200 mTorr, SiH 4 gaz akıĢ hızı 10 sccm ve alttaĢ sıcaklığı 300°C değerlerinde sabit tutularak, RF güç yoğunluğu 16±3 mW/cm 2 ile 31±3 mW/cm 2 arasındadeğiĢtirilerek üretilmiĢtir. Elektriksel ve optik özellikleri, sıcaklığa bağlı karanlık iletkenlik, optikgeçirgenlik ve sabit fotoakım yöntemi (CPM) deneyleri ile incelenen bu örneklerin en düĢük kopukbağ yoğunluğuna sahip hazırlama koĢulları hidrojenlendirilmiĢ amorf silisyum-azot (a-SiN x :H) incefilmlerin üretiminde temel alınmıĢtır. Aynı hazırlama koĢulları kullanılan a-SiN x :H ince filmlerde,reaktöre giren gaz akıĢ oranı r (=F N2 /( F N2 + F SiH4 )), 0,09 ile 0,50 arasında ayarlanarak değiĢtirilmiĢtir.Tüm a-SiN x :H filmlerin karakterizasyonunda da optik geçirgenlik, sıcaklığa bağlı karanlık iletkenlikve sabit fotoakım yöntemi (CPM) ölçüleri kullanılmıĢtır. DüĢük kopuk bağ kusur yoğunluğuna veyüksek iletkenliğe sahip a-SiN x :H örneğin hazırlama koĢulları c-Si/a-SiN x :H ve c-Si/a-Si:H/a-SiN x :Hyapıdaki heteroeklemlerin üretiminde kullanılmıĢtır.Heteroeklem üretiminde kullanılacak katmanların karakterizasyonundan sonra, temizliği ve alt kontağıatılan p tipi kristal silisyum alttaĢ üzerine ~10 nm kalınlığında a-SiN x :H tek-katman, RF plazmabiriktirme sisteminde büyütülmüĢtür. Ġnce film üretildikten sonra ısıl buharlaĢtırma sisteminde üstkontaklar atılmıĢtır. Karanlık ve aydınlatma altında J–V ölçümleri yapılmıĢtır. Karanlık J–Veğrisinden p tipi kristal silisyum üzerine büyütülen a-SiN x :H katmanın n tipi gibi davranıĢ sergilediği,üretilen aygıtın bir p–n eklem gibi karanlık J–V eğrisi verdiği gözlenmiĢtir. Karanlık J–Völçümlerinden, seri direnç R S = 650 Ω ve paralel direnç R P = 46 kΩ olarak hesaplanmıĢtır. ġiddeti 80mW/cm 2 olan kuartz halojen lamba aydınlatması altında alınan J–V verisinden ise açık devre gerilim(V ad ), kısa devre akım yoğunluğu (J kd ),doluluk oranı (FF) ve verim, sırasıyla, 0,40 V, 0,50 mA/cm 2 ,%7,1, ve %0,1 olarak hesaplanmıĢtır. DıĢ toplama verimliliği (external collection efficiency-ECE) vetayfsal duyarlılık (spectral response-SR) ölçümleri yapılmıĢtır. 600 nm–700 nm dalgaboyu aralığındakuantum verimliliğinin en büyük değer olan 0,002 ve SR ise 750 nm civarında en büyük değeri olan1,2 mA/W‟a ulaĢmıĢtır. c-Si/a-SiN x :H heteroeklemlerine, farklı kalınlıklarda a-Si:H katman eklenerekc-Si/a-Si:H/a-SiN x :H heteroeklemler üretilmiĢtir. 200 nm, 300 nm ve 500 nm a-Si:H katmankalınlığına sahip bu heteroeklemlerin karakterizasyonu için J–V eğrileri, ECE, SR eğrilerindenyararlanılmıĢtır. En büyük V ad ve J kd değerleri, 500 nm i-tabaka kalınlığına sahip örnekte, 0,42 V ve0,34 mA/cm 2 olarak ölçülmüĢtür. En büyük verim ise yine aynı örnekte %0,04 olarak hesaplanmıĢtır.115

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P84Görünür bölge dielektrik aynalarG. Gündoğdu ve Ö. D. CoşkunHacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara, TürkiyeBu çalıĢmada yüksek indisli malzeme olarak TiO 2 , düĢük indisli malzeme olarak da SiO 2 incefilmler kullanılarak elektromagnetik spektrumun görünür bölgesi ve yakın IR bölgesi içindielektrik aynalar tasarlanmıĢ, tasarlanmıĢ olan dielektrik aynalardan bir kaçı HacettepeÜniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Ġnce Film Hazırlama ve KarakterizasyonLaboratuvarı‟nda bulunan RF magnetron kopartma sistemi kullanılarak hazırlanmıĢtır.Öncelikle bireysel film malzemeleri hazırlanarak optik karakterizasyonları yapılmıĢtır. Her ikimalzeme içinde uygun çalıĢma koĢulları belirlenmiĢtir. HazırlanmıĢ olan filmlerin 350-1100nm dalga boyu aralığında s ve p polarizasyon optik geçirgenlik ve optik yansıtma ölçümlerilaboratuvarımızda buluna nkd-8000e Aquila spektrofotometre kullanılarak alınmıĢtır.HazırlanmıĢ olan filmlerin enerji band aralıkları hesaplanmıĢtır. Matlab ve TFC optik tasarımprogramı kullanılarak, görünür bölge için λ/4 kalınlıklı katmanlardan oluĢan optik kaplamalartasarlanmıĢtır. ġekil 1 ve ġekil 2‟de sırası ile görünür bölge için tasarlanmıĢ 7 katlı ve 11 katlıoptik kaplamanın dalga boyuna bağlı optik yansıtma grafikleri görülmektedir. ġekil 3‟de iseyakın IR bölgesi için tasarlanmıĢ 7 katlı optik kaplamanın dalga boyuna bağlı optik yansıtmagrafikleri görülmektedir. YapılmıĢ olan tasarımlar ile deneysel çalıĢma sonuçları çok iyi birĢekilde uyuĢmaktadır.Şekil 1. TasarlanmıĢ olan 7 katlı dielektrik aynanın S/(HL)^3 H/Adalga boyuna bağlı olarak yansıtma değiĢimi. S:AlttaĢ-Mikroskopcamı, H:TiO 2 , L: SiO 2 , A:Hava.Şekil 2. TasarlanmıĢ olan 11 katlı dielektrik aynanın S/(HL)^5 H/A dalga boyuna bağlı olarak yansıtmadeğiĢimi. S:AlttaĢ-Mikroskop camı, H:TiO 2 , L: SiO 2 , A:Hava.ġekil 3. TasarlanmıĢ olan 7 katlı dielektrik Yakın kızılaltı bölgesi için aynanın S/(HL)^3 H/A dalga boyuna bağlıolarak yansıtma değiĢimi. S:AlttaĢ-Mikroskop camı, H:TiO 2 , L: SiO 2 , A:Hava.116

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Tavlamanın Nb 2 O 5 ince filmlerin optik ve yapısal özellikleri üzerindeki etkisiM. Yeşiltepe a,b , Ö. D. Coşkun ba Hacettepe Üniversitesi, Nanoteknoloji ve Nanotıp, Ankara, Türkiyeb Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara, TürkiyeP85Nb 2 O 5 ince filmler yüksek kırılma indisleri, üstün kimyasal kararlılığı ve korozyon direncigibi özelliklerinin sonucu olarak pek çok modern teknoloji uygulamalarına sahiptir ve yaygınolarak optik giriĢim filtreleri, elektrokromik filmler ve gaz sensör malzemeleri gibiuygulamalarda kullanılırlar. Ġnce filmlerin büyütme koĢullarına bağlı olarak, farklı optik veyapısal özellikler kazanmaları sağlanabilir. Aynı Ģekilde, büyütme iĢleminden sonrauygulanan ısısal tavlama iĢlemi ile filmin kristal yapısının değiĢmesine bağlı olarak optikgeçirgenlik, yansıtma, enerji bant aralığı, soğurma ve saçılma gibi özelliklerinde dedeğiĢimler meydana gelmektedir. Oda sıcaklığında büyütülen amorf Nb 2 O 5 ince filmler sahipoldukları yüksek optik geçirgenlikleri ile pek çok optik filtrelerde kullanılabilmektedirler;ancak elektrokromik uygulamaları için iyonların kristal yapıyla etkileĢmeleri daha kolayolduğundan bu tip uygulamalar için kristal yapı daha avantajlıdır.Bu çalıĢmada Nb 2 O 5 ince filmler, Hacettepe Üniversitesi Fizik mühendisliği bölümü ĠnceFilm Ölçüm ve Karakterizasyon laboratuarında bulunan, RF magnetron kopartma tekniğikullanılarak, oda sıcaklığında hazırlanmıĢtır. s ve p polarizasyon optik geçirgenlik veyansıtma ölçümleri, nkd-8000e Aquila spektrofotometre kullanılarak 350–1100 nm dalgaboyu aralığında alınmıĢtır. HazırlanmıĢ olan filmlerin dalga boyuna bağlı olarak kırma indisive soğurma sabiti değiĢimleri, optik ölçümlerinin Code V optik karakterizasyon programıkullanılarak, Kim osilatör modeli [1] ile uyuĢumu iĢlemi sonucunda elde edilmiĢtir. Filmlerinkristal yapı analizleri, yüzey pürüzlülükleri ve elementel analizleri de sırası ile, Rigaku D-maxB yatay difraktometre, Nano Magnetics Instruments AFM ve XPS kullanılarak yapılmıĢtır.Daha sonra, aynı film 24 saat süresince 700 C' de tavlanmıĢ, aynı ölçümler tekrarlanarak odasıcaklığında hazırlanan film ile tavlanmıĢ olan filmin yapısal ve optik özelliklerikarĢılaĢtırılmıĢtır.Referans:[1] C. C. Kim, J. W. Garland, H. Abad, and P. M. Raccah, Phys. Rev. B 45 (20) 1992, 11749–11767.117

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011GS17CrMo5-5 çeliğinin mekanik özellikleriE. Öztuyak 1 , Ö. Aykut 2 , C. Değirmenci 2 , ve F. Meydaneri 11 Karabük Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü,78050, Karabük, 2 Kardökmak A.Ş., 78050, Karabük,P86Termik santrallerde oldukça fazla kullanılan C:0.165, Mn:0.58, Si:0.32. P:0.017, S:0.022,Cr:1.00, Ni:0.22, Mo:0.55 bileĢimine sahip GS17CrMo5-5 ferritik çeliğinin döküm sıcaklığı1580 0 C‟dir. Bu çalıĢmada, numunelerden birincisi 950 0 C‟de 1 saat tavlanmıĢ olup, busıcaklıktan su verilmiĢtir. Tekrar 680 0 C‟de 1 saat tavlanarak, fırında soğumaya bırakılmıĢtır.Ġkinci numune ise 950 0 C‟de 1 saat tavlanmıĢ ve havada soğutulmuĢ, sonra tekrar 680 0 C‟de 1saat temperlenerek, havada soğumaya bırakılmıĢtır. Bu ısıl iĢlemler sonucunda birincinumune için çentik darbe değeri 43.5, 39.2, 30.2 joule‟dür. Ġkinci numunede ise çentik darbedeğeri 19.9, 27, 16.4 jouledir. Birinci numune için akma dayanımı 482 N/mm 2 , çekmedayanımı 624 N/mm 2 , % uzama 20 ve % kesit daralması 46 iken, ikinci numune için akmadayanımı 352 N/mm 2 , çekme dayanımı 558 N/mm 2 , %uzama 22 ve % kesit daralması 46olarak bulunmuĢtur. Buna göre fırında soğumaya bırakılan birinci numunenin tokluğununhavada soğumaya bırakılan ikinci numuneye göre daha iyi olduğu ve standartlara uygunolduğu sonucuna varmaktayız.Teşekkür: Bu çalıĢma Kardökmak A. ġ. tarafından desteklenmiĢ olup, ġirket Müdürü ve dökümhaneçalıĢanlarına teĢekkür ederiz.118

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Orta-kızıl ötesi bölgede (8–12 μm) çalıĢan GaAs/AlGaAs kuantum kuyufoto-algılayıcılarında karanlık akım modellemeleri ve deneyleriY. Kıtay 1 , H. Kuru 2 , B. Arpapay 2 , H. Yıldırım 1 , U. Serincan 2 , ve B. Aslan 21 Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Karabük Üniversitesi, Karabük 780502 Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Anadolu Üniversitesi Yunus Emre Kampüsü, Eskişehir 26470P87GaAs/AlGaAs tabanlı, 8–12 μm atmosfer penceresinde çalıĢan çok katmanlı kuantum kuyukızılötesi foto-algılayıcıları için, üç boyutlu taĢıyıcı sürüklenme modeli ve yayılma-tutmamodeli olmak üzere iki farklı karanlık akım modellemesi yapıldı. Kullanılan modellerdekaranlık akım kaynağı olarak, alt ve üst kontak bölgeler arasına uygulanan potansiyel farkınetkisiyle bariyerler üzerinden akan elektronlar ve kuyularda yakalanan ve dıĢarıya verilenelektronlar düĢünüldü. Modellemeler sonrasında elde edilen sonuçlar, aynı yapı içinde farklıkuantum kuyu geniĢliklerine sahip yapılarda sıcaklığa bağlı olarak yapılan akım-voltaj ölçümsonuçlarıyla karĢılaĢtırıldı. Yapılan hesapların, ölçümlerle iyi bir Ģekilde uyuĢtuğu gözlendi.119

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Bi-2212 süperiletkenlerinin mekanik özellikleri üzerine Lu (Lutesyum)katkısının etkisiE. Asıkuzun 1 , O. Yıldız 1 , M. Coskunyürek 1 , S. Kaya 1 , S. P. Altıntaş 2 ve O. Öztürk 11 Fizik Bölümü, Kastamonu Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, 37200, Kastamonu2 Fizik Bölümü, Abant İzzet Baysal Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, 14280, BoluP88Bu çalıĢmada, 840 o C‟ de 50 saat süreyle tavlanmıĢ Bi-2212 süperiletkenlerinin mekaniksel vesüperiletkenlik özellikleri üzerine Lu (Lutesyum) katkısının etkisi incelendi. Numuneler,yüksek sıcaklık süperiletkenlerini hazırlamada en yaygın yöntem olarak kullanılan katıhaltepkime yöntemi ile hazırlandı. Hazırlanan numunelerin süperiletkenlik özelliklerinibelirlemek için dc elektriksel özdirenç ölçümleri, mekanik özelliklerini belirlemek için iseVickers mikrosertlik ölçümleri yapıldı. Yüksek sıcaklık süperiletkenlerinin mekaniközelliklerinin karakterize edilmesi, bu malzemelerin mühendislik ve teknolojikuygulamalarında kullanımı açısından oldukça önem taĢımaktadır. Zira bu malzemelerçoğunlukla seramik oldukları için özellikle kablo yapımında kırılganlıklarının tespit edilmesikullanılabilirliği açısından oldukça önemlidir. Bu nedenle çalıĢmamızda Lu katkılı Bi-2212süperiletkenlerinin mekaniksel özellikleri üzerinde daha fazla durulmuĢtur. Katkılı ve katkısıznumunelerin yüke bağlı ve yükten bağımsız olarak Vickers mikrosertlik, elastik modülü,gerilme ve kırılma dayanımı değerleri ayrı ayrı hesaplandı. Sonuç olarak, sertlik ölçümlerinindeneysel sonuçları Meyer kanunu, PSR modeli, modifiye edilmiĢ PSR modeli (MPSR),elastik/plastik deformasyon modeli (EPD) ve Hays–Kendall yaklaĢımı kullanılarak analizedildi ve numuneler üzerindeki çentik boyutu etkisini (ÇBE) açıklamada Hays–KendallyaklaĢımı en baĢarılı model olarak belirlendi.120

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Farklı koĢullarda SiO 2 yapı içerisinde elde edilen yarıiletkennanokristallerin yapısal ve spektroskopik karakterizasyonun incelenmesiB. Şahin ve S. AğanKırıkkale Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye,P89ÇalıĢmamızda SiO x içerisinde Si, Ge ve SiGe yapılı ince filmlerin elde edilmesi için Plazmaile GüçlendirilmiĢ Kimyasal BuharlaĢtırma Tekniği (PECVD) tekniği kullanılmıĢtır. Filmbüyütme iĢleminde kullanılan GeH 4 , SiH 4 ve N 2 O gazlarının farklı akıĢ oranlarında farklıözeliklerde ince filmler hazırlanmıĢtır. Büyütülen bu filmler daha sonra nanokristallerinoluĢabilmesi için farklı sürelerde ısıl tavlanma iĢlemine tabi tutulmuĢtur. Farklı gaz akıĢparametresi ve farklı ısıl tavlama iĢlemlerinde elde edilen numulerin içerisinde oluĢan nanoyapıların boyut ve boyut dağılımına iliĢkin yapısal özellikleri HRTEM ve Ramanspektroskopi teknikleri yardımıyla araĢtırılmıĢtır. Film büyütme koĢulları ve farklı ısıltavlamanın yarıiletken nanokristallerin özelliklerine olan etkileri belirlenmiĢtir. Spektroskopikanalizler yardımı ile farklı gaz akıĢ oranlarında büyütülmüĢ filmlerde ve farklı sürelerdekitavlamalarda Ge nanokristallerin oluĢturulabileceği görülmüĢtür.121

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Çok katlı Ge,SiGe nanokristal oluĢumu ve nanokristalli metal oksit yarıiletkenkapasitör uygulamasıE. C. Kayıkcı, B. Akyazı, N. M. Gümüş, E. Yaşar, S. Ağan ve A. Aydınlı*Kırıkkale Üniversitesi, Fen-Edb. Fakültesi, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye,* Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bilkent, AnkaraP90SiGeO içeren bir yapı yüksek sıcaklıkta tavlandığında Ge atomları bu yapıdan ayrılırlar vesistemde bir yandan oluĢmaya devam eden SiO 2 içerisinde bir araya gelerek kristal yapıyıoluĢtururlar. Bu tez de bu fikirden yararlanılarak nanokristal oluĢturulmuĢtur. Farklı gaz akıĢmiktarları, tavlama sıcaklıkları ve süreleri kullanılarak Ge naokristal oluĢumundaki değiĢimlergözlemlenmiĢtir. Amorf ince filmler Plazma ile ZenginleĢtirilmiĢ Kimyasal Buhar Depolama(PECVD) tekniği ile büyütülmüĢtür. Ardından yüksek sıcaklık fırınında tavlanaraknanokristaller elde edilmiĢtir. Kristallenme özellikleri Raman Spektroskopisi kullanılarakkontrol edilmiĢtir. Nanokristal boyutları Geçirmeli Eletron Mikroskupu (TEM) ilegözlemlenmiĢtir. Malzeme kompozisyonu ise Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) üzerindebulunan X ıĢını Dağılımı Spektoroskopisi (EDAX) dedektörü ile ortaya konulmuĢtur.Metal Oksit Yarıiletken Kapasitör‟ ün oksit tabakasına gömülmüĢ nanokristallerin üretilmeamacı; Ge kuantum noktalarının Ģarj tutma özellikleri incelemektir. Nanokrsitallerin Ģarjoldukları akım-voltaj (I–V) eğrilerindeki ani artıĢlarla gözlemlenmiĢtir. Ayrıca Ģarjkapasiteleri de kapasitans-voltaj eğrilerindeki histerisislerde gözlemlenmiĢtir. Histerislerdekien fazla kayma V olarak bulunmuĢtur. Omik kontak direnci ise Geçirmeli Çizgi Methodu(TLM) ile ölçülmüĢtür.122

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Çift farklı yapılı {In x Ga 1-x N y As 1-y } kuantum yarıiletkende kuantum kuyulazerlerin incelenmesiİ. Bilican, S. Yaşar*, B. Şahin, S. Ağan ve İ. UluerKırıkkale Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , Kırıkkale*Mustafa Kemal Üniversitesi,Fen-Edb. Fakültesi, Fizik Bölümü, HatayP91Bu çalıĢmada, günümüzde nano teknolojik uygulamalarda bir çok araĢtırmacının dikkatleriniüzerine çeken kuantum kuyu lazerlerin simülasyon yoluyla üretimi ve analizi yapılmıĢtır.Lazer yapılar simülasyonda dizayn edilirken Fabry – Parot ve Fabry – Parot Ridge tipi lazeryapı olarak iki farklı konfigürasyonda ele alınmıĢtır. Bu lazer yapılar {QWL / Bariyer(SCH)/Kaplama} genel formuyla dizayn edilmiĢtir. Burada Kuyu malzemesi (QWL) olarak InGaAskuyular kullanılmıĢtır. Bariyer veya hapis sınırlama bölgesi (SCH :Seperate ConfinementHeterostructure) malzemesi olarak AlGaAs, GaAs, AsPGa, AlGaAs, GaAsP malzemelerikullanılmıĢtır. Kaplama (Cladding) malzemesi olarak da AlGaAs, GaAs, AlGaAs malzemelerkullanılmıĢtır. Böylece In x Ga 1–x N y As 1–y lazerlerinin kuantum kuyu malzemesi, bariyer (SCH)ve kaplama malzemelerinin çeĢitli kompozisyon ve konfigürasyonlarda dizaynı ileincelenmesi ve simülasyonu planlanmıĢtır. Özellikle QWL bölgesi kalınlıkları ve malzemekarıĢım oranları (x=01 ve y=01 aralığında) değiĢtirilerek kuyu malzemesinin lazer çıkıĢıve kazancına etkilerine bakılmıĢtır. Her yapının bölge bölge (kuantum kuyu bölge, bariyer vehapis bölgeleri gibi) Bant - Enerji grafikleri ve değerleri, katkı oranları (n tipi ve p tipibölgeler için) profili ve değerleri üretilmiĢtir. Tasarlanan lazer yapıların {L–I–V} (Güç–Akım–Voltaj) grafiği ve verileri üretilmiĢtir. Elde edilen tüm bu sonuçlar literatürlekarĢılaĢtırılmıĢtır.123

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011GüneĢ hücrelerinde yararlanılabilecek Si 3 N 4 matrisli ince filmlerin içerisindesilikon nanokristallerin elde edilmesiR. Karatepe , S. Ağan, N. A. P. Mogaddam* ve R. Turan*Kırıkkale Üniversitesi, Fen-Edb. Fakültesi, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye,*Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, ODTÜ, AnkaraP92Bu çalıĢmada, güneĢ hücrelerinde yararlanılabilecek yapılar, silikon alttaĢ ve kuartz üzerineplazma ile zenginleĢtirilmiĢ kimyasal buhar depolama tekniği (PECVD) ile farklı gaz akıĢoranlarında silan ve amonyak gazları gönderilerek ince film amorf silikon nitrat yapılarbüyütüldü. Amonyak gazının silan gazına oranı değiĢtirilerek sitokometrik yapı ve zenginsilikon(rich-silikon) yapılar oluĢturuldu. Böylece farklı gaz akıĢ oranlarının nanokristaloluĢumuna etkisi incelendi. PECVD ile üretilen ince filmlerde hemen nanokristal oluĢmasıbeklenmez çünkü yapı içerisinde bulunan silikon atomların kinetik enerjileri zayıf olduğundandüzenli yapı oluĢturmak için enerjiye ihtiyaç duyarlar. Bu yüzden kristal yapı oluĢturmak içinyüksek sıcaklık fırınında, sabit azot gazı altında fırınlanmıĢ ve farklı sıcaklıkların Sinanokristalleri üzerine olan etkileri incelenmiĢtir. Silikon nitrat yapı içerisinde oluĢturulansilikon nanokristallerin yapısal ve optik özellikleri; Raman, Fotolüminesans ve FTIRspektroskopisi teknikleri kullanılarak analiz edilmiĢtir.124

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P93ZnO ince filmlerin optik özelliklerinde yaĢlanma etkisiE. Güngör ve T. GüngörFizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi,15100 BurdurĠnce filmlerin optik sabitlerinin belirlenmesinde, elipsometrik ve mekanik yöntemlerinyanında kullanım kolaylığı açısından optik geçirgenlik spektrumlarının çok sık kullanıldığıbilinmektedir. Bu çalıĢmada ZnO filmler, çinko-asetat tuzu (Zn(CH 3 COO) 2 .2H 2 O), methanolve kristalleĢmeyi engelleyecek uygun kimyasallar ile elde edilen çözeltilerinin kullanıldığıultrasonik kimyasal püskürtme (UKP) ve daldırmalı kaplama (DK) teknikleri ilehazırlanmıĢtır. Biriktirme iĢleminden sonra, belirli süre ve sıcaklıklarda ısıl iĢleme maruzbırakılan filmlerin, biriktirme iĢlemini takip eden farklı zaman aralıklarında, 300–900 nmdalgaboyu aralığında UV–Vis spektrofotometre ile elde edilen optik geçirgenlik spektrumlarıdeğerlendirilmiĢtir. Her iki teknikle elde edilen filmlerde, film eldesi için kullanılan çözeltininve ısıl iĢlemin herhangi bir yaĢlanma (aging) etkisi yaratıp yaratmadığı incelenmiĢtir.125

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile hazırlanmıĢ ZnO:Co ince filmlerinoptik özellikleriE. Güngör 1 , T. Güngör 1 , E. Tıraş 21 Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi,15100 Burdur2 Fizik Bölümü, Anadolu Üniversitesi, 26470 Eskişehir,P94Spintronik aygıt teknolojisindeki son geliĢmeler, seyreltik manyetik yarıiletken (SMY)malzemelerle ilgili araĢtırmaların çok önemli sonuçlarını içermektedir. Özellikle bu alandaZnO-tabanlı malzemelerin, oda sıcaklığı ya da yüksek Curie sıcaklıklarında çalıĢan malzemegrubunda değerlendirilebilecek iyi bir alternatif olduğu düĢünülmektedir. Bu çalıĢmada CokatkılıZnO ince filmler, Ultrasonik Kimyasal Püskürtme tekniği kullanılarak uygunbiriktirme koĢullarında hazırlanmıĢ ve öncelikle optik özellikler çerçevesindedeğerlendirilmiĢtir. Biriktirme tekniği için uygun sol–gel; çinko asetat dihidrat(Zn(CH3COO)2.2H2O) ve cobalt asetat tetrahidrat (Co(CH 3 COO) 2 .4H 2 O) (%99.9, Merck)tuzları methanol içinde çözülerek hazırlanmıĢtır. Biriktirme iĢleminden sonra, belirli süre vesıcaklıklarda ısıl iĢleme maruz bırakılan ZnO:Co filmlerin optik geçirgenlik spektrumları,300-900 nm dalgaboyu aralığında UV-Vis spektrofotometre ile elde edilmiĢtir. Filmlerinyüzey morfolojileri AFM görüntüleri ile incelenerek yüzey pürüzlülüğü belirlenmiĢtir.ZnO:Co ince filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri (kırma indisi, sönüm katsayısı), noktatabanlı kısıtlamasız minimizasyon algoritması (PUMA) ile analiz edilmiĢtir.126

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P95Bilgisayar kontrollü daldırmalı kaplama sistemi tasarımıT. Güngör ve E. GüngörFizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi,15100 BurdurBu çalıĢmada Daldırmalı Kaplama (DK, dip coating) sistemi; düĢey doğrultuda hareketedecek olan mekanik birimin, bilgisayar kontrollü adım motoruyla kullanılması temelindetasarlanmıĢtır. DüĢey doğrultuda yataklanmıĢ olan sonsuz vida diĢli mekanik birim, L297dekoder entegresi ve BD135 güç transistörlerinden oluĢan adım motor sürücü birimlehareketlendirilmektedir. Bu sistemde adım motorun dönüĢü (saat ibreleri veya saat ibrelerinintersi yönde), bilgisayarın yazıcı portundan sağlanan D0–D3 bitlerini giriĢ olarak kabul edendekoder entegresi ile kontrol edilmektedir. AlttaĢın çözelti içine daldırılma hızı, çözelti içindebekleme süresi, geri çekme hızı ve kurutma için gereken bekleme süreleri uygun bilgisayaryazılımları (QBASIC ve/veya Labview) ile ayarlanabilmektedir. Bu sistem kullanılarak alttaĢyüzeyinde film kaplama profilini kontrol etmek mümkündür. Sonuç olarak laboratuardaüretilen bu sistemle, uygun sol-gel kullanılarak alttaĢ yüzeyine 1 cm/dak daldırma–çekmehızında metal oksit ince film biriktirilebilmiĢtir. ZnO film biriktirme iĢlemi için elde edilenfilm kalınlığı daldırma-çekme sayısına bağlı olarak ortalama 10 nm arasında değiĢmektedir.127

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 20113-(2-(4-izopropilpiperazin-1-il)-2-okzoetil)-6-(4 metoksibenzoil)benzo[d]tiyazol-2(3H)-on molekülünün optik soğurma spektrumu üzerineçözücü etkisiE. Güngör 1 , T. Güngör 1 ve E. Taşal 21 Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15100 Burdur,2 Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, 26480 Eskişehir,P96Ġlaç sektöründe güçlü ağrı kesici ve iltihap önleyici özelliklere sahip olmaları nedeni ile 2-benzotiyazolinon türevleri üzerinde araĢtırmalar devam etmektedir. Bu çalıĢmada * 3-(2-(4-izopropilpiperazin-1-il)-2-okzoetil)-6-(4metoksibenzoil)benzo[d]tiyazol-2(3H)-onmolekülünün farklı çözücüler ile elde edilen çözeltilerinin optik soğurma spektrumlarıdeğerlendirilmiĢtir. Çözelti formundaki örneklerin optik soğurma spektrumları, odasıcaklığında 200–900 nm dalgaboyu aralığında UV–Vis spektrofotometre ile elde edilmiĢtir.Çözücü içindeki molekülün optik soğurma spektrumunda gözlenen maksimumun konumu(dalgaboyu veya frekans değeri), çözücünün dielektrik sabiti (), kırma indisi (n), Kamlet–Taft parametreleri olarak bilinen α ve parametrelerine doğrusal olarak bağlıdır. Bunun içinçözücülerin dielektrik sabitleri, kırılma indisleri ve solvatokromik parametreleri (α ve )referanslardan alınarak soğurma spektrumları üzerine çözücü ve substituent etkileritartıĢılmıĢtır.Teşekkür: Bu çalıĢma, 108T192 numaralı TBAG projesi olarak, TÜBĠTAK tarafından desteklenmiĢtir.128

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen PbS yarıiletken ince filmin optiközellikleriF. Yavuz 1 , F. Göde 1 , E. Güneri 2 , F. Kırmızıgül 3 , C. Habiboğlu 3 , Ö. Filazi 4 ve C. Gümüş 31 Fizik Bölümü, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15030, Burdur.2 İlköğretim Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Talas, 38039, Kayseri.3 Fizik Bölümü, Çukurova Üniversitesi, Yüreğir, 01330, Adana.4 Fizik Bölümü, Adıyaman Üniversitesi, 02040 AdıyamanP97Bu çalıĢmada; PbS yarıiletken ince filmi kurĢun asetat [(PbCH 3 COOH).2H 2 O], sodiumhidroksit (NaOH, pH = 12.63), tiyoüre (NH 2 CSNH 2 ), trietanolamin [(HOCH 2 CH 2 ) 3 N], trisodyumsitrat (C 6 H 5 Na 3 O 7 ) sulu çözeltileri kullanılarak Kimyasal Depolama Yöntemi ile odasıcaklığında 2 saat bekletilerek elde edilmiĢtir. Elde edilen filmin yapısal özelliği x-ıĢınıkırınımı (XRD) ile incelenmiĢ ve filmin kübik yapıda, (111) düzlemi yönünde yöneldiğigörülmüĢtür. Kübik yapıya ait örgü parametresi a = 6.00 Å olarak bulunmuĢtur. Tane boyutuise (111) düzlemi kullanılarak 172 nm hesaplanmıĢtır. UV/VIS spektrometreden alınangeçirgenlik (T), absorpsiyon (A) ve yansıma (R) ölçümleri kullanılarak elde edilen filme aityasak enerji aralığı (2.84 eV), kırılma indisi (n = 2.54, λ = 550 nm ), sönüm katsayısı (k) vedielektrik sabitleri [reel (ε 1 ) ve komplex (ε 2 )] hesaplanmıĢtır.Teşekkür: Bu çalıĢma, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri tarafından 0119-YL-10nolu proje ile desteklenmiĢtir.129

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Rh metalinin moleküler dinamik simülasyonu: Mekanik ve termoelastiközelliklerÜ. Bayhan 1 , G. Aydın 2 , ve M. Çivi 21 FizikBölümü, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, 15030, Burdur2 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP98Bu çalıĢmada, fcc yapıdaki Rh metali moleküler dinamik simülasyon yöntemi (MD) ileincelendi. Sutton–Chen (SC) çokcisim potansiyeli kullanılarak 0 K–2000 K arasında yapısalve termodinamik özellikler araĢtırıldı. Rh tek metalinin mekanik özellikleri oluĢturulan MDsimülasyonları (NPH, NPT, NVE) uygulandı. MD Simülasyonu periyodik sınır Ģartlarınısağlayan kübik bir hücrede 500 atom içeren sistemle gerçekleĢtirildi. Sistemin elastik sabitlerive Bulk Modülünün sıcaklıkla değiĢimi incelendi.130

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Cu-zengini CAIS ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerininincelenmesiH. H. Güllü, İ. Candan, M. Parlak, ve Ç. ErçelebiFizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi , 06531, AnkaraGüneş Araştırmaları ve Uygulamaları Merkezi, (GÜNAM), ODTÜ, AnkaraP99Bu çalıĢmada, CuInSe 2 ve AgInSe 2 üçlü yapılarının dört elementli bileĢiği olarakCu 1–x Ag x InSe 2 (CAIS) üzerinde yoğunlaĢılmıĢtır. CAIS ince filmleri elektron demetibuharlaĢtırma tekniği ile büyütülmüĢ ve bu üretimler için kristal tozu kaynağı Bridgmankristal büyütme yöntemiyle üretilen CAIS kristalinden elde edilmiĢtir. Ġstenen stokiyometrikoranın elde edilmesi için Cu ve Se ek kaynakları da ince film üretimi sırasında kullanılmıĢ, vesonuçta CAIS ince filmleri katmanlı yapı olarak büyütülmüĢtür. ÇalıĢmada temel olarakyapıda Cu oranı Ag oranına göre fazla olan CAIS ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optiközellikleri analiz edilmiĢtir.131

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011CIGS yarıiletken ince filmlerinde bakır oranının yapı, elektrik,ve optik özelliklere etkisiİ. Candan, H. H. Güllü, M. Parlak, ve Ç. ErçelebiOrtadoğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06531, AnkaraGüneş Araştırmaları ve Uygulamaları Merkezi, (GÜNAM), ODTÜ, AnkaraP100Saçtırma (sputtering) yöntemi ile farklı bakır oranları kullanılarak üretilen CIGS ince filmler,bileĢenlerinin oranına göre farklı elektriksel ve optik özellikler göstermektedir. Bu çalıĢmadagüneĢ pilinde emilim katmanı olarak kullanılan CIGS ince filmlerin yapısını oluĢturanbileĢenlerinden bakır (Cu) elementinin oran değiĢiminin yapıya etkisi incelendi. Yarıiletkenince filmler bakır miktarının yapıdaki oran degiĢimine göre olması gereken ve bakır zenginifilmler olarak üretildi. Üretilen bütün filmlerin yapısal özelliklerini incelemek için X-ıĢınıKırınımı (XRD) ve Enerji Dağılımlı X-ıĢını Analizi (EDXA) yöntemleri kullanıldı. Ġncefilmlerin kalınlıkları elipsometri ve kalınlık profilometresi kullanılarak analiz edildi.Elektriksel özelliklerin tespit edilmesi için farklı bakır oranlarına sahip CIGS ince filmler,100–400 K sıcaklık aralığında, sıcaklık bağımlı iletkenlik ölçümü, fotoiletkenlik ölçümleriyapıldı. Ayrıca optik özellikleri, oda sıcaklığında 325–900 nm aralığında geçirgenlikölçümleri, foto-tepki (photoresponse) yöntemleri kullanılarak incelendi.132

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Kuartzın alfa–beta geçiĢi için hacim verisinden hesaplanan raman frekansıP101M. C. Lider ve H. YurtsevenOrtadoğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06531, AnkaraBu çalıĢmada, kuartzın alfa–beta geçiĢinde 207 cm –1 Raman mod frekansının hesabı, farklısıcaklıklarda nötron kırınımı yöntemiyle elde edilen hacim değerleri ile ortalama yapınınbirim hücre hacim değerleri kullanılarak yapılmıĢtır. Bu örgü modunun Grüneisen parametresielde edilerek Raman frekansları hesaplanmıĢtır.Kuartzın alfa fazından beta fazına geçerken sıcaklığın faz geçiĢ sıcaklığına doğru artıĢıylanötron kırınımı yöntemiyle elde edilen hacim değerlerinden hesaplanan Raman frekanslarınınazaldığı deneysel olarak gözlendiği gibi görülmüĢtür. Bu durum, quartzın α–β geçiĢi içinhacim değerlerinden Raman frekanslarının hesaplanmasının olanaklı olduğunu göstermiĢtir.133

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Elektron demeti tekniğiyle büyütülen AgGa x In (1–x) Te 2 ince filmlerin yapısal,optik ve elektriksel karakterizasyonuÖ. Bayraklı, M. Demirtaş, H. H. Güllü, İ. Candan, ve M. ParlakFizik Bölümü, Ortadoğu Teknik Üniversitesi, 06531, AnkaraGüneş Araştırmaları ve Uygulamaları Merkezi, (GÜNAM), ODTÜ, AnkaraP102I–III–VI 2 kalkopirit yarı iletken bileĢikleri güneĢ hücresi, optelektronik ve lineer olmayanaygıt uygulamalarında dikkate değer bir önem kazanmıĢtır. AgGa x In (1–x) Te 2 (AGIT) incefilmler cam alttaĢlar üzerine elektron demeti (e-beam) methoduyla oda sıcaklığındaüretilmiĢtir. Kaynak büyütme malzemesi olarak Bridgman Kristal Büyütme yöntemiyle eldeedilen AGIT kristali kullanılmıĢtır. ÜretilmiĢ olan filmlerin oda sıcaklığında ve farklısıcaklıklarda ısıl iĢleme tabi tutularak, yapı ve içerik özellikleri X-ıĢını Kırınımı (XRD) veEnerji Dağılımlı X-ıĢını Analizi (EDXA) yöntemleri kullanılarak incelendi. Filmlerin optiközelikleri 325–900 nm aralığında geçirgenlik ölçümleri ve foto-tepki (photoresponse)yöntemleri kullanılarak yapıldı. Ayrıca filmlerin elektriksel özellikleri 200–400 K sıcaklıklarıarasında sıcaklık bağımlı iletkenlik ve Hall etkisi ölçümleriyle incelendi.134

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P1032-(2,5-diflorobenzil)izoindolin-1,3-dione molekülünün yapısal karakterizasyonuve kuramsal analiz çalıĢmasıE. Temel 1 , S. Gümüş 2 , E. Ağar 2 ve O. Büyükgüngör 11 Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 55139-Samsun.2 Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Kimya Bölümü, 55139-SamsunSentezi yapılan ve X-ıĢını tek kristal kırınımı tekniği kullanılarak üç boyutlu yapısıaydınlatılan bileĢik izoindolin türevidir. BileĢik, monoclinic, P21/c uzay grubunda kristalizeolmuĢtur. X-ıĢını kırınımı deneyinden elde edilen moleküler geometriye ilave olarak,kuramsal yöntemle optimize moleküler geometri, titreĢim frekansları ve HOMO–LUMOorbital enerjileri hesaplanmıĢtır. Hesaplamalarda Yoğunluk Fonksiyoneli Kuramı (B3LYP),6-311G(d,p) baz setiyle kullanılmıĢtır. Ayrıca, deneysel olarak yapı aydınlatıldığında,moleküller arası C-H…O tipi hidrojen bağlarının kristal paketlenmeyi sağladığı görülmüĢtür.135

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P104Piridin-2-6-dikarboksilik asit türevi La(III) ve Ce(III) bileĢiklerinin yapı analiziO. Şahin 1 , S. Sharif 2 , I. U. Khan 2 , S. Ahmad 3 , ve O. Büyükgüngör 11 Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi Samsun, 55139, Türkiye2 Kimya Bölümü, GC Üniversitesi Lahore, 54000,Pakistan3 Kimya Bölümü, ET Üniversitesi Lahore, 54890,PakistanBu çalıĢmada piridin-2-6-dikarboksilik asit (Pydc) türevi La(III) ve Ce(III) bileĢiklerine aityapısal özellikler incelenmiĢtir. X-ıĢınları sonuçlarına göre La(III) [La(Pydc) 2 (H 2 O) 2 ].4H 2 ObileĢiği bir boyutlu polimer oluĢturmaktadır. Moleküller arası O-H···O hidrojen bağları üçboyutta R 1 1 (6), R 4 4 (16) ve R 4 4 (20) halkaları oluĢturmaktadır. Ce(III),{[Ce(Pydc) 3 ][Ce(Pydc)(HO-CH 2 CH 2 -OH)(H 2 O) 3 ].6H 2 O)}, bileĢiğinde bir Ce(III) atomu üçadet Pydc molekülü ile koordinasyon oluĢtururken diğer Ce(III) atomu iki Pydc molekülü, birglikol molekülü ve üç adet su molekülü ile koordinasyon oluĢturmaktadır. Moleküller arası O-H···O ve C-H···O hidrojen bağları üç boyutta R 2 2 (8), R 2 2 (16) ve R 2 2 (20) halkalarıoluĢturmaktadır.136

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Deneysel ve kuramsal yöntemler ile 1-(naftalin-2-yl)-2-(1H-payrazol-1-yl)ethanoneO-bütiloksim bileĢiğinin kristal yapısının incelenmesiZ. S. Şahin 1 , Z. Özdemir 2 , A. Karakurt 2 ve Ş. Işık 11 Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, 55139, Samsun2 Farmasötik Kimya Anabilim Dalı, Eczacılık Fakültesi, İnönü Üniversitesi, 44280, MalatyaP105Bu çalıĢmada; 1-(naftalin-2-yl)-2-(1H-payrazol-1-yl)ethanoneO-bütiloksim, [C 19 H 21 N 3 O],bileĢiği sentezlendi, kristal ve moleküler yapısı IR, 1 H-NMR, kütle spektrumu, elementelanaliz ve X-ıĢınları kırınımı yöntemleri kullanılarak belirlendi. Moleküle ait kuramsalhesaplamalarda, molekülün gaz fazındaki kararlı yapısı, enerjisi ve moleküler özellikleribelirlendi. Elde edilen sonuçlar X-ıĢını kırınımı sonuçları ile karĢılaĢtırıldı. Hesaplamalarda,Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi (DFT) kullanılarak B3LYP-6311G(d,p) baz seti seçildi.Hesaplama sonuçlarının deneysel sonuçlar ile uyum içerisinde olduğu görülmüĢtür. Ayrıcamoleküle ait moleküler elektrostatik potansiyel haritası (MEP) ve HOMO–LUMO enerjilerihesaplatıldı.137

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Katkısız ve katkılı CdSe ince filmlerinin optik ve elektrik özelliklerininaraĢtırılmasıD. Takanoğlu ve O. KarabulutPamukkale Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü DENİZLİP106Bu çalıĢmada II–VI yarıiletken grubuna ait katkısız ve katkılı CdSe ince filmlerinin, yapısal,elektriksel ve optik özellikleri XRD, sıcaklık bağımlı elektriksel iletkenlik, Hall etkisi,manyetik direnç ve soğurma ölçümleri ile belirlenmiĢtir. Ġnce filmler temizlenmiĢ uygun camalttaĢlar üzerine termal buharlaĢtırma yöntemi ile büyütülmüĢlerdir. Büyütme esnasındasistemin vakumu 10 –5 torr civarında tutulmuĢtur. Büyütülen filmler 673 K sıcaklığında 30dakika tavlanmıĢtır. CdSe ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik özellikleri üzerindekitavlama ve katkılamanın etkisi araĢtırılmıĢtır. X ıĢını kırınımlarından, kristalin yapısı vesitokiyometrisi belirlenmiĢtir. Filmlerin sitokiyometrik ve hegzagonal olduğu gözlenmiĢtir.Ġletim mekanizmaları, tuzak seviyeleri, iletkenlik tipi, taĢıyıcı konsantrasyonları vemobilitelerini belirlemek için, 10–400 K sıcaklık aralığında sıcaklığa bağlı elektrikseliletkenlik ve Hall ölçümleri yapılmıĢtır. Tavlamaya ve In katkısına bağlı olarak saf CdSe incefilmlerinin özdirençlerinde düĢüĢ gözlenmiĢtir. Katkılı ve katkısız örneklerin iletkenliklerininsıcaklık ile birlikte değiĢimi iki farklı aktivasyon enerjisini ortaya koymaktadır. Katkısız vekatkılı ince filmlerin özdirençlerindeki değiĢim 3,44×10 2 Ω·cm ile 5,15×10 1 Ω·cmaralığındadır. Örneklerin aktivasyon enerjileri düĢük sıcaklık bölgesinde 4–10 meV, yükseksıcaklık bölgesinde ise 23–58 meV aralığında bulunmuĢtur. Ayrıca filmlerin aktivasyonenerjisi ile özdirencinin tavlamaya bağlı olarak azaldığı gözlenmiĢtir. Hall ölçümlerinden,katkısız ve In katkılı CdSe ince filmlerinin n tipi iletkenliğe sahip olduğu bulunmuĢtur.Manyeto direnç ölçümlerinde 10 K‟nin altında negatif manyeto direnç, 15 K‟nin üzerindepozitif manyeto direnç gözlenmiĢtir.Filmlerin yasak enerji aralıkları UV–VIS–IR spektroskopisinde 190–1100 nm dalga boylarıarasında incelenmiĢtir. Tavlamaya bağlı olarak saf CdSe filmlerinin yasak enerji aralıklarının2,25 eV‟dan 1,75 eV değerine düĢtüğü gözlenmiĢtir. Benzer düĢüĢ In katkılı CdSe filmi için2,18 eV‟dan 1,65 eV Ģeklinde gerçekleĢmiĢtir.138

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Taramalı Hall aygıtı mikroskobu için bizmut ve grafen nano-Hall algılayıcıüretimiS. Sonuşen 1 , M. Dede 2 , H. Çetin 3 , ve A. Oral 1P1071 Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Sabancı Üniversitesi,Tuzla, 34956, İstanbul2 Nanomanyetik Bilimsel Cihazlar Ltd. Şti, 06800, Ankara3 Fizik Bölümü, Bozok Üniversitesi, 66200, YozgatTaramalı uç mikroskobu (TUM) çeĢitlerinden biri olan taramalı hall aygıtı mikroskobu (THAM)yüzeyin manyetik alan haritasını ve topolojik bilgisini aynı anda veren, nitel ve tahribatsız birmanyetik görüntüleme tekniğidir. THAM‟ın en önemli bileĢeni; manyetik ve süper iletkenmalzemelerin yüzeyinde ki, dik manyetik alana duyarlı Hall algılayıcısıdır. Hall algılayıcısınınyapıldığı malzemenin yüksek elektron akıĢkanlığına ve düĢük taĢıyıcı yoğunluğu sahip olması yüksekçözünürlükte manyetik ve uzaysal görüntülemeye olanak verir. Son yıllarda, üstün elektroniközelliklerinden dolayı yarı iletken dünyasında önemli hale gelen grafenin, oda sıcaklığında dahi çokyüksek elektron akıĢkanlığına sahip olması (15,000–40,000 cm 2 V –1 s –1 ) THAM uygulamaları açısındanda ümit vaat etmektedir. Bu çalıĢmada litografi yöntemleri kullanılarak, THAM uygulamalarındakullanılmak üzere grafen nano-hall aygıtı üretimi gerçekleĢtirilmiĢtir. Buna ek olarak, düĢük taĢıyıcıyoğunluğuna sahip olan Bizmut ince film kullanılarak 50 nm ve daha düĢük boyutlarda aktif fizikselalana sahip Hall algılayıcıların üretimi tamamlanmıĢtır.(a)(b)(c)(d)ġekil 1. (a) THAM‟ın Ģematik gösterimi. (b) Bizmut Hall aygıtının 100 KX büyütmede SEM görüntüsü. (c)Mekanik soyma yöntemi ile üretilmiĢ grafenin 100X büyütmede optik mikroskop görüntüsü (d) Gafen nano-hallaygıtının X50 büyütmede optik mikroskop görüntüsü.139

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Çok tabakalı CdSe/ZnS kuantum nokta içerisinde bulunan ikili ekzitonlarınoptik özellikleriA. Aktürk 1 , F. Koç 1 , A. Erdinç 2 , M. Şahin 11 Fizik Bölümü, Selçuk Üniversitesi, 42075 Konya, Türkiye2 Fizik Bölümü , Erciyes Üniversitesi , 38039 Kayseri, TürkiyeP108Bu çalıĢmada, CdSe/ZnS/CdSe kuantum nokta-kuantum kuyu nanokristal yapı içerisindekiikili ekzitonların, elektronik ve optik özellikleri incelenmiĢtir. Bunun için öncelikle, gözönüne alınan kuantum nokta yapının elektronik özellikleri, etkin kütle yaklaĢımında, Poisson-Schrödinger denklemlerinin öz-uyumlu bir Ģekilde çözülmesiyle belirlendi. Ayrıca, yapılanhesaplamalarda kuantum mekaniksel çok parçacık etkileri, yerel yoğunluk yaklaĢımı (LocalDensity Approximation) altında göz önüne alındı. Bu çalıĢmada ikili ekziton yapısındakielektron ve deĢiklerin S seviyesinde (temel seviye) olduğu durum ile bir ekzitonun Sseviyesinde, diğer ekzitonun ise P seviyesinde olduğu durum incelenmiĢtir. Bu iki sistemdekielektron ve deĢiklerin tabaka kalınlıklarına göre olasılık yoğunluklarının dağılımı, bağlanmaenerjileri, hayat süreleri ve soğurma pikleri incelenmiĢtir. Sonuç olarak, ikili ekzitonlarınelektronik ve optik özelliklerinin tabaka kalınlıklarına ve bulundukları seviyelere güçlü birĢekilde bağlı olduğu görülmüĢtür.140

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P109Simetrik çift kuantum kuyusunun optiksel özellikleriM. S. Çakıcı ve İ. KarabulutSelçuk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Konya 42075, TürkiyeBu çalıĢmada, simetrik çift kuantum kuyusunda altbandlararası optiksel süreçler teorik olarakincelendi. Gözönüne alınan yapının elektronik seviyeleri matris köĢegenleĢtirme tekniğikullanılarak nümerik olarak elde edildi. Ġlk iki seviye arasındaki geçiĢlere dayalı lineer,üçüncü ve beĢinci mertebe alınganlıklar yoğunluk matris formalizmi kullanılarak elde edildi.Bu alınganlıklara bariyer geniĢliğinin etkisi detaylı olarak çalıĢıldı.141

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P110Richardson grafiğinde Schottky engel homojensizlikleriM. GülnaharErzincan Üniversitesi Meslek Yüksekokulu, Elektrik ve Enerji Bölümü, 24200, ErzincanSchottky eklemler katıhal elektroniğinde araĢtırma yapılan ana çalıĢma alanlarından birisinioluĢturmakta ve bu yapılarda arayüzeyin yapısından kaynaklanan anormallikleri yorumlamakiçin çok çeĢitli yaklaĢım ve metotlar önerilmiĢtir. Ancak arayüzeyin yapısından dolayıarayüzey homojensizliklerin yapısı hala iyi anlaĢılamamaktadır. Schottky bariyerdeanormallikler standart sapmayla karakterize edilmektedirler. Deneysel çalıĢmalarda her birengel dağılım bölgesi için bir ortalama değer olarak hesaplanılır. Bu çalıĢmada yapılan teorikanalizler sonucunda (T) ifadesi yeniden düzenlendi. Birden fazla dağılım bölgelerine sahipolabilen bir Schottky yapıda modifiye edilmiĢ olan Richardson grafiği deneysel çalıĢmalariçin çözülmemiĢ bir problemdir. Bu halde Richardson grafiği her bir dağılım bölgesi için birlinearizasyona ve A * Richardson sabitine sahiptir. Ancak bizim elde ettiğimiz yeni modelsayesinde elde edilen deneysel (T) değerlerinin modifiye edilmiĢ Richardson grafiğindekullanımıyla tüm dağılım bölgeleri için tek bir lineearizasyon sağlanmıĢ olmakta ve A *Richardson sabiti hesaplanabilmektedir.142

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P111Kolesterik sıvı kristallerde seçici ıĢık yansımasıR. KarapınarYüzüncü Yıl Üniversitesi,Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 65080 VanKolesterik sıvı kristal (KSK) bir fazda, optikçe aktif davranıĢ gösteren kiral moleküller ortamiçinde helisel bir düzenlenme sergiler. Ortamda helis ekseni boyunca periyodik bir yapı sözkonusudur. Bir tam helis dönüĢü KSK fazın helis adımı olarak adlandırılır. Helis adımıgörünür ıĢığın dalga boyu ile aynı mertebede olduğunda, ilginç optik özellikler ortaya çıkar.Eğer KSK bir maddeye, helis adımı uzunluğuna eĢit dalga boyundaki bir ıĢık gönderilirse,helisle aynı dönme yönüne sahip olan dairesel polarize bileĢen tümüyle yansımaya uğrar.KSK bir ortamdaki seçici yansıma özelliği, belirli Ģartlar altında ilginç renklerin gözlenmesineyol açar. KSK maddelerin helis adımı sıcaklığın bir fonksiyonu olduğundan, KSK bir filminıĢık yansıtma olayı sıcaklık değiĢimlerini belirlemede kullanılabilir. Bu özelliğinden dolayı butür filmler herhangi bir yüzey üzerine kaplanarak yüzey sıcaklığını ölçmek amacıylakullanılır. Yüzey sıcaklığı ölçümünde kullanılan en yaygın kolesterik maddeler, kolesteroltürevlerinden meydana gelir. Bu çalıĢmada yapımı gerçekleĢtirilen KSK ince filmlerdekiseçici ıĢık yansıması ve renk değiĢimi olayları deneysel olarak incelenmiĢtir.143

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P112Küresel kuantum noktalarının optiksel özellikleriHasan Cihat İslamoğlu 1 , İbrahim Karabulut 1 , ve Haluk Şafak 11 Selçuk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Konya 42075, TürkiyeBu çalıĢmada, küresel bir kuantum noktasının bandiçi lineer ve lineer olmayan optikselözellikleri teorik olarak incelendi. Kuantum noktasındaki elektronik seviyeler matrisköĢegenleĢtirme tekniği kullanılarak nümerik olarak elde edildi. Safsızlığın olduğu veolmadığı durumlar için optiksel süreçler detaylıca incelendi.144

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P113Hızlı katılaĢtırılmıĢ Ģekil hafızalı CuAlBe alaĢımlarının mekanik özelliklerininincelenmesiO. Uzun, S. Ergen, F. Yılmaz, N. Başman, ve U. KölemenFizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, 60240, Tokatġekil hafızalı alaĢımların (ġHA) teknolojik önemleri sahip oldukları Ģekil hafıza etkisi vesüper-elastik yeteneklerinden ileri gelmektedir. ġHA‟ların sıcaklık veya zor etkisiyle fazdeğiĢimine uğramaları ve buna bağlı olarak Ģekil değiĢtirmeleri, bu alaĢımlara çok farklıavantajlar kazandırmaktadır. ġHA‟lar, makine-teçhizat ve yapı malzemeleri, medikal aygıtlarve araçlar gibi endüstriyel ve tıbbi uygulamaların yanı sıra; elektronik aygıtlar, uzay araçlarıgibi ileri düzey uygulamalarda ve süperelastik gözlük çerçeveleri, telefon antenleri gibigünlük hayatı kolaylaĢtıran birçok üründe kullanılmaktadır. Son yıllarda robotik alandayapılan uygulamalarda da ġHA‟ların kullanımı yaygınlaĢmaktadır. Bununla birlikte savunmasanayinin birçok kolunda ġHA‟ların kullanımı diğer sistemlere tercih edilir hale gelmiĢtir. BuçalıĢmada biz Ģekil hafızalı Cu-12Al-XBe (X: 0.4; 0.5 ve 0.6) alaĢımlarının Ģekil hafıza etkisive mekanik özellikleri üzerine Be miktarının ve hızlı katılaĢtırmanın etkisini araĢtırdık. Buamaçla Ģekil hafızalı Cu-12Al-XBe (X: 0.4; 0.5 ve 0.6) alaĢımları hızlı katılaĢtırmayöntemlerinden biri olan eriyik eğirme tekniği ile Ģerit formunda üretildi. Elde edilenĢeritlerin faz dönüĢümleri, mikroyapıları ve martensit ve ostenit dönüĢüm sıcaklıkları X-ıĢınıkırınım cihazı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve diferansiyel taramalıkalorimetre (DSC) kullanılarak karakterize edildi. Hem XRD hem de SEM analizlerindenĢeritlerin oda sıcaklığında tümüyle martensit yapıda oldukları belirlendi. Üç farklı orandaüretilen CuAlBe Ģeritlerin DSC analizleri sonucu, Be miktarındaki artıĢın martensit ve ostenitdönüĢüm sıcaklıklarında azalmaya neden olduğu tespit edildi. ġekil hafızalı alaĢımlarda,onlara diğer alaĢımlara kıyasla büyük avantajlar sağlayan mekanik özelliklerinin incelenmesioldukça önemli olduğundan çalıĢmamızda söz konusu alaĢımların bazı mekanik özellikleri(sertlik ve elastik modülleri gibi) nanoçentme cihazı ile incelendi. ġerit formunda üretilenCuAlBe alaĢımlarında, Be miktarındaki artıĢın sertlik değerlerinde de artıĢa sebebiyet verdiğibelirlendi.Teşekkür: Bu çalıĢma, GaziosmanpaĢa Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri Birimince (Proje No: 2009/54)desteklenmiĢtir.145


18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011SOYADI AD ÜNİVERSİTE SAYFAAbdullayeva S. Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi P69Ağan S. Kırıkkale Üniversitesi P12, P89, P90, P91, P92Ağar E. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P103Ağartıoğlu M. Dokuz Eylül Üniversitesi S08, P4Ahmad S. ET Üniversitesi, Pakistan P104Ainetdinov D. V. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19Akaltun Y. Erzincan Üniversitesi P36, P37Akansel S. Hacettepe Üniversitesi P7Akaoğlu B. Ankara Üniversitesi S12Akarsu M. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P41Akgüç G. B. Bilkent Üniversitesi P27Aktürk A. Selçuk Üniversitesi P9, P108Akyazı B. Kırıkkale Üniversitesi P90Akyüz Ġ. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P38, P39, P42, P43, P44, P45, P47Altındemir G. Çukurova Üniversitesi P31AltıntaĢ S. P. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P88Arıkan N. Ahi Evran Üniversitesi P16Arpapay B. Anadolu Üniversitesi P87Asar T. Gazi Üniversitesi P71, P77, P78Askerzade I. Ankara Üniversitesi P2Aslan B. Anadolu Üniversitesi Ç4, P87AĢıkuzun E. Kastamonu Üniversitesi P88Atay F. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P38, P39, P42, P43, P44, P45, P47Atcı H. Ġstanbul Üniversitesi P82AteĢ A. Yıldırım Beyazıt Üniversitesi P36, P37AteĢer E. Aksaray Üniversitesi P24AtıĢ Z. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P47Atmaca G. Gazi Üniversitesi P64, P66, P67Attolini G. IMEM, CNR, Parma, Ġtalya P69, P70Auge A. Bielefeld Üniversitesi S03Aybek A. ġ. Anadolu Üniversitesi P1Aydın S. Gazi Üniversitesi P5, P55, P73, P74, P79Aydın G. Gazi Üniversitesi P98Aydınlı A. Bilkent Üniversitesi P90Aydoğu S. Dumlupınar Üniversitesi P34, P41Aykut Ö. Kardökmak A.ġ. P86Babür G. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P80Bacıoğlu A. Hacettepe Üniversitesi P83Bağcı F. Ankara Üniversitesi S12Bal S. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P13, P14, P15BaĢer G. Hacettepe Üniversitesi P83BaĢman N. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P113Bayhan Ü. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P98Bayraklı Ö. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P102Bayraklı A. Hacettepe Üniversitesi S15147

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Bek A. Orta Doğu Teknik Üniversitesi Ç3Bilenko D. I. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19Bilgin V. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi P28, P29Bilican Ġ. Kırıkkale Üniversitesi P12, P91Bosi M. IMEM, CNR, Parma, Ġtalya P69, P70Bulut N. Ġzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü Ç1Bülbül C. Gazi Üniversitesi P58Bütün S. Bilkent Üniversitesi P67Büyükgüngör O. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P103, P104Can M. M. Sabancı Üniversitesi S10Candan Ġ. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P99, P100, P102Candan A. Gazi Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52Ceylan E. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P40Clerjaud B. Pierre et Marie Curie Üni., Paris, Fransa P69, P70CoĢkun Ö. D. Hacettepe Üniversitesi P84, P85CoĢkunyürek M. Kastamonu Üniversitesi P88Çabuk S. Çukurova Üniversitesi S06, P32Çabuk G. Dumlupınar Üniversitesi P34Çakıcı M. S. Selçuk Üniversitesi P109Çakmak M. Gazi Üniversitesi P17Çankaya G. Yıldırım Beyazıt Üniversitesi P80, P81Çelik Ö. Hacettepe Üniversitesi P6Çelik V. Balıkesir Üniversitesi S05Çetin S. ġ. Gazi Üniversitesi P69, P70, P71, P72, P78Çetin H. Bozok Üniversitesi P107Çetinkaya S. Ç. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P45Çitioğlu S. Hacettepe Üniversitesi P6Çivi M. Gazi Üniversitesi P16, P98Çoban C. Balıkesir Üniversitesi P26Çoban M. B. Dumlupınar Üniversitesi P34Çolakoğlu K. Gazi Üniversitesi P22, P24, P26, P54, P56, P57, P58,P59, P60, P61, P62, P73, P76Dede M. Nanomanyetik Bilimsel Cihazlar Ltd. ġti. S09, P107Değirmenci C. Kardökmak A.ġ. P86Deligöz E. Aksaray Üniversitesi P24, P54, P59, P60, P62, P73, P76Demir Z. Niğde Üniversitesi P23Demirci Y. Anadolu Üniversitesi P1Demirselçuk B. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi P28, P29DemirtaĢ M. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P102Dinçer Ġ. Ankara Üniversitesi S03, P18, P19, P20Doğruer M. Mustafa Kemal Üniversitesi P13, P14, P15Efkere H. Ġ. Erciyes Üniversitesi P72, P78Ekiz A. Gazi Üniversitesi P53, P75EkĢi D. Trakya Üniversitesi S13Elerman Y. Ankara Üniversitesi S03, P18, P19, P20Elibol K. Gazi Üniversitesi P64, P66, P67148

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Ellialtıoğlu R. Hacettepe Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52, P53, P75Ellialtıoğlu ġ. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S05Erçelebi Ç. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P99, P100Erdem R. Akdeniz Üniversitesi P23Erden S. G. Dokuz Eylül Üniversitesi P33Erdinç A. Erciyes Üniversitesi P9, P108Erdoğan B. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P38, P45Ergen S. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P113Ergün A. H. Gazi Üniversitesi P54Erkarslan U. Muğla Üniversitesi P82Es F. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07Eser E. Çukurova Üniversitesi P30Evecen M. Amasya Üniversitesi P17Fırat T. Hacettepe Üniversitesi S04, S10, P6, P7Fiat S. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P81Fichtner M. Karlsruhe Institute of Technology , Almanya P7Filazi Ö. Adıyaman Üniversitesi P31, P97Galushka V. V. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19Gençyılmaz O. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P43, P44Gerhardts R. R. Max-Planck, Festkörperforschung, Almanya P33German S. V. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P20Gorin D. A. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P20Göde F. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P31, P97Gülen M. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P15Güllü H. H. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P99, P100, P102Gülnahar M. Erzincan Üniversitesi P110Gülpınar G. Dokuz Eylül Üniversitesi S08, P4Gülseren O. Bilkent Üniversitesi P27GümüĢ N. M. Kırıkkale Üniversitesi P90GümüĢ C. Çukurova Üniversitesi P31, P97GümüĢ S. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P103Gündoğdu G. Hacettepe Üniversitesi P84Günendi M. C. Bilkent Üniversitesi P27Güneri E. Erciyes Üniversitesi P31, P97GüneĢ C. Gazi Üniversitesi P64Güngör E. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P8, P93, P94, P95, P96Güngör T. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P8, P93, P94, P95, P96Gürbüz G. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P40Habiboğlu C. Çukurova Üniversitesi P31, P97Hasanli N. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P25Hütten A. Bielefeld Üniversitesi S03IĢık ġ. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P105IĢık M. Atılım Üniversitesi P25Ġyigör A. Gazi Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52Jabbarov R. Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi P69, P70Kabak M. Ankara Üniversitesi P22149

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Karaaslan Y. Dokuz Eylül Üniversitesi S08, P4Karabulut O. Pamukkale Üniversitesi P106Karabulut Ġ. Selçuk Üniversitesi P109Karakaya S. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P46Karakoç G. Gazi Üniversitesi P64Karakurt A. Ġnönü Üniversitesi P105Karapınar R. Yüzüncü Yıl Üniversitesi P111Karatepe R. Kırıkkale Üniversitesi P92Karcı Ö. Hacettepe Üniversitesi S09Kardash M. M. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19Kaya S. Kastamonu Üniversitesi P88Kaya Ġ. Ġ. Sabancı Üniversitesi Ç2Kayıkçı E. C. Kırıkkale Üniversitesi P90Kaynar M. B. Hacettepe Üniversitesi S04Ketenci E. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P39Ketenoğlu D. Ankara Üniversitesi S16Khan I. U. GC Üniversitesi, Pakistan P104Khomutov G. B. M. V. Lomonosov Moskova Devlet Üni. P20Kılıçoğlu Ö. Trakya Üniversitesi S13Kınacı B. Gazi Üniversitesi P72, P77Kırmızıgül F. Çukurova Üniversitesi P31, P97Kıtay Y. Karabük Üniversitesi P87Kızılkaya K. Gazi Üniversitesi P77Koç F. Selçuk Üniversitesi P9, P108Koç H. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P30Koçak B. Gazi Üniversitesi P56Kompitsas M. Theor. and Phys. Chem.Institute, Yunanistan P81Koralli P. National Tech. Uni. of Athens, Yunanistan P81Kölemen U. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P80, P113Köse S. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P40Kul M. Anadolu Üniversitesi P1Kulakçı M. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07KurtuluĢ G. Gazi Üniversitesi P71, P78Kuru H. Anadolu Üniversitesi P87Lider M. C. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P101Liedke M. O. Institute of Ion Beam Phys. and Mater. Res. S02LiĢesivdin S. B. Gazi Üniversitesi P57, P64, P66, P67Markin A. V. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P20Meinert M. Bielefeld Üniversitesi S03Memmedli T. Gazi Üniversitesi P69, P70, P71, P72, P77, P78Mert H. ġ. Selçuk Üniversitesi P10Mert G. Selçuk Üniversitesi P10Mese A. I. Trakya Üniversitesi S14Mete E. Balıkesir Üniversitesi S05Meydaneri F. Karabük Üniversitesi P35, P86Mogaddan N. A. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P92150

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P.Moğulkoç Y. Ankara Üniversitesi P22, P26Musayeva N. Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi P69, P70Okur S. Ġzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü S02Oral A. Sabancı Üniversitesi S09, P107Öner Ġ. Gazi Üniversitesi P24, P60, P61ÖzbaĢ Ö. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P41, P46Özbay E. Bilkent Üniversitesi P66, P67Özcan ġ. Hacettepe Üniversitesi S04, P6, P7Özçelik S. Gazi Üniversitesi P69, P70, P71, P72, P77, P78Özdemir Z. Ġnönü Üniversitesi P105Özdemir G. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P13, P14Özdemir M. Erciyes Üniversitesi P35Özdemir B. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07Özen Y. Gazi Üniversitesi P71, P77Özer M. Gazi Üniversitesi P68ÖzıĢık H. B. Aksaray Üniversitesi P60, P61ÖzıĢık H. Aksaray Üniversitesi P24, P61Öztekin Y. Ç. Gazi Üniversitesi P22, P24, P26, P54, P55, P56, P57,P58, P59, P60, P62, P73, P74, P76, P79Öztuyak E. Karabük Üniversitesi P86Öztürk T. Gazi Üniversitesi P76Öztürk O. Kastamonu Üniversitesi P88Öztürk O. Ġzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü S02Parlak M. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P99, P100, P102Peker M. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P1PiĢkin E. Gazi Üniversitesi P72, P78Polat Ġ. Karadeniz Teknik Üniversitesi P81Polat R. Erzincan Üniversitesi P37Polat M. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P40Räsänen E. Jyväskylä Üniversitesi, Finlandiya P82Riviere J. P. Universite de Poitiers S02Saatçi B. Erciyes Üniversitesi P35Salman A. Akdeniz Üniversitesi S14SarıateĢ D. Alparslan Üniversitesi P30Sarıca E. Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi P28, P29Seferoğlu N. Gazi Üniversitesi P63Sel M. Gazi Üniversitesi P68Serin T. Ankara Üniversitesi P21Serin N. Ankara Üniversitesi P21Serincan U. Anadolu Üniversitesi P87Sezgin G. Gazi Üniversitesi P63Shah Ġ. University of Delaware S04Sharif S. GC Üniversitesi, Pakistan P104Sıddıki A. Ġstanbul Üniversitesi S01, S13, S14, P33, P82SonuĢen S. Sabancı Üniversitesi P107151

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Sökmen Ġ. Dokuz Eylül Üniversitesi P33Söyleyici M. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P42Sürücü G. Gazi Üniversitesi P60ġahin S. Gazi Üniversitesi P73ġahin B. Kırıkkale Üniversitesi P12, P89, P91ġahin O. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P104ġahin Z. S. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P105ġahin M. Selçuk Üniversitesi S11, P9, P108ġahin ġ. H. Ankara Üniversitesi P21ġengör T. Yıldız Teknik Üniversitesi P11ġimĢek M. Gazi Üniversitesi P5ġimĢek T. Hacettepe Üniversitesi P6ġimĢek ġ. Çukurova Üniversitesi S06, P32Takanoğlu D. Pamukkale Üniversitesi P106TaĢ H. Selçuk Üniversitesi S11TaĢal E. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P96Tatar A. Gazi Üniversitesi P55, P74, P79Temel E. Ondokuz Mayıs Üniversitesi P103Terin D. V. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19Terzioğlu C. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P13, P14, P15TıraĢ E. Anadolu Üniversitesi P94Tozkoparan O. Ankara Üniversitesi P18, P19, P20Turan R. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07, P92Turan E. Anadolu Üniversitesi P1Tyurin I. A. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P18, P19Ufuktepe Y. Çukurova Üniversitesi P3Uğur ġ. Gazi Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52, P53, P75Uğur G. Gazi Üniversitesi P48, P49, P50, P51, P52Uluer Ġ. Kırıkkale Üniversitesi P12, P91UluıĢık A. Dumlupınar Üniversitesi P34UlutaĢ C. Çukurova Üniversitesi P31Uzun O. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P113Ünal H. Balıkesir Üniversitesi S05Ünalan H. E. Orta Doğu Teknik Üniversitesi S07Ünaldı T. EskiĢehir Osmangazi Üniversitesi P1Varilci A. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P13, P14, P15Vatansever E. Dokuz Eylül Üniversitesi S08Wenig S. B. Saratov Devlet Üniversitesi, Rusya P20Yalçın O. Niğde Üniversitesi P23YaĢar E. Kırıkkale Üniversitesi P90YaĢar S. Mustafa Kemal Üniversitesi P12, P91Yavuz F. Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi P31, P97Yeniçeri G. Gazi Üniversitesi P59YeĢiltepe M. Hacettepe Üniversitesi P85Yıldırım H. Karabük Üniversitesi P87Yıldırım G. Abant Ġzzet Baysal Üniversitesi P13, P14, P15152

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Yıldırım O. Ankara Üniversitesi P18, P19, P20Yıldırım M. A. Erzincan Üniversitesi P36, P37Yıldırım S. T. Erzincan Üniversitesi P36Yıldız O. Kastamonu Üniversitesi P88Yılmaz M. Gazi Üniversitesi P62Yılmaz F. GaziosmanpaĢa Üniversitesi P113Yurtseven A. Gazi Üniversitesi P65Yurtseven H. Orta Doğu Teknik Üniversitesi P101Yücel E. Osmaniye Korkut Ata Üniversitesi P13, P14, P15Yücel M. B. Akdeniz Üniversitesi S14Yücel Kurt H. Gazi Üniversitesi P65Yüzüak E. Ankara Üniversitesi S03Zalaoğlu Y. Mustafa Kemal Üniversitesi P14, P15Zor M. Anadolu Üniversitesi P1153

YMF18 özet kitapçığı - Department of Physics

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?