11.07.2015 Views

ELEKTRONIČKI ELEMENTI Repetitorij s ... - Student Info

ELEKTRONIČKI ELEMENTI Repetitorij s ... - Student Info

ELEKTRONIČKI ELEMENTI Repetitorij s ... - Student Info

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

56velikim unutarnjim otporom. U praktičnim izvedbama je otpor baze uvijek konačan, čak i ako jeotpor vanjskog kruga u seriji s bazom jednak nuli, ostaje uvijek omski otpor baze r B . O veličini togvanjskog otpora baze R B ovisi i probojni napon U CERPR kao što je prikazano na slici 2.5.7. Tipičnadopuštena vrijednost napona U BEM iznosi oko 5 V. Ako u sklopovima postoji mogućnost pojavevećeg napona, potrebno je zaštiti spoj baza-emiter tranzistora kao što je prikazano na slici 2.5.8.Slika 2.5.8. Zaštita spoja baza-emiterOsim toga, tvornički podaci sadrže i podatke o uvjetima pod kojima su mjerene pojedinekarakteristične veličine. Kako većina podataka za isti tip tranzistora varira u velikom rasponu, utvorničkim podacima obično se daje tipičan podatak ili najveća i najmanja moguća vrijednost.Naponi za tranzistor u zasićenju:1. U BEzas (saturation voltage V BEsat ) iznosi za silicijske tranzistore 0,7-0,8 V,2. U CEzas (V CEsat ) iznosi 0,1-0,3 V, ali može imati i vrijednosti veće od volta kod tranzistoranamijenjenih za veće snage.Kao što je poznato iz teorije poluvodiča veoma je bitan utjecaj temperature kao i utjecaj raznihzračenja (svjetlost, radioaktivno zračenje).2.5.2 Nadomjesni modeli bipolarnog tranzistoraSada će ukratko biti objašnjeni modeli tranzistora koji se koriste u analizi i projektiranju električnihsklopova. Potrebno je na određen način modelirati svojstva tranzistora pomoću električnogekvivalenta. Ima više različitih metoda, ali je svaka od njih izvedena uz pretpostavku da suizmjenične promjene dovoljno malene, tako da tranzistor uvijek radi u linearnom području i da nepostoje ni neki drugi uzroci izobličenja signala. Tada se svojstva tranzistora mogu prikazatilinearnim krugom, a dobivene modele nazivamo modelima za mali izmjenični signal na relativnoniskim frekvencijama.Na Slici 2.5.9.a) prikazan je tranzistor s pripadnim izmjeničnim naponima i strujama, a na Slici2.5.9.b) i c) su dva njegova linearna modela za male signale.Napomena: Strujni izvor označen je posebnim simbolom kojim se prikazuje ovisni (zavisni) strujniizvor, čime se želi istaknuti da njegova vrijednost ovisi o nekoj varijabli kruga kojemu izvorpripada.BI BI CCBrπhfeIBCBI Bh feIBCI BI CI Ca)EEb) E c)r eSlika 2.5.9. Model bipolarnog tranzistora za male izmjenične signale.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!