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2016 年 秋 季 講 演 会 ( 朱 鷺 メッセ)プログラム 暫 定 版 ※ 会 場 、 時 間 が 変 更 になった 場 合 は 該 当 の⽅にご 連 絡 いたします。 【7⽉6⽇(⽔) 更 新 】 更 新 箇 所 は⾚ 字 になっております
⼤ 分 類 中 分 類 形 式 ⽇ 時 開 始 終 了 講 演 番 号 受 付 番 号 奨 励 賞 英 語 招 待 講 演 タイトル 著 者 所 属 機 関
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 14:15 14:30 15p-B10-2 C001524 E
〇 YuanHsuan Jhang 1 , Katsuaki Tanabe 2, 3 , Bongyong Jang 1 , Satoshi Iwamoto 1, 2 , Yasuhiko Arakawa 1, 2
Strong Bonding of Silicon and Gallium Arsenide Using UV Activation and Applicationto Fabrication of Quantum Dot Lasers on
1.IIS, UT, 2.NanoQuine, UT, 3.Kyoto Univ.
Silicon
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 14:30 14:45 15p-B10-3 C001587 ウェットエッチングを 用 いたSOI 基 板 のサブナノメートル 精 度 薄 膜 化 〇 (M1) 桑 原 充 輝 1 1
、 高 橋 和 1. 大 阪 府 大 院 工
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 14:45 15:00 15p-B10-4 C001527 奨 3D 多 光 子 造 形 体 への 磁 性 マイクロ 粒 子 の 位 置 選 択 導 入 と 磁 気 応 答 〇 鈴 木 勝 大 1 、 西 山 宏 昭
1
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 15:00 15:15 15p-B10-5 C000170 奨 赤 外 偏 光 イメージングによる 立 体 形 状 識 別 〇 久 保 山 貴 文 1 、 小 川 新 平 2 、 藤 澤 大 介 2 、 木 股 雅 章
1
1. 山 形 大 院 理 工
1. 立 命 館 大 学 , 2. 三 菱 電 機 株 式 会 社
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 15:15 15:30 15p-B10-6 C000219 非 対 称 マッシュルーム 型 プラズモニックメタマテリアル 吸 収 体 による 赤 外 偏 光 検 知 〇 小 川 新 平 1 、 藤 澤 大 介 1 、 久 保 山 貴 文 2 、 木 股 雅 章
2 1. 三 菱 電 機 株 式 会 社 , 2. 立 命 館 大 学
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 15:30 15:45 15p-B10-7 C002476 高 い 波 長 選 択 性 を 持 つMEMS Fabry‐Perot 干 渉 型 表 面 応 力 センサの 設 計 ・ 製 作 〇 (M1) 高 橋 利 昌 1 、 桝 屋 善 光 1 、 石 田 隼 斗 1 、 飛 沢 健 1 、 髙 橋 一 浩
1
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 15:45 16:00 15p-B10-8 C001202 積 層 メタル 技 術 によるMEMS 加 速 度 センサのばね 定 数 設 計 方 法 (I) 〇 佐 布 晃 昭 1 、 小 西 敏 文 1 、 山 根 大 輔
2, 4 、 年 吉 洋
3, 4 、 曽 根 正 人
2, 4 、 益 一 哉
2, 4 、 町 田 克 之
1, 4
1. 豊 橋 技 科 大
1.NTT-AT, 2. 東 工 大 , 3. 東 大 , 4.JST-CREST
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 16:00 16:15 15p-B10-9 C001929 ピエゾ 抵 抗 角 度 ・ 焦 点 距 離 センサを 集 積 した 焦 点 可 変 スキャナの 製 作 〇 (D) 中 澤 謙 太 1 、 佐 々 木 敬 1 、 古 田 裕 正 2 、 神 谷 二 朗 2 、 佐 々 木 秀 記 2 、 神 谷 東 志 一 2 1
、 羽 根 一 博 1. 東 北 大 院 工 , 2.パナソニックデバイスSUNX
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 16:15 16:30 休 憩 /Break
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 16:30 16:45 15p-B10-10 C003055 走 査 型 ヘリウムイオン 顕 微 鏡 およびSEM 観 察 による 有 機 膜 の 構 造 変 化 〇 小 川 真 一 1 1
、 飯 島 智 彦 1. 産 総 研
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 16:45 17:00 15p-B10-11 C002905 熱 フィラメント 法 で 生 成 した 水 素 ラジカルによる 大 気 圧 下 でのSiCl 4の 分 解 1,
〇 岡 本 裕 二 2 、 堤 大 耀 3 、 石 垣 隆 正 3 、Fatima Zohra Dahmani 4 2
、 角 谷 正 友 1. 筑 波 大 , 2. 物 材 機 構 , 3. 法 政 大 , 4.USTO-MB.
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 17:00 17:15 15p-B10-12 C000074 SiHCl 3-SiH x 系 シリコンエピタキシャル 成 長 の 反 応 速 度 式 〇 渡 部 亨 1 、 羽 深 等 1 、 齋 藤 あゆ 美
1
1. 横 国 大 院 工
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 17:15 17:30 15p-B10-13 C000045 SiHCl 3-SiH x 系 シリコン 薄 膜 形 成 法 により 得 られる 薄 膜 中 の 炭 素 濃 度 齋 藤 あゆ 美 1 、 〇 山 田 彩 未 1 1
、 羽 深 等 1. 横 浜 国 大 院 工
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 17:30 17:45 15p-B10-14 C002562 奨 F 2レーザー 堆 積 法 によるナノポーラスSiO 2 膜 の 形 成 〇 當 間 拓 矢 1 、 諏 訪 輝 1 、 中 村 大 輔 1 1
、 池 上 浩 1. 九 州 大 工
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 17:45 18:00 15p-B10-15 C002824 マルチウェル 構 造 TSVを 用 いたTSV 側 壁 Si-SiO 2 界 面 準 位 の 評 価 〇 菅 原 陽 平 1 、 木 野 久 志 2 、 福 島 誉 史 1 、 李 康 旭 3 、 小 柳 光 正 3 1, 4
、 田 中 徹 1. 東 北 大 院 工 , 2. 東 北 大 学 際 研 , 3. 東 北 大 未 来 研 , 4. 東 北 大 院 医 工
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 18:00 18:15 15p-B10-16 C001445 表 面 活 性 化 ボンディング 法 によるCu 箔 /Si 接 合 の 電 気 特 性 評 価 〇 古 名 克 也 1 、 梁 剣 波 1 、 松 原 萌 子 2 、ダムリン マルワン 2 、 西 尾 佳 高 2 1
、 重 川 直 輝 1. 大 阪 市 大 工 , 2. 東 洋 アルミニウム
13 13.4 Oral 9/15(⽊) 18:15 18:30 15p-B10-17 C003238 Si 基 板 /ITO 薄 膜 表 面 活 性 化 接 合 の 形 成 〇 小 川 智 輝 1 、 梁 剣 波 1 、 荒 木 建 次 2 、 神 岡 武 文 2 1
、 重 川 直 輝 1. 大 阪 市 大 工 , 2. 豊 田 工 大
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 9:00 9:15 16a-B10-1 C000322 イオン 注 入 およびFLAを 用 いたn+/p, p+/n Geにおける 高 活 性 化 と 浅 い 接 合 形 成 〇 谷 村 英 昭 1 、 河 原 崎 光 1 、 加 藤 慎 一 1 、 青 山 敬 幸 1 、 小 林 一 平 1 、 鈇 田 博 2 、 中 島 良 樹 2 、 永 山 勉 2 、 濱 本 成 顕 2 2
、 酒 井 滋 樹 1.SCREENセミコンダクターソリューションズ, 2. 日 新 イオン 機 器
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 9:15 9:30 16a-B10-2 C000361 FLAを 用 いた 浅 く 高 活 性 なn+/p Ge 接 合 形 成 と 酸 素 ノックオンの 影 響 〇 河 原 崎 光 1 、 谷 村 英 昭 1 、 加 藤 慎 一 1 、 青 山 敬 幸 1 、 小 林 一 平 1 、 鈇 田 博 2 、 中 島 良 樹 2 、 永 山 勉 2 、 濱 本 成 顕 2 2
、 酒 井 滋 樹 1.SCREENセミコンダクターソリューションズ, 2. 日 新 イオン 機 器
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 9:30 9:45 16a-B10-3 C001748 SiにドープされたAsの 光 電 子 ホログラフィーによる 評 価 〇 名 取 鼓 太 郎 1 、 筒 井 一 生 1 、 松 下 智 裕 2 、 室 隆 桂 之 2 、 木 下 豊 彦 2 、 星 井 拓 也 1 、 角 嶋 邦 之 1 、 若 林 整 1 、 松 井 文 彦 3 、 下 村 勝
4
1. 東 工 大 , 2. 高 輝 度 セ, 3. 奈 良 先 端 大 , 4. 静 岡 大
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 9:45 10:00 16a-B10-4 C003228 奨 非 晶 質 Zr-Ge-N 層 上 への 金 属 堆 積 による 低 抵 抗 Geコンタクトの 形 成 〇 岡 本 隼 人 1 、 山 本 圭 介 2 、 王 冬 1 、 中 島 寛
2 1. 九 大 ・ 大 学 院 総 合 理 工 学 府 / 研 究 院 , 2. 九 大 ・ 産 学 連 携 センター
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 10:00 10:15 16a-B10-5 C001280 組 成 制 御 した 気 相 合 成 Wジャーマナイド 薄 膜 とn-Geとの 接 合 特 性 〇 岡 田 直 也
1, 2 、 内 田 紀 行 2 、 金 山 敏 彦
2 1.JSTさきがけ, 2. 産 総 研
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 10:15 10:30 16a-B10-6 C002853 金 属 /n -Ge 接 合 へのSix Ge 1−x −y Sny 層 挿 入 によるショットキー 障 壁 高 さの 低 減 〇 鈴 木 陽 洋
1, 2 、 戸 田 祥 太 1 、 中 塚 理 1 、 坂 下 満 男 1 、 財 満 鎭 明
1, 3
1. 名 古 屋 大 院 工 , 2. 学 振 特 別 研 究 員 , 3. 名 古 屋 大 未 来 研
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 10:30 10:45 16a-B10-7 C001472 ナノシリコン 弾 道 電 子 源 を 利 用 した IV 族 半 導 体 薄 膜 のプリンティング 堆 積 〇 須 田 隆 太 郎 1 、 八 木 麻 実 子 1 、 小 島 明 1 、 白 樫 淳 一 1 1
、 越 田 信 義 1. 農 工 大 ・ 院 ・ 工
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 10:45 11:00 16a-B10-8 C001745 急 速 加 熱 処 理 が 低 温 成 長 Ge 薄 膜 の 構 造 に 与 える 影 響 〇 大 塚 慎 太 郎 1 、 森 貴 洋 1 、 森 田 行 則 1 、 内 田 紀 行 1 、 柳 永 勛 1 、 大 内 真 一 1 、 更 田 裕 司 1 、 右 田 真 司 1 、 昌 原 明 植 1 1
、 松 川 貴 1. 産 総 研
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 11:00 11:15 16a-B10-9 C003363 多 結 晶 GeSnのキャリア 輸 送 特 性 と 熱 伝 導 率 〇 内 田 紀 行 1 、 宮 崎 吉 宣 1 、 前 田 辰 郎 1 、 福 田 浩 一 1 、 服 部 淳 一 1 、 大 石 佑 治 2 、 石 丸 学 4 、Ruben R. Lieten 3 、Jean-Pierre Locquet 3 1. 産 総 研 ナノエレ, 2. 大 阪 大 院 , 3.ル―ベン 大 , 4. 九 工 大
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 11:15 11:30 16a-B10-10 C001671 塩 素 中 性 粒 子 ビームによるGeエッチングメカニズムの 検 討 〇 野 田 周 一 1 、 李 恩 慈 1 、 水 林 亘 2 、 遠 藤 和 彦 2 1, 2
、 寒 川 誠 二 1. 東 北 大 流 体 研 , 2. 産 総 研 ナノエレ
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 11:30 11:45 16a-B10-11 C001478 局 所 クリーン 化 ミニマルPLAD 環 境 コントロールシステム 〇 谷 島 孝
1, 2 、 安 井 政 治
1, 2 、クンプアン ソマワン 1, 2 、 前 川 仁
1, 2 、 原 史 朗
1, 2
1. 産 総 研 , 2.ミニマルファブ
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 11:45 12:00 16a-B10-12 C001491 ミニマル 装 置 の 設 置 環 境 評 価 1,
〇 谷 島 孝 2 、クンプアン ソマワン 1, 2 1, 2
、 原 史 朗 1. 産 総 研 , 2.ミニマルファブ
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 12:00 12:15 16a-B10-13 C000733 Investigation of productivity in device process of minimal fab 〇 Sommawan Khumpuang 1, 2 、Fumito Imura 1, 2 、Shiro Hara 1, 2 1.AIST, 2.MINIMAL
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 13:45 14:00 16p-B10-1 C001424 大 口 径 ウェハからハーフインチへのクリヌキ 加 工 プロセス 開 発 と 評 価 1,
〇 梅 山 規 男 2 、 酒 井 孝 昭 3 、 鍛 冶 倉 惇 3 、 市 川 浩 一 郎 3 、クンプアン ソマワン 1, 2 1, 2
、 原 史 朗 1. 産 総 研 , 2.ミニマルファブ 技 術 研 究 組 合 , 3. 不 二 越 機 械 工 業
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 14:00 14:15 16p-B10-2 C002346 ミニマルSi-CVD 装 置 における 熱 対 流 の 影 響 (II) 1,
〇 石 田 夕 起 2 1,
、 三 ケ 原 孝 則 2 、 三 浦 典 子 2 、 伊 藤 孝 宏 3 1,
、 池 田 伸 一 2 、 羽 深 等 4 、クンプアン ソマワン 1, 2 1, 2
、 原 史 朗 1. 産 総 研 , 2.ミニマルファブ 技 組 , 3.オリエンタルモーター, 4. 横 国 大
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 14:15 14:30 16p-B10-3 C000047 ミニマルCVD 装 置 におけるシリコンエピタキシャル 成 長 の 輸 送 現 象 〇 松 尾 美 弥 1 、 羽 深 等 1 、 山 田 彩 未 1 、 李 寧 1 、 三 ケ 原 孝 則 2 2,
、 池 田 伸 一 3 2,
、 石 田 夕 起 3 2, 3
、 原 史 朗 1. 横 国 大 院 工 , 2.ミニマル, 3. 産 総 研
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 14:30 14:45 16p-B10-4 C000123 集 光 型 赤 外 線 加 熱 炉 を 用 いたハーフインチシリコンCVD 装 置 (7) 〇 李 寧 1 、 松 尾 美 弥 1 、 羽 深 等 1 、 三 ケ 原 孝 則 2 、 池 田 伸 一
2, 3 、 石 田 夕 起
2, 3 、 原 史 朗
2, 3
1. 横 国 大 院 工 , 2.ミニマルファブ 技 術 研 究 組 合 , 3. 産 総 研
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 14:45 15:00 16p-B10-5 C001562 ミニマルコータにおけるレジスト 膜 ウェハ 面 内 均 一 性 向 上 技 術 1,
〇 田 中 宏 幸 2 、 古 賀 拓 哉 2 、クンプアン ソマワン 1, 2 1, 2
、 原 史 朗 1. 産 総 研 , 2.ミニマルファブ
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 15:00 15:15 16p-B10-6 C000677 奨 水 プラズマアッシングによるレジスト 除 去 のメカニズムに 関 する 検 討 〇 北 野 卓 也 1 、 鈴 木 宏 明 1 、 塩 田 有 波 1 、 石 島 達 夫 1 、 田 中 康 規 1 、 上 杉 喜 彦 1 、クンプアン ソマワン 2, 3 2, 3
、 原 史 郎 1. 金 沢 大 , 2.ミニマルファブ 技 術 研 究 組 合 , 3. 産 総 研
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 15:15 15:30 休 憩 /Break
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 15:30 15:45 16p-B10-7 C001523 ミニマル 装 置 を 用 いた 高 速 ガス 切 り 替 え 貫 通 エッチング 1,
〇 田 中 宏 幸 2 1,
、 小 木 曽 久 人 2 1,
、 中 野 禅 2 、 速 水 利 泰 3 、 宮 崎 俊 也 3 、クンプアン ソマワン 1, 2 1, 2
、 原 史 朗 1. 産 総 研 , 2.ミニマルファブ, 3.SPPテクノロジーズ
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 15:45 16:00 16p-B10-8 C000843 ミニマル 集 光 加 熱 炉 で 形 成 したゲート 酸 化 膜 の 電 気 特 性
〇 三 浦 典 子 1 1,
、 居 村 史 人 2 1,
、 山 田 武 史 3 1,
、 相 澤 洸 3 1,
、 池 田 伸 一 2 1,
、 石 田 夕 起 2 1,
、 三 ヶ 原 孝 則 2 1,
、 大 西 康 弘 3 、クンプアン ソ
1, 2 1.ミニマルファブ, 2. 産 総 研 , 3. 米 倉 製 作 所
マワン 、 原 史 朗
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 16:00 16:15 16p-B10-9 C001764 ウェハ 裏 面 からレーザ 照 射 できるミニマルレーザ 加 熱 装 置 を 用 いたp -MOSトランジスタの 特 性 〇 佐 藤 和 重 1 1,
、 千 葉 貴 史 3 1,
、 寺 田 昌 男 3 1,
、 池 田 伸 一 2 、クンプアン ソマワン 1, 2 1, 2
、 原 史 朗 1.ミニマルファブ 技 術 研 究 組 合 , 2. 産 総 研 , 3. 坂 口 電 熱
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 16:15 16:30 16p-B10-10 C002797 プラズマCVD TEOS 膜 を 熱 拡 散 マスクに 用 いたミニマル 液 体 ドーパントプロセスによるCMOS 試 作 1,
〇 古 賀 和 博 2 1,
、 居 村 史 人 2 、クンプアン ソマワン 1, 2 1, 2
、 原 史 朗 1. 産 総 研 , 2.ミニマルファブ 技 術 研 究 組 合
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 16:30 16:45 16p-B10-11 C000431 ミニマルSOI-MOSFETにおける 実 効 キャリア 移 動 度 評 価 〇 柳 永 シュン 1 、クンプアン ソマワン 1 、 長 尾 昌 善 1 、 松 川 貴 1 1
、 原 史 朗 1. 産 総 研
13 13.4 Oral 9/16(⾦) 16:45 17:00 16p-B10-12 C002219 ミニマルファブによるハーフインチサイズパッケージの 作 製 1,
〇 居 村 史 人 2 、 井 上 道 弘 1 1,
、 猿 渡 新 水 2 、クンプアン ソマワン 1, 2 1, 2
、 原 史 朗 1. 産 総 研 , 2.ミニマルファブ
13 13.5 Oral 9/13(⽕) 13:45 14:00 13p-B13-1 C001129 等 電 子 トラップを 導 入 したTFET のばらつき 評 価
〇 森 貴 洋 1 、 右 田 真 司 1 、 福 田 浩 一 1 、 森 田 行 則 1 、 水 林 亘 1 、 柳 永 勛 1 、 大 内 真 一 1 、 更 田 裕 司 1 、 大 塚 慎 太 郎 1 、 安 田 哲 二 1 、 昌 原
明 植 1 1 1. 産 総 研
、 松 川 貴
13 13.5 Oral 9/13(⽕) 14:00 14:15 13p-B13-2 C001407 EOTスケーリング 及 び 量 子 井 戸 によるInGaAs TFETの 性 能 向 上 〇 安 大 煥
1, 2 、 竹 中 充
1, 2 、 高 木 信 一
1, 2 1. 東 大 院 工 , 2.JST CREST
13 13.5 Oral 9/13(⽕) 14:15 14:30 13p-B13-3 C003012 ゲート 電 流 ストレスによるInGaAsトンネルFETの 電 気 特 性 の 変 動 〇 尹 尚 希
1, 2 、 張 志 宇
1, 2 、 安 大 煥
1, 2 、 竹 中 充
1, 2 、 高 木 信 一
1, 2 1. 東 京 大 学 , 2.JST CREST
13 13.5 Oral 9/13(⽕) 14:30 14:45 13p-B13-4 C002800 負 性 容 量 によるトンネルFETの 性 能 向 上 負 性 容 量 によるトンネルFETの 性 能 向 上 〇 小 林 正 治 1 、 蔣 京 珉 1 、 上 山 望 1 、 平 本 俊 郎
1
1. 東 大 生 研
13 13.5 Oral 9/13(⽕) 14:45 15:00 13p-B13-5 C002736 サブ0.2Vの 高 エネルギー 効 率 動 作 に 向 けた 強 誘 電 体 HfO 2ダブルゲート 負 性 容 量 FETにおけるゲートスタックのスケーラビリティ 〇 (DC)Jang Kyungmin 1 、 更 屋 拓 哉 1 、 小 林 正 治 1 1
、 平 本 俊 郎 1. 東 大 生 研
13 13.5 Oral 9/13(⽕) 15:00 15:15 13p-B13-6 C001588 FinFET 寄 生 抵 抗 ばらつきの 解 析 :エクステンションドーピング 条 件 の 影 響 〇 松 川 貴 1 、 森 貴 洋 1 、 森 田 行 則 1 、 大 塚 慎 太 郎 1 、 柳 永 勛 1 、 大 内 真 一 1 、 更 田 裕 司 1 、 右 田 真 司 1 1
、 昌 原 明 植 1. 産 総 研
13 13.5 Oral 9/13(⽕) 15:15 15:30 休 憩 /Break
13 13.5 Oral 9/13(⽕) 15:30 15:45 13p-B13-7 C001574 奨 エネルギー 緩 和 速 度 がGeおよびSiナノワイヤの 準 バリスティック 正 孔 輸 送 能 力 に 与 える 影 響 〇 田 中 一 1 、 須 田 淳 1 1
、 木 本 恒 暢 1. 京 大 院 工
13 13.5 Oral 9/13(⽕) 15:45 16:00 13p-B13-8 C000459 奨 シリコン3 重 量 子 ドットの 等 価 回 路 シミュレーション 1,
〇 平 岡 宗 一 郎 2 1,
、 堀 部 浩 介 2 1,
、 小 寺 哲 夫 2 1, 2
、 小 田 俊 理 1. 東 工 大 未 来 研 , 2. 東 工 大 工 学 院 電 気 電 子 系
13 13.5 Oral 9/13(⽕) 16:00 16:15 13p-B13-9 C000985 7.4 GHzにおける 単 一 トラップ 電 子 ポンプの 高 精 度 動 作 〇 山 端 元 音 1 、Giblin Stephen 2 、 片 岡 真 哉 2 、 唐 沢 毅 1 、 藤 原 聡
1
1.NTT 物 性 基 礎 研 , 2.National Physical Lab.
13 13.5 Oral 9/13(⽕) 16:15 16:30 13p-B13-10 C002925 奨 p 型 シリコン2 重 量 子 ドットにおけるパウリスピンブロッケード 領 域 内 漏 れ 電 流 の 磁 場 依 存 性 〇 山 岡 裕 1 、 岩 崎 一 真 1 、 小 田 俊 理 1 、 小 寺 哲 夫
1 1. 東 工 大
13 13.5 Oral 9/13(⽕) 16:30 16:45 13p-B13-11 C002990 奨 シリコン 量 子 ドットにおける 表 面 酸 化 膜 中 電 荷 のコヒーレンス 効 果 〇 (M2) 前 川 未 知 瑠 1 、テノリオぺルル ハイメ 1 、ヘルブスレブ エルンスト 1 、 山 岡 裕 1 、 小 寺 哲 夫 1 、 小 田 俊 理
1 1. 東 工 大 未 来 研 , 工 学 院 電 気 電 子 系
13 13.5 Oral 9/13(⽕) 16:45 17:00 13p-B13-12 C001554 E
Passivation effects of 3D Array of Si-nanodisks Fabricated with Bio-template and Neutral Beam Etching Process for Photovoltaic
Application
〇 (P)MdZaman Molla 1 , Shuichi Noda 1 , Seiji Samukawa 1
1.Tohoku University
13 13.5 Oral 9/14(⽔) 9:00 9:30 14a-B13-1 I000116 招 「 優 秀 論 文 賞 受 賞 記 念 講 演 」(30 分 )
13 13.5 Oral 9/14(⽔) 9:30 10:00 14a-B13-2 I000119 招 「 優 秀 論 文 賞 受 賞 記 念 講 演 」(30 分 )
13 13.5 Oral 9/14(⽔) 10:00 10:15 14a-B13-3 I000120 E 招 [JSAP Young Scientist Award Speech] (15min.)
13 13.5 Oral 9/14(⽔) 10:15 10:30 14a-B13-4 C000239 単 一 界 面 トラップの 準 位 密 度 分 布 :”U 字 型 ” 分 布 は 定 説 か? 〇 土 屋 敏 章 1 、P. M. レナハン 2 1. 島 根 大 総 理 工 , 2.ペンシルベニア 州 立 大
13 13.5 Oral 9/14(⽔) 10:30 10:45 14a-B13-5 C001456 高 感 度 チャージポンピングEDMR 法 の 開 発 〇 堀 匡 寛 1 、 成 松 諒 一 2 、 土 屋 敏 章 3 1
、 小 野 行 徳 1. 静 大 電 研 , 2. 富 山 大 工 , 3. 島 根 大 総 理 工
13 13.5 Oral 9/14(⽔) 10:45 11:00 休 憩 /Break
13 13.5 Oral 9/14(⽔) 11:00 11:15 14a-B13-6 C002365 線 幅 2nmの 超 微 細 シリコンナノワイヤトランジスタにおけるドレイン 電 圧 に 起 因 する 特 性 ばらつき 〇 水 谷 朋 子 1 、 竹 内 潔 1 、 鈴 木 龍 太 1 、 更 屋 拓 哉 1 、 小 林 正 治 1 1
、 平 本 俊 郎 1. 東 大 生 研
13 13.5 Oral 9/14(⽔) 11:15 11:30 14a-B13-7 C000879 SRAMセルアレーTEGを 用 いた 電 源 投 入 直 後 データの 測 定 〇 竹 内 潔 1 、 水 谷 朋 子 1 、 篠 原 尋 史 2 、 更 屋 拓 哉 1 、 小 林 正 治 1 1
、 平 本 俊 郎 1. 東 大 生 研 , 2. 早 大
13 13.5 Oral 9/14(⽔) 11:30 11:45 14a-B13-8 C003099 E A New Write Stability Metric for Yield Estimation in SRAM Cells at Low Supply Voltage 〇 (D)Hao Qiu 1 , Kiyoshi Takeuchi 1 , Tomoko Mizutani 1 , Takuya Saraya 1 , Masaharu Kobayashi 1 , Toshiro Hiramoto 1 1.Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
13 13.5 Oral 9/14(⽔) 11:45 12:00 14a-B13-9 C000990 石 英 基 板 上 のInGaAs MOSHEMTの 高 周 波 特 性 〇 久 米 英 司 1 、 石 井 裕 之 2 、 服 部 浩 之 2 、Chang Wen-Hsin 2 、 小 倉 睦 郎 1 、 前 田 辰 郎
2
1.アイアールスペック, 2. 産 総 研 ナノエレ
13 13.5 Oral 9/14(⽔) 12:00 12:15 14a-B13-10 C002791 耐 放 射 線 性 を 有 するSi-MOSFETの 開 発 Ⅱ 〇 秋 山 周 哲 1 、 大 塚 正 志 1 、 相 澤 淳 1 、 石 井 邦 尚 1 、 吉 沢 勝 美 1 、 中 田 智 成 2 、 渡 辺 温 2 、 持 木 幸 一
3 1.パイオニアマイクロテクノロジー( 株 ), 2.パイオニア( 株 ), 3. 東 京 都 市 大 学
13 13.5 Poster 9/14(⽔) 13:30 15:30 14p-P6-1 C001465 奨 ナノドットアレイデバイスのためのアナログメモリ 素 子 制 御 の 検 討 〇 (D) 曹 民 圭 1 、 勝 村 玲 音 1 、 福 地 厚 1 、 有 田 正 志 1 、 高 橋 庸 夫 1 、 安 藤 秀 幸 2 、 森 江 隆
2
1. 北 大 ・ 院 情 報 , 2. 九 工 大 ・ 生 命 体 工
13 13.5 Poster 9/14(⽔) 13:30 15:30 14p-P6-2 C002284 奨 マルチゲートSi 単 電 子 トランジスタの 特 性 評 価 〇 内 田 貴 史 1 、 福 地 厚 1 、 有 田 正 志 1 、 藤 原 聡 2 、 高 橋 庸 夫
1 1. 北 大 院 情 報 , 2.NTT 物 性 基 礎 研