1 Generelt om halvledere

α beskriver den del af iE (forsynings strømmen (emitter-strømmen)), der overføres til iC (collectorstrømmen).
Man kan ved hjælp af α beregne collector-strømmen (iC) ved hjælp af følgende formel:
β
iC = −α · iE
β beskriver strømforstærkningen af iB (styrestrømmen), hvilket betyder at iC (collector-strømmen) er
givet af:
β kan også regnes på følgende måde:
iC = β · iB
β = α
1 − α
Indgangsstrømmen iB og spændingsfaldet over VBE danner tilsammen indgangen
på transistoren. Det er en pn-overgang, der er forspændt i lederetningen.
Indgangens karakteristik viser sig at ligne en diode. Der findes en sammenhæng mellem VBE og VCE,
som giver nogle udsving - herunder ses en grafisk præsentation af en typisk npn-transistor:
iB, A
0.00004
0.00003
0.00002
0.00001
VCE=0 VCE=0.1 VCE>=0.3
0.2 0.4 0.6 0.7 0.8
VBE, V
Det viser sig, at man kan beskrive base-emitter delen af transistoren vha. diodeligningen.
Udgangskarakteristikken for transistoren ses som iC/VCE-sammenhænge:
i
B
B
V BE
C
E