1 Generelt om halvledere

Strømmen gennem en diode kan findes vha. følgende formel:
i = Is(e qV
kT − 1) = Is(e
v
kT
q ) = Is(e v
VT 0 )
Hvor Is er mætningsstrømmen (spærrestrømmen) og findes i databladet for komponenten, q er elementarladningen,
T er temperaturen i Kelvin og k er Boltzmann’s konstant:
Hvis T = 300K da er:
q = 1.602 · 10 −19 C
k = 1.38 · 10 −23 m2 ˙ kg
t 2 · k
VT 0 = kT
q
= 0.026V = 26mV
Hvis Is = 10 −13 , hvilket er meget normalt for en Silicium-diode, fås følgende karakteristik:
A
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 1.75 2 V
A
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
Forspændt i lederetning vil blot virke som en sluttet kontakt
Forspændt i spærreretning vil virke som en åben kontakt.
Karakteristikken for den ideelle diode vil se således ud:
I
V
1 2 3 4 5 V