HiFi-forstærker - Websted for Morten Christophersen

Projektgruppe E3/05GR315 September - December 2005
For at beregne disse størrelser er det nødvendigt først at finde:
VGSQmin =
VGSQmax =
Ved indsættelse fås:
1 −
IDQmin
IDSSmin
Vpmin
0, 9 · 10−3 = 1 −
2 · 10−3
· (−0, 4) = −0, 13 V (3.26)
=
1 −
1 −
IDQmax
a = IDQmin − IDQmax
VGSQmin − VGSQmax
= 0, 9 · 10−3 − 1, 1 · 10 −3
−0, 13 − (−1, 29)
b = IDQmin − aVGSQmin
IDSSmax
1, 1 · 10 −3
6, 5 · 10 −3
Vpmax
· (−2, 2) = −1, 29 V (3.27)
= −172, 41 µA/V (3.28)
= 0, 9 · 10 −3 − −172, 41 · 10 −6 · (−0, 13) = 877, 59 µA (3.29)
Dernæst kan VGSQ findes:
IDQ = aVGSQ + b ⇔
VGSQ = IDQ − b
a
= 1 · 10−3 − 877, 59 · 10 −6
−172, 41 · 10 −6 = −0, 71 V (3.30)
Ud fra formel 3.19 ses, at VTH = VGS for ID = 0. Dvs. at den krævede Theveninspænding
er der hvor bias-linien skærer VGS-aksen. Denne findes ved at substituere
VGS med VTH i udtrykket for biaslinien og sætte det lig nul:
Nu kan RS bestemmes:
ID = aVTH + b = 0 ⇔
VTH = − b
a
877, 59 · 10−6
= − = 5, 09 V (3.31)
−172, 41 · 10−6 VTH = VGSQ + RSIDQ ⇔
RS = VTH − VGSQ
IDQ
= 5, 09 − (−0, 71)
1 · 10−3 = 5, 8 kΩ (3.32)
Spændingen over transistoren vælges således, at den befinder sig et godt stykke inde
i det område, hvor ID − VDS-kurven er blevet flad. Det ses i databladet [Semiconductors,
2005a] at med den givne VGSQ vil VDS = 10 V være passende. Derfor vælges
denne værdi.
Side 13