Tema1 - CENICASOL

Electronica Básica para Ingenieros
Q y la relación existente en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto de polarización de un transistor
utilizando métodos gráficos.
I D
I DSS VGS =0
I DQ
V p
V GSQ
V DSQ
Figura 1.13. Curvas características de un JFET.
–V GS
recta de carga estática
Q
V GSQ
V DS
• Región de ruptura
Una tensión alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a través de la unión de
puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensión de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta
cortocircuitada con la fuente; esta tensión se designa por BV DSS
y su valor está comprendido entra 20 y 50 V. Las
tensiones de polarización nunca deben superar estos valores para evitar que el dispositivo se deteriore.
Por último, comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las ecuaciones desarrolladas
anteriormente para el JFET son válidas para el PJFET considerando el convenio de signos indicados en la tabla
1.2.
N-JFET
V GS 0
I D >0
V p 0
V DS