Tema1 - CENICASOL

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Electronica Básica para Ingenieros PC = I BVBE + I CVCE (1.19) Debido a que generalmente la I B
Tema 1 CIRCUITOS DE POLARIZACION DE TRANSISTORES DE UNION Polarización de corriente de base VCC RB RC RE Polarización de tensión de base constante ⎧ V V I CC − BE ⎪ B = RB + ( 1 + hFE) R ⎪ E ⎨IC = hFEIB ⎪ h VCE = VCC − I ⎛ 1 C R FE C + + ⎞ ⎜ RE⎟ ⎩⎪ ⎝ hFE ⎠ Si IIh B > 1) ⎧ V V I CC − BE ⎪ B ≈ ⎨ RB + hFERE ⎩ ⎪VCE ≈ VCC − I C( RC + RE) RB VBB RE VCC RC ⎧ V V I BB − BE ⎪ B = RB + ( 1 + hFE) R ⎪ E ⎨IC = hFEIB ⎪ h VCE = VCC − I ⎛ 1 C R FE ⎜ C + + ⎞ RE⎟ ⎩⎪ ⎝ hFE ⎠ Autopolarización RB2 RB1 VCC RC RE RB VBB RE VCC RC Indénticas fórmulas al caso anterior, siendo R R RB = R R B B B1|| B = 1 2 2 RB1+ RB2 R V B BB = 1 R R V CC B1+ B2 Polarización de colector-base RB RC RE VCC ⎧ V V I CC − B = BE ⎪ RB + ( 1 + hFE) ( RC + RE) ⎪ ⎨IC = hFEIB ⎪V CE = I BRB + V ⎪ BE ⎩ El transistor nunca entra en saturación Figura 1.9. Algunos circuitos de polarización típicos con transistores bipolares. su utilización como elementos de almacenamiento. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. Desventajas que limitan la utilización de los FET: I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depósito Legal: SA-138-2001 – 9 –
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