Memorias - Facultad de IngenierÃa - Universidad Nacional de La Plata
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2<br />
II Congreso <strong>de</strong> Microelectrónica Aplicada - <strong>La</strong> <strong>Plata</strong> - 7 al 9 <strong>de</strong> Septiembre <strong>de</strong> 2011<br />
Como z0 = z04 = z05<br />
, entonces w´ 0= w´ 04= w´<br />
05 . De (12) se<br />
obtiene:<br />
8 9 6 49 4 7 2 1<br />
A − A − A − A − = 0<br />
65536k 4096k 32k k<br />
2<br />
⎛<br />
8πε0cZ0<br />
εeff<br />
e ⎞<br />
Don<strong>de</strong> k = con Z ⎜<br />
8,22<br />
0 =50Ω y ε eff =3,268 entonces<br />
e ⎟<br />
⎝ ⎠<br />
K=0,0126 y A=1,8747, por lo tanto w´0=w´04 = w´05 =2,999[mm]<br />
Realizando la misma secuencia <strong>de</strong> cálculos anterior, para cada<br />
valor <strong>de</strong> impedancia a sintetizar, se encuentran los valores <strong>de</strong><br />
w restantes, los cuales se presentan a continuación:<br />
• Z 01 =42,045Ω Α=2,4565 w´01 =3,9304[mm]<br />
• Z 02 = Z 03 = 59,46Ω Α=1,3925 w´02 =w´03 =2,228[mm]<br />
C. Cálculo <strong>de</strong> longitu<strong>de</strong>s<br />
El divisor <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> Wilkinson se diseña para una<br />
frecuencia (f) central <strong>de</strong> trabajo <strong>de</strong> 2GHz que <strong>de</strong>termina la<br />
longitud <strong>de</strong> la onda EM (Electro Magnética) en el sustrato<br />
(λ 0 ), a partir <strong>de</strong> λ <strong>de</strong>l vacío y el ε eff <strong>de</strong> cada microtira.<br />
Definiendo la longitud <strong>de</strong> cada tramo <strong>de</strong> impedancia<br />
característica Z 0x, como l 0x, se presenta a continuación el<br />
cálculo <strong>de</strong> las longitu<strong>de</strong>s <strong>de</strong> cada microtira <strong>de</strong>l divisor <strong>de</strong><br />
potencia.<br />
λ0<br />
λ c<br />
l0 = l04 = l05<br />
= = =<br />
4 4⋅<br />
ε 4f<br />
⋅ ε<br />
l = l = l = 20,74mm<br />
0 04 05<br />
De la misma manera se encuentra los <strong>de</strong>más valores <strong>de</strong><br />
longitud, obteniendo para este diseño:<br />
• l 01 =20,488[mm]<br />
• l 02 =l 03 =21[mm]<br />
eff<br />
eff<br />
VI. SIMULACIÓN DEL DIVISOR DE POTENCIA DE WILKINSON<br />
En esta sección se sintetizan con software <strong>de</strong> simulación las<br />
impedancias características que conforman el circuito<br />
esquemático eléctrico <strong>de</strong>l divisor <strong>de</strong> potencia bajo análisis.<br />
Consi<strong>de</strong>rando los anchos <strong>de</strong> cada microtira (w) y su longitud<br />
(l), ambos obtenidos en el apartado anterior, se diseña el<br />
circuito eléctrico y se realizan simulaciones para obtener los<br />
valores <strong>de</strong> los parámetros S <strong>de</strong>l divisor <strong>de</strong> potencia.<br />
A. Diagrama esquemático<br />
En Fig. 8. se pue<strong>de</strong> apreciar la primera etapa <strong>de</strong>l divisor <strong>de</strong><br />
potencia <strong>de</strong> Wilkinson, con sus impedancias características y<br />
la resistencia <strong>de</strong> aislación. Esta etapa se repite en cada rama<br />
<strong>de</strong>l divisor, es <strong>de</strong>cir: a continuación <strong>de</strong> TL5 y <strong>de</strong> TL6.<br />
TL1<br />
W=2.923mm [W0]<br />
L=20.7mm [Lo-Lstep0]<br />
TL2<br />
W=3.854mm [W1]<br />
L=21.56mm [Lo1+1.072]<br />
BN1<br />
BN2<br />
TL3<br />
W=2.151mm [W2]<br />
L=17.672mm [Lo2-Lstep2-Lt-Lc1+0.144]<br />
TE1<br />
R1<br />
R=100Ω<br />
TL4<br />
W=2.151mm [W3]<br />
L=17.672mm [Lo2-Lstep2-Lt-Lc1+0.144]<br />
TL5<br />
W=2.923mm [W4]<br />
L=20.74mm [Lo]<br />
TL6<br />
W=2.923mm [W5]<br />
L=20.74mm [Lo]<br />
Figura 8 Diagrama esquemático <strong>de</strong> divisor Wilkinson <strong>de</strong> dos salidas<br />
El software <strong>de</strong> simulación entrega a partir <strong>de</strong>l circuito<br />
esquemático los archivos necesarios para la posterior<br />
fabricación <strong>de</strong>l circuito impreso.<br />
B. Simulación <strong>de</strong> parámetros S en función <strong>de</strong> la frecuencia<br />
Con la herramienta <strong>de</strong> simulación, se realiza un barrido en<br />
frecuencia <strong>de</strong> 0GHz a 5GHz obteniendo las curvas <strong>de</strong><br />
parámetros S 11 , S 12 , S 13 , S 14 y S 15 mostradas en Fig. 9.<br />
Cabe <strong>de</strong>stacar que aunque la longitud <strong>de</strong> cada trama <strong>de</strong>l<br />
divisor <strong>de</strong> potencia es <strong>de</strong> λ/4, los valores <strong>de</strong> uno a otro difieren<br />
<strong>de</strong>bido al efecto <strong>de</strong>l medio no homogéneo (Aire/sustrato) que<br />
se rige por la constante <strong>de</strong> permitividad eléctrica relativa ε eff...<br />
D. Corrección <strong>de</strong> espesor (t)<br />
Se adopta un espesor t = 35μm equivalente a 1[oz] <strong>de</strong> cobre<br />
para la microtira y h =1,6mm para el sustrato dieléctrico, FR4.<br />
Utilizando (16) con los valores <strong>de</strong> t y h <strong>de</strong> diseño, se obtiene el<br />
wh real <strong>de</strong> cada tramo <strong>de</strong>l divisor.<br />
w' w 1,25t ⎡ ⎛2h⎞⎤<br />
w<br />
= + 1 ln 0,048<br />
h h πh ⎢ + ⎜ ⎟ = +<br />
t<br />
⎥<br />
⎣ ⎝ ⎠⎦<br />
h<br />
Para Z0 = Z04 = Z = 50 Ω<br />
05<br />
w'<br />
w<br />
= 1,8747 → = 1,8267 w0 = w04 = w05<br />
= 2,9227[ mm]<br />
h<br />
h<br />
Para Z = 42,045 Ω se obtiene w<br />
01<br />
01 =3,8536[mm]<br />
Z = Z = 59,46 Ω se obtiene w 02 =w 03 =2,1512[mm]<br />
Para<br />
02 03<br />
Figura 9 Gráfico <strong>de</strong> parámetros S<br />
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