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Memorias - Facultad de Ingeniería - Universidad Nacional de La Plata

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1<br />

2<br />

II Congreso <strong>de</strong> Microelectrónica Aplicada - <strong>La</strong> <strong>Plata</strong> - 7 al 9 <strong>de</strong> Septiembre <strong>de</strong> 2011<br />

Como z0 = z04 = z05<br />

, entonces w´ 0= w´ 04= w´<br />

05 . De (12) se<br />

obtiene:<br />

8 9 6 49 4 7 2 1<br />

A − A − A − A − = 0<br />

65536k 4096k 32k k<br />

2<br />

⎛<br />

8πε0cZ0<br />

εeff<br />

e ⎞<br />

Don<strong>de</strong> k = con Z ⎜<br />

8,22<br />

0 =50Ω y ε eff =3,268 entonces<br />

e ⎟<br />

⎝ ⎠<br />

K=0,0126 y A=1,8747, por lo tanto w´0=w´04 = w´05 =2,999[mm]<br />

Realizando la misma secuencia <strong>de</strong> cálculos anterior, para cada<br />

valor <strong>de</strong> impedancia a sintetizar, se encuentran los valores <strong>de</strong><br />

w restantes, los cuales se presentan a continuación:<br />

• Z 01 =42,045Ω Α=2,4565 w´01 =3,9304[mm]<br />

• Z 02 = Z 03 = 59,46Ω Α=1,3925 w´02 =w´03 =2,228[mm]<br />

C. Cálculo <strong>de</strong> longitu<strong>de</strong>s<br />

El divisor <strong>de</strong> potencia <strong>de</strong> Wilkinson se diseña para una<br />

frecuencia (f) central <strong>de</strong> trabajo <strong>de</strong> 2GHz que <strong>de</strong>termina la<br />

longitud <strong>de</strong> la onda EM (Electro Magnética) en el sustrato<br />

(λ 0 ), a partir <strong>de</strong> λ <strong>de</strong>l vacío y el ε eff <strong>de</strong> cada microtira.<br />

Definiendo la longitud <strong>de</strong> cada tramo <strong>de</strong> impedancia<br />

característica Z 0x, como l 0x, se presenta a continuación el<br />

cálculo <strong>de</strong> las longitu<strong>de</strong>s <strong>de</strong> cada microtira <strong>de</strong>l divisor <strong>de</strong><br />

potencia.<br />

λ0<br />

λ c<br />

l0 = l04 = l05<br />

= = =<br />

4 4⋅<br />

ε 4f<br />

⋅ ε<br />

l = l = l = 20,74mm<br />

0 04 05<br />

De la misma manera se encuentra los <strong>de</strong>más valores <strong>de</strong><br />

longitud, obteniendo para este diseño:<br />

• l 01 =20,488[mm]<br />

• l 02 =l 03 =21[mm]<br />

eff<br />

eff<br />

VI. SIMULACIÓN DEL DIVISOR DE POTENCIA DE WILKINSON<br />

En esta sección se sintetizan con software <strong>de</strong> simulación las<br />

impedancias características que conforman el circuito<br />

esquemático eléctrico <strong>de</strong>l divisor <strong>de</strong> potencia bajo análisis.<br />

Consi<strong>de</strong>rando los anchos <strong>de</strong> cada microtira (w) y su longitud<br />

(l), ambos obtenidos en el apartado anterior, se diseña el<br />

circuito eléctrico y se realizan simulaciones para obtener los<br />

valores <strong>de</strong> los parámetros S <strong>de</strong>l divisor <strong>de</strong> potencia.<br />

A. Diagrama esquemático<br />

En Fig. 8. se pue<strong>de</strong> apreciar la primera etapa <strong>de</strong>l divisor <strong>de</strong><br />

potencia <strong>de</strong> Wilkinson, con sus impedancias características y<br />

la resistencia <strong>de</strong> aislación. Esta etapa se repite en cada rama<br />

<strong>de</strong>l divisor, es <strong>de</strong>cir: a continuación <strong>de</strong> TL5 y <strong>de</strong> TL6.<br />

TL1<br />

W=2.923mm [W0]<br />

L=20.7mm [Lo-Lstep0]<br />

TL2<br />

W=3.854mm [W1]<br />

L=21.56mm [Lo1+1.072]<br />

BN1<br />

BN2<br />

TL3<br />

W=2.151mm [W2]<br />

L=17.672mm [Lo2-Lstep2-Lt-Lc1+0.144]<br />

TE1<br />

R1<br />

R=100Ω<br />

TL4<br />

W=2.151mm [W3]<br />

L=17.672mm [Lo2-Lstep2-Lt-Lc1+0.144]<br />

TL5<br />

W=2.923mm [W4]<br />

L=20.74mm [Lo]<br />

TL6<br />

W=2.923mm [W5]<br />

L=20.74mm [Lo]<br />

Figura 8 Diagrama esquemático <strong>de</strong> divisor Wilkinson <strong>de</strong> dos salidas<br />

El software <strong>de</strong> simulación entrega a partir <strong>de</strong>l circuito<br />

esquemático los archivos necesarios para la posterior<br />

fabricación <strong>de</strong>l circuito impreso.<br />

B. Simulación <strong>de</strong> parámetros S en función <strong>de</strong> la frecuencia<br />

Con la herramienta <strong>de</strong> simulación, se realiza un barrido en<br />

frecuencia <strong>de</strong> 0GHz a 5GHz obteniendo las curvas <strong>de</strong><br />

parámetros S 11 , S 12 , S 13 , S 14 y S 15 mostradas en Fig. 9.<br />

Cabe <strong>de</strong>stacar que aunque la longitud <strong>de</strong> cada trama <strong>de</strong>l<br />

divisor <strong>de</strong> potencia es <strong>de</strong> λ/4, los valores <strong>de</strong> uno a otro difieren<br />

<strong>de</strong>bido al efecto <strong>de</strong>l medio no homogéneo (Aire/sustrato) que<br />

se rige por la constante <strong>de</strong> permitividad eléctrica relativa ε eff...<br />

D. Corrección <strong>de</strong> espesor (t)<br />

Se adopta un espesor t = 35μm equivalente a 1[oz] <strong>de</strong> cobre<br />

para la microtira y h =1,6mm para el sustrato dieléctrico, FR4.<br />

Utilizando (16) con los valores <strong>de</strong> t y h <strong>de</strong> diseño, se obtiene el<br />

wh real <strong>de</strong> cada tramo <strong>de</strong>l divisor.<br />

w' w 1,25t ⎡ ⎛2h⎞⎤<br />

w<br />

= + 1 ln 0,048<br />

h h πh ⎢ + ⎜ ⎟ = +<br />

t<br />

⎥<br />

⎣ ⎝ ⎠⎦<br />

h<br />

Para Z0 = Z04 = Z = 50 Ω<br />

05<br />

w'<br />

w<br />

= 1,8747 → = 1,8267 w0 = w04 = w05<br />

= 2,9227[ mm]<br />

h<br />

h<br />

Para Z = 42,045 Ω se obtiene w<br />

01<br />

01 =3,8536[mm]<br />

Z = Z = 59,46 Ω se obtiene w 02 =w 03 =2,1512[mm]<br />

Para<br />

02 03<br />

Figura 9 Gráfico <strong>de</strong> parámetros S<br />

28

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