12.07.2015 Views

DUAL BEAM (MEB + FIB) CARACTERISTIQUES PRINCIPALES ...

DUAL BEAM (MEB + FIB) CARACTERISTIQUES PRINCIPALES ...

DUAL BEAM (MEB + FIB) CARACTERISTIQUES PRINCIPALES ...

SHOW MORE
SHOW LESS
  • No tags were found...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

<strong>DUAL</strong> <strong>BEAM</strong> (<strong>MEB</strong> + <strong>FIB</strong>)L’Hélios 600i permet de réaliser de la Microscopie Electronique à Balayage (<strong>MEB</strong>) ainsi que de la microscopie ionique(<strong>FIB</strong>). Combinant ces deux aspects, il est possible de faire de l’observation électronique ou ionique mais également de lagravure ou des dépôts de couche localisés (Platine, Palladium et SiO2) à l’aide d’injecteurs spécifiques.<strong>CARACTERISTIQUES</strong> <strong>PRINCIPALES</strong>Deux colonnes: électronique (FEG) et ionique (LMIS : Ga+)Échantillons : jusqu'à 6 "Détecteurs : électrons secondaires, électronsrétrodiffusés, ICE, STEM et analyse X (EDX)Dépôts : Platine, Palladium et SiO2Tension d’accélération de ~0.5kV à 30kVCourant : 1 à 65000pA (ionique) et


<strong>DUAL</strong> <strong>BEAM</strong> (SEM + <strong>FIB</strong>)Helios 600i allows Scanning Electronic Microscopy (SEM) and Focused Ion Beam (<strong>FIB</strong>). It is possible to observe, but alsoto etch or to depose very precisely on our sample using gas specific injector.PRINCIPAL FEATURESField Emission Gun and Liquid Metal Ions Source (Ga+)Size of the wafer ≤ 6 "Detectors : secondary electron, Back scattering electron,ICE, STEM and X analysis (EDX)Deposit : Platinum, Palladium and SiO2Acceleration Voltage ~0.5kV à 30kVCurrent: 1 à 65000pA (ion) et

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!