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caracterisation de la resistance thermique de contact entre ... - iusti

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12èmes Journées Internationales <strong>de</strong> Thermique------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------CARACTERISATION DE LA RESISTANCE THERMIQUE DE CONTACT ENTREINCLUSION ET MATRICE DANS LES COMPOSITES A MATRICE METALLIQUEEric CHAPELLE, Bertrand GARNIER, Erich NEUBAUER*, Brahim BOUROUGALaboratoire <strong>de</strong> Thermocinétique UMR CNRS 6607 Ecole Polytechnique <strong>de</strong> l’Université <strong>de</strong> Nantes BP50609 44306Nantes ce<strong>de</strong>x 03 France*ARC Seibersdorf Research, Dept for Materials and Production Technology, Seibersdorf A2444, AustriaINTRODUCTIONDe part leur conductivité <strong>thermique</strong> les matériauxmétalliques sont d’excellents puits <strong>thermique</strong>s pourl’évacuation <strong>de</strong> <strong>la</strong> chaleur dissipée dans les composantsélectroniques. Cependant leurs coefficients <strong>de</strong> di<strong>la</strong>tationsont <strong>de</strong>ux à trois fois supérieurs à celui <strong>de</strong>s céramiques ou<strong>de</strong>s semi-conducteurs utilisés dans l’électronique, ce quiinduit <strong>de</strong>s déformations au sein <strong>de</strong>s assemb<strong>la</strong>ges. Enajoutant <strong>de</strong>s particules notamment <strong>de</strong> carbone, <strong>de</strong> carbure<strong>de</strong> silicium ou <strong>de</strong> diamant dans <strong>la</strong> matrice métallique, onpeut obtenir un composite avec un coefficient <strong>de</strong>di<strong>la</strong>tation 3 à 4 fois plus faible que celui du métal avec enoutre une <strong>de</strong>nsité moindre (Zweben 2005). Cependant,l’un <strong>de</strong>s inconvénients <strong>de</strong> <strong>la</strong> présence <strong>de</strong> particules estl’obtention d’une conductivité <strong>thermique</strong> du compositegénéralement inférieure à celle <strong>de</strong> <strong>la</strong> matrice (Zweben2005). Cet effet est dû à <strong>la</strong> présence d’une résistance<strong>thermique</strong> <strong>de</strong> <strong>contact</strong> <strong>entre</strong> inclusion et matrice dontl’origine peut être <strong>la</strong> présence d’impuretés à l’interface,l’absence <strong>de</strong> réactivité <strong>entre</strong> constituants…Dans le travail présenté ici, il s’agit <strong>de</strong> caractériser <strong>la</strong>résistance <strong>thermique</strong> <strong>de</strong> <strong>contact</strong> (RTC) <strong>entre</strong> inclusion etmatrice pour un composite <strong>de</strong> type cuivre/carbone.L’objectif à terme est d’étudier l’effet <strong>de</strong> <strong>la</strong> taille <strong>de</strong>sparticules et <strong>de</strong> <strong>la</strong> présence d’une couche intermédiaire(molybdène, chrome…) sur <strong>la</strong> valeur <strong>de</strong> <strong>la</strong> RTCinclusion/matrice.ETAT DE L’ART SUR LES METHODES DEMESURE DE RTC INCLUSION/MATRICELes valeurs <strong>de</strong> RTC inclusion/matrice sont généralementdéduites indirectement <strong>de</strong> <strong>la</strong> mesure <strong>de</strong> <strong>la</strong> conductivité<strong>thermique</strong> effective <strong>de</strong>s composites (Jiajun 2004).Cependant, ceci présuppose que <strong>la</strong> distribution <strong>de</strong>sinclusions correspon<strong>de</strong> à <strong>de</strong>s situations particulières pourlesquelles il existe <strong>de</strong>s modèles <strong>de</strong> prédiction <strong>de</strong> <strong>la</strong>conductivité <strong>thermique</strong> effective (inclusions suffisammentespacées, régulièrement distribuées …).microson<strong>de</strong> permettent en principe <strong>de</strong> s’affranchir <strong>de</strong> <strong>la</strong>RTC son<strong>de</strong>/matériau mais pour l’instant les résultatsobtenus en pratique sont encore trop imprécis (NakabeppuO. 2005). La technique <strong>de</strong> mesure par photoreflexion (i.e.sans <strong>contact</strong>) est une autre voie possible pour les mesures<strong>de</strong> RTC inclusion/matrice ; cependant un dépôt -généralement d’or - est nécessaire pour assurer uneréflexion suffisante du faisceau son<strong>de</strong>, ce qui peutintroduire un biais compte tenu <strong>de</strong> <strong>la</strong> présence <strong>de</strong> cetterésistance <strong>thermique</strong> supplémentaire.PRINCIPE DE MESUREAfin <strong>de</strong> réaliser <strong>la</strong> mesure <strong>de</strong> RTC <strong>entre</strong> inclusion etmatrice, un faisceau <strong>la</strong>ser Argon modulé est focalisé sur<strong>la</strong> surface d’une inclusion. La détection <strong>de</strong> températuresur <strong>la</strong> surface <strong>de</strong> <strong>la</strong> matrice est réalisée par effetthermoélectrique résultant du <strong>contact</strong> <strong>entre</strong> <strong>la</strong> matrice encuivre et un fil <strong>de</strong> nickel <strong>de</strong> faible diamètre (25µm) –Fig.1.- La technique <strong>de</strong> mesure <strong>de</strong> température estsimi<strong>la</strong>ire à celle développée par Borca-Tasciuc (1998)pour <strong>la</strong> caractérisation <strong>de</strong>s couches minces; elle est <strong>de</strong>type semi intrinsèque assurant ainsi une RTC son<strong>de</strong>matériau bien plus faible que dans le cas <strong>de</strong>s autresdispositifs à pointe ou à fil tangent rencontrés enmicroscopie <strong>thermique</strong>.2LMicroson<strong>de</strong><strong>thermique</strong>(nickel φ=20µm)R ?Figure 1 : Principe du dispositif <strong>de</strong> mesureMODELISATION2r 0EFaisceau <strong>la</strong>sermoduléInclusion (1) Matrice (2)rLes techniques <strong>de</strong> mesure à micro-échelle constitue une Afin d’obtenir <strong>la</strong> RTC inclusion /matrice à partir <strong>de</strong>salternative à cette métho<strong>de</strong> et ont l’avantage <strong>de</strong> mesures <strong>de</strong> déphasage <strong>de</strong> température, il est indispensablefonctionner indépendamment <strong>de</strong> <strong>la</strong> manière dont sont <strong>de</strong> disposer d’un modèle décrivant les transfertsdistribuées les inclusions. Le développement et l’insertion <strong>thermique</strong>s dans le volume <strong>de</strong> mesure illustré sur <strong>la</strong> figure<strong>de</strong> micro-capteurs <strong>de</strong> température sur les microson<strong>de</strong>s 1. Il s’agit d’étudier les transferts <strong>thermique</strong>s dans 2<strong>de</strong>s microscopes à force atomique a permis <strong>de</strong> réaliser <strong>de</strong>s milieux en <strong>contact</strong> imparfait et en régime périodiquecartographies <strong>de</strong> conductivité <strong>thermique</strong> avec <strong>de</strong>s établi. On a considéré les <strong>de</strong>ux hypothèsesrésolutions spatiales submicroniques mais les valeurs simplificatrices suivantes :obtenues restent très qualitatives en raison notamment du - <strong>la</strong> zone <strong>de</strong> chauffage par faisceau <strong>la</strong>ser est ponctuellebiais introduit par <strong>la</strong> présence <strong>de</strong> résistance <strong>thermique</strong> <strong>de</strong> - les transferts <strong>de</strong> chaleur à <strong>la</strong> surface <strong>de</strong> l’échantillon<strong>contact</strong> son<strong>de</strong>/matériau difficile à caractériser. Des sont négligeables (condition adiabatique)progrès récents en intégrant un contre chauffage dans <strong>la</strong> Pour <strong>la</strong> première hypothèse, on a montré dans un travailprécé<strong>de</strong>nt (Dupuis 2000) qu’à partir d’une certaineTanger, Maroc du 15 au 17 Novembre 2005 175


12èmes Journées Internationales <strong>de</strong> Thermique------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------distance (typiquement 3 à 4 fois le rayon du spot <strong>la</strong>ser) les0.15δ∗ =1000champs <strong>de</strong> température n’était plus sensible au type <strong>de</strong>distribution du flux <strong>de</strong> chaleur au niveau du spot <strong>la</strong>ser0.10qu’il soit gaussien, uniforme ou ponctuel.La justification <strong>de</strong> <strong>la</strong> secon<strong>de</strong> hypothèse est l’objet <strong>de</strong> <strong>la</strong>section suivante.Effet <strong>de</strong> <strong>la</strong> prise en compte <strong>de</strong>s transferts <strong>de</strong> chaleur à<strong>la</strong> surface <strong>de</strong> l’échantillonIl s’agit <strong>de</strong> comparer les déphasages <strong>de</strong> températures <strong>entre</strong>le cas où <strong>la</strong> condition à <strong>la</strong> limite est adiabatique (h=0) etcelui où elle est <strong>de</strong> troisième espèce (h≠0). Pour cetteétu<strong>de</strong>, on a considéré un seul milieu, l’étu<strong>de</strong> paramétriqueprenant en compte une <strong>la</strong>rge gamme <strong>de</strong> propriétés<strong>thermique</strong>s possibles (figure2).2r 0 hzFigure 2 : Modèle physique 2D axisymétriqueEn utilisant <strong>la</strong> transformée <strong>de</strong> Hankel et en régimepériodique établi, on a pu obtenir l’expression suivantepour <strong>la</strong> température complexe à <strong>la</strong> surface <strong>de</strong> l’échantillon(z=0) considéré comme un milieu semi-infini:∞−1J0( r*)J1( )(A B iC) d0 0Qθ = β β + + βπλr∫(1)avec :12 2 4 4 22A = β + ( β + 4 δ* − ) ; B = hr0/ λ et12 2 4 4 22C =− β + ( β + 4 δ* − )où J 0 et J 1 sont <strong>de</strong>s fonctions <strong>de</strong> Bessel, Q le flux <strong>de</strong>chaleur inci<strong>de</strong>nt, r* le rayon sans dimension (r*=r/r 0 ), δ*<strong>la</strong> longueur <strong>de</strong> diffusion sans dimension( δ* δ / r0 a /( π f ) r0= = ), f <strong>la</strong> fréquence, λ et arespectivement <strong>la</strong> conductivité et <strong>la</strong> diffusivité<strong>thermique</strong>s.La figure 3 présente le déphasage <strong>de</strong> températureψ=arg(θ) en fonction <strong>de</strong> δ* et r* pour une conditionadiabatique en z=0.ψ, <strong>de</strong>g0-50-100rδ∗ =1000δ∗ =1000.000 10 20 30 40r*Figure 4: Ecart <strong>de</strong> déphasage <strong>de</strong> température <strong>entre</strong> lecas B=0 (i.e. h=0) et le cas B=10 -4 (i.e. h≠0)-150δ 2 = ( a2/ π f )δ∗ =10où R est <strong>la</strong> RTC inclusion/matrice et L le rayon <strong>de</strong>-200l’inclusion.0 10 20 30 40r*Dans les calculs, on a considéré les conductivités etFigure 3: Déphasage <strong>de</strong> température pour h=0 diffusivités <strong>thermique</strong>s respectivement égales à 6,3 W.m -1 K -1 et 6,2 10 -6 m 2 s -1 pour le carbone (vitreux-Sigradur G)puis 401 W.m -1 K -1 et 1,2 10 -4 m 2 s -1 pour le cuivre.La figure 5 illustre les déphasages <strong>de</strong> température calculésdans les 2 matériaux. Le déphasage varie linéairementavec <strong>la</strong> distance dans <strong>la</strong> matrice (milieu semi infini) etTanger, Maroc du 15 au 17 Novembre 2005 176∆ψ, <strong>de</strong>g0.05δ∗ =100δ∗ =10Pour l’étu<strong>de</strong> paramétrique, on a choisi r 0 =10µm et lesvaleurs <strong>de</strong> δ*et B ont été considérées <strong>de</strong> manière à ba<strong>la</strong>yerune <strong>la</strong>rge gamme <strong>de</strong> valeurs <strong>de</strong>s paramètres physiques f,a et h (0.1< f/(Hz)


12èmes Journées Internationales <strong>de</strong> Thermique------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------d’une manière plus complexe dans l’inclusion. Les ψ m,i -ψ z,i /<strong>de</strong>g -0,71 -1,73 -2,99 -9,01 -14,11déphasages augmentent fortement avec <strong>la</strong> fréquence ou <strong>la</strong> R i /10 -5 m 2 KW -1 23,1 11,0 11,4 7,83 6,23valeur <strong>de</strong> <strong>la</strong> RTC inclusion/matrice.ψ c,i /<strong>de</strong>g * -0,54 -1,52 -2,48 -8,64 -15,4*: valeurs calculées avec <strong>la</strong> même valeur <strong>de</strong> R pour toutes les00.1 Hzfréquences (R=6,6 10 -5 m 2 K/W)ψ, <strong>de</strong>g-5-10-15-20-25R=10 -7 m 2 K/WR=10 -4 m 2 K/W1 Hz10 Hz-300 100 200 300 400r , µmFigure 5 : Déphasage <strong>de</strong> température en fonction <strong>de</strong><strong>la</strong> distance (rayon <strong>de</strong> l’inclusion L=150µm)PREMIERS RESULTATS EXPERIMENTAUXOn présente ici les résultats issus <strong>de</strong> <strong>la</strong> phase <strong>de</strong> mise aupoint du dispositif. Ils ont été obtenus en focalisant lefaisceau <strong>la</strong>ser inci<strong>de</strong>nt (Argon 4W) au c<strong>entre</strong> d’uneinclusion <strong>de</strong> carbone <strong>de</strong> rayon 125µm et en p<strong>la</strong>çant le fil<strong>de</strong> nickel en <strong>contact</strong> avec <strong>la</strong> matrice à une distance <strong>de</strong>146µm par rapport au c<strong>entre</strong> <strong>de</strong> l’inclusion. Unoscilloscope Tektronix TDS équipé d’une son<strong>de</strong>différentielle ADA400A a permis <strong>de</strong> mesurer <strong>la</strong> tension<strong>de</strong> comman<strong>de</strong> V c du modu<strong>la</strong>teur acousto-optique et <strong>la</strong>tension V m du thermocouple cuivre/nickel (figure 6). A0.1Hz, l’amplitu<strong>de</strong> <strong>de</strong>s oscil<strong>la</strong>tions V m est très faible (<strong>de</strong>l’ordre <strong>de</strong> 1 µV) correspondant à une élévation <strong>de</strong>température d’environ 0.1°C. Le déphasage <strong>de</strong>température est analysé à partir <strong>de</strong>s évolutions <strong>de</strong> V m etV c .2.04chaque fréquence à partir <strong>de</strong>s déphasages <strong>de</strong> températureψ m,I -ψ z,i .La valeur finale <strong>de</strong> R a été obtenue en pondérant lesvaleurs R i par le carré <strong>de</strong> <strong>la</strong> fréquence f i . permettant ainsi<strong>de</strong> donner un poids moins important aux mesures à faiblesfréquences. Ce<strong>la</strong> se justifie d’une part par le fait que lesmesures à faibles fréquences sont moins précises (ledéphasage étant bien plus faible) et d’autre part en raison<strong>de</strong> biais plus important dû à <strong>la</strong> présence d’inclusions dansle volume <strong>de</strong> mesure, <strong>la</strong> longueur <strong>de</strong> diffusion étant plusimportante à faible fréquence. Finalement <strong>la</strong> valeur <strong>de</strong>RTC inclusion/matrice obtenue est :52f RR =∑i=15∑i=1if2ii=6,6 10 -5 m 2 K/WDans le tableau 5 , <strong>la</strong> gran<strong>de</strong>ur ψ c,i représente ledéphasage calculé avec <strong>la</strong> valeur finale <strong>de</strong> R. Les écarts<strong>entre</strong> déphasages calculés ψ c,i et mesurés ψ m,i -ψ z,i sontinférieurs à 1,3 <strong>de</strong>g.BIAIS INTRODUIT PAR LA PROXIMITE DESAUTRES PARTICULES –EFFET DE LAFREQUENCEVc (V)1.51.00.5321Vm (µ V)300 µm0.00-5 0 5 10 15 20t (s)Figure 6 : Evolution <strong>de</strong>s tensions V c et V m à 0.1 HzLe tableau 1 présente les mesures <strong>de</strong> déphasage ψ m,iréalisées pour 5 fréquences. En valeur absolue, ledéphasage croit avec <strong>la</strong> fréquence. Par <strong>la</strong> suite, on asoustrait à ψ m,i les valeurs ψ z,i <strong>de</strong> déphasages initiauxobtenus en focalisant le faisceau <strong>la</strong>ser sur <strong>la</strong> jonction duthermocouple, l’échantillon étant une pièce en cuivre. Lesdéphasages ψ z,i proviennent du dispositif <strong>de</strong> mesure <strong>de</strong>tension ou <strong>de</strong> comman<strong>de</strong> du faisceau <strong>la</strong>ser. Finalement, lemodèle décrit précé<strong>de</strong>mment (équations 5 et 6) a permis<strong>de</strong> calculer <strong>la</strong> valeur R i <strong>de</strong> <strong>la</strong> résistance <strong>de</strong> <strong>contact</strong> pourTableau 1 : Déphasages <strong>de</strong> température mesurés etvaleurs calculées <strong>de</strong> <strong>la</strong> RTC inclusion/matricef i /hz 0,1 0,5 1 5 10ψ m,i /<strong>de</strong>g -3,74 -8,54 -12,12 -41,53 -67,32ψ z,i /<strong>de</strong>g -3,03 -6,81 -9,13 -32,52 -53,21Figure 7: Composite cuivre/particules sphériques<strong>de</strong> carbone vitreux (Sigradur G)Comme le montre <strong>la</strong> figure 7, les particules <strong>de</strong>carbone sont re<strong>la</strong>tivement proches les unes <strong>de</strong>s autres.Or, le modèle développé pour obtenir <strong>la</strong> RTC est àparticule unique. Afin d’étudier l’effet <strong>de</strong> <strong>la</strong> proximitéd’autres particules sur <strong>la</strong> mesure <strong>de</strong> RTCinclusion/matrice, <strong>de</strong>ux modèles multicouches, l’un avecinclusion unique (I- figure 8) et l’autre avec <strong>de</strong>uxinclusions (II- figure 8), ont été comparé. Une mêmevaleur <strong>de</strong> RTC a été considérée pour toutes les interfacescuivre-carbone. En x=0, un flux <strong>de</strong> chaleur est imposé eten x=∞ le milieu (cuivre) est semi infini. Les déphasages<strong>de</strong> température ont été calculés en utilisant <strong>la</strong> technique<strong>de</strong>s quadripôles (Maillet 2000).Tanger, Maroc du 15 au 17 Novembre 2005 177


12èmes Journées Internationales <strong>de</strong> Thermique------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------0 1 2 3f,Hz 1 10 100 1000RTCD, µm500 -662,2 -470,3 -585,8 32,6carbonecuivre1000 -978,5 -269,2 2,5 -0,11500 -1080,5 -86,1 8,3 -0,3E(I)2000 -1082,4 -33,8 -0,7 -0,33000 -941,8 0,5 -0,3 -0,3carboneFigure 8 : Modèles à une (I) et à <strong>de</strong>ux inclusions (II)(II)La figure 9 montre l’effet <strong>de</strong> l’écartement D <strong>entre</strong> 2couches <strong>de</strong> carbone sur le déphasage <strong>de</strong> température enx=L+E lorsque <strong>la</strong> fréquence est <strong>de</strong> 1 Hz. Les valeurs <strong>de</strong> Let E sont celles obtenues lors <strong>de</strong>s mesures présentéesprécé<strong>de</strong>mment. Lorsque D augmente, les déphasagescalculés avec les modèles I et II convergent vers <strong>la</strong> mêmevaleur d’une manière non monotone.-50(I)-60ψ, <strong>de</strong>g0 L L+Ex0 1 2 3 4 5 6 7RTCcuivreE0 L L+E L+D 2L+D x-70-80Dcarbone(II)cuivre-900 5 10 15 20D, mmFigure 9 : Déphasage <strong>de</strong> température en x=L+E enfonction <strong>de</strong> l’écartement D <strong>entre</strong> les couches <strong>de</strong> carbone(R=10 -4 m 2 K/W, L=125µm, E=21µm)Afin <strong>de</strong> chiffrer les erreurs induites sur <strong>la</strong> mesure <strong>de</strong>RTC inclusion/matrice par <strong>la</strong> présence d’une particulevoisine, le modèle II a été utilisé pour calculer lesdéphasages <strong>de</strong> température en x=L+E en fonction <strong>de</strong>l’écartement D et <strong>de</strong> <strong>la</strong> fréquence f, R étant <strong>la</strong> RTCinclusion/matrice. A l’ai<strong>de</strong> <strong>de</strong> ces déphasages et dumodèle I, on a calculé <strong>la</strong> valeur biaisée R I <strong>de</strong> <strong>la</strong> RTC. Letableau 2 présente l’erreur re<strong>la</strong>tive <strong>de</strong> RTC inclusion/matrice définie par ε R =(R-R I )/R . Les erreurs sont trèsimportantes. Ceci est dû aux choix <strong>de</strong>s modèles I et II quimaximisent les erreurs, les particules étant assimilées à<strong>de</strong>s couches p<strong>la</strong>nes alors qu’elles sont en réalité <strong>de</strong>sparticules sphériques. La configuration p<strong>la</strong>ne occulteTableau 2: Erreur ε R (en %)sur <strong>la</strong> mesure <strong>de</strong> RTCinclusion-matrice (R=10 -4 m 2 K/W, L=125µm, E=21µm)l’effet <strong>de</strong> macroconstriction dû a <strong>la</strong> géométrie sphérique etqui peut avoir un rôle significatif <strong>de</strong>vant <strong>la</strong> résistance <strong>de</strong>paroi s’interposant <strong>entre</strong> <strong>de</strong>ux particules. Néanmoins, cespremiers travaux montrent <strong>la</strong> nécessité d’effectuer dansle futur <strong>de</strong>s mesures avec <strong>de</strong>s fréquences d’un ou <strong>de</strong>uxordres <strong>de</strong> gran<strong>de</strong>ur supérieurs (i.e. à 100 et 1000 Hz) etd’autre part <strong>de</strong> développer un modèle d’erreur plus adaptéau cas traité (inclusions sphériques) afin <strong>de</strong> mieux chiffrerles biais sur les mesures réalisées.CONCLUSIONA l’ai<strong>de</strong> <strong>de</strong> mesures <strong>de</strong> température par un thermocouplesemi-intrinsèque et d’un modèle <strong>thermique</strong> adapté, unpremier résultat <strong>de</strong> RTC <strong>entre</strong> particule et matrice a puêtre obtenu au sein d’un composite à matrice métallique.Il a été montré également que <strong>la</strong> présence d’autresparticules dans le volume <strong>de</strong> mesure peut engendrer <strong>de</strong>serreurs importantes sur cette mesure <strong>de</strong> RTC.RÉFÉRENCES BIBLIOGRAPHIQUESBORCA-TASCIUC T., CHEN G., « Thin-filmthermophysical property characterization by scanning<strong>la</strong>ser thermoelectric microscope ». International Journalof Thermophysics, Vol. 9(2), 557-567 (1998).DUPUIS T., LARZABAL C., GARNIER B., LAHMARA., BARDON J. P., DANES F., «Thermal <strong>contact</strong><strong>resistance</strong> between filler and matrix in thermop<strong>la</strong>sticcomposite measured by thermal microscopy». 3 rdEuropean Thermal Science Conference, Hei<strong>de</strong>lberg,Allemagne, sept. 10 th , pp.133-138, publ. ETS, Pise (2000).JIAJUN W., XIAO-SU Y., « Effects of interfacial thermalbarrier <strong>resistance</strong> and particle shape and size on thethermal conductivity of AIN/PI composites». CompositesSciences and Technology, Vol. 64 1623-1628 (2004).MAILLET D., ANDRE S., BATSALE J.C.,DEGIOVANNI A., MOYNE C., « Thermal quadrupoles».Wiley. Chichester (2000).NAKABEPPU O., TOKITA K., MIYATA Y., KANDA T.,« Scanning thermal microscopy for quantitative thermalmeasurements». 6 th World Conference on ExperimentalHeat Transfer, Fluid mechanics and Thermodynamics,Matsushima, Miyagi, Japan, April 17-21, 2005ZWEBEN C., «”Revolutionary” new thermalmanagement materials ». Electronics Cooling, Vol.11(2),36-37 (2005).Tanger, Maroc du 15 au 17 Novembre 2005 178

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