teknik otomasi industri smk jilid 1

More documents

Recommendations

Info

223 V Mosfet dapat dipergunakan sebagai penguat atau sebagai saklar pada daerah dengan daya kecil. Tahanan masukan RGS terdapat pada lapisan isolasi sebesar 10 12 Ω. Dengan demikian sangat dimungkinkan V Mosfet menghasilkan penguatan tegangan yang besar. SIP Mosfet Nama SIP Mosfet singkatan dari Siemen Power Mosfet. Disini juga dikenal Mosfet dengan daya tinggi. Pada gambar dibawah ini diperlihatkan sebuah simbol dan susunan lapisan sebuah.SIP Mosfet. Gambar 2.172 Struktur Bahan SIP Mosfet Susunan lapisan SIP Mosfet dibuat dalam lapisan horizontal . pada ohm yang rendah kristal N + didapakan sebuah lapisan N. Pada permukaan atas lapisan N + disusun Source didalam lapisan P. Sebuah isolasi Quarz ( Kristal ) dibangun elektrode gate diantara permukaan atas Source. Dengan demikian terdapat sebuah lapisan SIP Mosfet dari banyak elemen MOS yang dirangkaiakan secara paralel sehingga kerugian daya yang tinggi dapat ditiadakan. Pada SIP Mosfet terdapat lapisan FET , untuk mengendalikan karakteristik outputnya . Contoh untuk BUZ 23.
224 Gambar 2.173 Karakteristik Transkonduktansi BUZ 23 Gambar 2.174 Karakteristik Outputnya BUZ 23 SIP Mosfet mempunyai masukan yang tinggi , tetapi penstransformasian tahanan didalam pengendalian yang besar hanya bervariasi dari mili ohm sampai ohm. ( waktu hubung ) didalam pengaturan yang besar dalam beberapa nano detik ( ns ) dan tidak ada dua buah penstransferan seperti transistor bipolar , karena transformasi tahanan kanal mempunyai harga temperatur positif.
Page 2 and 3:
Agus Putranto dkk TEKNIK OTOMASI IN
Page 4:
KATA SAMBUTAN Puji syukur kami panj
Page 8 and 9:
DAFTAR ISI KATA SAMBUTAN iii KATA P
Page 10 and 11:
BAB I. PENDAHULUAN 1.1 Pengantar Ot
Page 12 and 13:
Gambar 1.2. Penggunaan robot dalam
Page 14 and 15:
menggantikan posisi-posisi pekerja
Page 16 and 17:
I/O INTERFACE MAIN CONTROL ROOM PRO
Page 18:
analog didasarkan pada perubahan ya
Page 21 and 22:
12 2.1.1.4. DAFTAR AWALAN SATUAN Ta
Page 23 and 24:
14 2.1.1.8. SATUAN-SATUAN DALAM TEK
Page 25 and 26:
16 2.1.2. STRUKTUR BAHAN 2.1.2.1. A
Page 27 and 28:
18 2.1.2.4. PENGHANTAR ARUS DALAM Z
Page 29 and 30:
20 Tabel 2.7 Perbedaan Cairan Elekt
Page 31 and 32:
22 2.1.3. SUMBER LISTRIK 2.1.3.1. T
Page 33 and 34:
24 diam, tegangan akan menunjukkan
Page 35 and 36:
26 2.1.4. PEMBANGKIT TEGANGAN 2.1.4
Page 37 and 38:
28 2.1.5. RANGKAIAN LISTRIK 2.1.5.1
Page 39 and 40:
30 2.1.5.3. USAHA ARUS LISTRIK Tabe
Page 41 and 42:
32 Contoh : Pada pembuatan tembaga
Page 43 and 44:
34 2.1.6.4. DAYA MEKANIK DALAM PROS
Page 45 and 46:
36 2.1.6.6. PROSES PENYEPUHAN LOGAM
Page 47 and 48:
38 Gambar 2.22 Penyepuhan Logam den
Page 49 and 50:
40 M * 1, 67 V U * 2, 40 V L * 2, 7
Page 51 and 52:
42 BENTUK DASAR DARI ELEMEN PRIMER
Page 53 and 54:
44 2.1.7.2. SISTIM ELEKTROKIMIA Tab
Page 55 and 56:
46 2.1.7.5. DAYA GUNA AKKUMULATOR T
Page 57 and 58:
48 Tahanan suatu penghantar tergant
Page 59 and 60:
50 Keterangan : Gelang 1 = 1 angka
Page 61 and 62:
52 Contoh : Carilah urutan tahanan
Page 63 and 64:
54 Tahanan gulungan kawat Gambar 2.
Page 65 and 66:
56 Tabel 2.21 Keadaan berbagai maca
Page 67 and 68:
58 2.1.8.9. TOLERANSI TAHANAN Nilai
Page 69 and 70:
60 tahanan 1 ohm. Hukum ohm memperl
Page 71 and 72:
62 Gambar 2.37 Grafik Non-Linear Te
Page 73 and 74:
64 Jadi : Ι1 + Ι2 − Ι3 − Ι4
Page 75 and 76:
66 1 R P 1 R P 3 8 = + + 12 12 5 12
Page 77 and 78:
68 2.1.9.4. ANALISA PERCABANGAN ARU
Page 79 and 80:
70 Gambar 2.40 Rangkaian Seri Kesim
Page 81 and 82:
72 Jadi besarnya ggl : I = arus yan
Page 83 and 84:
74 Turun tegangan dinyatakan dalam
Page 85 and 86:
76 Contoh 1 Dua buah tahanan masing
Page 87 and 88:
78 2.1.10. PENGUKURAN RANGKAIAN Pen
Page 89 and 90:
80 I1 I3 R3 R4 = = R1 R2 R1 = R2 R3
Page 91 and 92:
82 2.1.10.4. JEMBATAN BERSETIMBANG
Page 93 and 94:
84 Misalkan : Jumlah unsur yang did
Page 95 and 96:
86 2.1.10.8. PARAREL SUMBER BERBEBA
Page 97 and 98:
88 Jumlah unsur yang dihubungkan de
Page 99 and 100:
90 Satuan daya listrik yang lain :
Page 101 and 102:
92 2.1.11.2. PENGUKURAN TEMPERATUR
Page 103 and 104:
94 • Pengertian kuantitas panas :
Page 105 and 106:
96 Dari perhitungan diatas maka did
Page 107 and 108:
98 Daya adalah besarnya usaha yang
Page 109 and 110:
100 Dimana = Q = jumlah / kuantitas
Page 111 and 112:
102 pemanas tersebut sering dipasan
Page 113 and 114:
104 memperpendek umur elemen. Bahan
Page 115 and 116:
106 Sebabnya adalah dia hanya TEGAN
Page 117 and 118:
108 Gambar 2.62 Permitifitas Listri
Page 119 and 120:
110 Dari persamaan 2 - 16 kita dapa
Page 121 and 122:
112 • Pengaruh Elektrostatika Pad
Page 123 and 124:
114 2.2.1.5. KAPASITAS KONDENSATOR
Page 125 and 126:
116 karena : u = Q C w = 1 2 Q . Q
Page 127 and 128:
118 2.2.1.8. RANGKAIAN PARAREL : C1
Page 129 and 130:
120 2.2.2.2. TEORI WEBER. Menurut W
Page 131 and 132:
122 suatu flux yang melawan relukta
Page 133 and 134:
124 2.2.2.6. BESARAN MAGNET 2.1. Po
Page 135 and 136:
126 2.2.2.7. FLUKSI MAGNET F Jumlah
Page 137 and 138:
128 Gambar 2.75 Grafik Perbandingan
Page 139 and 140:
130 Bahan magnet kuat Kurva histeri
Page 141 and 142:
132 Gambar 2.77 Bagian dari atom be
Page 143 and 144:
134 Beberapa kumparan ( saling mene
Page 145 and 146:
136 Penentuan arah gerak Kententuan
Page 147 and 148:
138 Hukum Lenz Arah tegangan induks
Page 149 and 150:
140 Induksi sendiri Gambar 2.87 Put
Page 151 and 152:
142 2.2.3.2. DIODA ZENNER Semua dio
Page 153 and 154:
144 1. Beberapa pembawa minoritas b
Page 155 and 156:
146 P _ _ _ A K _ + + + G + arus bo
Page 157 and 158:
148 603250 603251 603252 603253 603
Page 159 and 160:
150 Catatan Uzt = tegangan Break do
Page 161 and 162:
152 IZ IZ + _ UZ IZ IZ + _ ZZ + UZ
Page 163 and 164:
154 CONTOH PENERAPAN DIODA ZENER Se
Page 165 and 166:
156 + _ UI IS RS IZ IBB ZD UZ RBB G
Page 167 and 168:
158 rangkaian Frekuensi Modulasi (
Page 169 and 170:
160 Gambar 2.106 Elektron berdifusi
Page 171 and 172:
162 Bila dioda Schottky dioperasika
Page 173 and 174:
164 Rs biasanyan 1 sampai dengan 5
Page 175 and 176:
166 Penempatan akhir : - Perencanaa
Page 177 and 178:
168 IC (mA) 100 50 ICEO 10 20 + X K
Page 179 and 180:
170 Lapisan penghalang menjadi pana
Page 181 and 182: 172 Penentuan rugi daya yang diijin
Page 183 and 184: 174 P RB A V IB UBE RC UCE + UCC Ga
Page 185 and 186: 176 Sedangkan gambar 2.122(b) mempe
Page 187 and 188: 178 2.2.7.5. HUBUNGAN DAS AR TRANSI
Page 189 and 190: 180 UCE IC (mA) 100 75 50 25 D C B
Page 191 and 192: 182 + _ IB UB IC IE R UE Gambar 2.1
Page 193 and 194: 184 Gambar 2.132 Menunjukkan simbol
Page 195 and 196: 186 Keterangan tentang harga batas
Page 197 and 198: 188 3. Terapan khusus DUA = Pasanga
Page 199 and 200: 190 Ada beberapa style kemasan atau
Page 201 and 202: 192 UDS=15V -4 -3 -2 -1 UGS(off) 1
Page 203 and 204: 194 Gambar 3 memberi arti dari gm b
Page 205 and 206: 196 Bab yang akan datang membahas p
Page 207 and 208: 198 CONTOH 4 Sebuah rangkaian terbi
Page 209 and 210: 200 ditandingkan dengan rangkaian T
Page 211 and 212: 202 Sifat-sifat fisis statik sesuai
Page 213 and 214: 204 Perhatikan gambar berikut , men
Page 215 and 216: 206 2. D Mosfet dengan Enhancement
Page 217 and 218: 208 Tegangan UGS minimal yang dapat
Page 219 and 220: 210 IDSS ID 0 5 10 15 UGS = 1V UGS
Page 221 and 222: 212 ID UGS = 6V UGS = 5V UGS = 4V U
Page 223 and 224: 214 2. rd ( tahanan Drain ) rd = δ
Page 225 and 226: 216 Penguatan tegangan Au = Au = Au
Page 227 and 228: 218 Cara menentukan Titik Kerja ID
Page 229 and 230: 220 Gambar 2.165 Grafik Karakterist
Page 231: 222 Disebut V Mosfet karena struktu
Page 235 and 236: 226 2.2.9.1. SIFAT DASAR UJT E B2 P
Page 237 and 238: 228 Sifat Listrik Pada UJT Kurva si
Page 239 and 240: 230 2.2.9.2. PRINSIP KERJA UJT SEBA
Page 241 and 242: 232 D1 P N P N N P N P D2 Gambar 2.
Page 243 and 244: 234 ΔU 8 V typ αUBR 0,1 % / o C 6
Page 245 and 246: 236 2.2.11.1.1.1. Parameter OP-AMP
Page 247 and 248: 238 jika referensi tegangan yang di
Page 249 and 250: 240 arus (100 pA), bandwidth gain u
Page 251 and 252: 242 kisaran suhu 0 o C s.d. 75 o C,
Page 253 and 254: 244 LM 101A F Produksi National (NS
Page 255 and 256: 246 IS RS Z D 1 + - Us + - ZD 2 R U
Page 257 and 258: 248 Ui 1 R 1 No n Inv ert ing Inp u
Page 259 and 260: 250 LATIHAN 1 1. Apakah Op-Amp itu?
Page 261 and 262: 252 Menyambung +UCC (tegangan sumbe
Page 263 and 264: 254 + + Ucc + + + - -UEE Gambar 2.1
Page 265 and 266: 256 - + - + ib1 - + + - + - I Uo +
Page 267 and 268: 258 tegangan input beda, sehingga p
Page 269 and 270: 260 Penguatan tegangan mode bersama
Page 271 and 272: 262 - + ib1 - + + - + - I + + - - E
Page 273 and 274: 264 Resistan Input Diferensial Anta
Page 275 and 276: 266 Q2 turun dari harga titik kerja
Page 277 and 278: 268 + - + Ucc + - -UEE Gambar 2.210
Page 279 and 280: 270 Tabel 2.1 Rangkaian Konfigurasi
Page 281 and 282: 272 Dan resistansi input yang baru
Page 283 and 284:
274 Untuk perbaikan dan stabilitas
Page 285 and 286:
276 R 2 U EE U Z I 2 (2.40) Di mana
Page 287 and 288:
278 Penyelesaian: I E3 U Z R E U BE
Page 289 and 290:
280 Maka: UEE U BE I E 2R E1 R in d
Page 291 and 292:
282 bawah sampai 0 volt, sehingga b
Page 293 and 294:
284 Cs1 dan Cs2 merupakan saluran s
Page 295 and 296:
286 Maka: A i i b1 i i i e1 i b1 Me
Page 297 and 298:
288 2.2.11.4. RANGKAIAN APLIKASI OP
Page 299 and 300:
290 2.2.11.4.2.1. Input Pembalik (I
Page 301 and 302:
292 2.2.11.4.2.2. Input Bukan Pemba
Page 303 and 304:
294 U1 U2 U 3 R1 R2 R3 - Uid Op Amp
Page 305 and 306:
296 U O R F R F R R F R .U I1 R F R
Page 307 and 308:
298 R Xc Uid = 0 Jika Uid ? 0 dan x
Page 309 and 310:
300 U1 Rc R1 + OP-AMP - Gambar 2.23
Page 311 and 312:
302 2.2.11.4.3.3. Arus Mengontrol T
Page 313 and 314:
304 Gambar berikut memperlihatkan p
Page 315 and 316:
306 f > fOH HZ ? Uo ˜ 0 Dengan kat
Page 317 and 318:
308 0 Uo Ui - 20 db / decade fol fo
Page 319 and 320:
310 Adapun cara memasang display da
Page 321 and 322:
312 LATIHAN 4 1. Dari Gambar 4.2 ji
Page 323 and 324:
LAMPIRAN A.2 Pflaum, Richard. ”El
Page 325 and 326:
LAMPIRAN B.2 ekonomis elekrolisa el
Page 327:
LAMPIRAN B.4 reverse bias ROM root
show all

teknik otomasi industri smk jilid 1

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?