MAKALAH - Blog untuk staff dan dosen d3ti mipa uns

sanggup diselesaikan untuk proses selanjutnya. Ada banyak sekalipengaturan timing pada memory, namun disini kami akan berikan beberapagambaran dasar tentang itu. Di sini kami tampilkan keterangan mengenaitiming.Berikut pengaturan yang sering diubah pada memory :Contoh : CL 5-5-5-18Angka paling depan adalah disebut CAS Latency, Angka kedua disebutRAS to CAS Delay, yang ketiga disebut Row Precharge Time dan terakhirdisebut Min RAS Active Time. Semua dapat dilihat disini tentang apa itudan apa peran mereka.• CAS (tCL) Timing: CAS (Column Address Strobe / Column AddressSelect)Adalah pengontrol waktu putaran saat pengiriman data pembacaanperintah sampai pembacaan tersebut berlangsung. Waktu dari awal CASke akhir CAS biasa disebut waktu ‘latency’. Semakin rendah nilai ini,berarti proses semakin cepat dan performance semakin tinggi. Jadi CASlatency merupakan waktu penundaan dalam perputaran waktu antarapengiriman perintah pembacaan sampai data pembacaan pertama ituterkirim ke output. Bagian ini adalah bagian terpenting dan yang palingmenentukan kecepatan akses memory.• tRCD Timing: RAS to CAS Delay(Row Address Strobe/Select to Column Address Strobe/Select). Adalahwaktu penundaan perintah yang aktif hingga siap untuk dilakukan prosespembacaan / penulisan.• tRP Timing: Row Precharge Time.Adalah waktu minimum yang digunakan antara perintah yang aktif keproses pembacaan/penulisan data pada keping memori berikutnya padamemori module.• tRAS Timing: Min RAS Active Time.Adalah waktu pengaktifan dan penonaktifan perintah masing-masingbaris memori sampai berakhirnya batas waktu tRAS yang ditetapkan.Semakin rendah, performanya semaki cepat, namun bila terlalu cepat