ATTIVITA' SCIENTIFICA DEL PROF - Dipartimento di Fisica

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di rifrazione e gap ottica) in funzione di alcuni parametri di deposizione e lo stesso tipo di indagine viene effettuata per la conducibilità elettrica e la fotoconducibilità. Misure di mobilità Hall nei film non drogati permettono di chiarire meglio quali sono i meccanismi di conduzione all'interno di un materiale amorfo. Vengono successivamente studiate le proprietà di film drogati sia di tipo p, ottenuti aggiungendo diborano alla miscela, che di tipo n, ottenuti con l'aggiunta di fosfina. Nel 1983 lavora presso i Laboratori RCA di Zurigo collaborando con Günter Harbeke e Helmut Kiess. Misura la fotocorrente transiente nel silicio amorfo e in polimeri coniugati (poliacetilene e polipirrolo). Misure di effetto di campo hanno permesso di ottenere informazioni sulla distribuzione degli stati nella gap del materiale. La risoluzione analitica dell'equazione integrale che lega la densità di carica indotta nell'effetto di campo e la densità di stati nella gap del materiale permette l'interpretazione di misure effettuate su films di silicio amorfo prodotti con la tecnica 'laser-induced chemical vapor deposition'. La densità degli stati nella gap del silicio amorfo depositato per glow discharge è stata anche investigata con misure di corrente limitata da carica spaziale. Il ruolo del cloro nel silicio amorfo depositato a partire da tetracloruro di silicio, viene analizzato con misure di efficienza su celle solari a barriera Schottky. Misure di fotoconducibilità ed effetto fotoelettromagnetico vengono effettuate su campioni di silicio amorfo depositati utilizzando una miscela di tetrafluoruro di silicio e idrogeno. Su invito dell'editore di 'The Institution of Electrical Engineers, INSPEC Publ., London', ha contribuito, con la stesura di alcuni paragrafi, alla pubblicazione del libro 'Properties of amorphous silicon'. Campioni non omogenei di silicio amorfo sono stati otticamente investigati con misure di spettri di estinzione effettuati con radiazione di luce di sincrotrone presso i Laboratori Nazionali di Frascati. Tali spettri permettono di evidenziare effetti di localizzazione ottica considerando il campione come un sistema con indice di rifrazione fluttuante. Nell'ambito del Network "Nanoaggregati e fulleriti: produzione e caratterizzazione", studia le proprietà elettriche di film di fullerene C60. Tramite misure di conducibilità elettrica in funzione della temperatura sono stati evidenziati fenomeni d'isteresi; si è visto, inoltre, che l'annealing termico influenza sia la fotoconducibilità che la sua dipendenza dall'intensità luminosa. Le proprietà elettriche di film di polimeri teflon-like drogati con oro sono state studiate. La conducibilità elettrica in funzione della temperatura evidenzia interessanti proprietà e complessi meccanismi di trasporto. Di notevole interesse è lo studio di film di fosfuro di indio, InP, cresciuti per MOCVD, di GaAs passivato e di CdS cresciuto con la tecnica di „laser ablation‟. I campioni policristallini di InP e di CdS sono stati caratterizzati da un punto di vista ottico, elettrico e strutturale. E' stato studiato il processo di passivazione di GaAs cristallino per migliorare le sue proprietà elettriche. Un trattamento con plasma di idrogeno e azoto ne diminuisce la densità di difetti superficiali. I campioni così trattati sono stati caratterizzati sia da un punto di vista ottico ed elettrico. [IV] V. Proprietà di trasporto di nanostrutture di materiali II-VI e III-V. In collaborazione con il Politecnico di Losanna sono state investigate strutture multistrati di GaAs/GaAlAs realizzate con tecnica MBE. Misure di assorbimento ottico su tali superreticoli
hanno evidenziato effetti eccitonici legati ad eccitoni di punto sella (Int. Conf. on Optics of Excitons in Confined Systems, Giardini Naxos, Italy, 1991). Sulle stesse strutture vengono effettuate misure di fotocorrente in funzione della temperatura in regime di bassi campi applicati. La dipendenza dalla temperatura della energy gap del superreticolo è investigata e il trasporto dei portatori fotogenerati negli stati estesi delle minibande viene verificato. Nell'ambito del Network "Nanostrutture di Semiconduttori per l'Optoelettronica" e in collaborazione con ricercatori del Dipartimento di Scienza dei materiali dell'Università di Lecce, viene investigato il trasporto in strutture II-VI e III-V . L'interesse attuale dello studio delle proprietà di eterostrutture a bassa dimensionalità ha determinato un interesse verso sistemi costituiti da grani di materiale semiconduttore immersi in una matrice vetrosa. A tale scopo, sono stati investigati film di ZnOCdTe caratterizzati da un punto di vista ottico, strutturale ed elettrico. [V] VI. Danneggiamento da radiazione di rivelatori al silicio nella fisica delle alte energie. Il danno da radiazione dei rivelatori al silicio nella fisica delle alte energie è un problema di cruciale importanza sia dal punto di vista del degradamento delle proprietà elettriche del rivelatore, che determina un progressivo deterioramento dello stesso, che dal punto di vista economico. Nell'ambito di una collaborazione con ricercatori INFN, ci si è posto il problema di investigare tale problema da un punto di vista delle proprietà elettriche e fotoelettroniche del materiale usato come rivelatore. Uno dei problemi più importanti è lo studio dei livelli energetici introdotti nella 'energy gap' del materiale dall'introduzione di difetti indotti da radiazione (per esempio, neutroni, protoni, pioni). Per individuare la posizione dei livelli energetici nella gap di un semiconduttore è stata utilizzata la tecnica della DLTS (deep level transient spectroscopy) (Int. Conf. on Radiation Hardening, Firenze 1998, Hamburg 1998). [VI] VII. Proprietà fisiche di biopolimeri. In collaborazione con ricercatori del Dipartimento di Chimica dell‟Università di Bari e dell‟Istituto di Chimica dei Composti OrganoMetallici del CNR di Bari, sono stati realizzati film di melanina su substrato di quarzo e, per la prima volta, su substrato di ITO (indiumtin oxide). I film sono stati caratterizzati sia da un punto di vista strutturale e ottico che da un punto di vista elettrico e fotoelettronico. [VII] I) V.Augelli, A.Garuccio, F.Selleri 'La mécanique quantique et la realité. Ann. Fond. L. de Broglie, 1 , 154 (1976). II) PUBBLICAZIONI PIU’ IMPORTANTI di Vincenzo AUGELLI.
Page 1: ATTIVITA' SCIENTIFICA DEL PROF. VIN
Page 5 and 6: Journ. Appl. Phys. 53, 1558 (1982)
Page 7 and 8: Thin Solid Films, 338 (1999) 188-19
Page 9: Libri L1) V. Augelli e B. Ghidini '

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