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一 般 太 陽 能 電 池 的 製 作 方 式 , 是 以 摻 雜 微 量 的 硼 原 子 (Boron, B), 以
形 成 p 型 半 導 體 , 並 用 於 作 為 基 板 材 料 ; 然 後 , 使 用 高 溫 熱 擴 散 的 或
低 溫 離 子 佈 植 的 方 式 , 將 濃 度 高 於 硼 的 磷 原 子 (Phosphor, P) 摻 雜 於 p
型 基 板 之 內 , 以 形 成 p-n 的 接 面 。
太 陽 能 電 池 的 基 本 材 料 是 矽 (Silicon, Si)。
(0,0,1/ 2) (1/ 2 ,1/ 2 ,1/ 2)
鎵
碳
(1/ 4 ,1/ 4 ,1/ 4)
a
砷
a
(1/ 2 ,0,0)
(0 ,1/ 2 ,0)
(a) 鑽 石 立 方 晶 格 結 構
(b) 閃 鋅 礦 立 方 晶 格 結 構