You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Lindem 27. feb. 2008<strong>Felt</strong>-<strong>Effekt</strong>-<strong>Transistor</strong> <strong>FET</strong>Spenningskontrollert strømkildeBJT∞<strong>FET</strong>SmåsignalmodellerBJT vs <strong>FET</strong> - <strong>FET</strong> har en MEGET stor inngangsmotstand iforhold til en BJTLadningstransport i en <strong>FET</strong> skjer ved MAJORITETSBÆRERE. Vikaller derfor en <strong>FET</strong> for en UNIPOLAR komponent (device)MOS<strong>FET</strong>n-kanalTo typer <strong>FET</strong> :MOS<strong>FET</strong> :J<strong>FET</strong> :MOS<strong>FET</strong> og J<strong>FET</strong>Metall Oksyd <strong>Felt</strong> <strong>Effekt</strong> <strong>Transistor</strong>Junction <strong>Felt</strong> <strong>Effekt</strong> <strong>Transistor</strong>J<strong>FET</strong>n-kanalFordeler med <strong>FET</strong> : Meget stor inngangsmotstand.Vil ikke belaste signalkilden så mye som en BJT.Ulemper med <strong>FET</strong> : For samme arbeidsstrøm (I C = I D ) vil en <strong>FET</strong>ha mye lavere transkonduktans g menn en BJT – Det betyr mindreforsterkning – Typisk <strong>FET</strong> g m= 2 -10 mSn-kanalJ<strong>FET</strong>1
<strong>Felt</strong>effekt-transistor <strong>FET</strong>J<strong>FET</strong> : Junction <strong>Felt</strong> <strong>Effekt</strong> <strong>Transistor</strong>n-kanalJ<strong>FET</strong>Mellom p- og n- dannes et sperresjikt (som i en vanlig diode). Når vi økerspenningen i sperreretningen - øker tykkelsen på dette sjiktet. Vi når forten verdi (Pinch-Off Voltage V P ) hvor det bare blir en meget tynn kanalsom kan lede strøm mellom S og D. Økes spenningen – øker lengden avdenne tynne kanalen. Vi er inne i det ”flate” område på karakteristikken.breakdown voltage (VBR)N-kanal J<strong>FET</strong> som forsterker2
<strong>Felt</strong>effekt-transistor<strong>FET</strong>J<strong>FET</strong> : Junction <strong>Felt</strong> <strong>Effekt</strong> <strong>Transistor</strong>På samme måte som med bipolare junction transistorerinnføres her Transconductance g m. Men som vi ser avkurven for I D vs. V GS – dette er ingeneksponentialfunksjon. Det betyr at g mfor en J<strong>FET</strong> blirlangt mindre enn for en BJTgmIVDGS2.75 mA1V 2750 μS 2,75mSTypiske verdier foren n-kanal forsterkerTypiske verdier for J<strong>FET</strong>SpenningsforsterkningA gvmrDHusk - g mfor en BJT var 40 – 80 mSIC2mAgm 80mSV 25mVT3
MOS<strong>FET</strong> : Metall Oksyd <strong>Felt</strong> <strong>Effekt</strong> <strong>Transistor</strong>2 typer MOS<strong>FET</strong>• Enhansment MOS<strong>FET</strong> ( Normalt av )• Depletion MOS<strong>FET</strong> ( Normalt på )E-MOS<strong>FET</strong>Depletion MOS<strong>FET</strong> ( Normalt på )Uten spenning på Gate eksisterer en ledende kanal mellom Source ogDrain. Gate - Source spenningen ( V GS ) bestemmer hvor ”åpen”kanalen mellom Source og Drain skal væreD-MOS<strong>FET</strong>4
MOS<strong>FET</strong> : Metall Oksyd <strong>Felt</strong> <strong>Effekt</strong> <strong>Transistor</strong>Enhansment MOS<strong>FET</strong> ( Normalt av )Gate - Source må ha en tilstrekkelighøy pos. spenning ( V GSth ) før detetableres en ledende kanal mellomSource og Drain.E-MOS<strong>FET</strong>E-MOS<strong>FET</strong> må ha pos. spenning på Gate før den leder strøm5
MOS<strong>FET</strong> : Metall Oksyd <strong>Felt</strong> <strong>Effekt</strong> <strong>Transistor</strong>AnvendelserMOS<strong>FET</strong> brukes mest i digital elektronikk- Arbeider med ”rektangulære kurveformer” – ”firkantpulser” – ”0” og ”1”- Complimentary MOS ( CMOS ) – danner en egen digital kretsfamilie- CMOS gir enklere logiske kretser enn BJT- CMOS trekker vesentlig mindre strøm enn BJT-kretser- trenger nesten ingen ”input current”CMOS inverterBruker både n-kanal og p-kanal(complimentary) MOS.Når Q1 er åpen er Q2 stengt - og omv.Det betyr meget lite strømtrekk nårkretsen arbeider statisk. ( Dvs. står med etfast logisk nivå – ”0” eller ”1” )6
Change language