Лекция 15 - Научно-образовательный центр по ...
Лекция 15 - Научно-образовательный центр по ...
Лекция 15 - Научно-образовательный центр по ...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Квантовые ямы в <strong>по</strong>лупроводниковых<br />
гетероструктурах<br />
Гетероструктура – структура из двух различных<br />
<strong>по</strong>лупроводников (с разной шириной запрещенной<br />
зоны Eg). Запрещенная зона – энергетический<br />
зазор между за<strong>по</strong>лненными и неза<strong>по</strong>лненными<br />
разрешенными энергетическими зонами в твердом<br />
теле.<br />
Квантовая яма образуется в слое <strong>по</strong>лупроводника<br />
с узкой запрещенной зоной, заключенном между<br />
двумя <strong>по</strong>лупроводниками, обладающими более<br />
широкой запрещенной зоной:<br />
Eg1> Eg2. Обычно d =2-10 нм.<br />
Меняя d, можно изменять электронные и<br />
оптические свойства гетероструктур.<br />
Энергия электрона<br />
EС<br />
EV<br />
Схематичное изображение<br />
двойной гетероструктуры:<br />
AlGaAs GaAs AlGaAs<br />
AlGaAs AlGaAs<br />
GaAs<br />
Eg1<br />
d – ширина<br />
ямы<br />
Eg2<br />
Энергетическая диаграмма<br />
Ис<strong>по</strong>льзование двойной <strong>по</strong>лупроводниковой гетероструктуры с узким (единицы нм)<br />
слоем <strong>по</strong>лупроводника <strong>по</strong>зволяет создавать квантовые ямы и ветоизлучающие<br />
оптоэлектронные устройства (светодиоды и лазеры).
Change language