D - KTH

More documents

Recommendations

Info

SRAM Static Random Access Memory • Ett SRAM-minne innehåller en matris av SRAM-celler • För att skriva används ‘Data’ som ingång! – ‘Sel’ sätts till 1 och det värdet som läggs ut på ‘Data’ sparas i cellen Data Sel starkast • För att läsa används ‘Data’ som utgång! – ‘Sel’ sätts till 1, och värdet i cellen hamnar på utgången William Sandqvist william@kth.se
Data 1 SRAM Sel 0 Data 0 Man bildar nu en matris av 2 m x n SRAM-celler Sel 1 William Sandqvist william@kth.se
Page 1 and 2: Digital Design IE1204 Kursomgång f
Page 3 and 4: Detta har hänt i kursen … Decima
Page 5 and 6: Läsminne Read Only Memory ROM Exem
Page 7 and 8: ROM Pullup ”1” V DD GND Adress
Page 9 and 10: ROM implementering av sekvenskrets
Page 11: Läs-Skriv-Minne Random Access Memo
Page 15 and 16: DRAM Dynamiskt RAM • SRAM minnesc
Page 17 and 18: DRAM Minnescell • Läsning är me
Page 19 and 20: SRAM vs DRAM • SRAM tar mer plats
Page 21 and 22: • icke-flyktigt minne Flash-minne
Page 23 and 24: Minnesteknologier Teknologi Accesst
Page 25 and 26: Mikrodator? Länk till en byggsats
Page 27 and 28: Registerelement Symbol D in WR Cloc
Page 29 and 30: Register: hoppadress JA Programräk
Page 31 and 32: Register och Databuss 0 1 1 0 WR OE
Page 33 and 34: Dubbelport register Symbol WR > OE1
Page 35 and 36: Mikrodatorn - add Exempel Add instr
Page 37 and 38: Mikrodatorn - add Exempel Add instr
Page 39 and 40: Register file Processorn har en 32
Page 41 and 42: William Sandqvist william@kth.se
Page 43 and 44: William Sandqvist william@kth.se
Page 45 and 46: Tentamensläsning CMOS • Vad är
Page 47 and 48: Tentamensläsning Asynkrona sekvens
Page 49 and 50: • Del A1 (10 poäng) Tentamen str
Page 51 and 52: Mer VHDL? IL2217 Digital Design usi
Page 53 and 54: Inbyggda system - överallt! Willia
Page 55: William Sandqvist william@kth.se

D - KTH

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?