9-fet - 320Volt

More documents

Recommendations

Info

Şekil 1.23 (b) - Sabit Polarma Kullanan p-kanallı JFETDevresiŞekil 1.23 'teki devreler yükselteç olarak kullanılabilir. Yükseltilecek sinyal C kuplajkondansatörü vasıtasıyla JFET 'in gate 'ine uygulanır. JFET 'in drain ucundan ise sinyalyükseltilmiş olarak alınır. Devrede source terminali, hem giriş hem de çıkış için ortakkullanıldığı için devrenin adı da Source 'u Ortak Yükselteç 'tir. Emiteri ortak yükselteçdevresine benzer. Emiteri ortak yükselteçte giriş transistörün beyzine uygulanırken, çıkışkollektörden alınır.Bu devrelerde gate-source terminalleri VGG güç kaynağı ile ters bayaslanmıştır yanipolarmalandırılmıştır. V GG kaynağı JFET 'i öngerilimleyecek V GS gerilimi sağlar. Fakat, V GGkaynağından akım çekilmez.R G direnci, C kuplaj kondansatörü üzerinden uygulanacak herhangi bir AC sinyalinin R Güzerinde arttırılmasını sağlamak için eklenmiş olup, AC sinyalin R G üzerinde artmasıylabirlikte R G direnci üzerindeki DC gerilim düşümü,V RG = I.R = 0 Volt olur.Gate - Source gerilimi (V GS ) ise,V GS = V G - V S = V GG - 0 = V GG olarak bulunur.Drain akımı;I D = I DSS [1-(V GS /V P )] 2 formülü ile bulunabilir.
Drain akımı, R D direnci üzerinde bir gerilim düşümüne sebep olup, değeri, V RD = I D .R D ilebulunur.Şekil 1.23 (a) 'daki devrede sadece drain-source kısmını göz önüne alırsak, devre şekliaşağıdaki gibi olur.Şekil 1.24 'teki devre çıkış, drain terminalinden alınmış olupŞekil 1.23 'teki devreden herhangi bir farkı yoktur. Devreyetatbik edilen voltaj, elemanların üzerine düşen voltajlarıntoplamına eşit olduğundan;V DD = I D .R D +V DS 'dir. Burada V DS değeri aynı zamanda çıkışvoltajı (V o ) olduğu için;Şekil 1.24 - Devrenin DrainV DS = V DD -I D .R D formülü bulunur.- Source HalkasıBunun, transistörlerdeki V CE = V CC -I C .R C formülünden de hiçfarkı yoktur. Bu formülden drain akımını çekersek;I D .R D = V DD -V DSI D = (V DD -V DS )/R D formülü bulunur.Acaba, JFET devrelerindeki R D drain yük direncinin görevi nedir? (Transistörlü devrelerdeki,R C kollektör yük direnci için de geçerli)Çıkıştan alınan voltaj, V DS = V DD -I D .R D idi.R D direnci olmasaydı;V DS = V DD -I D .R D /0 ; R D =0V DS = V DD olurdu. Yani, çıkıştan alınan voltaj, daima V DD güç kaynağı değerine eşit olacaktı.Girişte yükseltilmek üzere bir AC sinyal uyguladığımız halde, çıkıştan V DD güç kaynağınındeğerini görecektik. Dolayısıyla yükselteç devresi, yükselteç gibi çalışmayacak girişineuygulanan sinyalleri yükseltmeyecekti.b. Gerilim Bölücü Dirençli PolarmaGerilim bölücü dirençli polarmaya geçmeden önce kendinden (Self) polarmalı devrelerianlatmakta fayda vardır. Self polarmalı devrelerde ikinci bir V GG gibi kaynağa gerek yoktur.Gate-source gerilimini sağlamak için source direnci (R S ) kullanılır. R S direnci, transistörlüyükselteçlerde R E direncine benzer. Self polarmalı JFET devresi Şekil 1.25 'te gösterilmiştir.R G gate direnci, R S source direnci, R D ise drain direncidir. Transistörlü yükselteçte;R G --> R B , R S --> R E , R D --> R C veya R L 'nin karşılığıdır.
Page 1 and 2: FETFetlerin YapısıNPN ve PNP tipi
Page 3 and 4: Şekil 1.2 - JFET 'in çalışması
Page 5: azdır. Bu ana saturasyon (doyum) d
Page 8 and 9: P-kanallı JFET 'in drain - source
Page 10 and 11: Şekil 1.10 'daki devre ise V P de
Page 12 and 13: Fetlerin ParametreleriJFET 'e uygul
Page 16 and 17: Şekil 1.25 'teki devrede devre tek

9-fet - 320Volt

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?