9-fet - 320Volt

Şekil 1.3 'te V DD = 4 Volt iken boşluk bölgesi ile V DD = 6 Volt iken boşluk bölgesinin durumugörülmektedir. V DD drain kaynak voltajının daha fazla arttırılması (V DD = 6V) Şekil 1.3 'tegörüldüğü gibi boşluk bölgelerinin birbirine daha fazla yaklaşmasına neden olur. Böyle birdurumda drain kaynak voltajnın daha fazla arttırılması I D drain alımında çok az bir artışmeydana getirir.Böylece drain akımı saturasyona (doyum) ulaşmış olur. Drain akımının saturasyon değerineulaştığı noktaya PINCH - OFF noktası denir. Pimch - off nokasına kritik gerilim adı daverilebilir. V P ile gösterilir. Bu değer n-kanallı JFET 'te negatif, p-kanallı da ise pozitifdeğerdir.Şekil 1.4 - n-kanallı JFET Karakteristik EğrisiŞekil 1.4 'te gösterilen karakteristik eğrinin yatay ekseni Drain - source arası voltajı, dikeyekseni ise I D drain akımını gösterir. Şimdi JFET 'in çalışmasını bu karakteristik eğri üzerindatekrar edelim;**Gate - Source gerilimi (V GS ) Şekil 1.2 'de olduğu gibi V GG bataryası ile sağlanırsa JFET 'tenI D akımı akar. Gate - Source eklemi V GG bataryası ile ters polarmalandığı için gate akımı I G =0olur.**Şekil 1.3 'te olduğu gibi gate - source arası voltaj 0 Volta ayarlandığında I D drain akımıönemli bir büyüklüktedir ve I DSS olarak adlandırılır. (I DSS = Gate - Source eklemi kısa devreolduğunda Drain - Source arasında akan akım) V DS , sıfırdan itibaren yaklaşık 4 Volta kadararttırıldığında I D akımıda artar. Karakteristik eğride V A noktası kanal pinch - off noktasıdır.I DSS değeri de yaklaşık 1mA 'dir.**Pinch - off noktasından itibaren V DS voltaj değişime karşılık I D akım değişimi çok çok