02.02.2014 Views

Loeng 19

Loeng 19

Loeng 19

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

Läbivalgustav elektronmikroskoopia<br />

(TEM)<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


(S)TEM<br />

Läbivalgustav, e. transmissioon-elektronmikroskoop on üks võimsamaid<br />

materjalide mikro- ja nanoskaalas uurimise vahendeid, võimaldades saavutada<br />

aatomlahutust, uurida õhukeste objektide struktuurseid omadusi, elementset ja<br />

keemilist koostist ning teisi füüsikalis-keemilisi omadusi suure lokaalsusega.<br />

Kaasaegne seade on sageli kõrg- (puhta) vaakumiga nii elektron-optilises, kui<br />

uurimisobjekti kambris, elektroonse kujutise registreerimisega, objekti 3D<br />

manipuleerimisega (nihutamine, keeramine, kallutamine) ning varustatud<br />

mitmekülgse analüütilise seadmestikuga. Samuti on võimalik sageli objekti<br />

kuumutada kuni või üle 1000 K või jahutada krüogeensetele temperatuuridele.<br />

Objektid peavad olema niivõrd õhukesed, et sondi elektronid suurel määral<br />

läbiksid objekti, keskmise aatomnumbriga objektid tüüpiliselt 20-50 nm.<br />

Samuti peab olema primaarelektronide energia küllaldane objektide läbimiseks,<br />

tavaliselt kasutatakse 100-400 keV energiaid. Eriti suure läbitavuse ja<br />

sealjuures hea lahutusvõime saavutamiseks kasutatakse kuni 3 MeV<br />

mikroskoope, kuid siin peab alati hindama seadme maksumust,<br />

ekspluatatsioonikulusid ja võimalikku kasulikkust teatud probleemi(de)<br />

lahendamiseks.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


TEM: võrdlus OM-ga<br />

•Mõlemad mikroskoobid on projekteerivad ja alluvad<br />

laineoptika seaduspärasustele.<br />

•OM lääts klaasist, TEM lääts elektromagnet, mille<br />

fookuskaugust saab muuta ergutusvooluga. NB! Elektronid<br />

ei kaota läätses kiirust ning liiguvad spiraalselt ümber<br />

optilise telje.<br />

•Kui OM-s kasutatakse Köhleri valgustussüsteemi, siis<br />

TEM puhul kasutatakse kriitilist valgustussüsteemi:<br />

kondensor-lääts fokuseerib valgustusallika (Wennelti abil<br />

formeeritud hõõgniidi kujutise) objekti tasandile<br />

ligilähedaselt paralleelse kimbuna. Nii saavutatakse<br />

maksimaalne objekti valgustatus. Tavaliselt on elektronkiire<br />

läbimõõt objektil ~2 µm, mis on küllaldane, et täita suure<br />

suurenduse korral kujutisega kogu luminestseeruv ekraan<br />

(digitaalne maatriks). Kuna elektronmikroskoobi<br />

kondensor-läätsed ei ole reeglina korrigeeritud, siis pole<br />

vajadust paigutada kondensor-läätse mingi kindla<br />

fookuskauguse punkti. Seega saab elektronkimbu<br />

intensiivsust kontrollida/muuta kondensorläätse ergastuse<br />

abil, jättes valgusallika asukoha muutumatuks.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


… TEM: võrdlus OM-ga<br />

•OM puhul kasutatakse põhiliselt amplituudi-kontrasti. TEM puhul kasutatakse nii<br />

amplituudi-, kui faasi-kontrasti.<br />

•OM puhul muudetakse suurendust tavaliselt objektiivläätse vahetamisega (keeramisega).<br />

TEM puhul objektiivläätse suurendus (fookuskaugus) on fikseeritud, suurendust<br />

muudetakse projektsioonläätse fookuskauguse muutmisega.<br />

•Elektronläätsedel esinevad tugevad aberratsioonid, kuna magnetvälja ei saa formeerida nii,<br />

nagu seda saab teha optilise läätse kujuga, seetõttu tuleb tugevasti piirata apertuurava, mis<br />

viib suurele intensiivsuse ja lahutusvõime kaole. Sellele vaatamata on elektronoptika<br />

lahutusvõime tuhandeid ja sügavusteravus sadu kordi parem kui OM-il.<br />

•OM-il on väike fookuskaugus, s.t. objekti erinevaid tasandeid tuleb eraldi fokuseerida.<br />

TEM puhul seevastu on kogu (õhuke) objekt korraga fookuses.<br />

•TEM töötab vaakumis kuna elektronide hajumine isegi hõrendatud gasides on väga suur.<br />

Uuritavad objektid peavad seetõttu olema väga õhukesed, tüüpiliselt on bio-objektid alla 1<br />

µm ja üleminekumetallid 25-50 nm paksused. Bioobjektide OM uuringuteks tehakse ka<br />

neist sageli õhukesed lõiked, mida uuritakse OM läbivalgustavas tööviisis, kuid sel juhul on<br />

lõiked sageli suurusjärk paksemad.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


Miks kiirendatud elektronid?<br />

Transmissioon e. läbivalgustav elektronmikroskoop (TEM) loodi <strong>19</strong>30-<br />

ndate alguses Saksa teadlaste Ernst Ruska ja Max Knolli poolt, esimese<br />

komertsiaalse seadme (EM-1, ) lasi SIMENS välja juba <strong>19</strong>39. (vt.<br />

http://www.nobel.se/physics/laureates/<strong>19</strong>86/ruska-lecture.pdf).<br />

OM-s kasutatav nähtav valgus (λ~0.5 µm) annab teoreetilise<br />

lahutusvõime ~0.25 µm (Rayleigh kriteerium, vt.<br />

http://nsm1.fullerton.edu/~skarl/EM/Microscopy/Resolution.html),<br />

ultraviolettkiirte mikroskoopia lubab suurendada lahutusvõimet kuni<br />

0.05 µm-ni, kuid optika tuleks teha kvartsist, või mõnest muust UVmaterjalist<br />

ning valgusallikas ja vastuvõtja peavad olema erilised. See<br />

teeb mikroskoobi väga kalliks ning lahutusvõime suurenemine pole eriti<br />

suur. Röntgenkiirte kasutamine on mikroskoopias veelgi keerulisem,<br />

sest röntgenkiiri on raske kallutada kujutise formeerimiseks. Seevastu<br />

laengut kandvaid elektrone saab suhteliselt kergesti kallutada magnetvõi<br />

elektriväljade abil ning elektronid omavad juba E=50 keV energiatel<br />

lainepikkust λ=0.55 pm, mis on määratud de Broglie seosega:<br />

, kust Siin V- voltides.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


…miks kiirendatud elektronid?<br />

Seega peaks elektronmikroskoobiga saavutatama kergesti ülikõrgeid<br />

lahutusi. Kahjuks pole praktikas jõutud ligilähedalegi sellele teoreetilisele<br />

lahutusele. Põhjuseks on see, et elektronläätsed on klaasläätsedest palju<br />

halvema kvaliteediga - neil on suured aberratsioonid, nii kromaatilised, kui<br />

poolest mikroskoopia algajal kasutatud Leeuwenhoek`i läätsedega.<br />

Seetõttu tuleb elektronmikroskoopides kasutada väga väikesi apertuuri<br />

avasid (Ø 2-100 µm; α=1deg), mis omakorda põhjustab suurt intensiivuse<br />

kadu ning pildi difraktsioonilist halvenemist (mitu suurusjärku) kuna<br />

väiksem ava põhjustab lainepaketi suuremat difraktsioonilist hajumist ava<br />

taga ning seega kujutise “hägustumist”.<br />

Väikeste avade kasutamine elektronoptikas annab elektronpiltidele suure<br />

sügavusteravuse. See on teine elektronmikroskoopia suur eelis OM-ga<br />

võrreldes, suure ruumilise lahutusvõime kõrval.<br />

Kolmandaks annab elektronide interaktsioon ainega võimaluse hankida<br />

teavet objekti koostise, keemilise oleku ja kristallstruktuuri kohta, mis teeb<br />

elektronmikroskoobist võimsa analüütilise mikroskoobi.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


TEM kujutiste statistiline olemus<br />

Demonstration of double-slit diffraction for electrons (Tonomura et al<br />

(<strong>19</strong>89)). Each spot represents the arrival of a single electron.<br />

When a few hundred electrons have reached the screen, (a), (b)<br />

and (e), the pattern appears to be random but interference efects<br />

can be observed after the arrival of a few thousand electrons, (d)<br />

and (e) (vt. Flewitt& Wild. Physical Methods for Materials<br />

Characterisation, chp. 4).<br />

Siit järeldused:<br />

1. Vajalik “hele” elektronallikas.<br />

2. Vajalik efektiivne registreerimis-süsteem.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


Täpsem TEM skeem<br />

See TEM skeemil on jagatud kaheks osaks, kuni objektini ja ülejäänud;<br />

normaalselt peaks vasakpoolne osa asuma parempoolse peal.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


Kõrglahutusega kujutise formeerimise teooria<br />

Elektronkiirte diagrammi ja kujutise<br />

formeerimise matemaatilise protsessi<br />

võrdlus (vt., Flewitt&Wild. Physical Methods<br />

for Materials Characterisation, chp. 6).<br />

Elektronide difraktsiooni objektis on<br />

võimalik kirjeldada kinemaatilise<br />

(energia ei muutu) ja dünaamilise<br />

(arvestab energiakadusid) hajumisteooria<br />

järgi. Vaatleme esimest juhtu.<br />

Elektronläätsed formeerivad objektist<br />

Fraunhoferi difraktsiooni-kujundid<br />

piiratud kaugusel läätse taga (vt.<br />

skeem kõrval). Abbe teoreemist<br />

järeldub, et need kujundid kirjeldavad<br />

objekti Fourier tranformi (-teisendust).<br />

Kujutise saadakse Fourier pöördteisenduse abil. Kujutises saadakse maksimaalne<br />

informatsioon, kui difraktsioonikujundid langevad kujutamis-avale,<br />

objektiivlääts on perfektsete omadustega ning tema ava on tugevasti piiratud.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


…kõrglahutusega kujutise formeerimise teooria<br />

Kinemaatilise hajumisteooria järgi vaadeldakse perfektset kristalli, kus aatomid<br />

paiknevad elektronkiire suunaliste kolonnidena üksteise all ja aatomtasandid on<br />

kiirega risti. Hajunud kiire amplituud igalt tasandilt arvutatakse nii, nagu igaüks<br />

neist käituks kui Fresnelli tsoon.<br />

Võre kujutisena tekivad väikeseid hajumise häiritused, mille kontrast võib olla<br />

nii väike, et nad pole jälgitavad.<br />

Tegelik olukord on teine. Paremini seletab võredefektide kontrasti 2-kiire<br />

dünaamilise hajumise teooria ja kõrglahutusega (parem kui 1 nm) piltide<br />

kontrasti keerukamad dünaamiline hajumise teooriad.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


Kõrglahutusega elektrondifraktsioon TEM-s<br />

Kõrglahutusega elektrondifraktsion. (a) Standardne<br />

tööviis. (b) Tüüpiline difraktogramm väikseteraliselt<br />

kullalt ja G-silitsiidilt rauasulamis, mis sisaldab räni<br />

ja tantaali (Brown and Whiteman (<strong>19</strong>69)).<br />

Pange tähele, et objekt asub elektronoptilise<br />

süsteemi allosas (projektorläätse all).<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


Amplituudi- ja difraktsioonirežiim<br />

Amplituudi kontrasti režiimis moodustub kujutis õhukest objekti otselennuga (hajumata,<br />

difraktsioonita) läbinud elektronide abil (heleväli) või elastselt, teatud nurga all hajunud<br />

elektronide abil (tumeväli).<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


Erinevad difraktsioonirežiimid<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


TEM ja STEM erinevad kujutised<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


… TEM ja STEM erinevad kujutised<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


… STEM erinevad kujutised<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


… STEM erinevad kujutised<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


TEM: kaasaegne nanokarakteriseeria<br />

Näide: Tecnai F20, FEI Co:<br />

Kaasaegne TEM<br />

•Schottky väliemissioon elektronallikas- on<br />

väga suure heledusega, väikese<br />

energiadispersiooniga (monoenergeetiline)<br />

ja väga väikese kiire läbimõõduga.<br />

•S-TWIN objektiiv-lääts- tagab suure<br />

lahutusvõime ka objekti suurtel<br />

kallutusnurkadel (maksimum 40°).<br />

•CompuStage objektihoidja- tagab täpse<br />

objekti nihutamise ja mehaanilise<br />

stabiilsuse.<br />

•Suure ruumilise lahutusega analüütilist<br />

mikroskoopi saab varustada digitaalse<br />

STEM, EDX ja Energy Filter või PEELS<br />

sõlmedega: saavutatud on keemiline<br />

mikroanalüüs skaalas < 1nm, mis tähendab<br />

tundlikkust < 10 aatomit.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


TEM: objektihoidjad<br />

The holder of choice if only one tilt axis is needed, the<br />

single-tilt holder is equipped with an easy specimenclamping<br />

mechanism that allows rapid specimen<br />

exchange. Combined with the microscope's fast airlock<br />

pumping, specimen-exchange turn-around times can be<br />

as low as 1 minute (extracting the holder, changing the<br />

specimen, re-inserting the holder).<br />

Renowned for its low drift and high stability, the<br />

Philips heating holder has been used successfully<br />

for high-resolution, high-temperature studies. The<br />

range of temperatures supported by this single-tilt<br />

holder ranges from room temperature to 1000 o C.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


Elektronide interaktsioon õhukese objektiga<br />

Vt.: http://www.matter.org.uk/tem/electron_scattering.htm<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


Analüütiline TEM: (X)EDS~EELS<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


…analüütiline TEM: (X)EDS~EELS<br />

EELS spektrid on võrreldavad<br />

röntgenneeldumise spektritega<br />

ning energiakadusid võib<br />

mõõta (olenevalt elektronspekromeetri<br />

tüübist)<br />

vahemikus 1 eV- 1 keV.<br />

Cu L α<br />

-kiirguse (-äärekiirguse) spektrid<br />

(Nestor J. Zaluzec)<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


Analüütiline TEM: (X)EDS<br />

Nestor J. Zaluzec<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


Analüütiline TEM: (X)EDS+WDS<br />

Nestor J. Zaluzec<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


(P)EELS<br />

Elektronide energiakadude spektroskoopiat (EELS) võib rakenda mitmesuguste meetodite<br />

abil, kuid kõik need kasutavad monoenergeetilist elektronide kiirt. EELS-I kasutatakse sageli<br />

analüütilises (S)TEM-is ning lisand (P) tähendav paralleelset detekteerimist, nii kujutise, kui<br />

ka EDS spektromeetriaga. Energiakaod annavad informatsiooni objekti koostisest, kuid<br />

energiakaod on seotud paljude interaktsioonidega. Plasmonid on seotud elektrongaasi<br />

kollektiivse ergastusega ja võivad põhjustada energeetiliste elektronide energiakadusid mõne<br />

eV ulatuses. Foononkaod ilmnevad samuti tahkisobjektide enrgiakadude spektrites, kuid<br />

nende detekteerimiseks peab olema primaarkimp väga monokromaatne, s.t.<br />

energiadispersioon väike, kuna need energiakaod jäävad meV suurusjärku. TEM<br />

eksperimentides vaadeldatkse reeglina õhukest tahkisobjekti läbinud elektronide<br />

energiakadusid, mitte peegeldunud elktronide energiakadusid, nagu seda tehakse<br />

pinnafüüsika eksperimentides. Viimast puhul on kergem jälgida väikeseid energiakadusid,<br />

seevastu (S)TEM puhul pakuvad põhihuvi röntgenkiirguse tekitamisega seotud elektronide<br />

energiakaod.<br />

(Rohkem infot: EELS web page of The UK ESCA Users Group).<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


(P)EELS<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


(S)TEM rakendused: bio-, meditsiiniteadus<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


Bioobjektide TEM ja STEM uuringud<br />

Immunogold labeling of<br />

intermediate filaments, showing<br />

distribution of 5 and 10 nm gold<br />

particles. Sections of brain tumor<br />

tissue. (Bhatnagar and Malhotra)<br />

Fine structure of Mitochondria,<br />

glycogen, rough and smooth<br />

endoplasmic reticulum in<br />

sections of liver (Mandryk)<br />

Thin sections of Bacteria (Mandryk)<br />

Organization of mouse<br />

kidney Glomerulus<br />

(Bhatnagar)<br />

Micrograph showing extensive<br />

networks of endoplasmic<br />

reticulum (Bhatnagar)<br />

Golgi bodies and Vesicles are<br />

shown in the plant stem<br />

sections (Cass)<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


…bioobjektide TEM uuringud<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


Materjalide TEM uuringud:<br />

(GaAs/AlAs) n /GaAs<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


…materjalide SEM+TEM uuringud:<br />

AlGaSb/GaSb heterostruktuur<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


…materjalide SEM+TEM uuringud:<br />

AlGaAsSb/GaSb heterostruktuur<br />

Vt. lähemalt: V. I. Vdovin, V. A.<br />

Sammelselg, J. E. Haller.<br />

Investigation of dark spots in<br />

heterostructures GaSb/AlGaAsSb<br />

by SEM and TEM. Izv. Akad.<br />

Nauk SSSR Ser. Fiz 54 No2<br />

(<strong>19</strong>90) 271-273. In Russian.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


…materjalide SEM+TEM uuringud:<br />

HfO 2 /(SiO 2 )/Si<br />

HfO 2<br />

SiO 2<br />

Si<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


…materjalide HR-TEM<br />

uuringud:<br />

Reeglina on vajalik TEM-kujutise<br />

modelleerimine, et saada kujutisest aru ja olla<br />

veendunud selle tõepärasuses.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


STEM arendus Daresbury laboris Liverpooli Ülikoolis<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM


EM tootjad<br />

ELECTRON MICROSCOPES<br />

Hitachi High-Technologies Corporation<br />

International Equipment Trading Ltd.<br />

ISS Group Services Ltd.<br />

JEOL (UK) Ltd.<br />

JEOL - USA Inc.<br />

LEO Electron Microscopy Group<br />

Princeton Gamma-Tech<br />

TESCAN, s.r.o.<br />

Eksperimentaalmeetodid<br />

materjalifüüsikas, TEM

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!