Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Vysoká škola báňská – Technická univerzita Ostrava<br />
ELEKTRICKÉ OBVODY II<br />
ZÁKLADY ELEKTRONIKY<br />
učební <strong>text</strong><br />
Jitka Mohylová, Josef Punčochář<br />
Ostrava 2012
Recenze: Doc. Ing. Lenka Lhotská, CSc.<br />
Mgr. Tomáš Fismol<br />
Název: Elektrické obvody II – Základy elektroniky<br />
Autor: Jitka Mohylová, Josef Punčochář<br />
Vydání: první, 2012<br />
Počet stran: 274<br />
Náklad: 20<br />
Studijní materiály pro studijní obor Řídicí a informační systémy fakulty FEI<br />
Jazyková korektura: nebyla provedena.<br />
Určeno pro projekt:<br />
Operační program Vzděláváním pro konkurenceschopnost<br />
Název: <strong>Personalizace</strong> výuky prostřednictvím e-<strong>learningu</strong><br />
Číslo: CZ.1.07/2.2.00/07.0339<br />
Realizace: VŠB – Technická univerzita Ostrava<br />
Projekt je spolufinancován z prostředků ESF a státního rozpočtu ČR<br />
© Jitka Mohylová, Josef Punčochář<br />
© VŠB – Technická univerzita Ostrava<br />
ISBN 978-80-248-2602-8
OBSAH<br />
1 ZÁKLADY ANALÝZY OBVODŮ S NELINEÁRNÍMI PRVKY ........... 11<br />
VÝKLAD ..................................................................................................................................... 11<br />
1.1. Definice základních pojmů .................................................................................................... 12<br />
1.2 Analýza nelineárních obvodů ............................................................................................. 14<br />
1.3 Aproximace nelineárních charakteristik ........................................................................... 14<br />
1.4 Grafické řešení nelineárních obvodů ................................................................................. 17<br />
Pojmy k zapamatování .................................................................................................................... 23<br />
Otázky 1 ............................................................................................................................................ 23<br />
Úlohy k řešení 1 ................................................................................................................................ 24<br />
Text k prostudování ........................................................................................................................... 26<br />
Další zdroje ...................................................................................................................................... 26<br />
Korespondenční úkol ...................................................................................................................... 26<br />
2 POLOVODIČOVÉ DIODY ......................................................................... 27<br />
VÝKLAD ..................................................................................................................................... 27<br />
2.1 Polovodičové materiály ....................................................................................................... 27<br />
2.2 Přechod P-N (dioda) .......................................................................................................... 29<br />
2.2.1 Přechod P-N bez vnějšího napětí .............................................................................. 30<br />
2.2.2 Přechod P-N polarizovaný v propustném směru ....................................................... 31<br />
2.2.3 Přechod P-N polarizovaný v závěrném směru ......................................................... 32<br />
2.2.4 Ampérvoltová charakteristika přechodu P-N (diody) ............................................ 33<br />
2.2.5 Diferenční vodivost (odpor) diody v propustném a závěrném směru, usměrňovací<br />
jev ..................................................................................................................................... 34<br />
2.3 Lavinový jev, Zenerův jev .................................................................................................. 38<br />
2.4 Fotodioda (fotojev) .............................................................................................................. 44<br />
2.5 Druhy diod ........................................................................................................................... 47<br />
Pojmy k zapamatování .................................................................................................................... 48<br />
Otázky 2 ............................................................................................................................................ 48<br />
Úlohy k řešení 2 ................................................................................................................................ 48<br />
CD-ROM .......................................................................................................................................... 53<br />
Text k prostudování ........................................................................................................................... 53<br />
Další zdroje ...................................................................................................................................... 54<br />
Korespondenční úkol ...................................................................................................................... 54<br />
3 TRANZISTORY ............................................................................................ 55<br />
VÝKLAD ..................................................................................................................................... 55<br />
3.1 Bipolární tranzistory ........................................................................................................... 55<br />
3.2 Tranzistorový jev ................................................................................................................... 56<br />
3.2.1 Popis a model tranzistoru (stejnosměrný).................................................................. 58<br />
3.2.2 Chování tranzistoru při malých (signálových) změnách u be , i b , i e – signálový model<br />
tranzistoru ...................................................................................................................... 62<br />
3.2.3 Tranzistor PNP a společný signálový model pro PNP a NPN .................................. 65
3.2.4 Mezní parametry bipolárních tranzistorů ................................................................. 66<br />
3.3 Nastavení pracovního bodu tranzistoru (princip) ............................................................ 69<br />
3.4 Základní zapojení s jedním bipolárním tranzistorem ...................................................... 73<br />
3.4.2 Zapojení s externím emitorovým odporem ................................................................ 78<br />
3.4.3 Zesílení v zapojení SE jako funkce napájecího napětí .............................................. 80<br />
3.4.4 Zapojení se společným kolektorem – emitorový sledovač ........................................ 84<br />
3.4.5 Vliv výstupního odporu zdroje signálu v zapojení SC .............................................. 87<br />
3.4.6 Zesílení v zapojení SC jako funkce napájecího napětí .............................................. 89<br />
3.4.7 Zapojení se společnou bází .......................................................................................... 90<br />
Pojmy k zapamatování .................................................................................................................... 92<br />
Otázky 3 ............................................................................................................................................ 92<br />
Úlohy k řešení 3 ................................................................................................................................ 93<br />
CD-ROM .......................................................................................................................................... 97<br />
Text k prostudování ........................................................................................................................... 97<br />
Další zdroje ...................................................................................................................................... 98<br />
Korespondenční úkol ...................................................................................................................... 98<br />
4 UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR – TRANZISTOR ŘÍZENÝ<br />
ELEKTRICKÝM POLEM (FET – FIELD EFFECT TRANZISTOR) ...... 99<br />
VÝKLAD ..................................................................................................................................... 99<br />
4.1 Úvod ...................................................................................................................................... 99<br />
4.2 Konstrukce a princip činnosti tranzistorů JFET ............................................................ 101<br />
4.3 Chování tranzistoru při U<br />
DS<br />
0 ..................................................................................... 102<br />
4.4 Chování tranzistoru při U GS 0 ..................................................................................... 103<br />
4.5 Chování tranzistoru při UGS<br />
0 a U DS 0 ................................................................. 105<br />
4.6 Konstrukce a princip činnosti tranzistorů s indukovaným ........................................... 107<br />
4.7 Konstrukce a princip tranzistoru se zabudovaným kanálem ........................................ 109<br />
4.8 Ampérvoltové charakteristiky unipolárních tranzistorů ............................................... 111<br />
4.9 Chování tranzistorů FET pro malé signálové změny, signálový ................................... 114<br />
4.10 Mezní parametry unipolárních tranzistorů .................................................................... 116<br />
4.11 Nastavení pracovního bodu unipolárních tranzistorů ................................................... 117<br />
4.11.1 Nastavení pracovního bodu JFETů .......................................................................... 117<br />
4.11.2 Nastavení pracovního bodu tranzistoru DMOSFET (se zabudovaným kanálem) 122<br />
4.11.3 Nastavení pracovního bodu tranzistoru EMOSFET (s indukovaným kanálem) . 122<br />
4.11.4 Nastavení pracovního bodu sledovače napětí .......................................................... 127<br />
4.12 Základní zapojení s FETy ................................................................................................. 130<br />
4.12.1 Zapojení SS ................................................................................................................. 130<br />
4.12.2 Zapojení SS se zdroji proudu .................................................................................... 135<br />
4.12.3 Zapojení se společným hradlem ................................................................................ 139<br />
4.12.4 Zapojení se společným vývodem D (SD – sledovač) ................................................ 142<br />
Pojmy k zapamatování .................................................................................................................. 143<br />
Otázky 4 .......................................................................................................................................... 143<br />
Úlohy k řešení 4 .............................................................................................................................. 144<br />
Text k prostudování ......................................................................................................................... 148<br />
Další zdroje .................................................................................................................................... 148
CD-ROM ........................................................................................................................................ 149<br />
Korespondenční úkol .................................................................................................................... 149<br />
5 OBVODY S VÍCE TRANZISTORY ......................................................... 150<br />
VÝKLAD ................................................................................................................................... 150<br />
Shrnutí ............................................................................................................................................ 173<br />
Korespondenční úkol .................................................................................................................... 173<br />
6 VLIV PARAZITNÍCH KAPACIT BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU 174<br />
VÝKLAD ................................................................................................................................... 174<br />
6.1 Vliv kapacity C CB v zapojení SE ...................................................................................... 175<br />
6.2 Vliv kapacity C CB v zapojení SC ...................................................................................... 179<br />
6.3 Vliv kapacity C CB v zapojení SB ...................................................................................... 179<br />
Pojmy k zapamatování .................................................................................................................. 181<br />
Otázky 6 .......................................................................................................................................... 181<br />
Úlohy k řešení 6 .............................................................................................................................. 181<br />
Text k prostudování ......................................................................................................................... 182<br />
Další zdroje .................................................................................................................................... 182<br />
CD-ROM ........................................................................................................................................ 182<br />
7 SHRNUTÍ ZÁKLADNÍCH VLASTNOSTÍ ZAPOJENÍ S TRANZI-<br />
STORY ............................................................................................................. 183<br />
VÝKLAD ................................................................................................................................... 183<br />
7.1 Shrnutí základních vlastností zapojení s jedním bipolárním tranzistorem ................. 183<br />
7.2 Shrnutí základních vlastností zapojení s unipolárním tranzistorem ............................ 187<br />
Otázky 7 .......................................................................................................................................... 188<br />
Text k prostudování ......................................................................................................................... 188<br />
CD-ROM ........................................................................................................................................ 188<br />
Korespondenční úkol .................................................................................................................... 189<br />
8 VLIV VAZEBNÍCH KAPACIT ................................................................ 190<br />
VÝKLAD 190<br />
8.1 Vliv blokovací kapacity C E emitorového odporu ............................................................ 195<br />
Pojmy k zapamatování .................................................................................................................. 200<br />
Otázky 8 .......................................................................................................................................... 200<br />
Úlohy k řešení 8 .............................................................................................................................. 200<br />
Text k prostudování ......................................................................................................................... 202<br />
Další zdroje .................................................................................................................................... 202<br />
CD-ROM ........................................................................................................................................ 202<br />
Korespondenční úkol .................................................................................................................... 202<br />
9 OPERAČNÍ ZESILOVAČE (OZ) ............................................................. 203<br />
VÝKLAD ................................................................................................................................... 203
9.1 Invertující zesilovač s ideálním operačním zesilovačem (IOZ) ..................................... 205<br />
9.2 Neinvertující zesilovač s OZ ............................................................................................. 206<br />
9.3 Reálné vlastosti OZ ........................................................................................................... 207<br />
9.4 Filtry s operačními zesilovači (aktivní filtry) .................................................................. 209<br />
Pojmy k zapamatování .................................................................................................................. 213<br />
Otázky 9 .......................................................................................................................................... 214<br />
Úlohy k řešení 9 .............................................................................................................................. 214<br />
Text k prostudování ......................................................................................................................... 216<br />
Další zdroje .................................................................................................................................... 216<br />
Korespondenční úkol .................................................................................................................... 216<br />
10 ZPĚTNÁ VAZBA...................................................................................... 217<br />
VÝKLAD ................................................................................................................................... 217<br />
10.1 Vliv zpětné vazby na frekvenční vlastnosti přenosu ....................................................... 219<br />
10.1.1 Horní kmitočet přenosu Pˆ a<br />
....................................................................................... 219<br />
10.1.2 Dolní kmitočet přenosu Pˆ a<br />
........................................................................................ 220<br />
10.2 Vliv zpětné vazby na na vstupní impedanci .................................................................... 221<br />
10.3 Vliv zpětné vazby na výstupní impedanci ....................................................................... 223<br />
Pojmy k zapamatování .................................................................................................................. 227<br />
Otázky 10 ........................................................................................................................................ 227<br />
Úlohy k řešení 10 ............................................................................................................................ 227<br />
Text k prostudování ......................................................................................................................... 229<br />
Další zdroje .................................................................................................................................... 229<br />
CD-ROM ........................................................................................................................................ 229<br />
Korespondenční úkol .................................................................................................................... 229<br />
11 OSCILÁTORY .......................................................................................... 230<br />
VÝKLAD ................................................................................................................................... 230<br />
11.1 Harmonické (sinusové) oscilátory .................................................................................... 231<br />
11.1.1 Oscilátory s indukční vazbou .................................................................................... 232<br />
11.1.2 Tří bodové zapojení oscilátorů LC ........................................................................... 232<br />
11.2 Oscilátory RC .................................................................................................................... 233<br />
11.2.1 Oscilátor RC s Wienovým členem ............................................................................ 234<br />
11.2.2 Oscilátor RC s přemostěným článkem T ................................................................. 235<br />
11.2.3 Oscilátor RC s fázovým posunem 180 () ve zpětnovazební smyčce .................. 236<br />
11.2.4 Tranzistorové verze oscilátorů RC ........................................................................... 238<br />
Pojmy k zapamatování .................................................................................................................. 242<br />
Otázky 11 ........................................................................................................................................ 242<br />
Úlohy k řešení 11 ............................................................................................................................ 243<br />
Text k prostudování ......................................................................................................................... 244<br />
Další zdroje .................................................................................................................................... 244<br />
CD-ROM ........................................................................................................................................ 244<br />
Korespondenční úkol .................................................................................................................... 244
12 GENERÁTORY OBDÉLNÍKOVÉHO A PILOVÉHO NAPĚTÍ ........ 245<br />
VÝKLAD ................................................................................................................................... 245<br />
12.1 Schmittův klopný obvod (SKO) ....................................................................................... 245<br />
12.1.1 Invertující varianta Schmittova klopného obvodu .................................................. 246<br />
12.1.2 Neinvertující varianta Schmittova klopného obvodu ............................................. 248<br />
12.1.3 Tranzistorová verze Schmittova klopného obvodu ................................................. 250<br />
12.2 Astabilní klopný obvod – AKO ........................................................................................ 252<br />
12.2.1 Astabilní klopný obvod s operačním zesilovačem ................................................... 252<br />
12.2.2 Astabilní klopný obvod s tranzistory ........................................................................ 255<br />
12.3 Generátor pilového napětí ................................................................................................ 257<br />
Pojmy k zapamatování .................................................................................................................. 258<br />
Otázky 12 ........................................................................................................................................ 258<br />
Úlohy k řešení 12 ............................................................................................................................ 259<br />
Text k prostudování ......................................................................................................................... 260<br />
Další zdroje .................................................................................................................................... 260<br />
CD-ROM ........................................................................................................................................ 260<br />
Korespondenční úkol .................................................................................................................... 261<br />
KLÍČ K ŘEŠENÍ ............................................................................................................... 255<br />
Úlohy k řešení 1 .............................................................................................................................. 255<br />
Úlohy k řešení 2 .............................................................................................................................. 255<br />
Úlohy k řešení 3 .............................................................................................................................. 263<br />
Úlohy k řešení 4 .............................................................................................................................. 266<br />
Úlohy k řešení 6 .............................................................................................................................. 267<br />
Úlohy k řešení 8 .............................................................................................................................. 267<br />
Úlohy k řešení 9 .............................................................................................................................. 268<br />
Úlohy k řešení 10 ............................................................................................................................ 269<br />
Úlohy k řešení 11 ............................................................................................................................ 270<br />
Úlohy k řešení 12 ............................................................................................................................ 270<br />
LITERATURA ................................................................................................ 272<br />
Rejstřík ................................................................................................................................... 273
POKYNY KE STUDIU<br />
Elektrické obvody II<br />
Pro předmět Elektrické obvody II. III. semestru oboru Biomedicíncký technik jste obdrželi<br />
studijní balík obsahující<br />
integrované skriptum pro distanční studium obsahující i pokyny ke studiu<br />
CD-ROM s doplňkovými animacemi vybraných částí kapitol<br />
harmonogram průběhu semestru a rozvrh prezenční části<br />
rozdělení studentů do skupin k jednotlivým tutorům a kontakty na tutory<br />
kontakt na studijní oddělení<br />
PREREKVIZITY<br />
Pro studium tohoto předmětu se předpokládá absolvování předmětu. Elektrické obvody I.<br />
CÍLEM PŘEDMĚTU<br />
je seznámení se základy teorie obvodů s aktivními součástkami (tedy elektroniky). Po<br />
prostudování modulu by měl student být schopen provést analýzu obvodů ve frekvenční i<br />
v časové oblasti; zvládnout syntézu základních elektronických obvodů.<br />
Pro koho je předmět určen<br />
Modul je zařazen do bakalářského studia oboru Biomedicínský technik, studijního programu<br />
B2649 - Elektrotechnika, ale může jej studovat i zájemce z kteréhokoliv jiného oboru, pokud<br />
splňuje požadované prerekvizity nebo absolvoval obsahově podobný kurz.<br />
Skriptum se dělí na části, kapitoly, které odpovídají logickému dělení studované látky, ale<br />
nejsou stejně obsáhlé. Předpokládaná doba ke studiu kapitoly se může výrazně lišit, proto jsou<br />
velké kapitoly děleny dále na číslované podkapitoly a těm odpovídá níže popsaná struktura.<br />
Při studiu každé kapitoly doporučujeme následující postup:<br />
Čas ke studiu: xx hodin<br />
Na úvod kapitoly je uveden čas potřebný k prostudování látky. Čas je orientační a může vám<br />
sloužit jako hrubé vodítko pro rozvržení studia celého předmětu či kapitoly. Někomu se čas<br />
může zdát příliš dlouhý, někomu naopak. Jsou studenti, kteří se s touto problematikou ještě<br />
nikdy nesetkali a naopak takoví, kteří již v tomto oboru mají bohaté zkušenosti.<br />
Cíl: Po prostudování tohoto odstavce budete umět<br />
popsat ...
definovat ...<br />
vyřešit ...<br />
Ihned potom jsou uvedeny cíle, kterých máte dosáhnout po prostudování této kapitoly –<br />
konkrétní dovednosti, znalosti.<br />
VÝKLAD<br />
Následuje vlastní výklad studované látky, zavedení nových pojmů, jejich vysvětlení, vše doprovázeno<br />
obrázky, tabulkami, řešenými příklady, odkazy na animace.<br />
Řešený příklad<br />
Shrnutí pojmů<br />
Na závěr kapitoly jsou zopakovány hlavní pojmy, které si v ní máte osvojit. Pokud některému<br />
z nich ještě nerozumíte, vraťte se k nim ještě jednou.<br />
Pojmy k zapamatování<br />
Otázky<br />
Pro ověření, že jste dobře a úplně látku kapitoly zvládli, máte k dispozici několik teoretických otázek.<br />
Úlohy k řešení<br />
Protože většina teoretických pojmů tohoto předmětu má bezprostřední význam a využití v databázové<br />
praxi, jsou Vám nakonec předkládány i praktické úlohy k řešení. V nich je hlavní význam předmětu a<br />
schopnost aplikovat čerstvě nabyté znalosti při řešení reálných situací hlavním cílem předmětu.<br />
<br />
Příklad k samostatnému řešení<br />
CD-ROM<br />
Otevři soubor
Text k prostudování<br />
[1] Mohylová, J, Punčochář,J.: ...................<br />
Další zdroje<br />
[2]<br />
[3]<br />
[4]<br />
KLÍČ K ŘEŠENÍ<br />
Výsledky zadaných příkladů i teoretických otázek výše jsou uvedeny v závěru učebnice v Klíči k<br />
řešení. Používejte je až po vlastním vyřešení úloh, jen tak si samokontrolou ověříte, že jste obsah<br />
kapitoly skutečně úplně zvládli.<br />
Korespondenční úkol<br />
Zadání domácí úlohy, testu nebo seminárního projektu k odevzdání tutorovi a hodnocené v rámci<br />
kurzu.<br />
Úspěšné a příjemné studium s touto učebnicí Vám přeje autor výukového materiálu<br />
Jitka Mohylová & Josef Puncochár ˇ ˇ
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
1 Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
Čas ke studiu: 2 hodiny<br />
Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět<br />
rozlišit lineární a nelineární obvod<br />
definovat základní pojmy<br />
stanovit pracovní bod<br />
aproximovat nelineární charakteristiky<br />
analyzovat základní obvody s nelineárními odporovými prvky<br />
VÝKLAD<br />
V předmětu Elektrické obvody I (nebo v odpovídajícím základním kurzu) jsme se zabývali<br />
lineárními obvody a jejich řešením. Zopakujme tedy, že lineární obvod obsahuje pouze lineární prvky.<br />
Lineární odporový prvek je takový prvek, jehož parametry – odpor R a vodivost G jsou konstantní,<br />
nezávislé na velikosti působících napětí a proudů. AV charakteristika lineárního prvku je přímka<br />
procházející počátkem. 1) Připomeňme, že v lineárním obvodě platí princip superpozice.<br />
Pokud obvod obsahuje alespoň jeden prvek s nelineární AV charakteristikou – viz obr.<br />
1.1, je celý obvod nelineární. V nelineárních obvodech neplatí princip superpozice!<br />
i<br />
i<br />
i<br />
i<br />
u<br />
u u u<br />
a) typ N b) typ S c) nelineární d) nelineární<br />
nesouměrná<br />
souměrná<br />
Obr. 1.1: Základní typy nelineárních AV charakteristik<br />
1) Pro indukčnosti a kapacity se posuzují jiné charakteristiky: A – Wb, V – C.<br />
11
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
1.1. Definice základních pojmů<br />
U nelineárních obvodů definujeme pojmy: pracovní bod, pracovní úsek VA charakteristiky,<br />
statický odpor R S (statická vodivost G S ) a diferenciální (dynamický) odpor R d (diferenciální vodivost<br />
G d )<br />
Pracovní bod:<br />
známe-li VA charakteristiku, můžeme ke každé hodnotě obvodové veličiny určit odpovídající<br />
hodnotu druhé veličiny – této dvojici bodů říkáme pracovní bod P = [U P , I P ] – viz obr. 1.2.<br />
i<br />
I P<br />
P<br />
U P<br />
u<br />
Obr. 1.2: Definice pracovního bodu P<br />
∆ i<br />
i<br />
A<br />
P<br />
B<br />
∆ u<br />
u<br />
u(t)<br />
Obr. 1.3: Definice pracovního úseku AV charakteristiky<br />
Pracovní úsek VA charakteristiky: definujeme jako oblast mezi body AB– viz obr. 1.3<br />
t<br />
Statický odpor:<br />
12
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
je definován jako poměr pracovního napětí ku pracovnímu proudu – viz obr. 1.4. Jeho velikost<br />
však není obecně konstantní – pro každý bod charakteristiky je různý (pro lineární prvek se měnit<br />
nebude).Hodnota statického odporu je vždy kladná.<br />
R S<br />
u i resp. G S<br />
i u<br />
u<br />
U A1<br />
A 1<br />
A 2<br />
0<br />
α 1<br />
α 2<br />
I A1<br />
i<br />
Obr. 1.4: Definice statického odporu nelineárního prvku<br />
kde<br />
R<br />
A1<br />
U A1<br />
U<br />
S1 <br />
tg1<br />
k tg1<br />
I A1<br />
m OI m<br />
I A1<br />
I<br />
m U je měřítko napětí (např.<br />
m I je měřítko proudu (např.<br />
V cm)<br />
A cm)<br />
α 1 je úhel, který svírá spojnice bodu A s počátkem<br />
k =<br />
m m definuje poměr zvolených měřítek v grafu<br />
U<br />
U<br />
I<br />
m<br />
OU<br />
m<br />
Pomocí těchto parametrů můžeme vyjádřit i hodnotu ztrátového výkonu (v bodě A 1 ):<br />
P U<br />
I<br />
m<br />
OU<br />
m<br />
OI<br />
m<br />
m<br />
OU<br />
OI<br />
A1 A1<br />
U A1<br />
I A1<br />
U I A1<br />
A1<br />
Tento výkon je úměrný vyznačené ploše – viz např. pracovní bod P, o souřadnicích U P , I P – obr. 1.2.<br />
Diferenciální odpor: (dynamický) je závislý na poloze klidového pracovního bodu a je určený<br />
sklonem tečny k charakteristice v daném bodě. V klesající části VA<br />
charakteristiky je záporný, ve stoupající části je kladný – obr. 1.5.<br />
tečna<br />
i<br />
A<br />
Δ i<br />
I. B<br />
β<br />
-β<br />
0<br />
Δ u<br />
13<br />
u<br />
Obr. 1.5: Definice diferenciálního odporu nelineárního prvku
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
kde<br />
R d<br />
u<br />
k tg<br />
i<br />
β – úhel, který svírá směrnice tečny k charakteristice v daném bodě<br />
1.2 Analýza nelineárních obvodů<br />
Analýza nelineárních obvodů představuje složitější problém než analýza lineárních obvodů.<br />
V nelineárních obvodech neplatí princip superpozice, platí zde Kirchhoffovy zákony (KZ), které spolu<br />
s popisem nelineárních prvků umožňují popsat každý nelineární obvod soustavou nelineárních<br />
algebraických nebo transcendentních rovnic. Tvar těchto rovnic závisí především na způsobu popisu<br />
VA charakteristik nelineárního prvku, který může být dán buď analytickým výrazem nebo grafem či<br />
tabulkou naměřených hodnot.<br />
Metody analýzy nelineárních obvodů můžeme rozdělit do tří základních skupin: metody<br />
analytické, grafické a numerické. Každá z uvedených metod má své výhody a nevýhody. Hlavní<br />
výhodou analytických metod je možnost získání obecných výsledků. Nevýhodou je omezení jejich<br />
použití pouze na případy, v nichž jsou algebraické a transcendentní rovnice analyticky řešitelné.<br />
Grafické metody jsou výhodné pro svou názornost a pro přímé zpracování graficky zadaných nebo<br />
naměřených charakteristik skutečných nelineárních prvků. Nevýhodou je jejich omezená přesnost<br />
daná kvalitou grafických konstrukcí a nemožnost získání obecných výsledků. Numerické metody<br />
využívají výpočetní techniky a jejího programového vybavení. Tyto metody dosahují vysoké přesnosti<br />
výsledků analýzy, ale opět nedávají obecné výsledky, každá změna musí být řešena samostatně.<br />
1.3 Aproximace nelineárních charakteristik<br />
VA charakteristiky skutečných nelineárních prvků jsou zpravidla dány grafem nebo tabulkou<br />
naměřených hodnot. Při použití analytických a numerických metod potřebujeme vyjádřit tyto<br />
charakteristiky nebo jejich části ve formě analytických výrazů.<br />
Nejobvyklejší postup při získávání aproximačních analytických výrazů je, že změřenou VA<br />
charakteristiku nahradíme vhodným matematickým modelem spolu s určením všech jeho parametrů.<br />
Základní matematické aproximace nelineárních charakteristik jsou:<br />
14
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
a) Linearizace:<br />
Náhradou VA charakteristiky nelineárního rezistoru přímkou procházející počátkem souřadné<br />
soustavy linearizujeme prvek v celé pracovní oblasti. Můžeme použít všech principů a metod<br />
analýzy a syntézy lineárních obvodů. Je zřejmé, že tato linearizace nebere do úvahy nelineární<br />
vlastnost prvku a hodí se pouze pro přibližné řešení obvodů s nepodstatnými nelinearitami.<br />
Vhodnější aproximací nelineární charakteristiky je linearizace v určité pracovní oblasti popř.<br />
v pracovním bodě – viz obr.1. 6.<br />
i<br />
Δ i<br />
U L<br />
I L<br />
u A<br />
Δ u<br />
u B<br />
iA iB<br />
u<br />
Obr. 1.6: Linearizace charakteristiky v pracovní oblasti<br />
Aproximační přímku lze popsat rovnicí (směrnicový tvar přímky)<br />
u U R i<br />
nebo i I G<br />
u<br />
L<br />
d<br />
kde<br />
U L a I L jsou souřadnice průsečíků aproximační přímky se souřadnicovými osami<br />
L<br />
d<br />
R<br />
d<br />
1 G U<br />
I odpovídá směrnici této přímky<br />
d<br />
L<br />
L<br />
je to jen speciální případ obecného vztahu<br />
R<br />
d<br />
<br />
u<br />
i<br />
B<br />
B<br />
u<br />
i<br />
A<br />
A<br />
<br />
Δu<br />
Δi<br />
Přibližnou náhradou nelineárního rezistoru v uvažované pracovní oblasti je potom sériové<br />
zapojení lineárního rezistoru R d a napěťového zdroje U L nebo paralelní zapojení lineárního<br />
rezistoru o vodivosti G d a zdroje proudu I L – viz obr. 1.7. Je-li pracovní oblastí jen malá část VA<br />
charakteristiky, můžeme ji s dostatečnou přesností nahradit (sečnou) – tečnou v pracovním bodě,<br />
pak parametry R d a G d představují diferenciální odpor a vodivost v uvažované pracovní oblasti.<br />
i<br />
i<br />
i<br />
u<br />
R n<br />
u<br />
R d<br />
U L<br />
u<br />
G d<br />
I L<br />
Obr. 1.7: Náhradní zapojení nelineárního rezistoru při linearizaci v pracovní oblasti<br />
15
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
Hlavní výhodou linearizace je jednoduchost použitého modelu. Model obsahuje pouze aktivní<br />
a pasivní lineární prvky a tudíž můžeme využít všech metod analýzy lineárních obvodů. Je<br />
použitelný pouze tam, kde je nelinearita nefunkční vlastností obvodu – nevyužívá se.<br />
V závislosti na tvaru VA charakteristiky můžeme někdy použít tzv. linearizace po úsecích.<br />
VA charakteristiku rozdělíme v tomto případě do několika oblastí a v každé z nich ji nahradíme<br />
vhodnou úsečkou (např. VA charakteristika diody). Náhradní charakteristikou je pak lomená čára<br />
složená z přímkových úseků. Je zřejmé, že přesnost aproximace roste s počtem úseků. Roste ale i<br />
složitost početních úkonů při řešení rovnic, která spočívá hlavně ve stanovení hranic platnosti<br />
jednotlivých úseků. Tento způsob linearizace lze použít i pro „funkční“ nelinearity.<br />
b) Aproximace mocninnými funkcemi<br />
Tato aproximace využívá obecnou mocninu ve tvaru<br />
y ax<br />
b<br />
ax<br />
m n<br />
kde m, n jsou celá čísla.<br />
Uvedená funkce má pouze dva neznámé koeficienty, takže stačí znalost dvou bodů pro<br />
jejich určení pomocí interpolační metody (např. proud vakuovou diodou v oblasti<br />
3 2<br />
prostorového náboje vyjádříme vztahem i au ).<br />
c) Aproximace exponenciálními polynomy:<br />
Exponenciální polynom<br />
y a<br />
0<br />
b x<br />
1<br />
b x<br />
2<br />
bn<br />
x<br />
n<br />
1 2<br />
a e a e <br />
a e<br />
<br />
n<br />
<br />
k 0<br />
a<br />
bk<br />
x<br />
ke<br />
je vhodný v řadě praktických případů. Zpravidla vystačíme se dvěma nebo třemi členy<br />
u UT<br />
polynomu (např. VA charakteristika polovodičové diody má tvar i I0e<br />
1<br />
d) Aproximace transcendentními funkcemi:<br />
Některé typy nelineárních charakteristik lze aproximovat různými transcendentními funkcemi<br />
obsahující některé konstanty jako parametry, např.<br />
y a arctgbx<br />
, y a sinhbx<br />
, y a tghbx<br />
16
1.4 Grafické řešení nelineárních obvodů<br />
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
Jednoduché odporové obvody mohou být graficky analyzovány metodou postupného<br />
zjednodušování stejně jako lineární obvody. Místo výpočtů náhradních odporů pro sériové a paralení<br />
zapojení rezistorů musíme postupně sčítat (sestrojovat) jednotlivé VA charakteristiky dokud<br />
nedostaneme výslednou VA charakteristiku.<br />
a) Řešení sériového řazení součástek<br />
Výsledným řešením je zkonstruování výsledné V-A charakteristiky sériově řazených součástek. Do<br />
jednoho obrázku nakreslíme obě dvě charakteristiky. Řešíme například sériovou kombinaci lineárního<br />
odporu R a nelineárního odporu R n – tj. opakovaně sčítáme souřadnice napětí při zvolených proudech<br />
– aplikace II. KZ pro zvolené hodnoty sériového proudu, tedy proudu stejného pro oba odpory (znak<br />
sériovosti) – obr. 1.8.<br />
Platí:<br />
R R n<br />
U<br />
U<br />
atd.<br />
1 R<br />
1<br />
2<br />
U<br />
U<br />
R2<br />
U<br />
U<br />
Rn1<br />
Rn<br />
2<br />
i<br />
I 1<br />
R R n výsledná<br />
+<br />
P 1<br />
I 2<br />
P 2<br />
+<br />
U R2<br />
U R1<br />
U Rn2<br />
U 2<br />
U Rn1<br />
U 1<br />
u<br />
Obr. 1.8: Metoda postupného zjednodušování charakteristik pro sériové řazení součástek<br />
R<br />
b) Řešení paralelního řazení součástek<br />
R n<br />
Řešením je opět zkonstruování výsledné AV charakteristiky paralelních součástek. Nejprve<br />
nakreslíme do obrázku V-A charakteristiky obou rezistorů. Protože v paralelním obvodě je na obou<br />
součástkách stejné napětí, získáme body výsledné AV charakteristiky součtem proudů obou rezistorů<br />
17
U 0<br />
R i<br />
R n<br />
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
při zvoleném napětí – aplikace I. KZ pro zvolené hodnoty stejného "paralelního" napětí (stejné napětí<br />
– znak paralelnosti) – obr. 1.9.<br />
Platí:<br />
I<br />
I<br />
I<br />
I<br />
I<br />
1 R1 Rn1<br />
2 R2<br />
Rn2<br />
I<br />
I 1<br />
i<br />
výsledná<br />
+<br />
P 1<br />
R n<br />
R<br />
I R1<br />
I Rn1<br />
I 2<br />
+<br />
P 2<br />
I Rn2<br />
I R2<br />
U 2<br />
U 1<br />
u<br />
Obr. 1.9: Metoda postupného zjednodušování charakteristik pro paralelní řazení součástek<br />
c) Určení pracovního bodu nelineární součástky graficko-početní metodou<br />
Nelineární obvody obsahující pouze jeden nelineární rezistor lze vždy zjednodušit použitím<br />
Théveninovy věty na obvod obsahující pouze jeden napěťový zdroj U 0 , lineární rezistor R i a daný<br />
nelineární prvek – např. R n – viz obr. 1.10.<br />
Volbou statického (klidového) pracovního bodu volíme i určité pracovní podmínky činnosti<br />
součástky. Pracovní bod je určen stejnosměrným pracovním napětím U P1 a procházejícím<br />
stejnosměrným proudem I P1 . Nastavit požadovaný pracovní bod P 1 znamená přivést do (na)<br />
součástky(u) odpovídající veličiny z napájecího zdroje.<br />
I<br />
Obr. 1.10: Náhradní zapojení obvodu s jedním nelineárním rezistorem<br />
Pracovní bod určíme pomocí zatěžovací přímky. Ta popisuje všechny možné dvojice U, I lineátní<br />
části obvodu a lze proto určit ze dvou bodů. Zatěžovací přímku určíme nejsnadněji ze stavu (dva<br />
výhodně vybrané body přímky):<br />
1. naprázdno: – (odpor R n je odpojen, proud procházející obvodem I = 0) na výstupu<br />
obvodu je napětí U U0<br />
2. nakrátko: – (odpor R n je zkratován) proud procházející obvodem je nyní<br />
18
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
U<br />
nebo<br />
0<br />
I K<br />
Ri<br />
U<br />
I<br />
0<br />
Ri<br />
<br />
K<br />
V průsečíku zatěžovací přímky a nelineární VA charakteristiky je pracovní bod P, který současně<br />
vyhovuje lineární části obvodu (zatěžovací přímce) i nelineárnímu prvku – obr. 1.11.<br />
i<br />
I K<br />
VA charakteristika nelineárního prvku<br />
I P1<br />
P 1<br />
A<br />
zatěžovací přímka<br />
0 U P1 U 0<br />
u<br />
Obr. 1.11: Určení pracovního bodu nelineární součástky<br />
- Ztrátový výkon, který dodává do obvodu napájecí zdroj pro bod P 1 je P U0 IP 1<br />
. Graficky se<br />
tento výkon rovná ploše obdélníku 0, U 0 , A, I P 1<br />
.<br />
- Výkon nelineární součástky R n se rovná součinu P U P I<br />
1 P 1<br />
. Graficky je tento výkon roven<br />
ploše obdélníku 0, U P1 , P 1 , I P 1<br />
.<br />
- Ztrátový výkon rezistoru R i se rovná součinu P U<br />
0 U P <br />
I<br />
1<br />
P . Graficky je dán plochou<br />
1<br />
obdélníku , U 0 , A, P<br />
U P 1<br />
Příklad 1.1.<br />
Stabilizátor stejnosměrného napětí je napájen stejnosměrným napětím U = 20 V. Rezistory R a<br />
R Z mají hodnotu 500 . Určete pracovní bod stabilizační diody. Stanovte výkon P rozptýlený diodou.<br />
VA charakteristika diody je dána tabulkou.<br />
VA charakteristika Zenerovy diody<br />
R<br />
I (mA) -1 -10 -20 -30 -40 -50<br />
U (V) -4,5 -5,30 -5,65 -5,95 -6,15 -6,30<br />
U<br />
ZD<br />
R Z<br />
Řešení:<br />
Lineární část obvodu nahradíme pomocí Théveninovy věty – U 0 , R i . Nakreslíme VA charakteristiku<br />
stabilizační (Zenerovy) diody. Ze stavu naprázdno a nakrátko určíme zatěžovací přímku – pracovní<br />
bod, ztrátový výkon diody P ZD .<br />
19
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
R i<br />
U<br />
U 0 RZ<br />
10 V<br />
R R<br />
Z<br />
U 0<br />
ZD<br />
I<br />
K<br />
<br />
U<br />
R<br />
<br />
R<br />
i<br />
<br />
U<br />
I<br />
0<br />
K<br />
<br />
R RZ<br />
R R<br />
Z<br />
250 <br />
naprázdno: I = 0 → U = U 0 =10 V bod A<br />
nakrátko: U = 0 → I U R 0 04A bod B<br />
K<br />
0 i ,<br />
U (V)<br />
-10 -8 -6 -4 -2 0<br />
A<br />
U P<br />
P<br />
I P<br />
-10<br />
-30<br />
B<br />
-50<br />
I (mA)<br />
P = -5,8 V; -14,8 mA<br />
P ZD = U P·I P = 85,84 mW<br />
Příklad 1.2.<br />
Nalezněte pracovní bod nelineárního prvku a stanovte jeho ztrátový výkon. Linearizujte<br />
v pracovním bodě nelineární prvek a určete parametry náhradního zapojení. (Řešte pomocí principu<br />
superpozice a Théveninovou (Nortonovou) větou).<br />
I<br />
1 4 A<br />
01 ,<br />
U 4 2 V<br />
R 1<br />
R 2<br />
R 3<br />
R 4<br />
R 5<br />
02 ,<br />
1<br />
2 <br />
3<br />
4 <br />
5 <br />
R N<br />
R 4<br />
R 1<br />
R 3<br />
R 2<br />
I 01<br />
U 02<br />
Řešení:<br />
a) Nejprve nahradíme lineární část obvodu pomocí Théveninovy (nebo Nortonovy) věty náhradním<br />
napěťovým zdrojem U 0 a k němu do série řazeným odporem R i . Prvky náhradního obvodu<br />
budeme řešit principem superpozice. (Tyto prvky můžeme určit také metodou smyčkových<br />
proudů, uzlových napětí).<br />
Určení U 0 :<br />
20<br />
R 4<br />
U 0´<br />
R 1<br />
R 3<br />
U 02<br />
R 2
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
(vnitřní odpor zdroje proudu je )<br />
U<br />
U<br />
R R<br />
1 4<br />
0 02 <br />
<br />
R1<br />
R2<br />
R4<br />
3 V<br />
(vnitřní odpor zdroje napětí je )<br />
U <br />
I<br />
R<br />
R R<br />
1 4<br />
0 01 2 <br />
<br />
R1<br />
R2<br />
R4<br />
2 V<br />
U0 U0<br />
U0<br />
3<br />
2 <br />
5 V<br />
Určení R i :<br />
R 4<br />
R i<br />
<br />
<br />
R2 R1<br />
R4<br />
10<br />
1,<br />
42 <br />
R R R 7<br />
1<br />
2<br />
4<br />
R i<br />
Výkon nelineárního prvku R N :<br />
R 1<br />
R 2<br />
b) Ze stavu naprázdno a nakrátko v náhradním schématu určíme zatěžovací přímku a pracovní<br />
bod P.<br />
naprázdno: I = 0 → U = U 0 =5 V bod A<br />
nakrátko: U = 0 → I U 0 R 3,5 A bod B<br />
K<br />
i<br />
c) V průsečíku zatěžovací přímky a VA charakteristiky nelineárního prvku získáme pracovní bod P.<br />
Odečtením hodnot U P a I P získáme ztrátový výkon nelineárního prvku P RN .<br />
U (V)<br />
A<br />
∆U<br />
-2 -1 1 2 3 4 5<br />
U L<br />
P<br />
B<br />
1 2 3 4<br />
∆I<br />
tečna<br />
I (A)<br />
P RN = I P·U P = 1,75·2,5 = 4,375 W<br />
21
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
d) Linearizace – tečna v pracovním bodě P – nelineární odpor R N nahradíme lineárním modelem –<br />
sériovým zapojením diferenčního odporu R d a napěťovým zdrojem U L<br />
R i<br />
R i<br />
I N<br />
R d<br />
U 0<br />
U N<br />
R N<br />
U 0<br />
U N<br />
II. U L<br />
U<br />
3 1,<br />
2<br />
R d 2 Ω<br />
U L odečtenoz grafu -1V<br />
I 2 11<br />
,<br />
I<br />
U<br />
N<br />
N<br />
U<br />
<br />
R<br />
U<br />
R<br />
<br />
<br />
<br />
5 1<br />
2 1,<br />
42<br />
0 L<br />
,<br />
d<br />
R<br />
d<br />
I<br />
N<br />
i<br />
U<br />
L<br />
1 75 A<br />
1 2 5V<br />
2 1, 75<br />
,<br />
Výkon nelineárního prvku R N :<br />
P = U N·I N = 1,75·2,5 = 4,375 W<br />
Příklad 1.3.<br />
Určete proud procházející nelineárním prvkem, jsou-li zadány hodnoty: U 1 = 42 V, U 2 = 30<br />
V, R 1 = 5 , R 2 = 10 . Nelineární prvek je zadán VA charakteristikou (lineární část řešte analyticky –<br />
pomocí KZ a pomocí Théveninovy věty).<br />
R 1<br />
I 1 I 2 R 2<br />
VA charakteristika nelineárního odporu R N :<br />
I<br />
U (V) 0 2 3 4 5 6 U 1<br />
U 2<br />
I (mA) 0 12 20 35 52 70<br />
R N<br />
Řešení:<br />
VA char. nelineárního odporu aproximujeme vhodnou křivkou – parabolou: I 2 (musí<br />
platit, že obě křivky musí procházet dvěma společnými body – počátkem souřadnicového hodu a<br />
dalším bodem – např. A – viz obrázek).<br />
a) Z obrázku určíme konstantu k:<br />
U A 60<br />
k 2 V/A 2<br />
2 2<br />
I 5,<br />
5<br />
A<br />
Pomocí Kirchhofových zákonů napíšeme rovnice:<br />
(1) I 1 I 2 I 0<br />
U (V)<br />
0 20 40 60<br />
U A<br />
III. A = [5,5;<br />
60]<br />
I A<br />
0 1 2 3 4 5 6 7 I (A)<br />
22
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
R<br />
R<br />
2<br />
1I1<br />
k I U1<br />
2<br />
2I2<br />
k I U2<br />
z rovnic vyjádříme proudy I 1 a I 2 ,<br />
hodnoty dosadíme do vztahu (1)<br />
I = 3,62 A, I 1 = 3,16 A, I 2 = 0,46 A<br />
Théveninova věta:<br />
Nejprve nahradíme lineární část obvodu pomocí Théveninovy (nebo Nortonovy) věty<br />
náhradním napěťovým zdrojem U 0 a k němu do série řazeným odporem R i . Ze stavu naprázdno a<br />
nakrátko v náhradním schématu určíme zatěžovací přímku a pracovní bod P.<br />
R i<br />
I<br />
U 38 V, 3 3 <br />
0 R i ,<br />
U 0<br />
R N<br />
U = kּI 2<br />
2<br />
k I Ri<br />
I U<br />
0<br />
0<br />
<br />
I 3,<br />
616A<br />
Pojmy k zapamatování<br />
Obvod – lineární, nelineární; VA charakteristika; pracovní bod, odpor – statický, diferenciální<br />
(dynamický), linearizace, zatěžovací přímka. Pokud některému z nich ještě nerozumíte, vraťte se<br />
k nim ještě jednou.<br />
Otázky 1<br />
1. Definujte rozdíl mezi lineárním a nelineárním obvodem.<br />
2. Definujte statický a diferenciální odpor.<br />
3. Platí v nelineárních obvodech Ohmův a Kirchhoffovy zákony<br />
4. Platí v nelineární obvodu princip superpozice<br />
5. Jak spolu souvisí zatěžovací přímka a Théveninova věta při analýze nelineárních obvodů<br />
23
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
6. Jak získáte pracovní bod, znáte-li zatěžovací přímku a VA charakteristiku nelineárního<br />
prvku<br />
7. Jak využijete základní zákony (a které) při grafickém řešení nelineárních obvodů (paralelní,<br />
sériové a smíšené řazení prvků)<br />
8. Co je to linearizace a kdy se používá<br />
Úlohy k řešení 1<br />
<br />
Příklad 1.1<br />
Určete proud procházející obvodem, je-li napětí zdroje U = 50 V. Jednotlivé prvky jsou<br />
dány svými charakteristikami na obrázku.<br />
100<br />
U (V)<br />
90<br />
I V<br />
80<br />
70<br />
R N1<br />
R N2<br />
U<br />
R N1<br />
I RN1<br />
R N2<br />
I RN2<br />
60<br />
50<br />
40<br />
30<br />
20<br />
10<br />
0<br />
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7<br />
I (A)<br />
<br />
Příklad 1.2<br />
Proud, který protéká obvodem je I = 0,5 mA. Určete<br />
a) napětí zdroje U, jsou-li zadány VA<br />
charakteristiky prvků (řešte graficky):<br />
b) hodnotu odporu R<br />
R<br />
I<br />
VA charakteristika odporu R:<br />
U (V) 0 3 5<br />
I (mA) 0 3 5<br />
U<br />
R N<br />
24
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
VA charakteristika nelineárního odporu R N :<br />
U (V) -5 -4 -3 -2 -1 -0,5 0 0,5 1<br />
I (mA) -0,7 -0,6 -0,5 -0,4 -0,3 -0,2 0 0,6 2<br />
<br />
Příklad 1.3<br />
Určete ztrátový výkon nelineárního prvku, je-li zadáno:<br />
U 02 = 12 V<br />
I 01 = 1 A<br />
R 1 = 1 Ω, R 2 = 2 Ω, R 3 = 3 Ω, R 4 = 4 Ω<br />
R 1<br />
R N<br />
I 01<br />
R 4<br />
R 3<br />
R 2<br />
Nelineární prvek je zadán VA charakteristikou :<br />
U 02<br />
I (A) 0 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 1,50 1,75 2,00<br />
U (V) 0 1,50 2,50 3,30 4,00 4,40 4,70 5,00 5,20<br />
<br />
Příklad 1.4<br />
Určete ztrátový výkon nelineárního prvku, je-li zadáno:<br />
U 03 = 3 V, U 1 = 1 V<br />
I 02 = 2 A, I 4 = 4 A<br />
R 1 = 1 Ω, R 2 = 2 Ω<br />
R 3 = 3 Ω, R 4 = 4 Ω<br />
R 1 U 1<br />
I 02<br />
I 4<br />
R 2 R 4<br />
R 3<br />
R N<br />
Nelineární prvek je zadán VA charakteristikou:<br />
U 03<br />
I (A) 0 1,0 2,0 2,5 2,8 3,0 3,2 3,3 3,4 3,5 3,7 3,8 4,0<br />
U(V) 0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0<br />
25
Základy analýzy obvodů s nelineárními prvky<br />
Text k prostudování<br />
[1] Frohn, M. – Siedler, H.-J. – Wiemer, M. – Zastrow, P.: Elektronika, polovodičové součástky<br />
a základní zapojení. Ben, Praha 2006, ISBN 80-7300-123-3<br />
Další zdroje<br />
[1] Horowitz, P.- Winfield,H.: The art of electronics (second edition). Cambridge University<br />
Press, Cambridge 1982<br />
2 Mikulec, M., – Havlíček, V.: Basic circuit theory. Vydavatelství ČVUT, Praha, 2005,<br />
ISBN 80-01-03172-1<br />
3 Doleček, J.: Moderní učebnice elektroniky 2. díl, BEN, Praha, 2005,<br />
ISBN 80-730-161-6<br />
4 Mayer, D.: Úvod do teorie elektrických obvodů, SNTL, Praha, 1981,<br />
5 Kuphaldt, Tony R.: Lessons In Electric Circuits, www.ibiblio.org/kuphaldt/<br />
Korespondenční úkol<br />
Bude zadán vyučujícím z množiny příkladů určených k samostatnému řešení..<br />
26
Polovodičové diody<br />
2 Polovodičové diody<br />
Čas ke studiu: 3 hodiny<br />
Cíl Po prostudování této části budete umět objasnit princip přechodu PN – diody.<br />
Dále budete umět:<br />
navrhnout<br />
spínač malých signálů<br />
zdroj referenčního napětí<br />
usměrňovač<br />
využít PN přechod jako<br />
fotovoltaický člen<br />
kapacitu řízenou napětím<br />
posoudit režimy diody v různých aplikacích<br />
VÝKLAD<br />
2.1 Polovodičové materiály<br />
Podle elektrických vlastností dělíme látky do tří skupin<br />
– Vodiče<br />
– Polovodiče<br />
– Izolanty<br />
Nejběžněji používaným polovodičovým materiálem v soudobé elektronice je křemík (Si, dříve<br />
germanium Ge)<br />
Vlastní (intrinsický) polovodič neobsahuje příměsi, počet volných elektronů a děr („prázdné<br />
místo“ po elektronech) je stejný (vlastní koncentrace n i )<br />
Nevlastní (extrinsický) polovodič je dotován („znečištěn“) tak, že při pokojové teplotě převažuje<br />
počet:<br />
27
Polovodičové diody<br />
– elektronů – polovodič typu N – dotace arsenem, fosforem („daný“ elektron – donor)<br />
– děr – polovodič typu P – dotace bórem, indiem („přijímají“ – akceptují elektrony –<br />
akceptor)<br />
2<br />
Základní rovnice: n p n i<br />
Jestliže koncentrace děr (p) roste, potom koncentrace elektronů (n) úměrně rovnici klesá a<br />
naopak.<br />
Kovové vodiče: odpor roste s růstem teploty (teplem rozkmitané atomy „kladou“ elektronům<br />
větší odpor).<br />
Polovodiče: odpor klesá s růstem teploty (teplem se uvolňují další volné nosiče – elektrony nebo<br />
díry podle typu vodivosti).<br />
Polovodič může být v prvním přiblížení definován jako materiál, jehož elektrické vlastnosti leží<br />
mezi vlastnostmi kovů (dobře vedou proud) a izolantů (nevedou proud).<br />
Křemík (čtvrtý sloupec periodické soustavy prvků, čtyři volné elektrony) tvoří diamantovou<br />
krystalovou strukturu. Všechny elektrony (valenční) jsou v ní poměrně silně vázány. Proto za<br />
normálních poměrů vůbec nevede proud (nižší teploty). Při zvětšování teploty (dodávání tepelné<br />
energie) se některé elektrony z vazby uvolní, vodivost křemíku roste (klesá specifický odpor). Tuto<br />
vodivost označujeme jako vlastní. Elektrony přecházejí do tzv. vodivostního pásu – zůstává po nich<br />
stejný počet děr – prázdná místa – vakance.<br />
Vodivost vlastního polovodiče lze zvětšit přidáním (dotací) atomů prvků (příměsí) ze 3. sloupce<br />
periodické soustavy prvků (bór, indium) nebo z 5. sloupce periodické soustavy (fosfor, arsen). Prvky<br />
třetího sloupce mohou zapojit do krystalové vazby s křemíkem pouze tři valenční elektrony. Ve<br />
vazební struktuře jeden elektron chybí – vzniká kladná díra – materiál typu P (pozitive).<br />
Prvky z pátého sloupce zapojí do vazby s křemíkem čtyři elektrony, ale jeden elektron stále<br />
přebývá. Tento přebytečný elektron lze poměrně snadno (dodáním vhodné energie – tepelné záření, el.<br />
pole) uvolnit a tím zvýšit vodivost (zmenšit odpor) – je záporný (negative) - materiál typu N.<br />
Vedení proudu v dotovaných (extrinsických) polovodičích probíhá dvěma způsoby. Pohyb děr 2)<br />
nebo volných elektronů vyvolaný elektrickým polem (tedy napětím přiloženým na polovodič) se<br />
nazývá drift.<br />
Pohyb částic z oblasti s vysokou koncentrací do oblastí s nízkou koncentrací se nazývá difúze<br />
(Fickův zákon [3]).<br />
V oblasti teplot 150 až 500 K je vodivost dotovaných polovodičů (nevlastních) určována<br />
dominantně koncentrací příměsí. Právě „sousedství“ nevlastního polovodiče typu P a typu N vytváří<br />
přechod P-N, který je principiálně důležitý např. pro diody, bipolární tranzistory (BJT) a unipolární<br />
tranzistory „s přechodem“ (JFETy).<br />
Pro teploty nad 500 K se začíná uplatňovat (dominuje) vodivost vlastní. Přechod P-N je vlastně<br />
„zrušen“. Dochází k tepelnému přetížení součástek. Tato oblast teplot je v aplikacích zakázána. Proto<br />
se musíme při všech aplikacích polovodičových součástek postarat o to, aby nebyly tepelně přetíženy<br />
(volit vhodné typy podle ztrátového výkonu, chladit).<br />
2) ) Díra se pohybuje tak, že je obsazena elektronem uvolněným ze struktury. Po tom zase zůstává díra<br />
– tím se díra přesouvá<br />
28
Polovodičové diody<br />
2.2 Přechod P-N (dioda)<br />
Přechod je vytvořen v krystalu vlastního polovodiče (Si, Ge) tak, že vhodnými dotacemi se<br />
vytvoří oblast P a oblast N, které spolu sousedí – obr. 2.1.a)<br />
Konvenčně dohodnutý směr proudu (pohyb kladného náboje – historická konvence) je shodný se<br />
šipkou v symbolu diody – obr. 2.1.b)<br />
Přechod je polarizován v propustném směru, jestliže na polovodiči typu P (anoda) je kladné<br />
napětí a na polovodiči typu N (katoda) je záporné napětí (názvy anoda a katoda jsou převzaty<br />
z elektronek).<br />
Je-li přechod P-N bez vnějšího napětí nebo polarizován v záporném směru, vzniká oblast bez<br />
náboje (volného), která se nazývá ochuzená vrstva (depletion layer) a ta vlastně tvoří přechod P-<br />
N.<br />
Ochuzená vrstva vytváří kapacitu. Šířka ochuzené vrstvy se zvětšuje s růstem napětí v závěrném<br />
směru. Proto kapacita přechodu s růstem napětí v závěrném směru klesá.<br />
Ohmické kontakty a odpor materiálu anody a katody vytváří reálné odpory řádu jednotek ohmů a<br />
limitují tak maximální proud diody v propustném směru.<br />
Funkci přechodu P-N můžeme objasnit z faktu, že v oblasti P je velký nadbytek děr (≡ nedostatek<br />
volných elektronů díky dotaci akceptorem) a v oblasti N je velký nadbytek volných elektronů (díky<br />
dotaci donoru). V oblasti P jsou hlavními (majoritními) nosiči náboje díry a menšinovými nosiči<br />
(minoritními) elektrony. V oblasti N jsou majoritními nosiči elektrony a minoritními díry.<br />
ohmický<br />
kontakt<br />
P N ohmický<br />
kontakt<br />
a)<br />
díry<br />
elektrony<br />
minoritní díry<br />
minoritní<br />
elektrony<br />
A<br />
K<br />
I D<br />
b)<br />
c)<br />
U D<br />
Obr. 2.1: a) Principiální zobrazení uspořádání přechodu P-N<br />
b) symbol diody s vyznačením anody (A) a katody (K)<br />
c) zvolená konvence pro napětí U D a proud I D diody [U D > 0, I D > 0 – propustný<br />
směr; U D < 0, I D < 0 – závěrný směr, I D velmi malá hodnota].<br />
29
Polovodičové diody<br />
2.2.1 Přechod P-N bez vnějšího napětí<br />
Předpokládejme nejdříve, že na přechod P-N není přiloženo napětí – obr. 2.2. Díky velkému<br />
rozdílu v koncentracích děr (p) a elektronů (n) dochází k difúzi (pohybu) děr z P do N a také k difúzi<br />
(pohybu) elektronů z N do P (difúzní proudy).<br />
V oblasti přechodu (metalurgického) vznikne nábojová dvojvrstva (stejný náboj opačné<br />
polarity) s vysokou intenzitou elektrického pole E (od kladného náboje k zápornému náboji). Tato<br />
<br />
intenzita (driftový účinek) působí proti difúzi ( F q E - viz Coulombův zákon). Když se driftové<br />
síly (proudy) a difúzní síly (proudy) vyrovnají, je přechod v rovnováze, neprotéká jím proud. Uvnitř<br />
dvojvrstvy nejsou žádné volné náboje (proto ochuzená) a její šířka se „nastaví“ tak, aby právě nastala<br />
rovnováha.<br />
Náboj odčerpaný z oblasti odpovídá šířce ochuzené oblasti v N – x<br />
N a hustotě náboje v N<br />
(dáno koncentrací donorů v N – označuje se N D ). Náboj odčerpaný z oblasti P odpovídá šířce ochuzené<br />
oblasti v P - x<br />
P a hustotě náboje v P (dáno koncentrací akceptorů v P – označuje se N A ). Protože si<br />
musí být náboje dvojvrstvy rovny, platí<br />
x<br />
P<br />
N x N<br />
(2.1)<br />
A<br />
N<br />
D<br />
P<br />
metalurgický<br />
přechod<br />
E<br />
N<br />
difúze elektronů<br />
X P X N<br />
difúze děr<br />
Obr. 2.2: Kvalitativní zobrazení poměrů v přechodu P-N bez vnějšího napětí<br />
Při stejné koncentraci příměsí (dotaci) tedy platí N A = N D a také x N = x P .Při rozdílných<br />
dotacích v P a N zasahuje ochuzená vrstva hlouběji do oblasti s nižší dotací. Například pro ND<br />
N<br />
A<br />
(oblast N dotována méně) určíme, že<br />
x<br />
N<br />
N<br />
N<br />
A A<br />
xP<br />
1<br />
N<br />
D<br />
N<br />
D<br />
<br />
x<br />
P<br />
Ochuzená vrstva zasahuje hlouběji do oblasti N.<br />
Napětí na ochuzené vrstvě („rovnováha“) se nazývá difúzní napětí U DIF a platí [2], že<br />
k T<br />
N <br />
A<br />
N<br />
D<br />
U ln<br />
<br />
<br />
DIF<br />
(2.2)<br />
2<br />
e ni<br />
<br />
kde k = 1,38 ·10 -23 J·K -1 je Boltzmanova konstanta<br />
30
Polovodičové diody<br />
T = absolutní teplota [K]<br />
e = 1,602·10 -19 C je náboj elektronu<br />
Toto napětí ovšem voltmetrem nenaměříme. Na vnějších svorkách (A, K) je v rovnovážném stavu<br />
nulové napětí (vliv „zbývajících“ nábojů, které nejsou vázány v dvojvrstvě).<br />
Šířka ochuzené vrstvy je dána vztahem<br />
d x x K U<br />
(2.3)<br />
P<br />
N<br />
DIF<br />
pro tzv. strmý přechod (slitinové technologie)<br />
nebo<br />
d x x K <br />
3<br />
U<br />
(2.4)<br />
P<br />
N<br />
DIF<br />
pro tzv. pozvolný přechod (difúzní technologie), K je konstanta závislá na konstrukci diody<br />
(přechodu).<br />
2.2.2 Přechod P-N polarizovaný v propustném směru<br />
Polarizujme nyní P-N přechod v propustném směru – obr. 2.3 – externím zdrojem napětí<br />
U D 0 (viz i obr. 2.1.c). Díry z oblasti P se pohybují (driftují) do oblasti N a elektrony z oblasti N se<br />
pohybují (driftují) do oblasti P. Difúzní napětí U DIF bylo překonáno externím napětím U D 0.<br />
P<br />
N<br />
A<br />
K<br />
(+) i<br />
i<br />
(-)<br />
I D<br />
+<br />
U D > 0<br />
Obr. 2.3: Kvalitativní zobrazení poměrů v přechodu P-N v propustném směru<br />
Všimněme si, že na obr. 2.3 jsou označeny některé díry a elektrony indexem i. V oblasti P je i několik<br />
(málo) intrisických elektronů a v oblasti N je několik (málo) intrisických děr. Za normálních poměrů je<br />
proud vyvolaný (málo) intrisickými nosiči v propustném směru prakticky zanedbatelný. Ovšem při<br />
přehřátí struktury jejich počet prudce roste, může dojít ke zničení přechodu.<br />
31
Polovodičové diody<br />
2.2.3 Přechod P-N polarizovaný v závěrném směru<br />
Externí napětí U D se přičítá (superponuje) k difúznímu napětí U DIF . Přes přechod protéká<br />
pouze nepatrný proud vyvolaný intrinsickými nosiči (index i – obr. 2.4). Ochuzená vrstva přechodu P-<br />
N se rozšiřuje, její kapacita klesá.<br />
P<br />
N<br />
i<br />
i<br />
Obr. 2.4: Kvalitativní zobrazení poměrů v přechodu P-N v závěrném směru<br />
+<br />
Šířka ochuzené oblasti v závěrném směru je [9]<br />
pro strmý přechod<br />
nebo<br />
d K U DIF<br />
U D , 0<br />
d<br />
K <br />
3<br />
U DIF<br />
U D , D<br />
0<br />
U platí<br />
i pro 0 U <br />
D<br />
D<br />
U DIF<br />
U platí<br />
i pro 0 U <br />
pro pozvolný přechod.<br />
Někdy se přeznačuje pro závěrný směr napětí U D na závěrné napětí<br />
U<br />
<br />
R<br />
U D<br />
D<br />
U DIF<br />
(R – reverse) a potom platí<br />
d K U DIF<br />
U R nebo d K <br />
3<br />
U DIF<br />
U R<br />
Kapacitu přechodu v závěrném směru pak určíme ze známého vztahu<br />
<br />
r<br />
S<br />
C 0<br />
(2.5)<br />
d<br />
tedy pro strmý přechod<br />
C <br />
K <br />
a pro pozvolný přechod<br />
0<br />
U<br />
<br />
S<br />
r<br />
DIF<br />
U<br />
R<br />
32
Polovodičové diody<br />
C <br />
K <br />
<br />
S<br />
3<br />
0<br />
U<br />
r<br />
DIF<br />
U<br />
R<br />
(2.6)<br />
kde S je plocha přechodu P-N<br />
ε r je relativní permitivita (pro Si je ε r = 2)<br />
ε 0 je permitivita vakua (ε 0 = 8,85·10 -12 F/m)<br />
Tohoto jevu se využívá u kapacitních diod (varikap, varaktor).<br />
2.2.4 Ampérvoltová charakteristika přechodu P-N (diody)<br />
Na základě fyzikálních zákonů a jejich matematických modelů lze odvodit, že proud diodou je<br />
definován vztahem<br />
<br />
<br />
U T<br />
<br />
0<br />
D U<br />
I I e 1<br />
(2.7)<br />
D<br />
kde I D je proud diodou orientovaný podle obr.2.1.c<br />
U D je napětí na diodě orientované podle obr.2.1.c<br />
I O je nasycený (saturační) proud diody (proud intrisických nosičů – obr. 2.4)<br />
U T<br />
k T<br />
e (≡ 26 mV pro T = 300 K) je teplotní napětí<br />
Někdy se v literatuře [1] udává vztah v podobě<br />
<br />
<br />
U T<br />
<br />
0<br />
D mU<br />
I I e 1<br />
(2.8)<br />
D<br />
kde m je empiricky určená konstanta z intervalu 1 až 2.<br />
Ampérvoltová charakteristika odpovídající vztahu (2.7) a (2.8) je znázorněna na obr. 2.5<br />
I D<br />
I D<br />
U D<br />
-I 0<br />
0,6<br />
(S i )<br />
U D<br />
Obr. 2.5: Kvalitativní zobrazení ampérvoltové (AV) charakteristiky diody<br />
33
Polovodičové diody<br />
U<br />
Pro U U (propustný směr) je<br />
D U<br />
e T<br />
1 a platí<br />
D<br />
T<br />
I<br />
D<br />
U D U<br />
I e T<br />
0<br />
(2.9)<br />
T<br />
Pro U 0 a U<br />
D<br />
UT<br />
(závěrný směr) je e 1 a<br />
D<br />
U D U<br />
I D<br />
I 0<br />
(2.10)<br />
2.2.5 Diferenční vodivost (odpor) diody v propustném a závěrném<br />
směru, usměrňovací jev<br />
Chování diody pro velmi malé změny napětí (proudu) v okolí pracovního bodu – obr. 2.6 –<br />
můžeme popsat pomocí diferenční (přírůstkové) vodivosti (odporu), kterou považujeme pro malé<br />
změny za konstantní (lineární).<br />
tečna v bodě P<br />
I D<br />
i D (t)<br />
I DP<br />
P<br />
t<br />
Δ I D<br />
U DP<br />
U D<br />
u D (t)<br />
Δ U D<br />
t<br />
Obr. 2.6: Zobrazení časového průběhu proudu i D (t) při změně napětí u D (t)<br />
v okolí pracovního bodu P v propustné oblasti<br />
Definujeme diferenční vodivost g d z podílu přírůstků Δ I D a ΔU D<br />
g<br />
d<br />
I<br />
D<br />
U<br />
D<br />
Pro velmi malé změny Δ platí (m → 1)<br />
34
Polovodičové diody<br />
g<br />
d<br />
D<br />
D<br />
U<br />
<br />
D U I<br />
T<br />
U<br />
D U<br />
I e 1<br />
<br />
0<br />
e<br />
T<br />
ID<br />
d<br />
lim <br />
0<br />
(2.11)<br />
0<br />
U<br />
dU<br />
U<br />
T<br />
Jestliže v pracovním bodě platí, že<br />
vztahu (2.11) vyplývá<br />
I<br />
UDP<br />
UT<br />
, potom I <br />
D T<br />
<br />
D T<br />
DP I0 e 1 I0<br />
e<br />
a ze<br />
DP<br />
gd<br />
(2.12)<br />
UT<br />
Toto je velmi důležitý výsledek. Diferenční vodivost je určena podílem pracovního<br />
(stejnosměrného) proudu I DP a teplotního napětí U T (≈ 26 mV při 300 K).<br />
Pro malé změny v oblasti pracovního bodu platí<br />
iD<br />
t gd<br />
uDt<br />
<br />
(2.13)<br />
nebo<br />
id<br />
t<br />
uD<br />
t rd<br />
iD<br />
t<br />
(2.14)<br />
g<br />
r<br />
d<br />
U<br />
T<br />
d<br />
1 <br />
(2.15)<br />
g<br />
d<br />
I<br />
DP<br />
je diferenční odpor diody v pracovním bodě I DP .<br />
Je-li například I DP = 1 mA (10 mA) je<br />
r d<br />
26 V 1 mA<br />
26 26 V 10 m A 2, 6 .<br />
Na obr. 2.7 je ukázáno, že stejné změny napětí u D (t) v závěrné oblasti nevyvolají téměř žádný<br />
proud diodou.<br />
U<br />
U<br />
U<br />
U<br />
I D<br />
U DP<br />
P<br />
U D<br />
u D (t)<br />
t<br />
Obr.2.7: Zobrazení časového průběhu proudu i D (t) při změně napětí u D (t)<br />
v okolí pracovního bodu P v závěrné oblasti<br />
Diferenční odpor r d v závěrném směru dosahuje hodnot desítek MΩ.<br />
35
Polovodičové diody<br />
Tento rozdíl v hodnotě r d můžeme využít při konstrukci diodových spínačů malých signálů –<br />
viz příklad 2.1 – obr. 2.8.<br />
malý<br />
vstup.<br />
signál<br />
u 1 D u 2<br />
výstup<br />
U D<br />
10 kΩ 10 kΩ<br />
U S<br />
Obr.2.8: Princip spínání signálu (diodový spínač)<br />
Příklad 2.1<br />
Analyzujte poměry v obrázku 2.8 pro U S = 10 V.<br />
Řešení:<br />
Předpokládejme, že oddělovací kapacity jsou voleny tak velké, že je lze zanedbat. Pro U S = 10 V bude<br />
protékat diodou D stejnosměrný proud<br />
I<br />
DP<br />
<br />
<br />
U S U<br />
20 k<br />
D<br />
<br />
<br />
U<br />
D<br />
0,6 V<br />
U<br />
<br />
S<br />
20 k<br />
0,5 mA<br />
Tomu odpovídá diferenční odpor<br />
r d 26 V 0,5 mA<br />
52 .<br />
Pro malé signály potom platí náhradní (signálové) schéma na obr. 2.9a (ideální zdroj napětí<br />
představuje pro signál zkrat).<br />
10 kΩ 10 kΩ<br />
10 kΩ 10 kΩ<br />
u 1 52 Ω u 2<br />
a) b)<br />
u 1 > 10 MΩ u 2<br />
Obr.2.9: Signálové schéma obvodu z obr. 2.8 pro<br />
a) U S = + 10 V<br />
b) U S = - 10 V<br />
Z náhradního schématu určíme, že pro U S = + 10 V je<br />
u<br />
u<br />
2<br />
<br />
1<br />
10 k<br />
<br />
52 10<br />
k<br />
1<br />
36
Polovodičové diody<br />
Pro U S = - 10 V diodou neprotéká proud, celé napětí U S = - 10 V je prakticky na diodě, tzn.<br />
U DP = - 10 V . Diferenční odpor diody je větší než 10 MΩ – viz signálové schéma na obr. 2.9b a platí<br />
u<br />
u<br />
2<br />
1<br />
<br />
10k<br />
10M 10k<br />
0<br />
Speciální případ nastane, je-li<br />
pracovní bod diody v počátku (nebo<br />
v jeho blízkosti) a signál zasahuje do<br />
propustné i nepropustné oblasti (v čase) –<br />
obr. 2.10, kde část signálu je potlačována<br />
a část propuštěna.<br />
Hovoříme o usměrňovacím jevu<br />
(o usměrňování). Tímto způsobem se<br />
převádí střídavé napětí ze sekundárního<br />
vinutí transformátoru na stejnosměrné<br />
napětí. Jednocestný usměrňovač je<br />
zobrazen na obr. 2.11. Připojený<br />
elektrolytický kondenzátor „vyhladí“<br />
zvlnění usměrněného napětí.<br />
I D<br />
P<br />
i D<br />
u(t)<br />
U D<br />
t<br />
t<br />
Obr. 2.10: Kvalitativní zobrazení usměrňovacího jevu<br />
a)<br />
Tr<br />
I D<br />
b)<br />
u T<br />
i D<br />
T<br />
u T (t)<br />
i D (t)<br />
U T<br />
C<br />
+<br />
-<br />
R Z<br />
c)<br />
t<br />
u R<br />
u RC (t)<br />
u R (t)<br />
U SS<br />
t<br />
T/2<br />
i D (t)<br />
Obr.2.11: a) Jednocestný usměrňovač;<br />
b) Průběh napětí u T (t) na sekundárním vinutí transformátoru a proudu i D (t) není-li<br />
připojena kapacita C<br />
c) přerušovaná čára je skutečný průběh napětí bez kondenzátoru C – u R (t), plná<br />
čára pak s připojeným kondenzátorem C – u RC (t)<br />
37
Příklad 2.2<br />
Polovodičové diody<br />
Analyzujte poměry v jednocestném usměrňovači s filtračním kondenzátorem na obrázku 2.11.<br />
Řešení:<br />
Není-li připojen kondenzátor C – diodou prochází v kladné půlvlně proud omezený jeho velikostí<br />
odporu R – obr. 2.11b. Je-li kondenzátor C připojen – plná čára na obr. 2.11c – je situace složitější.<br />
Dioda spíná pouze v intervalu, kdy napětí na sekundární straně vinutí je větší než napětí u RC (t) – v obr.<br />
2.11c vyšrafovaná oblast. Proud diodou teď není omezen odporem R, nabíjí kapacitu C, je spíš<br />
omezen jen odporem vinutí transformátoru a diody musí být dostatečně dimenzovány pro tento<br />
impulsní provoz.<br />
Napětí má určitou střední hodnotu U SS se zvlněním ΔU SS . Přibližně platí, že kondenzátor se po<br />
dobu půl periody (T/2) až periodu (T) vybíjí proudem U SS /R . Je mu proto přibližně odebírán náboj<br />
Q<br />
<br />
U<br />
R<br />
SS<br />
Současně musí platit<br />
T<br />
<br />
2<br />
<br />
1<br />
T<br />
Q C U<br />
a musí platit rovnost (změny náboje)<br />
C U<br />
U<br />
SS<br />
2 f R<br />
<br />
<br />
je frekvence<br />
U<br />
SS<br />
.<br />
2 f R<br />
Po dané U SS , f a R a požadované Δ U tedy potřebujeme kondenzátor<br />
U U<br />
C<br />
SS <br />
<br />
2 f R<br />
U R<br />
<br />
SS<br />
2 f U<br />
Nebo můžeme z daných hodnot určit zvlnění<br />
U<br />
<br />
I<br />
výst<br />
2C<br />
f<br />
Ivýst<br />
.<br />
2 f U<br />
2.3 Lavinový jev, Zenerův jev<br />
S rostoucím závěrným napětím se ochuzená vrstva rozšiřuje. Má velký odpor a je na ní<br />
rozloženo celé přiložené napětí. Intenzita elektrického pole narůstá, elektrony začínají být z vazeb<br />
vytrhávány. Při napětí U BR (BReak down) je jíž elektronům udělena taková rychlost (energie), že jsou<br />
schopny vyrazit z vazby další elektrony (v ochuzené oblasti) – hovoříme o nárazové ionizaci –<br />
lavinovém jevu. Není-li proud omezen sériovým odporem ve vnějším obvodu diody, roste proud nade<br />
všechny meze, dioda je zničena.<br />
Hodnota U BR je funkcí koncentrace příměsi v polovodiči. S růstem koncentrací příměsí<br />
hodnota U BR klesá, protože ochuzená oblast se zužuje a intenzita elektrického pole v ní roste. Při<br />
dostatečně malé šířce ochuzeného pásma již mohou „vyražené“ elektrony proletět do oblasti N, aniž<br />
stačí na krátké dráze vyvolat lavinový jev. Hovoříme o Zenerově jevu nebo tunelovém jevu.<br />
38
Polovodičové diody<br />
I D<br />
Lavinový jev<br />
-8 -6<br />
U D<br />
TK U BR<br />
> 0<br />
Převládá<br />
Zenerův jev<br />
TK U BR < 0<br />
TK U BR ≈ 0<br />
Obr. 2.12: Ampérvoltová charakteristika diody s vyznačením<br />
Zenerova a lavinového jevu<br />
Lavinový jev dominuje pro U BR větší než 8 V. Jeho teplotní koeficient je kladný - U BR s růstem<br />
teploty narůstá (roste rozkmit atomové mřížky a to brzdí urychlené elektrony a tedy omezuje vznik<br />
lavinového jevu).<br />
U Zenerova jevu již není lavinový jev tak důležitý. Rozhodující je, že s rostoucí teplotou je<br />
třeba k vytržení elektronů z vazby menší energie (elektrického pole). Zenerovo napětí proto s růstem<br />
teploty klesá, má záporný teplotní koeficient (pro U BR menší než asi 8 V) – TKU BR .<br />
Pro napětí U BR 6 V působí oba jevy současně a jejich teplotní vlastnosti se právě<br />
kompenzují. Toto je velmi výhodné při konstrukci stabilizačních diod (Zenerových). Ampérvoltová<br />
charakteristika diody (přechodu P-N) s uvážením právě popsaných jevů je na obr. 2.12.<br />
Pokud dojde při průrazu i k teplotnímu přetížení byť je některé části přechodu, zvyšuje se<br />
intrisická vodivost, charakteristika se „hroutí“ – přerušovaná čára v obr. 2.12 – dochází ke zničení<br />
přechodu.<br />
Pokud je dioda vhodně konstruovaná a ztrátový výkon je omezen vhodně voleným odporem,<br />
můžeme napětí U BR využít ke stabilizaci (paralelní) napětí. Diodě se „přidělil“ symbol podle obr. 2.13a<br />
a zvolí se šipková konvence zde uvedená – Zenerova dioda.<br />
Napětí U ZD je funkcí proudu I ZD a můžeme je popsat vztahem (pro I ZD > I ZD min )<br />
UZD<br />
UZD0 rdIZD<br />
(2.16)<br />
v okolí U ZD0 je napěťové koleno diody (pro I ZD < I ZDMIN již nestabilizuje), význam r d je zřejmý z obr.<br />
2.13b.<br />
r<br />
U<br />
ZD<br />
d<br />
(2.17)<br />
I<br />
ZD<br />
39
Polovodičové diody<br />
Pro menší hodnoty U ZD se r d pohybuje v oblasti jednotek Ω.<br />
I D<br />
I ZD<br />
U ZD<br />
U ZD<br />
U ZD0<br />
a)<br />
koleno<br />
I ZDmin<br />
U D<br />
Δ I ZD<br />
b)<br />
I ZDmax<br />
Δ U ZD<br />
Obr. 2.13: a) Symbol a šipková konvence pro Zenerovu (stabilizační) diodu<br />
b) Rozkreslená AV charakteristika v závěrném směru<br />
Použití:<br />
Zenerova dioda má širokou oblast použití. Nejčastěji se využívá v stabilizátorech napětí,<br />
omezovačích, při ochraně elektrických obvodů proti přepětí, v generátorech neharmonických napětí,<br />
atd.<br />
Příklad 2.3<br />
Analyzujte zapojení elementárního paralelního stabilizátoru napětí na obr. 2.14.<br />
U ZD = 6 V<br />
r d = 5 Ω<br />
I ZDMIN = 0,5 mA<br />
I ZDMAX = 50 mA<br />
(nesmí být překročen)<br />
U 1<br />
R S<br />
I S<br />
I ZD<br />
I Z<br />
U ZD<br />
U 2<br />
ZD<br />
R Z<br />
Řešení:<br />
Obr. 2.14: Paralelní stabilizátor napětí se Zenerovou diodou<br />
Rovnici (2.16) odpovídá elektrický model na obr. 2.15.<br />
Ideální dioda I D představuje nulový odpor pro U ZD > U ZD0 a nekonečný odpor pro U ZD < U ZD0 .<br />
Ideální zdroj napětí má nulový vnitřní odpor (není již funkcí I ZD ) Závislost U ZD na I ZD je dána odporem<br />
r d .<br />
40
Polovodičové diody<br />
Z aplikace Ohmova zákona a Kirchhoffových zákonů získáme vztahy (přesné):<br />
I<br />
I<br />
I<br />
I<br />
I<br />
I<br />
S<br />
Z<br />
ZD<br />
ZD<br />
ZD<br />
ZD<br />
<br />
U<br />
U<br />
1<br />
U<br />
<br />
R<br />
S<br />
Z<br />
U<br />
R<br />
ZD<br />
S<br />
<br />
Z<br />
ZD<br />
U<br />
<br />
ZD0<br />
U<br />
1<br />
rd<br />
I<br />
R<br />
Z<br />
U<br />
R<br />
ZD<br />
I I ← (1. KZ)<br />
<br />
<br />
U<br />
U<br />
1<br />
1<br />
U<br />
R<br />
U<br />
R<br />
S<br />
ZD0<br />
S<br />
ZD0<br />
rd<br />
rd<br />
1<br />
<br />
RS<br />
R<br />
ZD<br />
r<br />
d<br />
r<br />
I<br />
d<br />
ZD<br />
<br />
<br />
<br />
Z<br />
<br />
r<br />
d<br />
I<br />
rd<br />
<br />
R<br />
S<br />
ZD<br />
1<br />
I<br />
U1<br />
<br />
RS<br />
U1<br />
<br />
R<br />
U<br />
R<br />
1<br />
S<br />
S<br />
U<br />
<br />
R<br />
ZD0<br />
S<br />
U<br />
<br />
ZD<br />
r<br />
d<br />
I<br />
ZD<br />
← (Ohmův zákon)<br />
ZD0<br />
U<br />
<br />
R<br />
U<br />
<br />
<br />
R<br />
rd<br />
I<br />
R<br />
ZD0<br />
S<br />
Z<br />
ZD0<br />
U<br />
ZD0<br />
R R<br />
RZ<br />
R<br />
rd<br />
R R<br />
R<br />
ZD0<br />
Z<br />
Z<br />
Z<br />
Z<br />
S<br />
R<br />
S<br />
U<br />
<br />
R<br />
S<br />
S<br />
S<br />
Z<br />
ZD0<br />
← (Ohmův zákon a 2. KZ)<br />
ZD<br />
rd<br />
<br />
R<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Z<br />
U<br />
R<br />
r<br />
<br />
Z<br />
I<br />
ZD0<br />
d<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
ZD<br />
<br />
<br />
<br />
r<br />
d<br />
<br />
U<br />
R<br />
R<br />
R<br />
Z<br />
Z<br />
R<br />
S<br />
R<br />
S<br />
U<br />
<br />
R<br />
Z<br />
<br />
U1<br />
ZD0<br />
ZD0<br />
S<br />
<br />
<br />
<br />
Předpokládejme, že r d « R S , R Z . Potom platí, že proud zátěží je (Ohmův zákon, přibližné vztahy):<br />
I<br />
Z<br />
<br />
U<br />
ZD0<br />
R<br />
Z<br />
Proud odporem R S je (Ohmův zákon a 2. KZ)<br />
I<br />
Z<br />
<br />
U<br />
1 <br />
R<br />
U<br />
S<br />
ZD0<br />
Proud diodou je (1. KZ)<br />
I<br />
ZD<br />
I<br />
S<br />
I<br />
Z<br />
<br />
U<br />
1<br />
U<br />
R<br />
S<br />
ZD0<br />
<br />
U<br />
ZD0<br />
R<br />
Z<br />
Tento proud vyvolá na odporu r d úbytek napětí Δ U ZD , který definuje změny napětí U ZD jako funkci r d ,<br />
R S , R Z , U 1 (porovnej s předchozím postupem):<br />
41
Polovodičové diody<br />
I ZD<br />
ID<br />
I S<br />
R S<br />
I ZD<br />
ID<br />
I Z<br />
≡<br />
U ZD0<br />
=<br />
r d<br />
U ZD<br />
U 1<br />
5 Ω<br />
= 6 V U ZD<br />
R Z<br />
U ZD<br />
I ZD<br />
a)<br />
b)<br />
Obr. 2.15: a) Elektrický model Zenerovy diody<br />
b) Signálový model obvodu z obr. 2.14<br />
U<br />
ZD<br />
r<br />
d<br />
I<br />
ZD<br />
r<br />
d<br />
U<br />
<br />
<br />
1<br />
U<br />
R<br />
S<br />
ZD0<br />
<br />
U<br />
ZD0<br />
R<br />
Z<br />
<br />
<br />
<br />
U<br />
ZD UZD0<br />
U<br />
ZD<br />
Musí platit, že I ZD ≥ I ZDmin .<br />
Mějme: R S = 100 Ω a U 1 = 8 V až 10 V. Pro R Z → ∞ (bez zátěže) je<br />
I ZD<br />
<br />
8 6<br />
100<br />
<br />
6<br />
<br />
až<br />
10 6<br />
100<br />
<br />
6<br />
<br />
20 mA<br />
až<br />
40 mA<br />
Mezní diodový proud (ztrátový výkon) není překročen. Odpovídající změny napětí jsou<br />
U<br />
ZD<br />
r I<br />
d<br />
ZD<br />
52010<br />
3<br />
až<br />
54010<br />
3<br />
100<br />
mV<br />
až<br />
200mV<br />
(proti hodnotě U ZD = 6 V).<br />
R Z<br />
Při minimálním napětí U 1 = 8 V protéká diodou proud 20 mA. Připojíme-li zatěžovací odpor<br />
R<br />
Z<br />
U<br />
ZD0<br />
6V<br />
300 <br />
I 20 mA<br />
Z<br />
nezbude „žádný proud“ pro diodu (I ZD < I ZDmin ). Proto za daných poměrů můžeme připojit až zátěž<br />
větší než 300 Ω. Připojíme-li R Z = 500 Ω, pak pro napětí U 1 = 8 V až 10 V určíme I ZD<br />
I ZD<br />
8 6<br />
<br />
100<br />
6<br />
500<br />
až<br />
I ZD<br />
8 mA<br />
až 28 mA<br />
10 6<br />
<br />
100<br />
6<br />
500<br />
Připojením zátěže se snížil proud I ZD diodou a změny napětí jsou nyní<br />
<br />
20<br />
12mA<br />
až 40<br />
12mA<br />
U<br />
ZD<br />
r<br />
d<br />
I<br />
ZD<br />
5810<br />
3<br />
až<br />
5<br />
2810<br />
3<br />
40 mV<br />
až<br />
140mV<br />
42
Polovodičové diody<br />
Problém na obr. 2.14 můžeme vyřešit i graficky. Výhodné je rozdělit si obvod na část lineární<br />
(U 1 , R S , R Z ) a nelineární (Zenerova dioda popsaná AV charakteristikou) – obr. 2.16. Lineární část<br />
nahradíme pomocí Théveninovy věty (viz. kap. 1), dále řešíme graficko – počet-ní metodou (viz. kap.<br />
1).<br />
lineární část<br />
nelineární část<br />
R i<br />
I i<br />
R S<br />
I ZD<br />
I ZD<br />
U 0 U AB<br />
ZD<br />
U 1<br />
R Z<br />
U AB<br />
ZD<br />
U ZD<br />
U ZD<br />
a)<br />
b)<br />
Obr. 2.16: a) Překreslení situace z obr. 2.14<br />
b) Náhradní schéma pro řešení nelineární části obvodu<br />
Pomocí Théveninovy věty určíme náhradní prvky lineárního obvodu – napětí náhradního zdroje U 0 a<br />
hodnotu sériového odporu R i ( zkratový proud I K )<br />
U<br />
0<br />
R<br />
Z<br />
<br />
U1<br />
R R<br />
S<br />
Z<br />
R<br />
i<br />
R<br />
R<br />
S Z<br />
I<br />
K<br />
U1 RS<br />
U<br />
0<br />
Ri<br />
RS<br />
RZ<br />
Chování lineární části obvodu je definováno zatěžovací přímkou<br />
I D<br />
U ZD U 1 U AB0 U ZDP<br />
A<br />
R Z → ∞<br />
P(∞)<br />
P(R Z )<br />
I ZDP<br />
U D<br />
B<br />
I K<br />
geometrické místo všech možných<br />
hodnot napětí U AB a proudů I AB pro<br />
lineární část obvodu<br />
Obr. 2.17: Grafické řešení paralelního stabilizátoru<br />
43
Polovodičové diody<br />
I<br />
i<br />
I<br />
ZD<br />
<br />
<br />
U<br />
0<br />
U<br />
R<br />
i<br />
AB<br />
<br />
I<br />
K<br />
<br />
U<br />
R<br />
AB<br />
i<br />
Při I je U U<br />
0 :<br />
ZD<br />
0<br />
AB AB<br />
U<br />
U<br />
1<br />
AB0<br />
U<br />
0<br />
RZ<br />
<br />
→ bod A na obr. 2.17<br />
RS<br />
RZ<br />
Při UAB<br />
0 je Ii<br />
IK<br />
:<br />
U<br />
1<br />
I<br />
K<br />
→ bod B na obr. 2.17<br />
RS<br />
Nikde jinde se nemůže vyskytnout napětí (ani proud) lineární části obvodu (U 1 , R S , R Z ).<br />
Nelineární část obvodu – zde Zenerova dioda – je popsána AV charakteristikou. Přitom musí<br />
být v obvodu splněna podmínka<br />
U<br />
AB<br />
U ZD<br />
.<br />
Tato podmínka je splněna v pracovním bodě P(R Z ), kde současně „platí“ zatěžovací přímka i AV<br />
charakteristika stabilizační diody.<br />
Pro R Z → ∞ je U AB 0<br />
U1<br />
, stále platí I<br />
K<br />
U1<br />
RS<br />
– viz pracovní bod P(∞).<br />
Pro příliš malé hodnoty R Z hodnota U AB0 klesá, pracovní bod se blíží kolenu v VA<br />
charakteristice Zenerovy diody. Toto není vhodný pracovní bod pro stabilizaci napětí. Klesne-li<br />
hodnota napětí U AB0 pod napětí U ZD0 , neprotéká stabilizační diodou žádný proud. Obvod nestabilizuje.<br />
Napětí na zátěži je dáno pouze děličem R s , R Z → tedy přímo U AB0 .<br />
2.4 Fotodioda (fotojev)<br />
Fotodioda je polovodičová dioda, která je navržená tak, aby na P-N přechod dopadalo světlo.<br />
Její AV charakteristiky jsou zobrazeny na obr. 2. 19 – v I. kvadrantu jsou AV charakteristiky<br />
"zhuštěné", neboť dioda v propustném režimu málo reaguje na osvětlení. V bodě P fotodioda<br />
nereaguje na světlení vůbec – proto se dioda v tomto kvadrantu nepoužívá. Fotoelektrický jev se<br />
projevuje v závěrném směru a pro malá napětí v propustném směru – III. a IV. kvadrant – viz obr. 2.<br />
19.<br />
Přechod P-N je uspořádán tak, aby absorboval záření 3) , jehož energie (kvanta) je<br />
3) Ve všech předchozích případech se snažíme zajistit opak. Není žádoucí, aby jevy v přechodech P-N<br />
byly ovlivněny zářením. Proto, pokud je to možné, se používají pro záření nepropustná pouzdra.<br />
44
Polovodičové diody<br />
W g<br />
h <br />
(2.18)<br />
kde<br />
h = 6,62·10 -34 J·s je Planckova konstanta<br />
ν [s -1 ] je frekvence záření<br />
Situace je schématicky znázorněna na obr. 2.18. Pokud je energie záření dostatečná, generuje<br />
v ochuzené oblasti pár elektron-díra – viz obr. 2.18. Elektrické pole v ochuzené vrstvě urychluje<br />
elektron do oblasti N a díru do oblasti P.<br />
P<br />
N<br />
pár elektron – díra<br />
( A ) ( K )<br />
E<br />
h ·ν<br />
h ·ν<br />
Obr. 2.18: Kvalitativní zobrazení fotojevu<br />
Je-li dioda rozpojena (zapojena naprázdno), vzniká na ní měřitelné napětí naprázdno U D0 , které<br />
závisí na intenzitě záření logaritmicky (navíc je teplotně závislé). Tento režim proto není vhodný pro<br />
fotometrické účely [2].<br />
Jeli dioda zapojena nakrátko, obvodem protéká proud I DK , který je v širokém rozsahu přímo<br />
úměrný intenzitě záření. Tento režim je proto vhodný pro fotometrické účely. Proud směřuje od K k A<br />
(je tedy záporný podle šipkové konvence diody).<br />
Mezi stavem naprázdno a nakrátko pracuje přechod v tzv. fotovoltaickém režimu. V obvodu<br />
přechodu není zapojen žádný zdroj napětí ani proudu, chová se jako zdroj (sluneční články) – viz obr.<br />
2.19. Zatěžovací rezistor se volí tak, aby fotočlánek dodával maximální výkon – viz R OPT . Protože<br />
výkon je dán součinem napětí a proudu, odpovídá maximálnímu výkonu maximální plocha – viz<br />
vyšrafovaná oblast náležející k pracovnímu bodu P.<br />
U<br />
DP<br />
ROPT<br />
<br />
I<br />
DP<br />
Ve fotovoltaickém režimu je ochuzená vrstva úzká a má velkou kapacitu, proto i špatné<br />
frekvenční vlastnosti. Tuto kapacitu lze snížit rozšířením ochuzené oblasti – přiložením záporného<br />
napětí U D – hovoříme o fotovodivostním režimu. Frekvenční vlastnosti jsou zde lepší a proud stále<br />
lineárně odpovídá intenzitě dopadajícího záření.<br />
Pokud na fotodiodu nedopadá záření, chová se jako běžná dioda – viz obr. 2.19 – 1. kvadrant.<br />
Použití:<br />
Některé fotodiody pracují<br />
v odporovém (fotovodivostním) i hradlovém (fotovoltaickém) režimu<br />
pouze v fotovodivostním režimu<br />
pouze v fotovoltaickém režimu<br />
45
Polovodičové diody<br />
a) pouze fotovodivostním režimu – zvukový snímač pro optický záznam zvuku<br />
b) pouze ve fotovoltaickém režimu – měřiče elektrického osvětlení<br />
– automatické ovládání světla<br />
– expozimetry<br />
– luxmetry<br />
I D<br />
P<br />
Propustný směr – bez záření<br />
(normální dioda)<br />
Režim naprázdno U D0<br />
Intenzita<br />
záření<br />
(mW/cm 2 )<br />
U DP<br />
I DP P<br />
R OPT<br />
U D<br />
Režim nakrátko I DK<br />
3. kvadrant U D < 0, I D < 0 4. kvadrant U D > 0, I D < 0<br />
fotovodivostní režim<br />
fotovoltaický režim<br />
(odporový režim)<br />
(hradlový, zdrojový režim)<br />
R Z<br />
I FOTO<br />
R OPT<br />
I D<br />
I D<br />
U 0<br />
U D<br />
h ·ν<br />
U D<br />
h ·ν<br />
I FOTO<br />
Obr. 2. 19: AV charakteristika fotodiody<br />
46
Polovodičové diody<br />
2.5 Druhy diod<br />
Podle technologie výroby je dělíme na:<br />
<br />
Plošné diody – dělíme na<br />
a) Difúzní – destička typu N se vloží do prostředí, které obsahuje volné akceptory (v<br />
plynném stavu). Při vysokých teplotách (pro Si 1000° až 1350° C, pro Ge 700° až<br />
800° C) pronikají akceptory do základní destičky (difundují) a vytváří pod povrchem<br />
oblast typu P – vzniká P-N přechod.<br />
b) Slitinové – na germaniovou destičku typu N se přiloží materiál s vlastnostmi<br />
akceptoru – např. indium (In). Po zahřátí na 630° C se Ge a In slijí – vzniká P-N<br />
přechod. Při hromadné výrobě – je destička typu N maskována a v masce jsou otvory<br />
pouze v místech, kde má vznikat přechod P-N. Po zahřátí (na 630° C) se musí maska<br />
odleptat.<br />
Hrotové diody – na základní destičku (Si) typu N se přitlačí wolframový hrot. Proudovým<br />
impulsem se stykové místo roztaví, čímž vznikne miniaturní oblast typu P s velmi malou<br />
kapacitou. Jsou vhodné pro vysokofrekvenční obvody. Pro Ge se používá hrot z platiny<br />
legované indiem.<br />
Obr. 2.20: druhy diod – a) usměrňovací, b) hrotová, c) miniaturní,<br />
d,e) výkonové, f) germaniová<br />
Dále je dělíme na:<br />
miniaturní – diody s pracovním proudem do 100 mA<br />
středovýkonové – diody s pracovním proudem do 1A<br />
výkonové – diody s pracovním proudem nad 1A<br />
Podle použití dělíme diody na:<br />
všeobecné – diody pro víceúčelové využití s obecnými parametry<br />
usměrňovací – diody určeny pro zpracování převážně sekundárního napětí síťových Tr<br />
spínací – diody pro počítačovou techniku; logické obvody<br />
47
Polovodičové diody<br />
<br />
<br />
směšovací – diody pro vf techniku, televize, rádia a podob.<br />
detekční – diody v pásmu GHz; satelity a podob.<br />
Pojmy k zapamatování<br />
Polovodič - donor, akceptor, typu P a N; přechod PN – AV charakteristika, diferenční odpor; jev –<br />
usměrňovací; lavinový, Zenerův a fotojev; druhy diod.<br />
Otázky 2<br />
1. Definujte polovodič typu N.<br />
2. Definujte polovodič typu P.<br />
3. Vysvětlete pojem ochuzená vrstva a jak souvisí s přechodem PN.<br />
4. Popiště chování přechodu PN – a) v propustném směru<br />
b) v závěrném směru.<br />
5. Můžeme při řešení obvodů s diodami aplikovat Nortonovu nebo Théveninovu větu<br />
U T<br />
6. Vysvětlete význam symbolů ve vztahu D U<br />
I e <br />
I 0 1 .<br />
7. Nakreslete AV charakteristiku podle vztahu z otázky 5.<br />
8. Odvoďte diferenční vodivost diody.<br />
9. Vysvětlete usměrňovací jev.<br />
10. Proč jsou stabilizační diody v oblasti cca 6 V teplotně nejméně závislé<br />
11. Popište využití fotodiody.<br />
12. Jakým způsobem získáváme elektrickou energii z energie světelné<br />
D<br />
Úlohy k řešení 2<br />
<br />
Příklad 2.1<br />
V laboratorním cvičení jsme změřili A-V charakteristiku Zenerovy diody – viz tabulka 1.<br />
Určete:<br />
48
Polovodičové diody<br />
a) statický odpor v propustném směru, je-li I 10 mA<br />
b) diferenční (dynamický) odpor v propustném směru ( I 10 mA)<br />
c) statický odpor v závěrném směru – v oblasti kolena ( I 1, 4 mA)<br />
d) diferenční odpor v oblasti kolena ( I 1, 4 mA)<br />
e) statický odpor v oblasti stabilizace ( I 10<br />
mA)<br />
f) diferenční odpor v oblasti stabilizace ( I 10<br />
mA<br />
Tab. 1:<br />
Propustný směr<br />
U D (V) 0,6 0,65 0,72 0,74 0,77<br />
I D (mA) 0 0,15 1,2 4,2 16<br />
R<br />
R<br />
R<br />
F<br />
F<br />
R<br />
Závěrný směr<br />
U D (V) 0 2,75 3,2 3,5 3,75 3,85 4,0 4,1<br />
I D (mA) 0 0,5 2,0 4,0 7 10 15 20<br />
I D<br />
R<br />
ID (mA)<br />
U 0<br />
D<br />
U D<br />
P<br />
U D (mV)<br />
t<br />
u U Um sint<br />
0<br />
Obrázek k příkladu 2.2<br />
t<br />
49
Polovodičové diody<br />
<br />
Příklad 2.2<br />
a) Jaký pracovní bod diody se nastaví při napětí U 0 = 400 mV a odporu R = 40 Ω<br />
b) Vyšetřete graficky závislost u D<br />
t<br />
a i D<br />
t<br />
,<br />
u<br />
t U Um sint<br />
, 200 m V, U 400 V<br />
0 m<br />
0 <br />
U m<br />
.<br />
jestliže připojíme zdroj napětí<br />
<br />
Příklad 2.3<br />
Je dána stabilizační dioda, jejíž charakteristika v průrazné oblasti 50 mA<br />
IZD 300 mA<br />
je aproximována reálným zdrojem napětí – Ud<br />
9, 9 V, r d 2<br />
Realizujte touto diodou<br />
jednoduchý parametrický stabilizátor napětí – viz obrázek. Proud zátěží má být v mezích<br />
0 I Z 200mA<br />
a) Určete pro hodnotu napěťového zdroje U = 30 V hodnotu odporu R tak, aby diodou<br />
procházel minimální proud I ZD = 50 mA<br />
b) Určete napětí naprázdno U 0 a vnitřní odpor R i náhradního zapojení stabilizátoru napětí<br />
na svorkách a, b.<br />
c) Kdy je Zenerova (stabilizační) dioda nejvíce výkonově zatížena<br />
d) Napájecí napětí U se mění o 10 %. Jak velký je činitel vyhlazení a činitel stabilizace<br />
I<br />
R<br />
I Z<br />
a<br />
U<br />
U ZD<br />
I ZD<br />
U 2<br />
R Z<br />
Stabilizátor napětí – příklad 2.3<br />
b<br />
<br />
Příklad 2.4<br />
K ladění rezonančního obvodu na obrázku použijeme kapacitní diodu. Při napětí<br />
U 4 V byla změřena kapacita diody C 5 pF<br />
, hodnota odporu je R = 100 kΩ.<br />
D<br />
Vypočítejte:<br />
a) Závislost kapacity C diody na napětí U D v rozsahu 20 V U D 1<br />
V<br />
b) Náhradní zapojení kapacitní diody pro střídavý signál – viz obrázek – má parametry:<br />
R D 4 , G D 1 μS , C D 5 pF při UD<br />
4<br />
V. Dokažte, že při rezonanční<br />
frekvenci f 100<br />
Hzmůže být vodivost G d zanedbána.<br />
0 M<br />
50
Polovodičové diody<br />
G d<br />
R d<br />
C d<br />
Náhradní zapojení kapacitní diody pro střídavý signál<br />
c) Vypočítejte indukčnost L tak, aby při R D 4 a C D 5 pF byla rezonanční frekvence<br />
f0 100 MHz.<br />
d) Určete činitel jakosti Q rezonančního obvodu a šířku pásma B.<br />
e) Jaké bude největší napětí na diodě U D , bude-li se rezonanční obvod přelaďovat v rozsahu<br />
100 MHz f0 150<br />
MHz<br />
f) Určete pro f 150 MHz činitel jakosti Q a šířku pásma B.<br />
C v R<br />
U D<br />
=<br />
L<br />
U 0<br />
Ladění rezonančního obvodu kapacitní diodou<br />
Poznámka:<br />
Kapacita C V odděluje stejnosměrnou úroveň a musí být tak velká, aby pro pracovní kmitočty<br />
představovala zkrat. Odpor o velikosti R = 100 kΩ je zahrnut do analýzy. Zdroj napětí U 0 0 slouží<br />
k ladění rezonančního obvodu a pro střídavý signál představuje zkrat. Závěrný proud diody vyvolá<br />
zanedbatelný úbytek napětí na odporu R proti U 0 .<br />
<br />
Příklad 2.5<br />
Zapojení se skládá se zdroje napětí U0,<br />
odporu R a fotodiody – viz obrázek.<br />
Charakteristiky fotodiody pro různou intenzitu osvětlení jsou uvedeny na dalším obrázku.<br />
Napětí zdroje U 0 3V<br />
a odpor R 10 k<br />
.<br />
0 ,<br />
51
ID (A)<br />
Polovodičové diody<br />
U DP<br />
I DP<br />
R<br />
a) Určete napětí na fotodiodě UD,<br />
proud<br />
diodou I D a napětí U R na odporu R při intenzitě<br />
E = 2000 mW/cm 2 osvětlení E = 2 000 mW/cm 2 .<br />
b) Při jaké intenzitě osvětlení platí<br />
U R U 0 <br />
c) Určete výkonovou bilanci v obvodu<br />
Zapojení fotodiody – příklad 2.5<br />
E = 0 mW/cm 2<br />
E = 1500 mW/cm 2<br />
U D (mV)<br />
E = 500 mW/cm 2<br />
E = 1000 mW/cm 2<br />
U R<br />
U 0 = U D<br />
<br />
t<br />
Příklad 2.6<br />
Nakresli kvalitativně průběh výstupního napětí u vyst<br />
t<br />
, je-li průběh napětí<br />
uvst<br />
Um<br />
sint<br />
(diody D 1 a D 2 považujte opět za ideální s nulovým úbytkem napětí<br />
v propustném směru):<br />
a) U1 U 2 ; U m U1<br />
b) U1 U 2 ; U m 1,2<br />
U1<br />
52
Příklad 2.7<br />
Polovodičové diody<br />
a) Nakresli kvalitativně průběh výstupního napětí u 2<br />
t, je-li průběh napětí<br />
u1 t Um sint<br />
a není připojena filtrační kapacita C.<br />
b) Nakresli kvalitativně průběh výstupního napětí u 2<br />
t<br />
, je-li průběh napětí<br />
u1<br />
t Um sint<br />
a není-li připojena zátěž R (kapacita C je zapojena).<br />
c) Nakresli kvalitativně průběh výstupního napětí u 2<br />
t<br />
, je-li průběh napětí<br />
u t Um sint<br />
1 a je připojen odpor R i filtrační kapacita C.<br />
d) Jak se změní průběh proudu procházející odporem R, zmenšujeme-li hodnotu odporu<br />
R<br />
(diody D 1 D 4 uvažujte opět za ideální s nulovým úbytkem napětí v propustném směru):<br />
CD-ROM<br />
Otevři soubor Diody<br />
Text k prostudování<br />
[1] Frohn, M. – Siedler, H.-J. – Wiemer, M. – Zastrow, P.: Elektronika, polovodičové<br />
součástky a základní zapojení. Ben, Praha 2006, ISBN 80-7300-123-3<br />
53
Polovodičové diody<br />
Další zdroje<br />
1 Yunik, M.: Design of modern transistor circuits. Prentice – Hall, Inc., Englwood Cliffs,<br />
N.J., 1973<br />
2 Vobecký, J. - Záhlava, V.: Elektronika (součástky a obvody, principy a příklady), Grada,<br />
Praha 2001<br />
3 Klímek, A. – Zíka, J.: Malá encyklopedie elektrotechniky – Polovodičové součástky.<br />
SNTL, Praha, 1997<br />
[4] Horowitz, P.- Winfield,H.: The art of electronics (second edition). Cambridge University<br />
Press, Cambridge 1982<br />
5 Doleček, J.: Moderní učebnice elektroniky 2. díl, BEN, Praha, 2005,<br />
ISBN 80-730-161-6<br />
6 Kuphaldt, Tony R.: Lessons In Electric Circuits, www.ibiblio.org/kuphaldt/<br />
Korespondenční úkol<br />
Bude zadán vyučujícím z množiny příkladů určených k samostatnému řešení..<br />
54
Bipolární tranzistory<br />
3 Tranzistory<br />
Čas ke studiu: 9 hodin<br />
Cíl Po prostudování této kapitoly budete umět:<br />
sestavit a zdůvodnit signálový model tranzistoru – PNP, NPN<br />
nastavit pracovní bod tranzistorů<br />
navrhnout a posoudit zapojení bipolárního tranzistoru<br />
- se společným emitorem<br />
- s externím emitorovým odporem<br />
- se společným kolektorem (sledovač napětí)<br />
- se společnou bází<br />
- zesilovač se zdrojem proudu v kolektoru<br />
VÝKLAD<br />
3.1 Bipolární tranzistory<br />
Jsou dva typy bipolárního tranzistoru – PNP a NPN<br />
Tranzistor je správně zapojen když je<br />
– přechod báze (B) – emitor (E) otevřen<br />
– přechod báze (B) – kolektor (C) uzavřen<br />
Proudové zesílení β tranzistoru je definováno poměrem proudu kolektoru I C a proudu báze I B<br />
<br />
I<br />
C<br />
(typicky 30 až 500)<br />
I B<br />
Platí, že proudy kolektoru (I C ) a emitoru (I E ) jsou si prakticky rovny<br />
55
Bipolární tranzistory<br />
3.2 Tranzistorový jev<br />
Tranzistor NPN se skládá ze dvou oblastí typu N, mezi které je „vložena“ oblast typu P (báze<br />
– B) – viz obr. 3.1. Báze musí být tenká.<br />
Při poměrech uvedených na obr. 3.1 (aktivní režim tranzistoru) je přechod B (báze) – E<br />
(emitor) polarizován napětím U BE ( > 0) v propustném směru. Přechod B – C (kolektor) je polarizován<br />
napětím U CB ( > 0) v závěrném směru. Pro křemíkovou strukturu je napětí U BE = 0,4 až 0,8 V (podle<br />
velikosti emitorového proudu, běžně se uvažuje s hodnotou 0,6 V).<br />
a) b)<br />
E CB<br />
N P N<br />
U CE<br />
E<br />
C<br />
C<br />
I C<br />
I E<br />
I C<br />
B<br />
I B<br />
U CE<br />
U BE<br />
I B<br />
intrisická díra<br />
U CB<br />
U BE<br />
E<br />
I E<br />
B<br />
Obr. 3.1: Kvalitativní zobrazení struktury tranzistoru NPN:<br />
a) zapojení se společnou bází – SB (dohodnutý směr proudu má směr<br />
proti pohybu elektronů – historická konvence)<br />
b) symbol tranzistoru NPN<br />
Elektrony z emitoru E (N-typ) jsou vstřikovány (emitovány) do oblasti typu P – do báze B,<br />
stejně jako je tomu u běžné diody. Pokud je báze dostatečně tenká, proletí většina elektronů až<br />
k uzavřenému přechodu B-C, kde jsou „zachyceny“ intenzitou pole E CB ochuzené oblasti – viz obr. 3.1<br />
– a „proneseny“ do oblasti kolektoru (C) typu N. Tam se stávají opět majoritními nosiči proudu a jsou<br />
sbírány (collect). Množství elektronů emitovaných z emitoru lze řídit proudem (i napětím) přechodu<br />
B-E.<br />
To je tranzistorový jev. Tranzistor nelze nahradit dvěmi jednotlivými diodami tak, jak je<br />
zobrazeno na obr. 3.2. Při takovém uspořádání by nebyla splněna podmínka tenké báze, tranzistorový<br />
jev vůbec nevzniká. Schéma na obr. 3.2 můžeme použít pouze pro ověření existence dvou<br />
nepoškozených P-N přechodů tranzistoru.<br />
(N – P) (P – N)<br />
E<br />
C<br />
Obr. 3.2: Nevhodný model tranzistoru NPN<br />
B<br />
56
Bipolární tranzistory<br />
Určitá část elektronů z emitoru vytváří bázový proud I B (nedorazí ke kolektoru). Typicky platí<br />
I 0, 01<br />
B I E<br />
Je-li emitorový proud nastaven na nulovou hodnotu, protéká uzavřeným přechodem C-B<br />
pouze nasycený (intrinsický) proud, zde pojmenovaný I CB0 . Pro moderní křemíkové tranzistory lze<br />
v aktivním režimu I CB0 zanedbat a<br />
I<br />
<br />
(3.1)<br />
C I E<br />
α je proudový zesilovací činitel v zapojení se společnou bází (SB) a representuje vlastně tranzistorový<br />
jev.<br />
Z 1. Kirchhoffova zákona vyplývá<br />
I<br />
E<br />
I I<br />
(3.2)<br />
C<br />
B<br />
tedy i<br />
I<br />
E<br />
I<br />
E<br />
I<br />
B<br />
odtud dostaneme<br />
IC<br />
I E I B I B<br />
1<br />
1<br />
(3.3)<br />
I I I<br />
α je vždy menší než 1.<br />
E<br />
E<br />
E<br />
Definujme (pojmenujme) i proudový zesilovací činitel v zapojení se společným emitorem<br />
(SE) jako<br />
<br />
I<br />
C<br />
(3.4)<br />
I B<br />
Po dosazení získáme<br />
a další úpravou<br />
<br />
<br />
<br />
I<br />
I IC<br />
1<br />
E<br />
I<br />
C<br />
C<br />
I<br />
I<br />
C<br />
E<br />
1<br />
I<br />
E<br />
<br />
(3.5)<br />
<br />
(3.6)<br />
1<br />
0,<br />
99<br />
Je-li např. 0, 99,<br />
je 99.<br />
1<br />
0,<br />
99<br />
99<br />
A naopak, známe-li 99,<br />
určíme, že 0,99.<br />
99 1<br />
57
Bipolární tranzistory<br />
3.2.1 Popis a model tranzistoru (stejnosměrný)<br />
V běžném aktivním režimu platí pro moderní křemíkové tranzistory (zjednodušené Ebersovy –<br />
Mollovy rovnice):<br />
kde<br />
<br />
U BE U<br />
<br />
T<br />
I I 0 e 1<br />
(3.7)<br />
I<br />
E<br />
E<br />
<br />
C I E<br />
U T<br />
k T<br />
e je teplotní napětí (26 mV při 300 K)<br />
α je proudový zesilovací činitel v zapojení SB<br />
I E0 je nasycený proud diody B-E<br />
U BE je napětí na diodě B-E<br />
Vztah (3.7) popisuje výstupní charakteristiky v zapojení SB. Ekvivalentní (zjednodušené)<br />
schéma, které vyhovuje pro aktivní režim tranzistoru je na obr. 3.3.<br />
α·I C<br />
E<br />
B i<br />
r b<br />
I E I CB0<br />
I C<br />
C<br />
U BE<br />
B<br />
U CB<br />
Obr. 3.3: Zjednodušené ekvivalentní schéma tranzistoru NPN<br />
v zapojení SB (pro aktivní režim)<br />
Interní báze tranzistoru je označena symbolem B i Odpor r b (běžně 20 Ω až 50 Ω) modeluje<br />
odpor bázové oblasti. Mezi interní bází B i a emitorem E je zapojena v propustném směru dioda B-E.<br />
Mezi B i a kolektorem C je připojena závěrně polarizovaná dioda a řízený zdroj proudu α I E , který<br />
reprezentuje tranzistorový jev (na rozdíl od obr. 3.2).<br />
3.4.<br />
Výstupní charakteristiky tranzistoru NPN v zapojení SB jsou kvalitativně zobrazeny na obr.<br />
Zajímavé je, že proud I C je (je pro dané I E ) téměř konstantní, ještě i pro U CB = - 0,5 V. Je to<br />
tím, že tranzistorový jev zaniká až tehdy, kdy se dostatečně otevře přechod B-C a to je u křemíku až<br />
při U CB = - 0,7 V.<br />
Další zajímavou vlastností je, že proud kolektoru I C s růstem U CB nepatrně narůstá – viz detail<br />
v obr. 3.4, Δ U CB = 3 V, Δ I C = 1 μA. Tomu odpovídá diferenční odpor (důležité: při I E = konst.) báze<br />
– kolektor<br />
UCB<br />
3 V<br />
r CB 3M<br />
(3.8)<br />
I 1A<br />
C<br />
58
Bipolární tranzistory<br />
Jedná se o Earlyho jev. S růstem napětí U CB se ochuzená vrstva přechodu C-B rozšiřuje. Tím se<br />
vlastně zužuje oblast báze a α se více blíží hodnotě 1. Proudový zesilovací činitel α je tedy funkcí (i<br />
a)<br />
b)<br />
B<br />
2,88 + Δ I C<br />
I C<br />
(mA)<br />
detail<br />
A<br />
Δ U CB = 3 V<br />
2,88<br />
Δ I C = 1 μA<br />
A<br />
B<br />
3 mA<br />
2 mA<br />
I E<br />
1 mA<br />
U CB (V)<br />
Obr. 3.4: a) Výstupní charakteristiky I C = f(U CB ) tranzistoru, I E je parametr<br />
b) detail<br />
když nijak výraznou) napětí U CB (i proudu kolektoru).<br />
3.5.<br />
Poněkud jiná je situace, zapojí-li se tentýž tranzistor NPN se společným emitorem (SE) – obr.<br />
C<br />
I C<br />
U CB<br />
U BE<br />
B<br />
N<br />
P<br />
N<br />
U CE<br />
I B<br />
I E<br />
Obr. 3.5: Princip zapojení tranzistoru se společným emitorem (SE)<br />
E<br />
Z 2. Kirchhoffova zákona platí, že<br />
U<br />
CB<br />
U<br />
CE<br />
U<br />
BE<br />
U<br />
CE<br />
0,7 V<br />
59
Bipolární tranzistory<br />
Ze vztahu vyplývá, že již při U CE → 0 je U CB → - 0,7 V. Tranzistorový jev proto zaniká pro U CE = 0<br />
V. Proto výstupní charakteristiky v zapojení SE začínají až při U CE > 0 – viz obr. 3.6. Parametrem je<br />
nyní konstantní proud do báze ( I B ). Když si uvědomíme, že<br />
I<br />
B<br />
I<br />
E<br />
I<br />
C<br />
I<br />
E<br />
I 1<br />
E<br />
<br />
IE<br />
můžeme určit vstupní charakteristiky v zapojení SE (obr. 3.6c):<br />
a)<br />
b)<br />
B<br />
Δ I C = 100 μA<br />
I C<br />
(mA)<br />
detail<br />
A<br />
Δ U CE = 3 V<br />
45 μA<br />
A<br />
B<br />
30 μA<br />
I B<br />
20 μA<br />
5 μA<br />
U CE (V)<br />
c) I B<br />
d)<br />
(μA)<br />
I C (mA)<br />
I B (μA)<br />
I B (μA)<br />
U BE (V)<br />
U CE (V)<br />
U BE (V)<br />
U CE (V)<br />
Obr. 3.6: a) Výstupní charakteristiky I C = f(U CE ) tranzistoru v zapojení SE, I B je parametr<br />
b) Detail<br />
c) Vstupní charakteristiky I B = f(U BE ) tranzistoru v zapojení SE<br />
d) Obvyklý způsob zobrazení charakteristik v zapojení SE<br />
I<br />
B<br />
<br />
U <br />
BE U<br />
<br />
T<br />
U BE U I<br />
T<br />
E0<br />
U BE UT<br />
1 <br />
I e<br />
1<br />
1<br />
I e<br />
1 e<br />
1<br />
E<br />
E0<br />
(3.9)<br />
1<br />
<br />
1<br />
0 <br />
I zde se uplatňuje Earlyho jev. S růstem napětí U CE (a tedy i U CB ) se zužuje oblast báze. Nyní<br />
se uplatňuje vůči konstantnímu proudu báze, který je (β + 1)-krát menší než proud I E<br />
60
I<br />
I<br />
I<br />
I<br />
<br />
<br />
<br />
Bipolární tranzistory<br />
I<br />
1 I . Earlyho jev má nyní (β + 1) krát větší vliv než v zapojení<br />
E B C B B<br />
B<br />
SB [1]. Jestliže budeme definovat diferenciální odpor v zapojení SE jako (viz detail obr. 3.6b)<br />
r<br />
CE<br />
<br />
U<br />
I<br />
CE<br />
C<br />
<br />
3<br />
100<br />
V<br />
A<br />
30k<br />
potom přibližně platí (pro stejný tranzistor jako v zapojení SB)<br />
rCB<br />
3 M<br />
r CE 30k<br />
(3.10)<br />
1<br />
101<br />
Po prodloužením lineárních (horizontálních) částí závislosti výstupních charakteristik<br />
v zapojení SE tranzistoru [I C = f(U CE ); I B je parametr] se tyto úseky protnou přibližně v jednom bodě<br />
na ose U CE [2] – viz obr. 3.7. Tomuto bodu odpovídá určité napětí – Earlyho napětí U A . Diferenční<br />
(přírůstkový) odpor mezi kolektorem C a emitorem E pak zjednodušeně určíme pro pracovní bod<br />
(U CEP , I CP ) pomocí Ohmova zákona,<br />
r<br />
U<br />
U<br />
A CEP<br />
CE (3.11)<br />
ICP<br />
protože při daném zjednodušení je vidět, že trojúhelníky (Δ U CE , Δ I CE ) a (U A , U CEP , I CP ) jsou<br />
podobné. Platí proto:<br />
r<br />
CE<br />
<br />
U<br />
I<br />
CE<br />
C<br />
<br />
U<br />
A<br />
U<br />
I<br />
CP<br />
CEP<br />
I C<br />
I CP<br />
U CEP<br />
I B – parametr<br />
Δ U CE<br />
Δ I C<br />
U CE<br />
U A<br />
Obr. 3.7: Znázornění Earlyho napětí U A<br />
V některých katalozích se napětí U A udává, rozumí se tím hodnota U A pro zapojení SE. Na<br />
základě udělaných kvalitativních úvah je možné odhadnout, že pro zapojení SB by se jednalo o<br />
hodnotu (β + 1) krát větší.<br />
Zanedbáme-li v aktivním režimu proud I CB0 přechodem C-B (v závěrném stavu) a odpor r B ,<br />
potom možné ekvivalentní schéma tranzistoru je na obr. 3.8.<br />
V této podobě je již α konstantní, závislost α na U CB (Earlyho jev) je popsána rezistorem r CB . Platí, že<br />
61
Bipolární tranzistory<br />
I<br />
C<br />
U<br />
CB<br />
I<br />
E <br />
(3.12)<br />
rCB<br />
kde r CB je většinou v intervalu 1 MΩ až 10 MΩ .<br />
α·I C<br />
E<br />
B i<br />
C<br />
U BE<br />
I E<br />
I B<br />
B<br />
r CB<br />
I C<br />
U CB<br />
Obr. 3.8: Zjednodušené náhradní schéma tranzistoru NPN<br />
(pro I CB0 = 0, α = konst)<br />
3.2.2 Chování tranzistoru při malých (signálových) změnách u be , i b , i e –<br />
signálový model tranzistoru<br />
Pro jednoduchost budeme předpokládat, že α i β mají stejné hodnoty pro stejnosměrné i<br />
dynamické hodnoty signálu (pro „střídavé“ signály) v okolí zvoleného (nastaveného) pracovního bodu<br />
P. Z obr. 3.8 vyplývá, že vlastně musíme určit pouze vztah mezi změnou napětí Δ U BE (→ u be ) a<br />
změnou proudu Δ I E (→ i e ) . Poměry v „kolektoru“ jsou jednoznačně určeny řízeným zdrojem proudu<br />
a odporem r CB , tedy<br />
I<br />
C<br />
přičemž člen<br />
I<br />
E<br />
<br />
U<br />
r<br />
CB<br />
CB<br />
U CB rCB<br />
lze ve většině praktických případů zanedbat vůči členu I E .<br />
Charakteristika přechodu B-E je na obr. 3.9.<br />
Pro velmi malé změny v okolí pracovního bodu P (U BEP , I EP ) lze exponenciálu nahradit ekvivalentní<br />
vodivostí g e (viz kap. 1 – linearizace, vodivost definovaná tečnou v bodě P). Pro odvození g e vyjdeme<br />
ze vztahu (3.7).<br />
g<br />
e<br />
<br />
lim<br />
0<br />
I<br />
U<br />
<br />
E<br />
BE<br />
<br />
d<br />
dU<br />
BE<br />
d<br />
<br />
U BE U T<br />
IE<br />
IE0<br />
e 1<br />
dU<br />
BE<br />
U BE<br />
U BEP<br />
g<br />
e<br />
I<br />
U U 1<br />
BEP T<br />
E0 e <br />
UT<br />
62
Bipolární tranzistory<br />
U BEP UT<br />
U BEP UT<br />
U BEP U T a IE<br />
e<br />
<br />
IE0<br />
e IEP<br />
V aktivním režimu platí 1<br />
0 1 . Potom<br />
signálová (diferenční) vodivost (často označována jako strmost v m A V je<br />
g I U<br />
(3.13)<br />
e<br />
EP<br />
T<br />
I<br />
E<br />
<br />
I<br />
E<br />
<br />
U BE U<br />
T<br />
0 e 1<br />
<br />
I E<br />
(mA)<br />
tečna v pracovním bodě P<br />
I EP<br />
P<br />
P<br />
Δ I E<br />
- I E0<br />
0<br />
U BEP<br />
Δ U BE<br />
U BE (V)<br />
Obr. 3.9: A-V charakteristika přechodu B-E<br />
a je určena pouze podílem stejnosměrného proudu emitoru I EP (pracovní bod) a teplotním napětím U T<br />
(26 mV při 300 K). Toto je velmi užitečný výsledek, protože pro signálové změny v okolí pracovního<br />
bodu P pak zjednodušeně platí (Δ U BE → u be , Δ I E → i e )<br />
ie<br />
ge<br />
(3.14a)<br />
ube<br />
nebo<br />
ie<br />
ube<br />
re<br />
ie<br />
(3.14b)<br />
ge<br />
kde<br />
U<br />
BE<br />
re<br />
1 <br />
(3.15)<br />
g I<br />
je signálový odpor diody B-E.<br />
e<br />
E<br />
Signálový model, který vyhovuje uvedeným vztahům je na obr. 3.10.<br />
Reálný tranzistor T je modelován (popsán) pomocí odporů r e a r CB a idealizovaného<br />
tranzistoru T i , který má nulové (signálové) napětí mezi bází B a interním emitorem E i (na který si<br />
nelze „sáhnout“). Ideální tranzistor T i je popsán vztahy<br />
i<br />
<br />
ci i b<br />
i<br />
ci<br />
<br />
ie<br />
ie<br />
(3.16)<br />
1<br />
i<br />
e<br />
i<br />
ci<br />
i<br />
b<br />
63
Bipolární tranzistory<br />
Odpor r CB lze většinou zanedbat – potom platí<br />
i i .<br />
c<br />
ci<br />
Odpor r e zapojený mezi E i a E modeluje právě vlastnosti diody B-E v propustném směru – vůči<br />
malosignálovým změnám. Při zvolené idealizaci platí<br />
tedy<br />
u<br />
i<br />
c<br />
re<br />
<br />
u 0 r i<br />
(3.17)<br />
u<br />
r<br />
be<br />
be<br />
e<br />
u<br />
be<br />
e<br />
g<br />
e<br />
e<br />
Toto je ve shodě se vztahy (3.14) a (3.15). Signálový model na obr. 3.10 tedy skutečně<br />
vyhovuje shora uvedenému a lze jej použít pro analýzu obvodů s tranzistorem NPN, známe-li jeho<br />
pracovní bod.<br />
E<br />
i e<br />
r e E i T i i ci i c<br />
u re<br />
0 V<br />
C<br />
i b<br />
B<br />
r CB<br />
u be<br />
u cb<br />
Obr. 3.10 Signálový model tranzistoru s idealizovaným tranzistorem T i<br />
a) b)<br />
P N E BC P<br />
E<br />
C<br />
C<br />
I C<br />
I E<br />
I C<br />
B<br />
I B<br />
U EB > 0<br />
I B<br />
U BC > 0<br />
U EB<br />
E<br />
I E<br />
B<br />
Obr. 3.11: Kvalitativní zobrazení struktury tranzistoru PNP:<br />
a) zapojení se společnou bází – SB (šipky proudů jsou voleny „přirozeně“ podle<br />
toku proudů; I E = I C + I B , I C = α I E , I C = β I E )<br />
b) symbol tranzistoru PNP<br />
64
Bipolární tranzistory<br />
3.2.3 Tranzistor PNP a společný signálový model pro PNP a NPN<br />
tranzistor<br />
Vše, co bylo řečeno o tranzistoru NPN, lze zopakovat i pro tranzistor PNP. V aktivním režimu<br />
musí platit:<br />
– přechod báze (B) – emitor (E) otevřený<br />
– přechod báze (B) – kolektor (C) zavřený<br />
Toto automaticky určuje správnou polaritu zdrojů – obr. 3.11 – určujících pracovní bod<br />
tranzistoru.<br />
Stejnými úvahami dospějeme k signálovému modelu na obr. 3.12 (r CB zanedbáme).<br />
Platí<br />
kde<br />
<br />
ic i b ; ic<br />
ie<br />
ie<br />
1<br />
ueb<br />
ie<br />
<br />
r<br />
r <br />
e<br />
e<br />
U<br />
I<br />
T<br />
EP<br />
atd. viz vztahy (3.12) až (3.15).<br />
Ze srovnání situace na obr. 3.12 a 3.10 vyplývá, že pro tranzistor PNP i NPN vystačíme<br />
s jedním signálovým modelem. Pouze nastavení pracovního bodu vede k opačným polaritám napětí a<br />
proudů.<br />
E<br />
r e E i T i i c<br />
0 V<br />
C<br />
i e<br />
u eb<br />
i b<br />
B<br />
u bc<br />
Obr. 3.12: Signálový model tranzistoru PNP v aktivním režimu<br />
Signálově musí vždy platit, že i c a i e protékají stejným směrem, i b musí být orientováno tak,<br />
aby platilo i e = i c + i b . Dále platí vztahy ic<br />
ie<br />
, ic<br />
ib<br />
, 1<br />
, 1 . Je-li<br />
tranzistor (ať PNP či NPN) ve správném pracovním bodě, stačí shora uvedená jednoduchá pravidla pro<br />
analýzu obvodů s tranzistory NPN i PNP a s modelem na obr. 3.13 (označení NPN i PNP jsou již<br />
nadbytečná).<br />
Nic se nestane, budeme-li šipky pro příslušné tranzistory vyznačovat.<br />
65
Bipolární tranzistory<br />
E<br />
i e<br />
r e E i T i i c<br />
C<br />
i e<br />
0 V<br />
i c U<br />
T<br />
re<br />
<br />
i b<br />
I<br />
EP<br />
i b<br />
u eb<br />
B<br />
u bc<br />
Obr. 3.13: Obecné signálové schéma pro tranzistory NPN i PNP a dvě správné přípustné<br />
šipkové konvence (vyznačené plně a přerušovaně), vždy platí i e = i c + i b ;<br />
signálový emitor<br />
3.2.4 Mezní parametry bipolárních tranzistorů<br />
Napájecí napětí U CC v obvodu s tranzistorem nesmí být větší než průrazné napětí přechodu B-<br />
C. Základní situace pro zapojení se společnou bází (SB) je nakreslena na obr. 3.14a. Emitor je<br />
rozpojen (I E = 0), závěrný proud I CB0 diodou C-B protéká do společné svorky (viz přechod P-N<br />
v závěrném směru). Průrazné napětí za této situace označujeme U BRCB0 , je to nejvyšší dosažitelné<br />
závěrné napětí než dojde k jeho poškození (víc tranzistor nikdy nevydrží).<br />
Je-li uzemněn emitor tranzistoru – zapojení se společným emitorem (SE) – obr. 3.14b, je<br />
situace horší.<br />
a) b) c)<br />
U CC<br />
U CC<br />
I E = 0<br />
I CB0<br />
R C<br />
U CC<br />
U BE<br />
I CB0<br />
R C<br />
I CE0 = βI CB<br />
R<br />
U BE<br />
I B0<br />
R C<br />
I CER<br />
U BE<br />
R<br />
Obr. 3.14: Určení zbytkových proudů a průrazných napětí tranzistorů:<br />
a) v zapojení se společnou bází (SB)<br />
b) v zapojení se společným emitorem (SE)<br />
c) v zapojení SE s odporem R mezi bází B a emitorem E<br />
66
Bipolární tranzistory<br />
Proud I CB0 vstupuje celý do báze a je zesilován β krát. Zbytkový proud označený jako I CE0 je<br />
největší zbytkový proud. K průrazu tranzistoru dochází (desítky voltů) nárazovou ionizací (viz kap.<br />
2.2.6). Pravděpodobnost nárazové ionizace [3] roste s proudovou hustotou nosičů náboje. Průrazné<br />
napětí v tomto režimu se označuje U BRCE 0 a je to většinou nejmenší průrazné napětí tranzistoru.<br />
Výjimkou mohou být tranzistory s velkým proudovým zesilovacím činitelem β. Mají velmi<br />
tenkou bázi a zde může dojít (dříve než k průrazu U BRCE 0 ) k tzv. stykovému průrazu. (punch-through -<br />
již při 2 až 3 V; [4]). Tento stav nastane tehdy, když se ochuzená oblast zavřeného přechodu C-B<br />
rozšíří až k přechodu E-B, tranzistor je vlastně zkratován a dojde k jeho zničení. Tyto tzv. „superbeta“<br />
tranzistory se často používají v integrovaných obvodech. Spolehlivou funkci je třeba zajistit přesně<br />
definovaným napětím mezi C a E.<br />
Poslední diskutovaná situace je na obr. 3.14c. Mezi bází a emitorem je zapojen odpor R, proud<br />
I CB 0 nevstupuje do báze celý, část proudu U BE R je odvedena. Zbytkový proud v tomto režimu se<br />
označuje I CE R a jeho velikost je v intervalu I CB 0 (malé hodnoty R) až I CE 0 (velké hodnoty R).<br />
Popsané skutečnosti jsou kvalitativně znázorněny na obr. 3.15. Kolektorový proud nesmí<br />
překročit maximální hodnotu kolektorového proudu I C MAX (u diod I D MAX ) – dáno konkrétní konstrukcí<br />
tranzistoru (diody).<br />
proud<br />
(mA)<br />
I CE 0<br />
1000<br />
800<br />
Stykový<br />
průraz<br />
I CE R<br />
I CB 0<br />
600<br />
400<br />
200<br />
0<br />
10 mA<br />
0 10 20 30 40 50 60 70 80<br />
U BRCE 0 U BRCB 0<br />
napětí (V)<br />
Obr. 3.15: Kvalitativní znázornění poměrů popisovaných u obr. 3.14.<br />
Výkonová ztráta tranzistoru je dána součinem napětí U CE a proudu I C – kolektorová ztráta<br />
(výkon rozptýlený v přechodu B-E je malý)<br />
P<br />
C<br />
UCE<br />
IC<br />
(3.18)<br />
a mění se v teplo. Pouzdro tranzistoru je schopno vyzářit pouze určitý výkon P CMAX (do okolí). Pokud<br />
je hodnota P CMAX překročena, polovodivá struktura se přehřeje, může dojít k destrukci (poškození)<br />
polovodiče. Hraničnímu stavu P CMAX = U CE·I C odpovídá ve výstupních charakteristikách parabola<br />
mezního výkonu – obr. 3.16 – tečkovaná čára.<br />
67
Bipolární tranzistory<br />
I C<br />
I CMAX<br />
P CMAX<br />
U BRCE 0<br />
U CE<br />
Obr. 3.16: Vyznačení mezních parametrů I CMAX , P CMAX a U BRCE 0<br />
Když vyneseme přerušovanými čarami omezení I CMAX a U BRCE 0 , dostaneme ve výstupních<br />
charakteristikách povolenou pracovní oblast.<br />
Dioda B-E je u moderních tranzistorů silně dotována a proto je její průrazné napětí U BRCE 0<br />
menší než cca 7 V (typicky 5 V). Také nesmí být překročen mezní bázový proud I BMAX .<br />
Na obr. 3.17 jsou znázorněna opatření proti překročení mezních parametrů přechodu B-E<br />
(vstupní charakteristiky).<br />
Vhodně vybraný odpor R B (podle napěťových poměrů v reálném obvodu) omezí proud báze<br />
pod hodnotu I BMAX (pro U BE > 0). Vnější dioda D omezí napětí na přechodu B-E v závěrném směru na<br />
hodnotu asi 0,7 V, v normálním režimu tranzistoru je D zavřena.<br />
C<br />
R B<br />
B<br />
D<br />
E<br />
Obr. 3.17: Ochrana přechodu B-E před přetížením<br />
68
Bipolární tranzistory<br />
3.3 Nastavení pracovního bodu tranzistoru (princip)<br />
i PNP:<br />
Nastavujeme-li tranzistor do aktivního režimu, platí základní pravidlo pro oba tranzistory NPN<br />
– přechod báze – emitor musí být otevřený<br />
– přechod báze – kolektor musí být uzavřený<br />
Nejjednodušší možná nastavení pracovního bodu jsou znázorněna na obr. 3.18. Kondenzátory<br />
oddělují stejnosměrné poměry v jednotlivých zesilovacích stupních. Ve všech případech se jedná o<br />
zapojení se společným emitorem. Napěťové napájecí zdroje totiž představují pro signál zkrat.<br />
u i<br />
R B<br />
C V1<br />
I B<br />
I C<br />
0,6 V<br />
R C<br />
U CC<br />
I E<br />
U<br />
CC<br />
C V2<br />
2<br />
2<br />
U CC > 0<br />
U CC > 0<br />
I<br />
0,6 V E<br />
U CC<br />
2<br />
C V1<br />
u i<br />
u CV2<br />
O<br />
I u O<br />
B<br />
R B<br />
I C<br />
R C<br />
U<br />
CC<br />
2<br />
a) b)<br />
u i<br />
C V1<br />
I B<br />
R B<br />
0,6 V<br />
I C<br />
I E<br />
R C<br />
U<br />
CC<br />
C V2<br />
U<br />
CC<br />
2<br />
2<br />
U CC < 0<br />
u O<br />
u i<br />
R B<br />
C V1<br />
U CC < 0<br />
I C<br />
R C U<br />
CC<br />
2<br />
C V2<br />
u O<br />
I B<br />
U CC<br />
2<br />
0,6 V<br />
I E<br />
c) d)<br />
Obr. 3.18: Nastavení pracovního bodu jedním bázovým odporem R B (proti napájení U CC )<br />
a) tranzistor NPN U CC > 0<br />
b) tranzistor PNP U CC > 0<br />
c) tranzistor NPN U CC < 0<br />
d) tranzistor PNP U CC < 0<br />
(definice pracovního bodu proudem báze), R B relativně velké<br />
Při zvolené šipkové orientaci ss proudu na obr. 3.18 vždy musí platit, že<br />
69
Bipolární tranzistory<br />
IC<br />
I<br />
I<br />
E<br />
B <br />
<br />
Běžně se volí úbytek napětí na kolektorovém odporu R C a mezi kolektorem C a emitorem E<br />
stejný, tj. roven polovině napájecího napětí = U CC 2. Tak je zajištěn vhodný pracovní bod, při<br />
zvětšování výstupního napětí dochází přibližně k symetrickému omezení (limitaci) signálu.<br />
a proto<br />
Při této volbě je proud kolektorem<br />
I<br />
I<br />
C<br />
B<br />
UCC<br />
2<br />
<br />
R<br />
C<br />
UCC<br />
2<br />
R<br />
C<br />
Ve všech případech platí, že úbytek napětí na bázovém odporu R B je roven napájecímu napětí<br />
U CC zmenšenému o napětí U BE tranzistorů, tedy<br />
U<br />
B<br />
<br />
U<br />
CC<br />
0 ,6 R<br />
B<br />
I<br />
B<br />
R<br />
B<br />
UCC<br />
<br />
<br />
2 R<br />
C<br />
<br />
<br />
<br />
Nyní určíme potřebnou hodnotu bázového odporu R B<br />
R<br />
B<br />
UCC<br />
0,6<br />
2 RC<br />
2<br />
R<br />
U<br />
CC<br />
C<br />
Nevýhodné je, že rozptyl β při výrobě tranzistorů je značný. Nastavení pracovního bodu podle<br />
obr. 3.18 proto není vhodné pro sériovou výrobu. Pracovní bod pro každý zapojený tranzistor by se<br />
musel individuálně nastavovat (i při výměně tranzistoru).<br />
Malou obměnou získáme nastavení pracovního bodu podle obr. 3.19 (nyní uvedeme již jen pro<br />
tranzistor NPN), odpor R BC připojíme mezi bázi a kolektor tranzistoru.<br />
U CC > 0<br />
a) b)<br />
I B<br />
R BC<br />
R C<br />
I C<br />
U<br />
CC<br />
U<br />
CC<br />
2<br />
2<br />
B<br />
C<br />
0,6 V<br />
Obr. 3.19: a) Nastavení pracovního bodu jedním odporem R BC mezi kolektorem<br />
a bází tranzistoru<br />
b) rozpojení zpětné vazby pro střídavý signál<br />
70
Požadujeme-li 2<br />
CE U CC<br />
U je opět I C U<br />
CC 2 RC<br />
Nyní je úbytek napětí na R BC roven hodnotě 2 0,6 V<br />
tedy<br />
I<br />
R<br />
B<br />
<br />
BC<br />
UCC<br />
2<br />
R<br />
C<br />
2<br />
R<br />
C<br />
<br />
<br />
<br />
UCC<br />
<br />
UCC<br />
2 0,<br />
6<br />
R<br />
<br />
CC<br />
BC<br />
2 0,6<br />
U<br />
CC<br />
R<br />
Bipolární tranzistory<br />
B C CC .<br />
a I I U 2R<br />
<br />
U a proto musí pro dané požadavky platit<br />
C<br />
Odpor R BC má stabilizační účinek na stejnosměrný pracovní bod. Přestavme si, že napětí<br />
UCE U CC 2 poklesne. To vyvolá pokles proudu odporem R BC , tedy i pokles proudu I C . Tím se<br />
však zmenší úbytek napětí na R C a tím opět vzroste U CE . Vazba z kolektoru do báze přes R BC působí<br />
proti změně – to je záporná zpětná vazba.<br />
C<br />
U CC > 0<br />
U CC > 0<br />
u i<br />
R A<br />
C V1<br />
U B<br />
R B<br />
I A<br />
I B<br />
0,6 V<br />
R E<br />
R C<br />
C V2<br />
I C<br />
C E<br />
u O<br />
typicky 1 V<br />
u i<br />
C V1<br />
R B<br />
U B<br />
R A<br />
R E<br />
I B<br />
0,6 V<br />
I A<br />
C E<br />
C V2<br />
I C<br />
R C<br />
typicky U CC - 1 V<br />
u O<br />
a) b)<br />
Obr. 3.20: Definice pracovního bodu napěťovým děličem (R A , R B ) a emitorovým<br />
odporem R E (pro signály přemostěn kapacitou)<br />
Nastavení pracovního bodu, jež odolá rozptylům proudového zesilovacího činitele β<br />
tranzistoru je na obr. 3.20. Budeme předpokládat, že stejnosměrné napětí mezi bází a emitorem<br />
tranzistoru NPN je U BE ≈ 0,6 V (u PNP U EB ≈ 0,6 V). Úbytek na emitorovém odporu R E se volí<br />
typicky asi 1 V. Potom napětí na bázi tranzistoru NPN je:<br />
U B = U RE + 0,6 ≈ 1,6 V<br />
(u PNP U B = U CC - U RE - 0,6 ≈ U CC - 1,6 V).<br />
Dělič R A , R B musí zajistit napětí R A<br />
R 1,6 V<br />
U CC R B B<br />
u NPN (i u PNP) tranzistoru na R B .<br />
Dělící poměr děliče R A , R B (v obou případech) nesmí být ovlivňován proudem báze<br />
tranzistorů, který je I I <br />
B<br />
C<br />
71
Bipolární tranzistory<br />
Příklad 3.1<br />
Stanovte hodnoty odporů R A , R B v obr. 3.20a) je-li například zadáno: R C = 10 kΩ, U CC = 12 V.<br />
Úbytek na R C požadujeme 6 V (přibližně symetrická limitace signálu v kolektoru). Je-li β = 100, je<br />
Řešení:<br />
I<br />
C<br />
<br />
U<br />
CC<br />
R<br />
C<br />
2<br />
<br />
6V<br />
0,6 mA<br />
4<br />
10 <br />
I<br />
B<br />
<br />
I<br />
C<br />
<br />
<br />
0,6 mA<br />
100<br />
6 A<br />
Pro požadované U RE = 1 V obdržíme<br />
U<br />
RE<br />
1V<br />
RE 1, 67 k<br />
I 0,6 mA<br />
C<br />
Zvolíme R E = 1,5 kΩ (odporová řada) pak<br />
Potom<br />
U<br />
U<br />
RE<br />
B<br />
R<br />
U<br />
E<br />
RE<br />
I<br />
C<br />
U<br />
1500 0,6 10<br />
BE<br />
3 <br />
0,9 V<br />
0,9 V 0,6 V 1,5V<br />
Volíme-li proud odporem R A desetkrát větší než prou I B (I B = 6 μA) obdržíme I A = 60 μA. Za této<br />
situace lze považovat dělič „za tvrdý“ (málo zatížený proudem báze) a platí (požadujeme)<br />
tedy<br />
U<br />
<br />
R A<br />
CCR B<br />
dále musí platit<br />
tedy<br />
60 A<br />
U<br />
CC 12 V<br />
RA RB<br />
200 k<br />
I 60 A<br />
U<br />
R<br />
CC<br />
A<br />
R<br />
R<br />
B<br />
B<br />
A<br />
1,5 V<br />
U<br />
B<br />
1,5 V<br />
RB <br />
A B<br />
25<br />
U<br />
12 V<br />
CC<br />
Nyní můžeme určit, že<br />
R<br />
R <br />
200 k k<br />
R<br />
R <br />
R 200 k 25 k k<br />
RA <br />
A B B<br />
175<br />
V praxi dáme nejspíše R B = 22 kΩ a R A složíme z hodnoty odporu 150 kΩ a nastavitelného<br />
odporu (trimru) 47 kΩ. Pracovní bod nastavíme trimrem.<br />
.<br />
72
Bipolární tranzistory<br />
Při zvoleném postupu nevedou i značné změny proudového zesilovacího činitele k výrazné<br />
změně pracovního bodu tranzistoru. Toto je velmi výhodné při sériové výrobě (nebo při eventuální<br />
opravě).<br />
3.4 Základní zapojení s jedním bipolárním tranzistorem<br />
3.4.1 Zapojení se společným emitorem – SE<br />
Všechna zapojení na obr. 3.18 až 3.20 jsou zapojení se společným emitorem. Ideální zdroj<br />
napětí má nulový vnitřní odpor (toto musí být i v praxi zajištěno – například i zapojením vhodných<br />
(tzv. blokovacích) kondenzátorů mezi napájecí a zemnící svorku) a proto jsou ve všech zapojeních (na<br />
uvedených obrázcích) emitory tranzistorů připojeny k referenčnímu uzlu (zemi – signálové).<br />
Kondenzátory C V1 a C V2 oddělují pracovní body jednotlivých zesilovacích stupňů. Musí být voleny<br />
tak, aby jejich reaktance X 1 CV1,2<br />
byla zanedbatelná pro všechny pracovní frekvence (ω = 2πf).<br />
Kritické jsou proto minimální hodnoty ω min = 2πf min , kdy dosahují reaktance maximální hodnoty.<br />
Kondenzátor C E „zkratuje“ odpor R E pro střídavé signály. Musí platit 1 min CV<br />
1,<br />
2 RE<br />
R<br />
<br />
C 1 .<br />
E<br />
E min<br />
tedy<br />
Pro střídavé signály tak můžeme všechny kondenzátory a všechny zdroje napětí nahradit<br />
zkratem. Obdržíme stejné signálové schéma. Tranzistor modelován signálovým modelem z obr. 3.13<br />
(nezáleží již, zda je to PNP či NPN, pracovní bod byl již „zajištěn“ a malé změny – signálové – mají<br />
už stejný model). Výsledný signálový model je na obr. 3.21.<br />
u 1<br />
i 1<br />
R V<br />
i b<br />
i v<br />
C<br />
B u 2<br />
0 V<br />
i e<br />
u e<br />
E i<br />
r ce<br />
R C<br />
r e<br />
i c<br />
E<br />
Obr. 3.21: Signálové schéma zapojení SE bipolárního tranzistoru<br />
( NPN i PNP – obr. 3.16, obr. 3.19, obr. 3. 20)<br />
Odpor R V reprezentuje dělič na vstupu tranzistoru určující pracovní bod. Ze zapojení vyplývá,<br />
že pro obvody na obr. 3.18 je R V = R B . Pro obvody na obr. 3.20 je R V rovno výsledné hodnotě<br />
paralelního zapojení odporů R A a R B<br />
73
Bipolární tranzistory<br />
R<br />
V<br />
<br />
RA<br />
R<br />
R R<br />
A<br />
B<br />
B<br />
Horní svorka R A (NPN) nebo R B (PNP) je uzemněna – vůči vstupnímu napětí u 1 se jeví R A a<br />
R B jako paralelně řazané odpory.<br />
V daném modelu je napětí na r e – u e rovno napětí u 1 a pak je odpovídající proud<br />
u u<br />
.<br />
e 1<br />
ie<br />
<br />
re<br />
re<br />
Dále musí platit<br />
i<br />
e<br />
i i<br />
1<br />
c<br />
b<br />
<br />
i<br />
b<br />
šipka i e tak určuje i šipku i b ; i b musí protékat signálovým emitorem tak, aby se přičetl k i c , i e a i c mají<br />
vždy stejný směr.<br />
Dále určíme<br />
i<br />
b<br />
<br />
i<br />
e<br />
<br />
u<br />
1<br />
r<br />
e<br />
<br />
1 <br />
1 <br />
1<br />
re<br />
a vstupní odpor báze tranzistoru<br />
Rib<br />
<br />
u u1<br />
<br />
i u<br />
b<br />
1<br />
1<br />
1<br />
r<br />
<br />
<br />
e<br />
<br />
u<br />
1<br />
re<br />
(3.19)<br />
Celkový vstupní odpor R VST (někdy značen R in ) je určen paralelním řazením R V a R ib . Z 1.KZ určíme,<br />
že<br />
odtud<br />
i<br />
1<br />
R<br />
i<br />
VST<br />
v<br />
i<br />
b<br />
u1<br />
<br />
i<br />
1<br />
<br />
u<br />
R<br />
1<br />
V<br />
<br />
<br />
1 R<br />
V<br />
u<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
1<br />
1<br />
re<br />
1<br />
1<br />
r<br />
<br />
e<br />
<br />
<br />
R<br />
R<br />
V<br />
V<br />
<br />
<br />
<br />
1<br />
r<br />
1<br />
Proud kolektorem i c je orientován stejně jako proud i e a platí<br />
<br />
<br />
1<br />
ic<br />
ie<br />
<br />
1<br />
1<br />
re<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
u<br />
e<br />
re<br />
(3.20)<br />
Nyní již můžeme určit napětí u 2 . Pokud budeme uvažovat i signálový odpor r ce , platí (šipky u 2 a i c<br />
jdou proti sobě, proto záporné znaménko)<br />
74
Bipolární tranzistory<br />
u<br />
2<br />
i<br />
<br />
c<br />
r<br />
r<br />
ce<br />
ce<br />
R<br />
R<br />
C<br />
C<br />
<br />
r<br />
r<br />
ce<br />
ce<br />
R<br />
R<br />
r<br />
e<br />
C<br />
C<br />
<br />
<br />
1<br />
1 u .<br />
Napěťové zesílení zesilovače v zapojení SE je potom<br />
A<br />
USE<br />
<br />
u<br />
u<br />
2<br />
1<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
r<br />
r<br />
ce<br />
ce<br />
R<br />
e<br />
C<br />
R<br />
r<br />
C<br />
(3.21)<br />
Znaménko mínus znamená, že se jedná o invertující zesilovač. Pro většinu moderních tranzistorů platí,<br />
že 1 a rce<br />
RC<br />
. Potom<br />
<br />
1 1<br />
a<br />
r<br />
r<br />
ce<br />
ce<br />
R<br />
R<br />
C<br />
C<br />
R<br />
C<br />
<br />
1<br />
1<br />
R<br />
C<br />
r<br />
ce<br />
R<br />
C<br />
Vztah (3.21) potom má tvar:<br />
A<br />
Poznámka:<br />
R<br />
C<br />
USE <br />
(3.22)<br />
re<br />
Uvědomme si, že pro větší signály je f <br />
r e → zesílení je nelineární.<br />
u 1<br />
Příklad 3.2<br />
Předpokládejme zapojení uvedené na obr. 3.19, s hodnotami:<br />
U CE U<br />
CC 2 6 V, R C = 10 kΩ, β = 100, R E = 1,5 kΩ, I C = 0,6 mA, R A = 175 kΩ, R B = 25 kΩ, a<br />
Earlyho napětí U A = 100 V, (nebo odečteme z charakteristik I C = f(U CE ) – obr. 3.6b – UCE<br />
IC<br />
v okolí pracovního bodu). Určete hodnotu napěťového, proudového a výkonového zesílení.<br />
Řešení:<br />
Ze vztahu (3.12) určíme, že<br />
r<br />
e<br />
1 UT<br />
26 mV<br />
43 <br />
g I 0,6 mA<br />
Ze vztahu (3.11) určíme<br />
e<br />
EP<br />
U A U<br />
CEP 100 6<br />
rCE 177 k<br />
3<br />
I 0,<br />
6 10<br />
CP<br />
Ze vztahu (3.19) určíme vstupní odpor báze tranzistoru<br />
r<br />
431001<br />
<br />
R <br />
4343<br />
ib<br />
1 e<br />
Ze vztahu (3.20) určíme celkový vstupní odpor<br />
75
Bipolární tranzistory<br />
R<br />
R<br />
R<br />
R<br />
R<br />
21,<br />
910<br />
21,<br />
910<br />
4343<br />
V ib<br />
RA<br />
RB<br />
VST RV<br />
<br />
21 , 9 k<br />
<br />
3624 3,<br />
6<br />
3<br />
R R<br />
V<br />
ib<br />
A<br />
B<br />
3<br />
4343<br />
k<br />
Ze vztahu (3.21) určíme napěťové zesílení<br />
rce<br />
RC<br />
rce<br />
RC<br />
AUSE<br />
<br />
<br />
1<br />
r<br />
e<br />
100<br />
100 1<br />
<br />
3<br />
177 10<br />
10<br />
10<br />
3<br />
177 10<br />
10<br />
10<br />
43<br />
3<br />
3<br />
218<br />
Ze vztahu (3.22) určíme<br />
A<br />
USE<br />
<br />
R<br />
r<br />
C<br />
e<br />
<br />
3<br />
1010<br />
43<br />
232<br />
Rozdíl mezi (3.21) a (3.22) je většinou zanedbatelný.<br />
A<br />
A<br />
ISE<br />
ISE<br />
Můžeme také definovat proudové zesílení struktury A ISE jako poměr 4) A ISE i c i 1 . Potom<br />
<br />
u1<br />
r<br />
<br />
u<br />
<br />
R<br />
e<br />
1<br />
V<br />
<br />
<br />
<br />
1<br />
R<br />
VST<br />
RV<br />
1<br />
<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
re<br />
R<br />
r<br />
VST<br />
e<br />
<br />
R<br />
VST<br />
Rib<br />
<br />
<br />
<br />
R<br />
R<br />
V<br />
V<br />
<br />
1<br />
R<br />
<br />
R<br />
ib<br />
ib<br />
re<br />
<br />
<br />
1<br />
R<br />
<br />
R<br />
V<br />
V<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
1<br />
re<br />
1<br />
r<br />
e<br />
<br />
Můžeme definovat i výkonové zesílení struktury A PSE z poměru okamžitých hodnot výkonu.<br />
2<br />
Vstupní výkon je p1 u1<br />
RVST<br />
, na výstupu je 2<br />
p 2 u 2 RC<br />
. Potom<br />
A<br />
PSE<br />
<br />
p<br />
p<br />
2<br />
1<br />
<br />
2<br />
2<br />
2<br />
1<br />
u<br />
u<br />
R<br />
R<br />
C<br />
VST<br />
<br />
<br />
<br />
u<br />
u<br />
2<br />
1<br />
R<br />
R<br />
C<br />
<br />
VST<br />
u<br />
<br />
2<br />
u<br />
1<br />
<br />
i<br />
i<br />
C<br />
1<br />
<br />
u<br />
u<br />
2<br />
1<br />
<br />
A<br />
<br />
ISE A USE<br />
<br />
podosazení<br />
a pro 1<br />
<br />
A<br />
A<br />
R<br />
VST<br />
PSE 2 USE <br />
(3.23)<br />
RC<br />
Celkový výsledek je kladný, jinak tomu ani u výkonů nemůže být. Porovnejte si to se<br />
zvolenou orientací šipek na obr. 3.21.<br />
Je zřejmé, že výkonové zapojení tranzistoru v zapojení SE je velké. Pro hodnoty uvedené<br />
v příkladu 3.2 dostaneme<br />
4) Předpokládejme, že veškerý proud i C pracuje v kolektorovém odporu R C . To ovšem není v praxi<br />
vždy běžný případ. Užitečný signál se odebírá do zátěže R Z (přes vazební kapacitor C V2 ) a proudy i Z<br />
jsou obvykle 5 krát až 10 krát menší než i C (v tzv. A třídě režimu zesilovače).<br />
76
Bipolární tranzistory<br />
A<br />
PSE<br />
A<br />
2<br />
USE<br />
<br />
R<br />
VST<br />
R<br />
C<br />
2 3,6 10<br />
230 1910<br />
4<br />
10<br />
3<br />
3<br />
Velmi důležité je znát i výstupní odpor struktury. Ten můžeme pro lineární obvod určit<br />
z napětí naprázdno u 20 a zkratového proudu i ZKR (Théveninův teorém). Napětí naprázdno (bez zatížení<br />
zesilovače) je dáno přímo vztahem (3.21), tedy<br />
rce<br />
RC<br />
rce<br />
RC<br />
u20<br />
<br />
u1<br />
1<br />
r<br />
e<br />
Zkratový proud určíme pro stejné vstupní napětí u1<br />
ze situace na obr. 3.22.<br />
u 1<br />
B<br />
0 V<br />
R V u 1<br />
i e<br />
E i<br />
r e<br />
i c<br />
C<br />
A<br />
iZKR<br />
E<br />
Obr. 3.22: Signálové schéma zapojení SE bipolárního tranzistoru pro určení<br />
zkratového proudu i ZKR (ideální ampérmetr A má nulový vnitřní odpor<br />
→ R C || r CE nemusíme uvažovat<br />
Opět platí<br />
<br />
re<br />
, iC<br />
ie<br />
u1<br />
re<br />
<br />
1 .<br />
ie<br />
u1<br />
Platí tedy<br />
<br />
1 <br />
iZKR<br />
iC<br />
u1<br />
<br />
r<br />
e<br />
<br />
Výstupní odpor R VYST (R OUT = R O ) lineární struktury určíme jako podíl napětí naprázdno u 20 a<br />
zkratového proudu i ZKR , tedy<br />
R<br />
VYST<br />
<br />
u 20 rce<br />
RC<br />
<br />
RC<br />
i r R<br />
(3.24)<br />
r CE<br />
R C<br />
ZKR<br />
ce<br />
C<br />
Výstupní odpor R VYST zapojení SE je prakticky určen přímo kolektorovým odporem R C .<br />
77
Bipolární tranzistory<br />
3.4.2 Zapojení s externím emitorovým odporem<br />
Tato zapojení získáme velmi snadno úpravou zapojení na obr. 3.20 [ale i do obr. 3.18 a 3.19<br />
lze externí odpor R E doplnit, ve vztazích při určení R B (R BC ) dosazujeme místo hodnoty 0,6 V hodnotu<br />
(0,6 + U RE ), kde U RE je stejnosměrný úbytek na externím odporu R E ; toto řešení zároveň zvětší stabilitu<br />
pracovního bodu – vůči změnám β]. V obr. 3.20 stačí jednoduše vypustit kondenzátor C E –<br />
stejnosměrný pracovní bod se nezmění. Chceme-li zajistit nastavitelnou hodnotu externího<br />
emitorového odporu vůči signálu, můžeme použít modifikované zapojení podle obr. 3.23a, b.<br />
E<br />
C E<br />
R EA<br />
E<br />
R E = R EA + R EB<br />
u 1<br />
i b<br />
B<br />
0 V<br />
R V u 1<br />
i ci<br />
E i<br />
C<br />
i c<br />
u 2<br />
R E<br />
R CE<br />
R EB<br />
C E<br />
r e<br />
i e<br />
E<br />
u e<br />
a) b) c)<br />
R e<br />
Obr. 3.23: a), b) Různé realizace externího proměnného emitorového odporu R E<br />
c) Signálové schéma zapojení externího odporu R C → už modeluje<br />
situaci pro střídavý signál<br />
Není-li kondenzátor C E vůbec zapojen, je externí signálový odpor v emitoru (E) tranzistoru<br />
R .<br />
e<br />
R E<br />
V zapojení na obr. 3.23a) platí, že<br />
R<br />
R<br />
R<br />
E CE<br />
e ,<br />
RE<br />
RCE<br />
v zapojení na obr. 3.23b) je R R R<br />
R R <br />
e EA EA EB E .<br />
Signálové schéma zapojení je na obr. 3.23c). Odpor R V pouze popisuje napájecí obvod<br />
báze, je určen hodnotou paralelního zapojení odporů R A a R B pro strukturu z obr. 3.20 (nebo R B na obr.<br />
3.18, s přihlédnutím k poznámce uvedené pro zapojení R E do této struktury).<br />
Nezkoumáme-li vliv r CE rCE R C<br />
, potom je situace velmi jednoduchá. Dospějeme<br />
k závěru, že platí vše, co bylo řečeno k obr. 3.22 s tím, že místo r e dosadíme hodnotu re<br />
Re<br />
, tedy ve<br />
všech vztazích dosazujeme (nahradíme, substituce) r r R<br />
i u 1 r R .<br />
Proto:<br />
vstupní odpor do báze T i je<br />
r<br />
R <br />
1<br />
e<br />
, platí totiž, že <br />
e<br />
R <br />
(3.25)<br />
VSTBR<br />
e<br />
e<br />
e<br />
e<br />
e<br />
e<br />
celkový vstupní odpor je<br />
78
Bipolární tranzistory<br />
R<br />
VST R<br />
RV<br />
RVST BR<br />
(3.26)<br />
R R<br />
V<br />
VST BR<br />
napěťové zesílení s externím odporem je Re r<br />
A<br />
USER<br />
výstupní odpor je<br />
VYSTR<br />
C<br />
<br />
e<br />
e<br />
<br />
e<br />
linearizuje zesílení, je konstantní<br />
R r R<br />
(3.27)<br />
R R<br />
(3.28)<br />
výkonové zesílení je<br />
A<br />
PSE R<br />
C<br />
RVST R<br />
A<br />
2 USE R <br />
(3.29)<br />
R<br />
C<br />
Poznámka:<br />
Chceme-li posoudit i vliv r CE , je situace složitější. Zkoumejme běžný stav, kdy platí<br />
rce R e . Potom platí, že napětí na R e (u e ) je přibližně rovno napětí vstupnímu – tedy<br />
u e , e u Re<br />
,<br />
u 1<br />
i 1<br />
r R a<br />
e<br />
e<br />
i<br />
ci<br />
i<br />
e<br />
<br />
<br />
1<br />
i<br />
e<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
u<br />
R<br />
1<br />
e<br />
i<br />
c<br />
i<br />
ci<br />
<br />
u2<br />
u<br />
r<br />
ce<br />
1<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
u<br />
R<br />
1<br />
e<br />
<br />
u2<br />
u<br />
r<br />
ce<br />
1<br />
u<br />
2<br />
R<br />
C<br />
i<br />
c<br />
R<br />
C<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
u<br />
R<br />
1<br />
e<br />
<br />
u2<br />
u<br />
r<br />
ce<br />
1<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
R<br />
u <br />
<br />
2 <br />
<br />
<br />
R<br />
<br />
u<br />
C<br />
1<br />
C 1<br />
rce<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
1<br />
R<br />
e<br />
1<br />
<br />
r<br />
ce<br />
<br />
<br />
<br />
u<br />
u<br />
<br />
1<br />
<br />
1<br />
R<br />
2 e ce<br />
<br />
RC<br />
<br />
RC<br />
<br />
R<br />
1<br />
C<br />
1<br />
1<br />
r<br />
ce<br />
1<br />
<br />
r<br />
1<br />
1<br />
<br />
R<br />
1<br />
r<br />
C<br />
ce<br />
R<br />
r<br />
e<br />
ce<br />
u2 R<br />
1 <br />
C<br />
r<br />
<br />
<br />
ce R<br />
1<br />
; 1<br />
1<br />
1<br />
<br />
e<br />
<br />
u Re<br />
RC<br />
rce<br />
rce<br />
<br />
u<br />
u<br />
2<br />
1<br />
<br />
R<br />
R<br />
C<br />
C<br />
r<br />
r<br />
R<br />
e<br />
ce<br />
ce<br />
<br />
1<br />
<br />
<br />
R<br />
r<br />
e<br />
ce<br />
<br />
<br />
<br />
79
Bipolární tranzistory<br />
Příklad 3.3<br />
Uvažujeme stejné podmínky jako v předchozím příkladě, pouze je odpojen kondenzátor C E.<br />
Potom platí: r e = 43 Ω, R C =10 kΩ, β = 100, R e → R E = 1,5 kΩ, R V = R A || R B = 21,9 kΩ.<br />
Řešení:<br />
Ze vztahů určíme, že<br />
r<br />
R <br />
1<br />
431500<br />
1001<br />
155, k<br />
RVSTBR<br />
e e<br />
8<br />
R R<br />
3<br />
3<br />
V VST BR 21,9 10<br />
155,8<br />
10<br />
RVST R <br />
<br />
19, 2<br />
R R<br />
3<br />
3<br />
21,9 10<br />
155,8 10<br />
V<br />
VST BR<br />
k<br />
A<br />
USE R<br />
R<br />
C<br />
3<br />
r<br />
R <br />
10<br />
10<br />
43<br />
1500<br />
6,<br />
48<br />
e<br />
e<br />
A<br />
PSER<br />
A<br />
2<br />
USER<br />
<br />
R<br />
VSTR<br />
R<br />
C<br />
6,48<br />
2<br />
<br />
19,2 10<br />
10<br />
4<br />
3<br />
80,6<br />
Výkonové zesílení je ovšem zase vztaženo k výkonu na R C , nikoliv do zátěže. To bude menší.<br />
3.4.3 Zesílení v zapojení SE jako funkce napájecího napětí<br />
Jak můžeme zvětšit zesílení v zapojení SE Uvažujeme, že stále musí platit UCE U CC 2 a<br />
napětí na R C je rovněž U CC 2. Potom<br />
I<br />
U<br />
2<br />
CC<br />
E IC<br />
<br />
a re<br />
UT<br />
I E 2 RC<br />
UT<br />
UCC<br />
RC<br />
Zesílení (bez vnějšího emitorového odporu) potom je <br />
<br />
1<br />
A<br />
USE<br />
<br />
r<br />
r<br />
ce<br />
ce<br />
R<br />
R<br />
r<br />
e<br />
C<br />
C<br />
<br />
r<br />
r<br />
ce<br />
ce<br />
R<br />
R<br />
C<br />
C<br />
<br />
U<br />
2 R<br />
CC<br />
C<br />
U<br />
T<br />
<br />
U<br />
2 U<br />
CC<br />
T<br />
<br />
1<br />
1<br />
R<br />
C<br />
r<br />
ce<br />
(3.30)<br />
Dosadíme-li U CC = 12 V, U T = 26 mV, R C = 10 kΩ a r ce = 178 kΩ dostaneme<br />
A<br />
USE<br />
UCC<br />
<br />
2U<br />
1<br />
<br />
1<br />
R<br />
Což odpovídá dříve získané hodnotě.<br />
T<br />
C<br />
r<br />
ce<br />
12<br />
<br />
52 10<br />
110<br />
1<br />
178 10<br />
<br />
,<br />
3 4<br />
3<br />
217<br />
8<br />
80
Bipolární tranzistory<br />
Uvažujme na okamžik, že r ce → ∞. Potom maximální možné zesílení (za uvedených<br />
podmínek) je<br />
A<br />
USE MAX<br />
U<br />
<br />
CC<br />
2U<br />
a lze tak určit potřebnou hodnotu napájecího napětí jako<br />
T<br />
U<br />
CC<br />
A 2 U<br />
(3.31)<br />
USEMAX<br />
T<br />
Budeme-li požadovat například zesílení 10 000, dospějeme k hodnotě napájecího napětí<br />
U<br />
CC<br />
A 2 U<br />
10<br />
2 0,<br />
026 520 V<br />
USEMAX<br />
T<br />
4<br />
Přitom U CE U CC 2 260 V a napětí na R C je rovněž 260 V. Tím dosáhneme toho, že při<br />
zachování stejnosměrné hodnoty proudů I C = I E = 0,6 mA (tedy R U I 260 0,<br />
0006 =<br />
C<br />
433 ,3 k ). Zachováme i r e = 43 Ω a hodnota napěťového zesílení A USE tedy je: AUSE<br />
RC<br />
re<br />
=<br />
10 077. Při růstu napájecího napětí U CC zachováváme I C , tedy i r e a roste R C , roste tím i absolutní<br />
hodnota zesílení. Pomineme-li předpoklad r ce → ∞ , jsou přece jenom nároky na 520 V mimo<br />
možnosti reálných tranzistorů.<br />
Existuje ovšem zapojení, jehož odpor není funkcí připojeného napětí a je velký. Je to<br />
proudový zdroj – obr. 3.24.<br />
C<br />
R<br />
C<br />
U D<br />
U D<br />
R I<br />
U EB<br />
U I<br />
U CC (12 V)<br />
T 1<br />
U EB<br />
T2<br />
U CC > 0<br />
R D<br />
R Z<br />
U Z<br />
U CC > 0<br />
I ≈ I D<br />
I ≈ I D<br />
I B<br />
I<br />
R D<br />
U Z R Z<br />
T 1<br />
T 2<br />
R D<br />
I D<br />
R Z<br />
U +<br />
U BE<br />
a)<br />
b) c)<br />
Obr. 3.24: Několik variant zdrojů proudu<br />
Na obr. 3.24a) je zdroj, který lze snadno sestrojit z diskrétních součástek. Z 2. KZ platí<br />
2 U<br />
D<br />
U<br />
I<br />
U<br />
EB<br />
Předpokládejme, že U D ≈ U EB , potom na odporu R I je napětí<br />
U I U D 0,6 V I U I RI<br />
0, 6 RI<br />
Do zátěže proto vtéká proud (pro β » 1)<br />
platit, že<br />
I U I RI<br />
. Odpor zátěže však nemůže být libovolný, musí<br />
81
Bipolární tranzistory<br />
U<br />
Z<br />
I R<br />
Z<br />
U<br />
I<br />
R<br />
Z<br />
R<br />
I<br />
je menší než U U U 0, 6 V, aby se tranzistor nedostal do saturace.<br />
CC<br />
I<br />
CC<br />
Odporem R D protéká proud D<br />
<br />
CC D<br />
<br />
D<br />
proud báze tranzistoru I B , tedy<br />
I<br />
U 2 U<br />
R a ten musí být alespoň pětkrát větší než<br />
I<br />
D<br />
<br />
U<br />
CC<br />
2U<br />
R<br />
D<br />
D<br />
5<br />
I<br />
<br />
<br />
50,6<br />
R<br />
I<br />
Neideálnost zdroje (závislost na napětí) je popsána odporem R IP , který je připojen paralelně<br />
k ideálnímu zdroji proudu. I v tomto jednoduchém zapojení dosahuje R IP hodnot stovek kΩ až<br />
jednotek MΩ – obr. 3.25.<br />
U CC (12 V)<br />
U CC (12 V)<br />
R I (1 kΩ)<br />
R D (10 kΩ)<br />
0,6 mA<br />
R I P<br />
I<br />
T 2<br />
u 2<br />
u 1 T 1<br />
I/β<br />
E i<br />
u 1<br />
T 1<br />
R E<br />
R E<br />
a) b)<br />
c)<br />
u 1<br />
T i<br />
r e<br />
<br />
U T<br />
I<br />
R I P<br />
u 2<br />
Obr. 3.25:<br />
a) Zesilovač SE se zdrojem proudu v kolektoru<br />
b) Zdroj proudu nahrazen modelem<br />
c) Signálové schéma<br />
Na obr. 3.24b), c) se předpokládá, že oba tranzistory mají identické vlastnosti a velké<br />
proudové zesilovací činitele. Potom platí<br />
D<br />
U<br />
CC 0, RD<br />
I 6 a I ID<br />
.<br />
I zde musí platit, že U<br />
Z<br />
R I U .<br />
Z<br />
CC<br />
v bázi.<br />
Zesilovače SE s proudovým zdrojem v kolektoru je na obr. 3.25 – bez napájecího obvodu<br />
82
Bipolární tranzistory<br />
Za daných podmínek platí<br />
I <br />
Potom opět<br />
0,<br />
6<br />
R<br />
I<br />
0,<br />
6<br />
<br />
10<br />
0 6 mA<br />
3<br />
,<br />
r e 26 mV 0,6 mA<br />
43,<br />
3 .<br />
Odhadneme, že<br />
R I P<br />
1 M<br />
. Potom snadno určíme ze vztahu (3.23), že zesílení (obr. 3.25c) je<br />
A<br />
USE<br />
<br />
R<br />
r<br />
IP<br />
e<br />
<br />
10 6 23095<br />
43<br />
a to je opravdu velká hodnota. Odhadněme, že tranzistor T 1 má nyní r ce = 178 kΩ. Použijeme vztah<br />
(3.21), obdržíme:<br />
A<br />
USE<br />
<br />
r<br />
r<br />
ce<br />
ce<br />
R<br />
R<br />
r<br />
e<br />
IP<br />
IP<br />
<br />
3<br />
6<br />
178 10<br />
10<br />
3<br />
178 10<br />
10<br />
43,<br />
3<br />
6<br />
3490<br />
Toto je mnohem reálnější hodnota. Při velkých signálových hodnotách kolektorového odporu musíme<br />
respektovat i odpor r ce . Výstupní odpor je určen vztahem (3.24)<br />
rce<br />
RIP<br />
RO 151<br />
k<br />
r R<br />
ce<br />
IP<br />
Následující stupeň, který představuje zátěž, musí mít vstupní odpor několikrát větší než R O , nemá-li<br />
dojít ke zmenšení napěťového zesílení.<br />
U CC<br />
U CC<br />
u i<br />
R D<br />
C B<br />
R D<br />
I D<br />
I B<br />
B<br />
E<br />
R E<br />
C<br />
U CE<br />
C CE<br />
I E<br />
u O<br />
u i<br />
C V1<br />
R D<br />
R D<br />
I B<br />
0,6 V<br />
R E<br />
C E<br />
a) b)<br />
Obr. 3.26: Zapojení se společným kolektorem (SC, emitorový sledovač)<br />
s tranzistorem a) NPN, b) PNP<br />
83
Bipolární tranzistory<br />
3.4.4 Zapojení se společným kolektorem – emitorový sledovač<br />
Situace je znázorněna na obr. 3.26. Kolektor tranzistoru je ze signálového hlediska uzemněn.<br />
Stejného efektu můžeme dosáhnout i paralelním zapojením kondenzátoru vhodné velikosti k odporu<br />
R C na obr. 3.20 a odpojením kondenzátoru C E . Z hlediska rozkmitu výstupního signálu pak není<br />
pracovní bod příliš vhodný.<br />
Zvolíme-li odpory v bázovém děliči (R D ) shodné, je stejnosměrné napětí na odporu R E určeno<br />
vztahem<br />
UCC<br />
UCC<br />
U RE 0,<br />
6 V a UCE<br />
0,<br />
6 V.<br />
2<br />
2<br />
U CC<br />
0,<br />
6<br />
Proud emitorem je I 2<br />
E <br />
R<br />
E<br />
a proud bází<br />
I I .<br />
B<br />
E<br />
Proud děličem volíme<br />
I<br />
D<br />
10<br />
I<br />
B<br />
<br />
U CC <br />
10 0,<br />
6<br />
2 <br />
R<br />
E<br />
.<br />
Za této podmínky platí<br />
I<br />
D<br />
UCC<br />
2 R<br />
D<br />
a podmínka pro I D je splněna, jestliže platí 5)<br />
R<br />
D<br />
<br />
RE<br />
10 12 U<br />
CC<br />
Řešení:<br />
Příklad 3.4<br />
Určete hodnotu R D v zapojení na obr. 3,26. Je dáno: U 12<br />
V, R E 1,5<br />
k,<br />
100.<br />
U CC<br />
0,<br />
6<br />
, <br />
I 2<br />
6 0 6<br />
E <br />
3,<br />
6<br />
3<br />
R 1,<br />
5 10<br />
<br />
E<br />
mA<br />
CC<br />
I<br />
<br />
B I E<br />
3,6 10<br />
3<br />
100 36 A<br />
5)<br />
U CC <br />
10 0,<br />
6 <br />
U CC 2 <br />
U CC <br />
RE<br />
U<br />
CC<br />
<br />
RE<br />
U<br />
CC 20 RD<br />
0,<br />
6 RD<br />
<br />
2R<br />
R<br />
2 U<br />
10 12 U<br />
D<br />
E<br />
84<br />
CC<br />
<br />
CC
Bipolární tranzistory<br />
RE<br />
100 1,<br />
5 10<br />
RD <br />
<br />
16,<br />
67 k<br />
10 12<br />
U 10 12<br />
12<br />
CC<br />
3<br />
Nyní učíme, že v náhradním schématu tranzistoru bude<br />
UT<br />
26 mV<br />
r 7,<br />
2 <br />
I 3,6 mA<br />
e .<br />
E<br />
Signálové schéma zapojení z obr. 3.26 je na obr. 3.27. Zdroj napětí i zde představuje pro<br />
signál zkrat, reaktance 1 C B<br />
a 1 C E<br />
zanedbáváme. Odpor RV R D<br />
2<br />
reprezentuje vliv<br />
děliče R D – R D na signál.<br />
Ze signálového schématu určíme, že proud<br />
i<br />
e<br />
<br />
r<br />
e<br />
u1<br />
R<br />
E<br />
i C<br />
u 1<br />
R V<br />
i B<br />
0 V<br />
u 1<br />
i e<br />
T i<br />
E i<br />
r e<br />
E u 2<br />
R E<br />
Obr. 3.27: Signálové schéma zapojení se společným kolektorem<br />
i<br />
i<br />
c<br />
b<br />
i<br />
e<br />
ic<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
1<br />
u<br />
1<br />
r<br />
e<br />
u1<br />
R<br />
E<br />
<br />
1<br />
r<br />
R <br />
e<br />
E<br />
Vstupní odpor do báze tranzistoru je<br />
R<br />
ib<br />
u<br />
1<br />
i<br />
<br />
r<br />
R <br />
1 e E<br />
(3.32)<br />
b<br />
Celkový vstupní odpor je pak paralelní zapojení odporu<br />
R a R , tedy:<br />
V<br />
ib<br />
R<br />
in<br />
R<br />
ib V<br />
(3.33)<br />
R<br />
ib<br />
R<br />
R<br />
V<br />
Výstupní napětí<br />
85
Bipolární tranzistory<br />
u<br />
2<br />
<br />
r<br />
e<br />
u1<br />
R<br />
E<br />
R<br />
E<br />
a napěťový přenos (zesílení) je<br />
A<br />
USC<br />
<br />
u<br />
u<br />
2<br />
1<br />
<br />
RE<br />
R r<br />
e<br />
E<br />
<br />
1<br />
1<br />
r<br />
e<br />
R<br />
E<br />
(3.34)<br />
Emitorový sledovač neinvertuje – je to neinvertující zesilovač.<br />
Výstupní odpor určíme opět pomocí Théveninovy věty. Výstupní napětí naprázdno (R E je<br />
součástí struktury; tzn., že není zapojen další zatěžovací odpor R Z proti zemi) je dán odvozeným<br />
vztahem (3.34)<br />
u<br />
20<br />
A<br />
USC<br />
u<br />
1<br />
u<br />
<br />
1<br />
r<br />
e<br />
Stav nakrátko (signálový) je znázorněn na obr. 3.28.<br />
1<br />
R<br />
E<br />
u 1<br />
i B<br />
T i<br />
E i u 1<br />
E<br />
r e<br />
i ZK<br />
R E<br />
A<br />
Obr. 3.28: Signálový zkrat výstupu sledovače – ideálním ampérmetrem<br />
(nulový vnitřní odpor)<br />
Zkratový proud je<br />
iZK<br />
u1<br />
r<br />
e<br />
a vnitřní odpor<br />
R<br />
i<br />
<br />
u<br />
i<br />
20 1<br />
ZK<br />
<br />
u<br />
r<br />
u<br />
1<br />
e<br />
1<br />
r<br />
R<br />
e<br />
E<br />
<br />
r<br />
r<br />
e<br />
e<br />
R<br />
E<br />
R<br />
E<br />
<br />
r e paralelně R E<br />
(3.35)<br />
Výkonové zesílení určíme analogicky ke vztahu (3.23):<br />
A<br />
PSC<br />
<br />
u<br />
2<br />
2<br />
2<br />
1<br />
u<br />
R<br />
R<br />
E<br />
in<br />
<br />
A<br />
2<br />
USC<br />
<br />
R<br />
R<br />
in<br />
E<br />
86
Bipolární tranzistory<br />
3.4.5 Vliv výstupního odporu zdroje signálu v zapojení SC<br />
Uvažujme nyní, že zdroj signálu u 1 není ideální, že má jistý výstupní odpor R S . Signálové<br />
schéma je na obr. 3.29.<br />
Vstupní odpor sledovače (včetně R v ) je určen vztahem (3.33) a (3.32). Napětí u b můžeme určit<br />
pomocí náhradního schématu na obr 3.29b.<br />
u<br />
b<br />
u<br />
R<br />
1<br />
in<br />
1 u1<br />
<br />
(3.36)<br />
RS<br />
Rin<br />
1<br />
RS<br />
Rin<br />
Po dosazení ze vztahů (3.33) a (3.35) a úpravách dostaneme<br />
u 1<br />
R S<br />
u b<br />
B<br />
T i<br />
u b<br />
u 1<br />
R S<br />
u b<br />
R V<br />
i e<br />
u 2<br />
R in<br />
r e<br />
R E<br />
a) b)<br />
Obr. 3.29: a) Signálové schéma sledovače, zdroj signálu u 1 má výstupní odpor R S<br />
b) náhradní schéma pro určení u b<br />
u<br />
b<br />
<br />
1<br />
R<br />
S<br />
R<br />
V<br />
R<br />
S<br />
u<br />
1<br />
<br />
1<br />
r<br />
R <br />
e<br />
E<br />
(3.37)<br />
Není-li výstup zatížen (je naprázdno), určíme<br />
u<br />
20<br />
u<br />
b<br />
<br />
RE<br />
r R<br />
e<br />
E<br />
u<br />
1<br />
<br />
RE<br />
r R<br />
e<br />
E<br />
<br />
1<br />
R<br />
S<br />
R<br />
V<br />
R<br />
S<br />
1<br />
<br />
1<br />
r<br />
R <br />
e<br />
E<br />
(3.38)<br />
Máme-li určit zkratový proud, je R E zkratovaný. Za této situace se u b významně mění.<br />
u<br />
bZKR<br />
a zkratový proud<br />
ZK<br />
u<br />
b<br />
<br />
bZKR<br />
R<br />
E<br />
e<br />
0<br />
<br />
<br />
1<br />
R<br />
S<br />
R<br />
V<br />
u<br />
1<br />
R<br />
S<br />
<br />
<br />
1<br />
r<br />
i u r<br />
(3.39)<br />
e<br />
<br />
87
Teď už můžeme určit výstupní odpor (je zde zahrnutý vliv R S )<br />
u<br />
i<br />
20<br />
Rout<br />
<br />
ZK<br />
Pro R <br />
1<br />
r<br />
R <br />
V<br />
e<br />
E<br />
, což je docela běžný stav, obdržíme pro výstupní odpor vztah<br />
Bipolární tranzistory<br />
R<br />
out<br />
<br />
re<br />
R<br />
r R<br />
e<br />
E<br />
E<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
<br />
<br />
RS<br />
RV<br />
RS<br />
RV<br />
1<br />
r<br />
<br />
<br />
e<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
(3.40)<br />
Nenulový odpor zdroje signálu (R S ) zvětšuje výstupní odpor emitorového sledovače.<br />
Pro ideální napěťové buzení je R S = 0 a vztah (3.40) přechází ve vztah (3.35).<br />
Pro<br />
RS<br />
RV<br />
RS<br />
RV<br />
je RS<br />
R R<br />
S<br />
V<br />
a výstupní odpor je<br />
R<br />
out<br />
<br />
re<br />
R<br />
r R<br />
e<br />
E<br />
E<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
R<br />
S<br />
<br />
<br />
1<br />
r e <br />
RS<br />
RV<br />
Pro proudové buzení u1 i 1 platí R S , RV<br />
RS<br />
RV<br />
re<br />
RE<br />
R<br />
<br />
<br />
<br />
V<br />
Rout<br />
1<br />
re<br />
RE<br />
1<br />
re<br />
<br />
a pro výstupní odpor platí<br />
Příklad 3.5<br />
Předpokládejme, že UCC<br />
12V, R E 1,5<br />
k,<br />
100, IE<br />
3, 6 mA, R D 1 5 k<br />
,<br />
r e 7, 25 (viz příklad 3.4).<br />
Řešení:<br />
Potom zesílení ze vztahu (3.38) je naprázdnoRV RD<br />
2 7, 5 k<br />
A<br />
USC<br />
<br />
u<br />
u<br />
a ze vztahu (3.40)<br />
20<br />
1<br />
1500<br />
<br />
<br />
1500 7,2<br />
1<br />
R<br />
S<br />
1<br />
7500 R<br />
S<br />
<br />
152227<br />
<br />
0,9952<br />
1<br />
R 7148<br />
S<br />
88
Bipolární tranzistory<br />
R<br />
out<br />
<br />
,2 1500<br />
7,2 1500<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
<br />
<br />
RS<br />
RV<br />
RS<br />
R<br />
727<br />
<br />
<br />
7,166 1<br />
<br />
<br />
<br />
RS<br />
RV<br />
RS<br />
R<br />
727<br />
7 V<br />
V<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Výsledky pro některé hodnoty<br />
Tabulka 1:<br />
R<br />
S jsou shrnuty v tabulce 1.<br />
R S ( Ω ) 0 10 50 100 500 1000 5000 10 000<br />
A USC ( – ) 0,9952 0,9938 0,9883 0,9815 0,9301 0,8731 0,5856 0,4148<br />
R out ( Ω ) 7,166 7,264 7,655 8,139 11,786 15,863 36,737 48,410<br />
Z analýzy je zřejmé, že degenerace přenosu díky konečnému vstupnímu odporu<br />
(3.36) – je mnohem významnější než růst výstupního odporu sledovače.<br />
R in – viz vztah<br />
3.4.6 Zesílení v zapojení SC jako funkce napájecího napětí<br />
r<br />
e<br />
Předpokládáme-li, že UCE U CC 2 a RE U CC 2<br />
U<br />
I 2 R U<br />
U<br />
T<br />
E<br />
E<br />
T<br />
CC<br />
U , platí vždy IE<br />
U<br />
CC 2 RE<br />
,<br />
a zesílení<br />
A<br />
USC<br />
<br />
1<br />
1<br />
r<br />
e<br />
R<br />
E<br />
<br />
1<br />
1<br />
2U<br />
T<br />
U<br />
CC<br />
(3.41)<br />
Zmenšování r e lze při zachování vhodného pracovního bodu UCE U CC 2 dosáhnout pouze<br />
zvyšováním napájecího napětí U . Potom U 1, a to je požadovaný stav.<br />
CC<br />
USC<br />
"Oddělení" hodnoty I E od U CC můžeme nyní zajistit zapojením proudového zdroje – obr. 3.<br />
30 – místo odporu R E . Platí obdobné úvahy jako u zapojení SE.<br />
U CC > 0<br />
u 1<br />
R D<br />
U CC<br />
u 1<br />
u 1<br />
u 2<br />
u 1 T 1<br />
u 2<br />
R I<br />
I<br />
R I P<br />
a) b) c)<br />
89<br />
Obr. 3.30: a) Zesilovač SC se zdrojem proudu v emitoru<br />
b) Zdroj proudu nahrazen modelem<br />
c) Signálové schéma<br />
r e<br />
R I P<br />
u 2
Bipolární tranzistory<br />
Platí všechny dříve odvozené vztahy s tím, že<br />
stovek k až jednotek M .<br />
RE<br />
RIP<br />
a IP<br />
R může běžně dosahovat hodnot<br />
3.4.7 Zapojení se společnou bází<br />
Zapojení se společnou bází je na obr. 3.31. Pro signály je báze připojena na zemní (společnou)<br />
svorku vhodně zvolenou kapacitou C<br />
B . Signál u1<br />
vstupuje do emitoru přes vhodně zvolenou kapacitu<br />
C a výstupní signál je odebírán přes kapacitu C C .<br />
E<br />
U CC > 0<br />
R A<br />
R C<br />
C C<br />
C B<br />
u 2<br />
U B<br />
R B<br />
C E<br />
u 1<br />
R E<br />
Obr. 3.31: Zapojení tranzistoru se společnou bází (SB)<br />
V daném zapojení je nastavení pracovního bodu stejné jako na obr. 3.20. Jsou-li všechny<br />
kapacity voleny tak, že jejich reaktance 1 minC<br />
jsou zanedbatelné, můžeme opět odvodit náhradní<br />
signálový model na obr. 3.32<br />
i 1<br />
i e<br />
i ci<br />
R C<br />
u 1<br />
R E<br />
r e<br />
r CB<br />
i r CB<br />
u cb2<br />
i c<br />
Obr. 3.32 Signálové schéma obvodu z obr. 3.31<br />
Platí:<br />
ie<br />
u1<br />
r<br />
e<br />
<br />
u<br />
1<br />
ici<br />
<br />
ie<br />
<br />
1 re<br />
90
Bipolární tranzistory<br />
u<br />
2<br />
i<br />
ci<br />
<br />
R<br />
R<br />
C<br />
C<br />
r<br />
r<br />
CB<br />
CB<br />
V zapojení se společnou bází je zesílení<br />
A<br />
USB<br />
<br />
u<br />
u<br />
2<br />
1<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
R<br />
E<br />
e<br />
r<br />
r<br />
e<br />
ce<br />
R r<br />
ce<br />
<br />
R<br />
R<br />
C<br />
C<br />
r<br />
r<br />
r<br />
e<br />
CB<br />
CB<br />
(3.42)<br />
Jedná se o neinvertující zesilovač.<br />
Vstupní odpor „do emitoru“ je<br />
R<br />
ie<br />
u 1 i r<br />
(3.43)<br />
e<br />
e<br />
a je velmi malý. Celkový vstupní odpor je tedy paralelní kombinace odporů<br />
R<br />
in<br />
e<br />
e<br />
e<br />
R a r :<br />
RE<br />
r<br />
(3.44)<br />
R r<br />
Pro určení výstupního odporu potřebujeme určit výstupní napětí ve stavu naprázdno a proud<br />
nakrátko. Napětí naprázdno je<br />
u<br />
R<br />
R<br />
r<br />
r<br />
CB<br />
C CB<br />
20 AUSB<br />
u1<br />
<br />
u1<br />
re<br />
Proud nakrátko je omezen pouze odporem r e<br />
iZK u1<br />
r e<br />
Výstupní odpor<br />
R<br />
O<br />
C<br />
R<br />
O (Theveninova věta) potom je<br />
u RC<br />
rCB<br />
20 <br />
(3.45)<br />
i R r<br />
ZK<br />
Protože r 1 ,<br />
že<br />
CB r ce<br />
RC r C B a O RC<br />
C<br />
CB<br />
je r CB značně velký – jednotky až desítky MΩ. Proto většinou vždy platí,<br />
R .<br />
Výkonové zesílení určíme jako:<br />
E<br />
e<br />
A<br />
PSB<br />
<br />
u<br />
2<br />
2<br />
2<br />
1<br />
u<br />
R<br />
r<br />
C<br />
e<br />
A<br />
2<br />
USB<br />
r<br />
<br />
R<br />
e<br />
C<br />
Vztah mezi zesílením<br />
v tomto případě můžeme nahradit odpor<br />
zesílení i při relativně malých napájecích napětích<br />
A USB a napájecím napětím U CC je stejný jako u zapojení SE. I<br />
R C zdrojem proudu a dosáhnout tak velkého napěťového<br />
U CC . Tato situace je dokonce výhodnější než<br />
91
Bipolární tranzistory<br />
v zapojení SE, protože hodnoty<br />
tranzistoru).<br />
r CB<br />
jsou – krát větší než hodnoty r ce<br />
(u stejného použitého<br />
Pojmy k zapamatování<br />
Tranzistorový jev; tranzistor NPN, PNP; síť AV charakteristik – pracovní bod, saturace; model<br />
tranzistoru – stejnosměrný, signálový; mezní parametry tranzistoru; základní zapojení – SE, SB a SC;<br />
zesílení – napěťové, proudové a výkonové; odpor zesilovací struktury - vstupní, výstupní; zdroj<br />
proudu jako zátěž; tranzistor jako spínač. Pokud některému z nich ještě nerozumíte, vraťte se k nim<br />
ještě jednou.<br />
Otázky 3<br />
1. Jakou polaritu musí mít přechod báze emitor a báze kolektor, aby byl tranzistor v aktivním<br />
režimu (upřesněte pro PNP a NPN tranzistor)<br />
2. Může mít báze tranzistoru libovolnou tloušťku; lze z dvou diskrétních diod sestavit tranzistor<br />
T<br />
3. Vysvětlete význam symbolů ve vztahu 0 1<br />
U BE U<br />
E I E e<br />
I .<br />
4. Co je to Earlyho napětí Nakreslete ilustrační obrázek.<br />
5. Jak souvisí parametr r CE s Earlyho napětím<br />
T<br />
6. Jak odvodíte ze vztahu 0 1<br />
U BE U<br />
E I E e<br />
I signálovou vodivost g e <br />
7. Jak souvisí signálový odpor r e se signálovou vodivostí<br />
8. Proč je signálový model tranzistoru NPN a PNP stejný<br />
9. Nakreslete signálové schéma zapojení SE.<br />
10. Nakreslete signálové schéma zapojení SB.<br />
11. Nakreslete signálové schéma zapojení SC.<br />
12. Jakými způsoby můžeme nastavit pracovní bod tranzistoru, jaký to má vliv na stabilitu<br />
pracovního bodu<br />
13. Které zapojení tranzistoru zesiluje pouze napěťově<br />
14. Které zapojení tranzistoru zesiluje pouze proudově<br />
15. Které zapojení tranzistoru má největší výkonové zesílení<br />
g e <br />
92
Bipolární tranzistory<br />
16. Jaký vliv má odpor v emitoru (signálově nezkratovaný) na zesílení<br />
17. Proč používáme místo kolektorového odporu zdroj proudu<br />
18. Jakou zpětnou vazbu zavádí emitorový odpor<br />
19. Jakou zpětnou vazbu zavádí odpor z kolektoru do báze<br />
Úlohy k řešení 3<br />
<br />
Příklad 3.1<br />
V zapojení podle obrázku určete pracovní bod tranzistoru pro hodnoty: U 10V,<br />
UBE<br />
0,6 V, UBB<br />
2, 2 V, R C 250, R1 20 k<br />
. Tranzistor je definován sítí výstupních<br />
charakteristik v zapojení se společným emitorem.<br />
CC<br />
I B<br />
I C<br />
R C<br />
U CC<br />
R 1<br />
U BB<br />
Obrázek k příkladu 3.1<br />
<br />
Příklad 3.2<br />
Je dáno zapojení podle obrázku a). Síť<br />
charakteristik tranzistoru v zapojení se<br />
společným emitorem je znázorněna na<br />
obrázku b). Určete:<br />
a) odpory R B , R C tak, aby se nastavil<br />
pracovní bod tranzistoru U 6 V,<br />
ICP<br />
CEP<br />
5 mA, hodnota ss zdroje je<br />
UCC<br />
12V<br />
b) Zakreslete pracovní přímku do sítě<br />
charakteristik<br />
R B<br />
U CC<br />
R C<br />
I C<br />
I B U CE<br />
Obrázek a) k příkladu 3.2<br />
93
c) Určete výkonovou ztrátu tranzistoru (ztrátu přechodu B-E zanedbejte)<br />
d) Určete hodnotu proudového zesilovacího činitele v pracovním bodě<br />
Bipolární tranzistory<br />
Obr. b) k příkladu 3.2 - vstupní a výstupní charakteristiky tranzistoru v zapojení SE<br />
<br />
Příklad 3.3<br />
V zapojení podle obrázku určete odpory R B , R C tak, aby se nastavil pracovní bod<br />
tranzistoru UCEP<br />
6 V, ICP<br />
5 mA, hodnota napětí stejnosměrného zdroje je UCC<br />
12<br />
V.<br />
Použijte charakteristiky tranzistoru z příkladu 3.2.<br />
U CC<br />
U CC<br />
R 1<br />
R C<br />
R C<br />
I B<br />
I C<br />
R B<br />
I C<br />
I<br />
I B<br />
U CE<br />
R 2<br />
R E<br />
Obrázek k příkladu 3.3<br />
Obrázek k příkladu 3.4<br />
<br />
Příklad 3.4<br />
Určete hodnoty odporů R 1 , R 2 a R C v obvodu na obrázku tak, aby pracovní bod měl<br />
souřadnice U 5 V , I CP 5 mA<br />
. Příčný proud děličem I má být 10 krát větší než proud<br />
CEP<br />
94
áze I B . Hodnota odporu R E = 100 Ω, napětí ss zdroje<br />
100, I E I C , U 0,6 V.<br />
BEP<br />
Bipolární tranzistory<br />
U CC 14V. Předpokládejte, že<br />
<br />
Příklad 3.5<br />
V zapojení podle obrázku určete hodnoty všech vyznačených proudů, je-li zadáno:<br />
UCC<br />
15V, UBE<br />
0,7 V, 200, hodnoty odporů jsou: R C =3 kΩ, R E = 3 kΩ, R 1 = 100 kΩ a<br />
R 2 = 50 kΩ (Poznámka: použijte Théveninovu větu pro dělič do báze tranzistoru).<br />
U CC<br />
a) b)<br />
U CC<br />
I 1<br />
U 0<br />
R 1<br />
R C<br />
R C<br />
I 2<br />
I B<br />
I C<br />
I E<br />
R B<br />
I B<br />
I C<br />
I E<br />
R 2<br />
R E<br />
R E<br />
Obrázek k příkladu 3.5: a) schéma obvodu<br />
b) náhradní zapojení (Théveninova věta) určení proudů – I B<br />
,<br />
I E , I C<br />
<br />
Příklad 3.6<br />
Navrhněte hodnoty odporů v zapojení se společným kolektorem. Pro výpočet uvažujte<br />
hodnoty: U BE = 0,6 V, U RE = 7,5 V, U CC = 15 V, proud odporem R 1 je 10·I B , I CP = 2 mA a =<br />
100.<br />
U CC<br />
R 1<br />
R 2<br />
R E<br />
95<br />
Zapojení k příkladu 3.6
Bipolární tranzistory<br />
<br />
Příklad 3.7<br />
Pracovní bod tranzistoru BC273A v zapojení SE má souřadnice: I CP = 2 mA, U CEP = 5 V,<br />
U BEP = 0,62 V. Pro výpočet jsou zadány hodnoty: U CC = 10 V, proud odporem R 2 je 5I B , napětí<br />
na odporu R E = 1 V, = 220, U A = 100 V. Určete<br />
a) signálové schéma zapojení a hodnoty všech prvků<br />
b) vstupní odpor báze tranzistoru<br />
c) napěťové, proudové zesílení<br />
d) vstupní a výstupní odpor zesilovacího stupně<br />
e) určete napěťové zesílení při zatížení odporem R Z = 1 kΩ a R Z = 100 kΩ<br />
f) promyslete si vliv zatěžovacího odporu ve vztahu k výstupnímu odporu (souvislost<br />
s Théveninovým teorémem)<br />
U CC<br />
C 1<br />
R 1<br />
R C<br />
C 2<br />
u 1<br />
R 2<br />
R E<br />
C E<br />
u 2<br />
R Z<br />
Obrázek k příkladu 3.7: Zesilovací stupeň SE<br />
<br />
Příklad 3.8<br />
Zapojení z příkladu 3.7 upravte tak, aby se nezměnil pracovní bod a vzniklo zapojení SB.<br />
(poznámka: Uvědomte si, že je nutné signálově uzemnit bázi, a vstupní signál vtupuje do<br />
emitoru přes kapacitu). Dále určete<br />
a) signálové schéma zapojení a hodnoty všech prvků<br />
b) vstupní odpor do emitoru tranzistoru<br />
c) napěťové, proudové zesílení<br />
d) výstupní odpor zesilovacího stupně<br />
<br />
Příklad 3.9<br />
V zapojení na obrázku jsou zadány hodnoty: U CC = 15 V, proud odporem R 1 je 10 krát větší<br />
než I B , = 100. Pracovní bod tranzistoru má souřadnice:<br />
I CP = 2 mA, U CEP = 7,5 V, U BEP = 0,6 V.<br />
96
Bipolární tranzistory<br />
a) určete o jaké zapojení se jedná<br />
b) stanovte hodnoty všech odporů<br />
c) nakreslete signálové schéma a určete hodnoty prvků ve schématu<br />
d) celkový vstupní a výstupní odpor zesilovače<br />
e) napěťové zesílení<br />
f) určete výkonovou ztrátu tranzistoru<br />
U CC<br />
R 1<br />
C 1<br />
C 2<br />
u 1<br />
R 2<br />
R E<br />
u 2<br />
Obrázek k příkladu 3.9<br />
CD-ROM<br />
Otevři soubor :<br />
a) BJT_SE<br />
b) BJT_SB<br />
c) BJT_SC<br />
Text k prostudování<br />
[1] Frohn, M. – Siedler, H.-J. – Wiemer, M. – Zastrow, P.: Elektronika, polovodičové<br />
součástky a základní zapojení. Ben, Praha 2006, ISBN 80-7300-123-3<br />
97
Bipolární tranzistory<br />
Další zdroje<br />
1 Yunik, M.: Design of modern transistor circuits. Prentice – Hall, Inc., Englwood Cliffs,<br />
N.J., 1973<br />
2 Schubert, T. – Kim, E.: Active and non-linear electronics. John Wiley Sons, Inc.,1996<br />
3 Vobecký, J. - Záhlava, V.: Elektronika (součástky a obvody, principy a příklady), Grada,<br />
Praha 2001<br />
4 Grebene, A., B.: Analog integrated circuit design. Van Nostrand Reinhold Company, New<br />
York, 1972<br />
5 Doleček, J.: Moderní učebnice elektroniky 2. díl, BEN, Praha, 2005, ISBN 80-730-161-6<br />
Korespondenční úkol<br />
Bude zadán vyučujícím z množiny příkladů určených k samostatnému řešení..<br />
98
Unipolární tranzistory<br />
4 Unipolární tranzistor – tranzistor řízený<br />
elektrickým polem (FET – Field Effect Tranzistor)<br />
Čas ke studiu: 14 hodin<br />
Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět:<br />
definovat a rozlišit jednotlivé typy tranzistorů podle konstrukce<br />
sestavit a zdůvodnit signálový model všech unipolárních tranzistorů<br />
nastavit pracovní body<br />
navrhnout a posoudit zapojení tranzistoru<br />
- se společným vývodem S<br />
- se společným vývodem D<br />
- se společným vývodem G<br />
- zesilovač se zdrojem proudu jako aktivní zátěží<br />
VÝKLAD<br />
4.1 Úvod<br />
Bipolární tranzistory jsou dostatečně definovány dvěma základními strukturami – NPN a PNP.<br />
Ke své činnosti současně využívají elektrony i díry. Konstrukčně se skládají vždy ze dvou P–N<br />
přechodů. V normálním aktivním režimu je vždy přechod báze – emitor (B – E) otevřený a přechod<br />
báze – kolektor (B – C) uzavřený. Báze musí být velmi tenká, aby mohl vzniknout tranzistorový jev<br />
(asi 1 µm – [1]). Proud emitorem se prakticky rovná proudu kolektorovému, velikost těchto parametrů<br />
lze řídit proudem do báze (napětím báze – emitor).<br />
K zajištění činnosti tranzistoru řízeného polem – k průchodu proudu mezi vývodem S (source,<br />
emitor - viz obr. 4.1) a D drain, kolektor viz obr. 4.1) – stačí vždy nosiče jednoho typu:<br />
elektrony pro kanál N (mezi S a D)<br />
díry pro kanál typu P (mezi S a D)<br />
99
Unipolární tranzistory<br />
Proto se nazývají unipolární tranzistory. Odpor kanálu je řízen elektrickým polem, které<br />
vzniká přiložením napětí U mezi vývod S a vývod G (gate, hradlo viz obr. 4.1). Proud do hradla G<br />
lze z praktického hlediska považovat za nulový.<br />
GS<br />
(Drain - kolektor)<br />
(Source - emitor)<br />
(Gate - hradlo)<br />
Obr. 4.1: Unipolární tranzistor – popis elektrod<br />
Nejběžnější konstrukce jsou uvedeny na obr. 4.2, průřez jednotlivými unipolárními tranzistory<br />
je pak na obr. 4.3 a obr. 4.4. Existuje-li vodivý kanál i při U GS 0, hovoříme o tranzistoru FET se<br />
zabudovaným kanálem (normally-on, depletion-mode – ochuzovací režim). Je-li nutné pro vytvoření<br />
vodivého kanálu (mezi D a S) připojit nenulové napětí U GS , hovoříme o tranzistoru s indukovaným<br />
kanálem ormally-off, enhancement-mode – obohacovací režim). Z tohoto hlediska patří běžné JFETy<br />
mezi tranzistory se zabudovaným kanálem (i když je možné i zde zajistit, aby při U GS 0 proud<br />
mezi D a S neprotékal – [1], str. 134).<br />
100
Unipolární tranzistory<br />
Unipolární tranzistor (FET)<br />
JFET<br />
MOSFET<br />
Kanál<br />
P<br />
Kanál<br />
N<br />
Kanál<br />
indukovaný<br />
Kanál<br />
zabudovaný<br />
P N P N<br />
Obr. 4.2: Běžné konstrukce unipolárních tranzistorů<br />
Obr. 4.3: Průřez unipolárním tranzistorem:<br />
a) MOSFET s indukovaným kanálem typu N<br />
b) MOSFET se zabudovaným kanálem typu N<br />
c) přechodový JFET s kanálem typu N<br />
4.2 Konstrukce a princip činnosti tranzistorů JFET<br />
Průřez přechodovým tranzistorem JFET (Junction Field Effect Tranzistor) je na obr. 4.4a –<br />
kanál typu N. Na obr. 4.4b je průřez přechodovým tranzistorem s kanálem typu P. Současně jsou<br />
uvedeny i nejběžnější symboly pro tyto tranzistory.<br />
Další výklad se bude týkat pouze tranzistoru (N) JFET (s kanálem typu N). Pro (P) JFET platí<br />
všechna tvrzení analogicky pro opačné polarity napětí. Oblasti se zvýšenou dotací donorů (N+) u<br />
101
Unipolární tranzistory<br />
elektrod D a S zaručují dobrý ohmický kontakt těchto vývodů. Situace je zjednodušeně znázorněna na<br />
obr. 4.5.<br />
a) b)<br />
S G D<br />
S G D<br />
N+ P+ N+<br />
P+<br />
N<br />
P+ N+ P+<br />
N+<br />
P<br />
kanál N<br />
G<br />
A. D<br />
S<br />
kanál P<br />
G<br />
D<br />
S<br />
Obr. 4.4: Průřez tranzistorem a symbolická značka tranzistoru<br />
a) (N) JFET<br />
b) (P) JFET<br />
Za normální situace musí platit U GS 0. Přechod P-N (G-S) je uzavřen a vstupní proud I G je<br />
dán pouze proudem diody (přechodu) v závěrném směru (řádově pA). Vstupní odpor R GS je značný –<br />
10 12 Ω a větší. Pro U GS 0 by se přechod P-N otevřel a pokud by proud v hradle G nebyl omezen<br />
externím (zapojeným) odporem, došlo by ke zničení tranzistoru. Pro U DS 0 by se přechod mohl také<br />
otevřít.<br />
4.3 Chování tranzistoru při U 0<br />
D<br />
DS<br />
U GS<br />
G<br />
typ P+<br />
I G = 0<br />
U R<br />
d<br />
N<br />
U K<br />
I D<br />
U DS<br />
U GS<br />
I G = 0<br />
G<br />
I S<br />
D<br />
I D<br />
S<br />
U DS<br />
I S<br />
S<br />
a) b)<br />
Obr. 4.5: a) Principiální struktura přechodového tranzistoru s kanálem N – NJFET<br />
b) Zapojení s použitím symbolické značky<br />
102
Unipolární tranzistory<br />
Předpokládejme nejdříve, že napětí DS<br />
0 a proud I D jsou malé. Při průchodu kanálu N<br />
vytváří proud I D jen malé napětí U K – viz obr. 4.5a), zanedbatelné vůči napětí U R UGS<br />
0 (v<br />
závěrném směru přechodu). Dioda G-S je polarizována v závěrném směru. Při růstu U R<br />
absolutní hodnoty U GS se rozšiřuje ochuzená vrstva d v okolí přechodu. Náboje v ní jsou vázány<br />
elektrickým polem (příčným, vytvořeným napětím UR<br />
UGS<br />
) a nevedou proud (driftový) vyvolaný<br />
napětím U DS (podélné pole). Proto se zmenšuje efektivní plocha vodivého kanálu N, výsledný odpor<br />
mezi D a S se zvětšuje. Dosáhne-li UGS<br />
hodnoty UP<br />
0;<br />
prahové napětí = pinch off voltage<br />
, je<br />
kanál zcela přehrazen, proud ID<br />
zaniká. Odpor rozpojeného tranzistoru R DSOFF<br />
(závřeného,<br />
vypnutého, OFF) dosahuje běžně desítek až stovek kΩ – viz obr. 4.6.<br />
U <br />
I D<br />
U DS = konst<br />
-3 -2 -1<br />
U GS<br />
U P<br />
Obr. 4.6: Kvalitativní znázornění závislosti f <br />
I při U DS konst.<br />
D U GS<br />
Pro UGS<br />
0 je ochuzená oblast d nejmenší, efektivní plocha kanálu je maximální. Odpor<br />
tranzistoru R DSON<br />
(je sepnut, ON) je minimální a podle konstrukce v rozmezí desítek Ω až jednotek<br />
kΩ.<br />
4.4 Chování tranzistoru při U 0<br />
GS<br />
Předpokládejme nyní, že UGS<br />
0 a postupně zvětšujeme napětí UDS<br />
0.<br />
Kanálem N<br />
protéká proud I D úměrný napětí UDS.<br />
Napětí UDS<br />
se rozloží po celé délce kanálu a polarizuje<br />
„zevnitř“ přechod G-S v závěrném směru – viz U K , obr. 4.5a. Největší napětí v závěrném směru je u<br />
vývodu D, nulové je u vývodu S. Tomu bude odpovídat i šířka ochuzené oblasti d – obr. 4.7.<br />
Pro UDS<br />
0 je ochuzená oblast definována jenom hodnotou d o (na P-N přechodu při<br />
nulovém napětí) – obr. 4.7a. Kanál má minimální odpor.<br />
103
Unipolární tranzistory<br />
Při zvětšování UDS<br />
se ochuzená vrstva v blízkosti D rozšiřuje (obr. 4.7b) až při UDS<br />
UP<br />
právě přehradí celý kanál – obr. 4.7c. Proud I D zde dosahuje saturační hodnoty I DSS<br />
(jiný typ<br />
saturace než u bipolárního tranzistoru), stále prochází, protože na odporu kanálu vzniká záporná vazba<br />
typu:<br />
vzroste U DS vzroste I DSS<br />
vzroste závěrné napětí diody (v okolí D) rozšíří se<br />
ochuzená oblast vzroste RDS<br />
klesá I DSS<br />
.<br />
Vždy se ustálí rovnovážný stav.<br />
U <br />
Při dalším zvětšování DS nad hodnotu U P se pouze prodlužuje oblast kanálu, která je<br />
přehrazena – obr. 4.7d proud IDSS<br />
se proto téměř nemění – velmi nepatrně narůstá (vlivem<br />
„přibližování“ přehrazené oblasti k S a nárazové ionizace v kanálu s růstem U DS ).<br />
D<br />
D<br />
I D<br />
I D<br />
P+<br />
N<br />
P+ d<br />
G<br />
d o<br />
U DS ≈ 0<br />
G<br />
d o<br />
N<br />
0<br />
U DS U P<br />
I S = I G<br />
I S = I G<br />
S<br />
a) b)<br />
S<br />
D<br />
D<br />
I D<br />
I D<br />
G<br />
P+<br />
d o<br />
d<br />
N<br />
U DS<br />
<br />
U P<br />
G<br />
P+<br />
d o<br />
d<br />
N<br />
U DS U P<br />
I S = I G<br />
I S = I G<br />
c) S<br />
d)<br />
S<br />
Obr. 4.7: Kvalitativní znázornění ochuzené oblasti d při UGS<br />
0 a pro různé<br />
hodnoty U DS 0 (šrafováno)<br />
104
Unipolární tranzistory<br />
4.5 Chování tranzistoru při U 0 a U 0<br />
GS<br />
Pro UGS<br />
0 se oba mechanismy sčítají. Závěrné napětí U R na přechodu G-S je superpozicí<br />
napětí U a úbytků napětí vyvolaných proudem I . Rovnovážný (saturovaný) stav nastane při<br />
GS<br />
napětí U DSP , kdy napětí U R (v blízkosti D, UK U DS P - obr. 4.5a) dosáhne právě hodnoty U P , tedy<br />
D<br />
DS<br />
U<br />
R<br />
<br />
U<br />
P<br />
U<br />
DS P<br />
U<br />
GS<br />
odtud určíme že U P UP<br />
pro<br />
U<br />
P<br />
<br />
0<br />
U<br />
DS P<br />
U P U<br />
GS U GS U<br />
P<br />
(4.1)<br />
Úměrně růstu hodnoty UGS poklesu U GS<br />
se zmenšuje hodnota proudu I D<br />
i<br />
hodnota<br />
U DSP<br />
, při které dojde k saturaci, protože s růstem UGS<br />
se rozšiřuje ochuzená oblast po celé délce<br />
kanálu dGS<br />
do<br />
– obr. 4.8 – tedy odpor kanálu roste. Na „stejnou“ hodnotu napětí máme menší proud<br />
I D (vyvolaným napětím U DS ). Při UGS<br />
UP<br />
již neprotéká proud vůbec.<br />
D<br />
I D<br />
P+<br />
U GS<br />
d GS<br />
N<br />
I S = I G<br />
U DS<br />
S<br />
Obr. 4.8: Znázornění ochuzené oblasti při U GS 0<br />
oblasti.<br />
Pro<br />
UDS U DS P je proud I D přibližně lineární funkcí napětí U DS ,<br />
hovoříme o odporové<br />
UDS U DS P není proud D<br />
U<br />
I<br />
Pro<br />
(oblast velkého odporu,<br />
znázorněny na obr. 4.9.<br />
DS<br />
I (ideálně) funkcí napětí U , hovoříme o saturační oblasti<br />
D<br />
<br />
DS<br />
). Ampérvoltové charakteristiky jsou kvalitativně<br />
U tranzistoru JFET se vždy určitá část kanálu ochuzuje o nosiče a tím se mění jeho odpor –<br />
ochuzovací mód (depletion mode).<br />
105
Unipolární tranzistory<br />
Odporová<br />
oblast<br />
U<br />
DS P<br />
U U<br />
parabola<br />
GS<br />
P<br />
I D<br />
I DSS<br />
U GS<br />
0<br />
Saturační oblast<br />
U GS1<br />
<br />
0<br />
U U<br />
GS2<br />
GS1<br />
U<br />
GS3<br />
U<br />
GS2<br />
UP<br />
U DS<br />
U U<br />
GS3<br />
P<br />
U U<br />
GS2<br />
P<br />
Obr. 4.9: Výstupní charakteristiky tranzistoru NJFET<br />
a)<br />
S G D<br />
kov<br />
Si 0 2 obecně i jiné dielektrikum<br />
N+ N+<br />
P<br />
b) c)<br />
D<br />
I D<br />
D<br />
I D<br />
U GS<br />
0<br />
G<br />
S<br />
U DS<br />
0<br />
U GS<br />
0<br />
G<br />
S<br />
U DS<br />
0<br />
I S = I D<br />
I S = I D<br />
Obr. 4.10: a) Průřez tranzistorem MOSFET s indukovaným kanálem typu N<br />
b) Symbolická značka tranzistoru MOSFET s indukovaným kanálem N –<br />
přerušovaná čára mezi D a S symbolizuje, že kanál musí být indukován<br />
c) Symbolická značka tranzistoru MOSFET s indukovaným kanálem P<br />
106
Unipolární tranzistory<br />
4.6 Konstrukce a princip činnosti tranzistorů s indukovaným<br />
kanálem (EMOSFET, enhancement mode)<br />
Průřez tranzistorem MOSFET s indukovaným kanálem typu N je na obr. 4.10. Označení<br />
vývodů je stejné jako u tranzistoru JFET.<br />
Struktura na obr. 4.10a pracuje pouze v tzv. obohacovacím režimu (enhancement mode). Při<br />
UGS<br />
0 jsou vývody S a D jednoduše rozpojeny (dioda D – oblast P je pro UDS<br />
0 zavřená).<br />
Teprve pro UGS<br />
UP 0 se indukuje kanál typu N pod vrstvou oxidu křemíku (Si0 2 ). Kovová vrstva<br />
hradla G tvoří přes dielektrickou vrstvu proti vrstvě P kondenzátor. Je-li napětí UGS<br />
0 jsou díry<br />
v polovodiči typu P odpuzovány (příčným elektrickým polem) od hradla G. Při dosažení hodnoty<br />
U GS U<br />
P 0 se na rozhraní Si0 2 a vrstvy P indukují volné elektrony a propojí oblasti N + (pod<br />
elektrodami S, D). Při dalším růstu UGS<br />
se kanál dále obohacuje o volné elektrony (stále více děr je<br />
odtlačováno od hradla), vodivý kanál se rozšiřuje.<br />
4.11.<br />
Průběh proudu v závislosti na<br />
U (a při U DS konst.<br />
) je kvalitativně znázorněn na obr.<br />
GS<br />
I D<br />
U DS = konst<br />
1 2 3<br />
U GS<br />
U P<br />
Obr. 4.11: Kvalitativní znázornění závislosti f <br />
pro EMOSFET s kanálem N<br />
I při U DS<br />
konst.<br />
D<br />
U GS<br />
Je-li napětí UDS<br />
malé, je vodivý kanál mezi S a D stejně hluboký. Začne-li se UDS<br />
zvětšovat<br />
probíhá stejný jev jako u tranzistoru JFET. Napětí na kapacitě „G-P“ (na dielektriku) v blízkosti<br />
vývodu D klesá. Při U právě platí, že napětí mezi G a oblastí P (u vývodu D) je rovno<br />
hodnotě U P,<br />
4.12:<br />
U<br />
GS<br />
DS U DS sat<br />
proud již dále neroste, indukovaný kanál v oblasti D je téměř přerušen. Platí tedy – obr.<br />
U<br />
DIEL<br />
U<br />
U sa U U<br />
DS<br />
DS<br />
U<br />
P<br />
U<br />
DIEL<br />
U<br />
GS<br />
U<br />
DSsat<br />
t GS P<br />
(4.2)<br />
Pro indukovaný kanál typu P platí úplně stejné úvahy s tím, že se zamění typy vodivostí a<br />
polarita napájecích napětí a proudů – viz obr. 4.10c. Výstupní charakteristiky jsou kvalitativně<br />
zachyceny na obr. 4.13.<br />
107
Unipolární tranzistory<br />
Pro kanál P platí U 0,<br />
U 0 a USD<br />
UDS<br />
UGS<br />
UP<br />
.<br />
GS<br />
P<br />
sat<br />
sat<br />
U<br />
GS<br />
0<br />
a)<br />
S G D<br />
I S<br />
N+ N+<br />
I D<br />
P<br />
U DIEL<br />
U DS<br />
U DS<br />
volné elektrony<br />
(indukovaný kanál)<br />
b)<br />
N+ N+<br />
P<br />
c)<br />
N+ N+<br />
P<br />
Obr. 4.12: Znázornění indukovaného kanálu typu N při U UP 0<br />
pro a) U DS 0 , b) UDS U DS sat , c) UDS U DS sat<br />
GS<br />
I D<br />
<br />
U <br />
GS<br />
U P<br />
U<br />
DS<br />
P<br />
0<br />
U sat U U<br />
GS P<br />
U GS<br />
5V<br />
I D U sat U<br />
U<br />
, U 0<br />
U<br />
GS<br />
<br />
U<br />
P<br />
DS<br />
GS<br />
U<br />
SG<br />
P<br />
-U<br />
P<br />
GS<br />
<br />
5V<br />
U GS<br />
3V<br />
U GS<br />
1V<br />
U<br />
SG<br />
-U<br />
GS<br />
<br />
3V<br />
U DS<br />
a) b)<br />
3 U P<br />
5 U P<br />
U<br />
SD<br />
-U DS<br />
Obr. 4.13: Výstupní charakteristiky tranzistoru MOSFET s indukovaným kanálem<br />
typu N (a), a typu P (b). Šipková konvence podle obr. 4.10<br />
108
Unipolární tranzistory<br />
Charakteristiky na obr. 4.13 a obr. 4.9 jsou velmi podobné, liší se pouze rozsahem možných<br />
hodnot U GS.<br />
4.7 Konstrukce a princip tranzistoru se zabudovaným kanálem<br />
(DMOSFET, depletion mode)<br />
Průřez tranzistoru MOSFET se zabudovaným kanálem typu N je na obr. 4.14. Vývody S a D<br />
jsou trvale propojeny kanálem typu N (zabudovaným). Označení vývodů je i zde stejné jako u<br />
tranzistoru JFET.<br />
a)<br />
S G D<br />
kov<br />
N+<br />
N<br />
N+<br />
P<br />
Si 0 2<br />
Zabudovaný kanál N (50 100 nm)<br />
b) c)<br />
D<br />
I D<br />
D<br />
I D<br />
U GS<br />
0<br />
G<br />
S<br />
U DS<br />
0<br />
U GS<br />
0<br />
G<br />
S<br />
U DS<br />
0<br />
I S = I D<br />
I S = I D<br />
Obr. 4.14: a) Průřez tranzistorem MOSFET se zabudovaným kanálem typu N<br />
b) Symbolická značka tranzistoru MOSFET se zabudovaným kanálem N<br />
c) Symbolická značka tranzistoru MOSFET se zabudovaným kanálem P<br />
Struktura na obr. 4.14a může pracovat:<br />
a) v ochuzovacím režimu – UGS<br />
0,<br />
záporné napětí na G „vytlačuje“ přes dielektrikum (příčné pole)<br />
ze zabudovaného kanálu elektrony. Odpor kanálu roste. Při U U<br />
P 0 je kanál uzavřen, I 0.<br />
GS<br />
D<br />
109
Unipolární tranzistory<br />
b) v obohacovacím režimu – UGS 0 , kladné napětí na G zvyšuje dále počet elektronů v kanálu N<br />
(obohacuje), odpor kanálu dále klesá.<br />
Vliv napětí UDS<br />
je stejný jako v předchozích případech. Nejméně se uplatňuje u vývodu S,<br />
nejvíce u vývodu D. Když je UDS<br />
UGS<br />
UP,<br />
dochází k uzavření kanálu („sevření“) v oblasti vývodu<br />
D, proud ID<br />
je saturován. Kvalitativní znázornění závislosti ID f U GS<br />
při U DS = konst. Je na obr.<br />
4.15.<br />
I D<br />
DMOSFET<br />
EMOSFET<br />
JFET<br />
U P<br />
U P<br />
U GS<br />
Obr. 4.15: Kvalitativní znázornění závislosti f <br />
EMOSFET s kanálem N<br />
I pro JFET,<br />
D U GS<br />
Pro zabudovaný kanál typu P platí úplně stejné úvahy s tím, že se zamění typy vodivostí a<br />
polarita napájecích napětí a proudů – viz obr. 4.14c. Výstupní charakteristiky jsou kvalitativně<br />
zachyceny na obr. 4.16.<br />
I D<br />
Odporová<br />
oblast<br />
U<br />
DSP<br />
U<br />
U<br />
U 0<br />
GS<br />
P,<br />
Saturační oblast<br />
U GS<br />
1V<br />
P<br />
I D<br />
U<br />
U<br />
DS P<br />
P<br />
0<br />
U<br />
GS<br />
U<br />
U<br />
SG<br />
P,<br />
-U<br />
GS<br />
<br />
1V<br />
I DSS<br />
U GS<br />
0V<br />
I DSS<br />
U<br />
SG<br />
-U<br />
GS<br />
<br />
0V<br />
U GS<br />
1V<br />
U<br />
SG<br />
-U<br />
GS<br />
1V<br />
U<br />
P<br />
U GS<br />
<<br />
> 0 V<br />
U DS<br />
U P<br />
U GS<br />
<<br />
> 0 V<br />
U<br />
SD<br />
-U<br />
DS<br />
Obr. 4.16: Výstupní charakteristiky tranzistoru MOSFET se zabudovaným kanálem<br />
typu N (a), a typu P (b). Šipková konvence podle obr. 4.14<br />
110
Unipolární tranzistory<br />
4.8 Ampérvoltové charakteristiky unipolárních tranzistorů<br />
Ampérvoltové charakteristiky všech popsaných unipolárních tranzistorů jsou si velmi<br />
podobné a v zásadě rozdělené do dvou oblastí:<br />
1) do oblasti odporové (bude popsáno pro kanál typu N), kde platí vždy U U<br />
U<br />
,<br />
odpor kanálu je určován (řízen) napětím hradla<br />
UGS<br />
i napětím U DS ,<br />
2) do oblasti saturační, kde UDS<br />
UDSP<br />
UGS<br />
UP,<br />
proud kanálu je saturován a není<br />
(téměř) funkcí napětí U DS , je pouze funkcí napětí U GS.<br />
Pro ampérvoltové charakteristiky bylo odvozeno (za různých předpokladů a zjednodušení)<br />
mnoho různých vztahů. S jistou mírou nepřesnosti můžeme pro všechny typy FETŮ použít následující<br />
vztahy:<br />
Odporová oblast – pro U U U U<br />
, platí [2, 1, 3, …]<br />
I<br />
D<br />
<br />
<br />
DS<br />
<br />
DS P<br />
GS<br />
2<br />
DS<br />
<br />
P<br />
2<br />
K U U<br />
U<br />
U<br />
2<br />
(4.3)<br />
GS<br />
P<br />
kde K je konstanta daná konstrukcí tranzistoru o rozměru [A/V 2 ].<br />
DS<br />
Saturační oblast – v okamžiku, kdy U DS U DS P<br />
U DS sat<br />
<br />
UGS<br />
U<br />
P můžeme tuto hodnotu dosadit<br />
do vztahu (4.3) a po úpravách získáme hodnotu saturačního proudu (v saturační oblasti)<br />
I<br />
D<br />
<br />
2<br />
UGS<br />
U <br />
P<br />
2K<br />
U<br />
GS U P <br />
U<br />
GS U P <br />
K U<br />
GS U P 2 (4.4)<br />
<br />
2 <br />
Vztahy se musí pouze vhodně aplikovat.<br />
DS<br />
GS<br />
P<br />
(N)JFETy<br />
Pro (N)JFETy je UP<br />
0 a vztahy platí pro U GS U P , 0<br />
. Pro UGS<br />
UP<br />
je I D 0.<br />
Označíme-li saturační proud při UGS<br />
0 jako I DSS<br />
(obr. 4.10), můžeme ve vztahu (4.4) určit, že<br />
tedy<br />
I<br />
DSS<br />
K U<br />
K I D U<br />
SS<br />
2<br />
P<br />
2<br />
P<br />
Dostaneme tak vztah běžně používaný pro popis saturační oblasti (N)JFETů U<br />
U U :<br />
2<br />
2<br />
I DSS<br />
2 U GS U <br />
<br />
1 1<br />
2<br />
<br />
<br />
<br />
GS<br />
I D U GS U<br />
P I DSS I DSS<br />
<br />
(4.5)<br />
U P<br />
U P U P <br />
V [4] je používán vztah<br />
DS<br />
GS<br />
P<br />
111
Unipolární tranzistory<br />
I<br />
D<br />
I DSS<br />
1 <br />
<br />
U<br />
U<br />
GS<br />
P<br />
<br />
<br />
m<br />
kde m = 1,9 2,2 – podle konstrukce. Volíme-li tedy m = 2 – je to rozumný kompromis.<br />
Ze vztahu (4.3) obdržíme pro<br />
UDS U DS P – odporová oblast – proud I D :<br />
kde<br />
I<br />
I<br />
D<br />
D<br />
IDSS<br />
U<br />
<br />
GS<br />
<br />
2K UGS<br />
UP<br />
UDS<br />
2 UGS<br />
UP<br />
UDS<br />
2IDSS<br />
<br />
U<br />
1<br />
U<br />
<br />
P <br />
P<br />
2<br />
P<br />
IDSS<br />
UGS<br />
UGS<br />
<br />
2<br />
1<br />
U DS G<br />
U<br />
DS<br />
U U<br />
0 1<br />
P<br />
U<br />
<br />
(4.6)<br />
P <br />
2 I D SS<br />
G 0 <br />
0<br />
(4.7)<br />
U<br />
P<br />
U<br />
U<br />
DS<br />
P<br />
protože U 0.<br />
P <br />
Tranzistor lze v této oblasti použít jako řízený (lineární) odpor. Odpor kanálu (mezi D a S) je<br />
R<br />
DS<br />
<br />
U<br />
I<br />
DS<br />
D<br />
<br />
G<br />
0<br />
1<br />
1U<br />
<br />
GS<br />
U<br />
P<br />
<br />
(4.8)<br />
DMOSFETy (s kanálem typu N)<br />
Pro DMOSFETy je situace obdobná; U P 0 , U U<br />
, U max 0 .<br />
Pro UGS<br />
UP<br />
je<br />
I D 0 – viz obr. 4.15 a obr. 4.16. Proti JFETu se pouze „povolí“ napětí UGS<br />
0,<br />
které však nesmí<br />
překročit hodnotu U GSmax<br />
– při té dochází k elektrickému průrazu dielektrika (k destrukci tranzistoru).<br />
Proto i pro DMOSFETy platí vztahy (4.5) až (4.8). Pouze napětí U P je často nahrazováno symbolem<br />
U ( U – Treshold voltage – prahové napětí).<br />
T<br />
T<br />
GS<br />
P<br />
GS<br />
EMOSFETy (s kanálem typu N)<br />
I u EMOSFETů se místo<br />
tyto tranzistory nemůžeme určit hodnotu<br />
přímo vztahy (4.3) a (4.4).<br />
U T . Platí U P 0,<br />
ID<br />
0 pro UGS U P . Pro<br />
I při 0 – zde již nepracují. Proto se používají<br />
U P používá symbol<br />
U<br />
DSS<br />
GS<br />
112
Unipolární tranzistory<br />
Earlyho napětí<br />
Změny saturační hodnoty proudu pro UDS U DS sat lze u tranzistorů FET definovat<br />
(modelovat) pomocí Earlyho napětí (obdobně jako u bipolárního tranzistoru). „Prodlužování“<br />
přímkové závislosti ID f U DS<br />
pro různé hodnoty U GS se protnou v bodě A, které přísluší napětí<br />
U A – obr. 4.17.<br />
a) U U U<br />
b)<br />
I D<br />
DS<br />
<br />
GS<br />
P<br />
I D P<br />
P<br />
U GS<br />
P<br />
ΔI D<br />
2,5 A<br />
ΔU DS<br />
5 V<br />
U<br />
A<br />
U<br />
DSP<br />
U<br />
DS<br />
U<br />
DS<br />
r 2 M<br />
DS<br />
I<br />
D<br />
Obr. 4.17: a) Znázornění Earlyho napětí<br />
b) Detail v okolí pracovního bodu P<br />
U A pro (N)FET<br />
V saturační oblasti nyní přibližně platí <br />
U<br />
A<br />
U DS P<br />
při uvážení vlivu U<br />
A<br />
I<br />
D A<br />
I<br />
D<br />
<br />
<br />
<br />
U<br />
I<br />
A<br />
D<br />
<br />
<br />
<br />
1<br />
U<br />
DS<br />
I<br />
D<br />
<br />
U<br />
r<br />
DS<br />
DS<br />
(4.9)<br />
kde<br />
I<br />
D je určeno ze vztahů (4.5) nebo (4.4) a U<br />
A udává výrobce (jeho absolutní hodnotu) nebo je<br />
I f U , U konst . Diferenční odpor mezi D a S je 6)<br />
určeno z grafů <br />
D<br />
DS<br />
GS<br />
r<br />
DS<br />
U<br />
U<br />
DS<br />
A<br />
<br />
(4.10)<br />
I<br />
I<br />
D<br />
D<br />
U konst<br />
GS<br />
6)<br />
Vztahy plynou z směrnicového tvaru přímky: y = kx + q, která prochází bodem U A (
Unipolární tranzistory<br />
4.9 Chování tranzistorů FET pro malé signálové změny, signálový<br />
model<br />
Budeme zkoumat pouze saturační režim, který se využívá při zesilování signálů. Platí zde<br />
(musí být zajištěno), že U U U<br />
(vše budeme diskutovat pro tranzistory s kanálem typu N).<br />
DS<br />
GS<br />
P<br />
Pro velmi malé změny veličin v okolí nějakého pracovního bodu P U DSP, UGSP,<br />
IDP<br />
obr . 4.<br />
17 můžeme z obecného vztahu (4.4) určit, že strmost (diferenční) g m (mutual<br />
conductance, transconductance) je<br />
g<br />
m<br />
<br />
lim<br />
<br />
0<br />
<br />
I<br />
U<br />
<br />
DS<br />
GS<br />
<br />
<br />
<br />
d<br />
dU<br />
GS<br />
2<br />
K<br />
U<br />
U<br />
K 2 U<br />
U<br />
<br />
GS<br />
P<br />
U GS U GS P<br />
GS P<br />
P<br />
(4.11)<br />
tedy<br />
g<br />
m<br />
<br />
K 2 U<br />
GS P<br />
U<br />
P<br />
<br />
2<br />
<br />
K U<br />
U<br />
GS P<br />
GS P<br />
U<br />
U<br />
P<br />
P<br />
<br />
2<br />
<br />
U<br />
2 I<br />
GS P<br />
DP<br />
U<br />
P<br />
(4.12)<br />
vztahy:<br />
g<br />
m<br />
Vztah (4.12) je nejčastěji udávaná podoba pro g m.<br />
Formálními úpravami získáme také<br />
2<br />
2<br />
U<br />
U<br />
<br />
2<br />
K K U<br />
U<br />
2<br />
K KU<br />
U<br />
<br />
K 2<br />
GSP P<br />
GSP P<br />
GSP P<br />
g<br />
m<br />
2 K I 2 K I<br />
(4.13)<br />
D P<br />
D P<br />
Vztah (4.13) jednoznačně poukazuje na skutečnost, že strmost g m vzrůstá úměrně odmocnině<br />
z pracovní hodnoty proudu I D P . U bipolárních tranzistorů roste mnohem významněji – přímo<br />
úměrně s hodnotou emitorového proudu I E.<br />
Pro JFETy a DMOSFETy můžeme pracovat s proudem<br />
2<br />
P<br />
K I D U . Potom z odvozených vztahů dostáváme (vyjdeme-li ze vztahu 4.11):<br />
kde<br />
g<br />
m<br />
SS<br />
I DSS<br />
(při U GS = 0), platí<br />
IDSS<br />
UGS P <br />
U<br />
U 2<br />
1<br />
g U<br />
U <br />
I 1<br />
DSS 2<br />
2 GS P P<br />
m<br />
UP<br />
U <br />
P U o<br />
P <br />
GS P<br />
P<br />
(4.14)<br />
2<br />
IDSS<br />
g mo<br />
0<br />
(4.14a)<br />
U<br />
P<br />
protože U 0 [srovnej i se vztahem (4.7)]. Nebo můžeme vyjít ze vztahu (4.12)<br />
g<br />
P<br />
m<br />
<br />
U<br />
2<br />
I<br />
GSP<br />
DP<br />
U<br />
P<br />
Nebo můžeme vyjít ze vztahu (4.13)<br />
114
Unipolární tranzistory<br />
g<br />
m<br />
2 <br />
I<br />
DSS<br />
2<br />
P<br />
U<br />
I<br />
DP<br />
<br />
2 <br />
I<br />
DSS<br />
U<br />
P<br />
I<br />
DP<br />
(4.14b)<br />
Index P u U DS,<br />
UGS<br />
a I D se většinou neuvádí, platí identita<br />
g<br />
m<br />
g<br />
mo<br />
<br />
1U<br />
GS<br />
U<br />
P<br />
<br />
<br />
U<br />
2 I<br />
GS<br />
D<br />
U<br />
P<br />
<br />
2 <br />
I<br />
DSS<br />
U<br />
P<br />
I<br />
D<br />
Volíme tvar, který nám u dané situace nejlépe vyhovuje.<br />
Pro signálové změny v okolí pracovního bodu potom zjednodušeně platí<br />
I i i ; U<br />
u<br />
<br />
D<br />
nebo<br />
kde<br />
D<br />
m<br />
S<br />
D<br />
GS<br />
GS<br />
GS<br />
<br />
g i u<br />
(4.15)<br />
u<br />
GS iD<br />
gm<br />
rm<br />
iD<br />
(4.16)<br />
rm 1 g m<br />
(4.17)<br />
je signálový odpor ve vývodu S (FETu), který definuje strmost.<br />
Diferenční (signálový) odpor mezi vývody S a D je určen vztahem (4.10), tedy pro signály<br />
platí ( u GS konst)<br />
r u i<br />
(4.18)<br />
DS<br />
DS<br />
D<br />
Signálově prakticky vždy platí iS<br />
iD<br />
a proudy protékají stejným směrem, proud i G 0.<br />
Celý úbytek u GS musí vzniknout na odporu rm<br />
1 gm<br />
, aby byla správně modelována skutečnost podle<br />
vztahu (4.15). Po nastavení vhodného pracovního bodu (P) potom platí pro všechny popsané struktury<br />
stejný signálový model na obr. 4.18.<br />
D<br />
i D<br />
G<br />
0 V<br />
i S<br />
S i<br />
rm 1 g m<br />
r DS<br />
u GS<br />
S<br />
Obr. 4.18: Obecné signálové schéma pro tranzistor FET, i G 0,<br />
úbytek napětí mezi G a interním (nedostupným) vývodem S i je nulový<br />
115
Unipolární tranzistory<br />
V tomto modelu opravdu platí že (ideálně<br />
i<br />
S<br />
i<br />
D<br />
u<br />
GS<br />
r<br />
m<br />
g<br />
m<br />
u<br />
GS<br />
r )<br />
DS<br />
Neideální hodnotu rDS<br />
odhadneme pomocí vztahu (4.18).<br />
Všimněte si, že takto definovaný model FETu je shodný s modelem pro bipolární tranzistory,<br />
i 0 .<br />
položíme-li jejich <br />
b<br />
4.10 Mezní parametry unipolárních tranzistorů<br />
Mezní parametry tranzistorů JFET jsou ve výstupních charakteristikách definovány průrazným<br />
napětím přechodu D a G (u vývodu D). Toto napětí se často označuje U BRDS.<br />
Dále je definováno<br />
napětí U BRGS,<br />
a to při U DS 0 a I G 1<br />
μA – toto je mezní napětí mezi G a S. Proud přechodem G-S<br />
(je-li polarizován v propustném směru) nesmí překročit hodnotu I Gmax<br />
. Omezena je i mezní výkonová<br />
ztráta – maximální ztrátový výkon<br />
P<br />
Dmax<br />
U<br />
DS<br />
I<br />
D<br />
viz obr. 4.19.<br />
I D<br />
(mA)<br />
15<br />
10<br />
5<br />
P D max<br />
U BR DS<br />
U GS = 0<br />
U GS = -1 V<br />
0 20 40 60 80 U DS (V)<br />
Obr. 4.19: Znázornění průrazného napětí U BR DS ve výstupních charakteristikách<br />
(s růstem│U GS │se U BR DS snižuje o hodnotu │U GS │– U GS totiž polarizuje<br />
přechod G-D v závěrném směru)<br />
Použité vrstvy dielektrika (SiO 2 ) u MOS struktur jsou velmi tenké (50 nm). Proto již při<br />
malých hodnotách napětí dosahuje intenzita elektrického pole velkých hodnot, které mohou způsobit<br />
průraz dielektrika mezi G a S. K destrukci dielektrika stačí asi 30 V. Na kapacitě lidského těla (100 <br />
300 pF) se za nepříznivých podmínek snadno indukuje statické napětí až 15 kV a to stačí ke zničení<br />
116
Unipolární tranzistory<br />
dielektrika (oxidu křemíku). Obvody se strukturou MOS jsou proto dodávány se zkratovými spojkami<br />
mezi vývody a s pokyny pro správnou manipulaci a montáž.<br />
4.11 Nastavení pracovního bodu unipolárních tranzistorů<br />
Chceme-li použít tranzistory pro zesílení signálu, musíme pracovní bod vždy nastavit do<br />
saturační oblasti (nezaměňovat se saturací u bipolárních tranzistorů), napětí U DS musí být nyní větší<br />
než napětí U DS sat<br />
. Platí vztahy (4.4) a vztahy z něj odvozené. Situace je poněkud složitější než u<br />
bipolárních tranzistorů.<br />
4.11.1 Nastavení pracovního bodu JFETů<br />
Předpokládejme JFET s kanálem typu N. Potom napětí U GS musí být záporné. Snad<br />
nejjednodušší způsob je použití obvodu na obr. 4.20, kde záporné napětí vznikne automaticky na<br />
odporu R S .<br />
U DD<br />
U DD<br />
I D<br />
I S<br />
R D<br />
UG<br />
R G<br />
R S<br />
C S<br />
U S<br />
U G<br />
D C D<br />
C G G<br />
U D S<br />
U GS<br />
S<br />
R G I S R S<br />
C S<br />
US<br />
C G<br />
U SG<br />
S<br />
G<br />
D<br />
I D<br />
U SD<br />
R D<br />
C D<br />
Obr. 4.20: Nastavení pracovního bodu pro tranzistor JFET<br />
a) s kanálem N<br />
b) s kanálem P<br />
117
U<br />
SG<br />
Pro běžně volené hodnoty R G<br />
k 1<br />
M<br />
6<br />
Unipolární tranzistory<br />
500 lze považovat napětí UG<br />
RG<br />
IG<br />
za nulové<br />
11<br />
5<br />
10 pA<br />
1 M 10<br />
pA<br />
10 10<br />
10 V 10 V<br />
. Pak UGS<br />
RS<br />
ID<br />
(obr- 4.20b:<br />
UGS<br />
RS<br />
ID , takže potřebný odpor R S je určen ze vztahu<br />
<br />
R U<br />
S GS I D<br />
(4.19)<br />
Příklad 4.1 [5, 6 ]<br />
Předpokládejme NJFET s parametry U P 3,5 V, I DSS<br />
10 mA.<br />
Pro JFETy se obyčejně<br />
volí pracovní proud I I 2 5mA<br />
. Dále požadujeme U 5 V při napĕtí U 15 V .Určete<br />
RS a R D .<br />
Řešení:<br />
D<br />
DSS<br />
a) z rovnice (4.5) určíme potřebné napětí U GS , prostým dosazením do vztahu<br />
DS<br />
DD<br />
510<br />
3<br />
I G<br />
Obr. 4.21: Kvalitativní znázornění charakteristiky <br />
1010<br />
3<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
U<br />
GS<br />
3.5<br />
<br />
<br />
<br />
2<br />
<br />
1U<br />
GS<br />
3,5 1<br />
2.<br />
Odtud určíme, že U GS 1<br />
, 025 V nebo 5,<br />
975 V . Fyzikální význam má pouze hodnota<br />
v intervalu 0 V až U P 3,5 V . Pro menší hodnoty U GS tedy U GS 3,5 V je proud I D<br />
prakticky nulový.<br />
Pokud by byly k dispozici výstupní charakteristiky NJFETu, zjistili bychom potřebné<br />
pro I D 5 mA<br />
při U DS 5 V přímo z nich – obr. 4.21.<br />
U GS<br />
I D<br />
U<br />
<br />
GS<br />
U<br />
P<br />
U<br />
GS<br />
3,5<br />
10 mA<br />
U GS<br />
0V<br />
5 mA<br />
U GS<br />
1V<br />
pro příklad 4.1.<br />
2,5 5 10<br />
3,5<br />
U<br />
DS<br />
I f U , U<br />
D<br />
DS<br />
GS<br />
parametr<br />
118
Unipolární tranzistory<br />
b) Ze vztahu (4.19) nyní určíme R S<br />
R<br />
S<br />
U<br />
GS<br />
I<br />
D<br />
<br />
3<br />
1,025 5 10<br />
205 <br />
c) Aplikací 2. Kirchhoffova zákona určíme, že musí platit<br />
odtud<br />
U<br />
R<br />
D<br />
DD<br />
<br />
R<br />
D<br />
I<br />
D<br />
U<br />
DS<br />
R<br />
S<br />
I<br />
D<br />
3<br />
U<br />
U<br />
I R 15<br />
5 5 10<br />
205 1,795 k.<br />
DD<br />
DS<br />
Tím je pracovní bod určen.<br />
D<br />
S<br />
Poznámka:<br />
Při zvětšování hodnoty R D stačí pro zachování stejného pracovního bodu pouze zvětšovat<br />
hodnotu napájecího napětí U DD. Jak ukážeme později, vede růst hodnoty R D i k růstu napěťového<br />
zesílení.<br />
Příklad 4.2<br />
Předpokládejme hodnoty R D a R S z příkladu 4.1 a uvažujme, že NJFET má nyní<br />
parametry: I DSS<br />
12 mA, UP<br />
4<br />
V (to může být běžný výrobní rozptyl u stejného typu<br />
tranzistoru). Jaký bude nyní pracovní bod v zapojení na obr. 4.20 a <br />
Řešení:<br />
K řešení opět využijeme vztahy (4.19) a (4.5). Ze vztahu (4.19) vyplývá, že<br />
U<br />
GS<br />
R<br />
I 205<br />
I<br />
S<br />
Dosadíme do vztahu (4.5) – zatím obecně<br />
I<br />
D<br />
I<br />
DSS<br />
D<br />
D<br />
R <br />
1 <br />
<br />
S I D<br />
<br />
U P <br />
Po úpravách dostaneme vztah<br />
<br />
R<br />
S<br />
<br />
U<br />
<br />
2<br />
I D<br />
2<br />
P<br />
<br />
<br />
2 R<br />
<br />
<br />
<br />
U P<br />
S<br />
<br />
2<br />
I<br />
1<br />
DSS<br />
<br />
I<br />
<br />
<br />
D<br />
1<br />
0<br />
(4.20)<br />
Dosadíme-li za<br />
U 4 V a R 205<br />
, zjistíme řešením kvadratické rovnice, že<br />
p<br />
S<br />
I D 5, 869 mA a I 64 89 mA<br />
1<br />
D , . Smysl má pouze proud, který vytvoří na R<br />
2<br />
S úbytek napětí<br />
v intervalu 0 V až U<br />
4 V , tedy proud 5,869 mA. To představuje hodnotu pracovního proudu<br />
5 689 5 100<br />
117<br />
%<br />
P<br />
, , tedy odchylku +17 %, proti hodnotě 5 mA.<br />
119
Unipolární tranzistory<br />
Z příkladu vyplývá, že nastavení pracovního bodu zapojení podle obr. 4.20 je velmi citlivé na<br />
změnu parametrů tranzistoru. To není v sériové výrobě elektronických obvodů výhodné. Proto se<br />
používá poněkud složitější zapojení s napěťovým děličem na vstupu (H-typ napájení) – obr. 4.22.<br />
"Platí se" zvětšením stejnosměrného úbytku napětí na odporu R S<br />
, "méně napětí zbývá" na odpor R D ,<br />
a to není příliš výhodné.<br />
Předpokládejme, že napětí (volíme) U G na R G2 je 8 V . Máme opět JFET: U P 3,5 V ,<br />
D 10 mA . Požadujeme U DS 5 V , I D 5 mA<br />
. Proto i nyní musí platit ze vztahu (4.5)<br />
I SS<br />
510<br />
3<br />
1010<br />
3<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
U<br />
GS<br />
3.5<br />
<br />
<br />
<br />
2<br />
<br />
U<br />
GS<br />
1,025 V<br />
(viz příklad 4.1)<br />
(nebo ho opět získáme z výstupních charakteristik tranzistoru). Potom úbytek na odporu<br />
4.22 – je roven hodnotě (z 2. KZ)<br />
R S – obr.<br />
U DD<br />
U DD<br />
I D<br />
I S<br />
U S<br />
R G1<br />
R D<br />
U G<br />
R G2<br />
R S<br />
C S<br />
C G<br />
D<br />
G<br />
S<br />
U GS<br />
C D<br />
U D S<br />
C G<br />
U SG<br />
S<br />
G<br />
D<br />
U SD<br />
C D<br />
U G<br />
R G2 I S R S<br />
US<br />
C S<br />
R G1<br />
I D<br />
R D<br />
Obr. 4.22: Nastavení pracovního bodu (H-typ) pro tranzistor JFET<br />
a) s kanálem N<br />
b) s kanálem P<br />
U<br />
RS<br />
a musí platit<br />
U<br />
G<br />
U<br />
GS<br />
1,025 9,025 V<br />
8 <br />
U<br />
RS<br />
R<br />
S<br />
I<br />
S<br />
<br />
I S I D<br />
R<br />
S<br />
I<br />
D<br />
tedy<br />
R<br />
S<br />
U<br />
RS<br />
I<br />
D<br />
9,025<br />
510<br />
3<br />
1,805 k.<br />
Případné změny U P jsou proti hodnotě 9,025 V relativně méně významné než tomu bylo<br />
„proti hodnotě 1,025 V”. Na větším odporu R S vzniká silnější záporná zpětná vazba, ani změna<br />
hodnoty I nebude hrát takovou roli, jako tomu bylo v zapojení předchozím.<br />
DSS<br />
120
Unipolární tranzistory<br />
odtud<br />
I nyní musí platit (2. KZ)<br />
U<br />
R<br />
DD<br />
D<br />
<br />
R<br />
D<br />
I<br />
D<br />
U<br />
DS<br />
R<br />
S<br />
I<br />
U<br />
DD UDS<br />
I D RS<br />
D<br />
Zvolíme-li i nyní<br />
U DD<br />
R D<br />
<br />
pouze15 V , obdržíme<br />
3<br />
15<br />
5 5<br />
10<br />
1805<br />
195 .<br />
(Tato hodnota není z hlediska zesílení vhodná, je malá) Zvolíme-li U 24 V, dostaneme<br />
DD<br />
R D<br />
<br />
3<br />
245 510<br />
18051995.<br />
Pro hodnotu U DD 24 V určíme i R G a R<br />
1 G . Zvolme R , M.<br />
2<br />
G 15<br />
Protože vstupní proud<br />
2<br />
FETů je zanedbatelný, stačí počítat poměry v nezatíženém děliči, tedy<br />
odtud<br />
6<br />
, G<br />
24 1 510<br />
,<br />
6<br />
R 1 510<br />
<br />
8<br />
1<br />
6<br />
24 1,5<br />
10<br />
6 6<br />
R G <br />
1,5<br />
10<br />
310<br />
3 M<br />
1<br />
8<br />
Co se stane nyní při změně parametrů tranzistoru na<br />
platit vztah (4.5), ale dosazujeme do něj za<br />
U P 4 V, I DSS<br />
12 mA<br />
Opět musí<br />
U<br />
GS<br />
U<br />
R I 1805<br />
G<br />
S<br />
D<br />
8 ID<br />
(4.21)<br />
Po úpravách dostaneme<br />
<br />
R<br />
S<br />
<br />
U<br />
<br />
2<br />
ID<br />
2<br />
P<br />
2 1<br />
<br />
<br />
U<br />
U<br />
G<br />
P<br />
<br />
<br />
<br />
RS<br />
I<br />
U<br />
P<br />
D<br />
<br />
I<br />
I<br />
D<br />
DSS<br />
1<br />
<br />
<br />
U<br />
U<br />
G<br />
P<br />
<br />
<br />
<br />
2<br />
0<br />
(4.22)<br />
Pro U G 0 přechází tento vztah ve vztah (4.20), ten je tedy pouze speciálním případem vztahu<br />
(4.22). Pro zvolené poměry dostaneme ze vztahu (4.22)<br />
203401<br />
I<br />
2<br />
D<br />
2789,3 I<br />
D<br />
9 0<br />
5 mA.<br />
Fyzikální smysl má řešení<br />
I D 5,<br />
19 mA<br />
, což je změna pouze o 3,8 % proti základní hodnotě<br />
Stejným způsobem můžeme řešit napájecí obvod na obr. 4.23, kde napětí<br />
„nízkoimpedančním děličem” N R<br />
1 N 2<br />
kterém nevzniká prakticky žádný úbytek napětí – díky malým hodnotám I G .<br />
U G vytvoříme<br />
R G 1 M , na<br />
R , a vysoký vstupní odpor zaručíme zařazením <br />
121
Unipolární tranzistory<br />
U DD<br />
R N1<br />
R D<br />
C G<br />
G<br />
D<br />
C D<br />
U DS<br />
R G<br />
U GS<br />
S<br />
R N2<br />
R S<br />
U G<br />
U S<br />
Obr. 4.23: Úprava zapojení z obr. 4.22<br />
4.11.2 Nastavení pracovního bodu tranzistoru DMOSFET (se<br />
zabudovaným kanálem)<br />
Pracovní bod tranzistoru DMOSFET může být nastaven stejným způsobem jako u tranzistoru<br />
JFET. Je-li pracovní bod v „ochuzovacím módu“ (depletion, UGS<br />
0 pro N kanál), lze použít zapojení<br />
na obr. 4.20 (ale i na obr. 4.22 a obr. 4.23).<br />
s proudem<br />
Nebo je možné v obr. 4.20 vypustit odpor<br />
I<br />
D<br />
I I .<br />
S<br />
DSS<br />
R a tranzistory pracují s napětím U 0, tedy<br />
S<br />
GS<br />
Nebo je možné nastavit pracovní bod do oblasti obohacovacího módu (enhancement) a napětí<br />
U 0 pro N kanál zajistíme opět zapojením podle obr. 4.22 nebo 4.23.<br />
GS<br />
4.11.3 Nastavení pracovního bodu tranzistoru EMOSFET (s<br />
indukovaným kanálem)<br />
Zapojení na obr. 4.20 nemůžeme použít, protože potřebujeme napětí U GS 0 (pro kanál typu<br />
N). Toto můžeme zajistit v zapojení podle obr. 4.22 (i při R S 0 ), protože v saturační oblasti jsou<br />
všechny tranzistory FET (přibližně) popsány stejným vztahem (4.4) – viz kapitola 4.1.8<br />
122
str. 9395;<br />
4 str. 70; 2<br />
<br />
Unipolární tranzistory<br />
3 str.171 . Pouze u zabudovaného kanálu však lze konstantu<br />
K popsat pomocí I .<br />
D SS<br />
Příklad 4.3<br />
Na obr. 4.24 je použit EMOSFET (N), předpokládáme parametry tranzistoru: U P 2 V , K=<br />
3 mA/V 2 . Napájecí napětí zvolíme U DD 10 V, RS 100 a RD<br />
1k<br />
Určete R G1<br />
a R G2<br />
tak, aby<br />
pracovní proud byl I D 5 mA<br />
.<br />
Řešení:<br />
Pro<br />
3<br />
I D 5 mA<br />
je U 10<br />
510<br />
5 V<br />
Dále<br />
I<br />
D<br />
RD<br />
U RS<br />
3<br />
100510<br />
3 <br />
0,5 V<br />
U U<br />
U<br />
U<br />
4,5 V.<br />
DS<br />
DD<br />
RD<br />
RS<br />
K U<br />
U<br />
2<br />
3<br />
3<br />
2<br />
510<br />
310<br />
U<br />
2 .<br />
GS<br />
P<br />
GS<br />
U DD<br />
I D<br />
U RD<br />
vstup<br />
C G<br />
R G1<br />
G<br />
D<br />
S<br />
R D<br />
C D<br />
U D S<br />
výstup<br />
U GS<br />
R G2<br />
R S<br />
U RS<br />
C S<br />
Obr. 4.24: Nastavení pracovního bodu u tranzistoru EMOSFET (N)<br />
Po úpravách určíme výpočtem:<br />
5<br />
3<br />
<br />
5<br />
3<br />
2<br />
U<br />
2 U 2 U 2 <br />
GS<br />
GS<br />
GS1,<br />
2<br />
5<br />
3<br />
3,28 V<br />
0,72 V<br />
Fyzikální smysl má<br />
proud I D roven nule.<br />
U U 2 V tj. U U 3 28 V . Při U U 0 72 V by byl<br />
GS<br />
P<br />
GS<br />
GS 1 ,<br />
GS<br />
GS 2 ,<br />
Napětí<br />
UGS<br />
lze také určit z výstupních charakteristik daného tranzistoru.<br />
123
Unipolární tranzistory<br />
Z 2. KZ můžeme podle obr. 2.5.24 sestavit rovnici:<br />
3 <br />
U U R I 3,28 100510<br />
3,78 V .<br />
G<br />
GS<br />
S<br />
D<br />
Protože proud do hradla G je prakticky roven nule, stačí dopočítat nezatížený dělič<br />
Musí platit<br />
U<br />
R<br />
DD<br />
G<br />
1<br />
R<br />
R<br />
G<br />
G<br />
2<br />
2<br />
U<br />
G<br />
3,78 V.<br />
R G 1<br />
a<br />
Máme jednu rovnici a dvě neznámé R G a R <br />
1 G 2<br />
, proto jednu musíme zvolit – např. R G 1,<br />
5 M<br />
2<br />
. Potom dosazením do výše uvedeného vztahu a úpravou dostaneme:<br />
U <br />
R R <br />
<br />
DD<br />
10<br />
6<br />
G G 1<br />
RG<br />
<br />
1<br />
1,5 10<br />
1,65<br />
2, 475 M<br />
.<br />
1 2<br />
2<br />
UG<br />
3,78 <br />
Jiné možné nastavení pracovního bodu pro tranzistor EMOSFET(N) je na obr. 4.25.<br />
R G 2<br />
I D<br />
U DD<br />
vstup<br />
0<br />
R G<br />
G<br />
D<br />
R D<br />
C D<br />
U D S<br />
výstup<br />
C G<br />
S<br />
U GS<br />
Obr. 4.25: Nastavení pracovního bodu tranzistoru EMOSFET (N)<br />
pomocí odporu R G mezi D a S<br />
Proud hradlem G můžeme zanedbat <br />
v saturační oblasti musí platit:<br />
a také<br />
U<br />
U<br />
GS<br />
U<br />
DS<br />
U<br />
GS UDS<br />
UP<br />
.<br />
DSsat<br />
U<br />
GS<br />
U<br />
P<br />
U U . Pro správnou funkci EMOSFETu(N)<br />
DS<br />
GS<br />
Příklad 4.4<br />
124
Unipolární tranzistory<br />
Mějme EMOSFET(N), pro který platí K = 0,5 mA/V 2 , U P 2 V . Na obr. 4.25 je R D 1,<br />
5 k<br />
Dopočítejte napájecí napětí U DD tak, aby platilo, že UDS U DD 2 a tranzistor byl ve vhodném<br />
pracovním bodu.<br />
Řešení:<br />
Zvolíme vhodnou hodnotu R G 470 k<br />
. Platí UGS<br />
UDS<br />
, UDD<br />
RD<br />
ID<br />
UDS<br />
. Pro<br />
3<br />
U 2 proto platí I U<br />
2 R U<br />
2 15<br />
, 10<br />
. V saturační oblasti platí<br />
DS U DD<br />
D<br />
DD<br />
D<br />
DD<br />
tzn.<br />
I<br />
D<br />
K <br />
U<br />
2 R<br />
DD<br />
D<br />
U<br />
U<br />
2<br />
GS<br />
K <br />
P<br />
2<br />
U<br />
U<br />
<br />
GS<br />
P<br />
2 2 2<br />
U DD U<br />
DD <br />
4U<br />
P <br />
4U<br />
P 0<br />
(4.23)<br />
K RD<br />
<br />
Po dosazení dostaneme<br />
U<br />
2<br />
DD U DD<br />
<br />
<br />
4 2 <br />
<br />
510<br />
4<br />
2<br />
1,5<br />
10<br />
3<br />
<br />
<br />
4 2<br />
<br />
2<br />
0<br />
U<br />
2<br />
DD<br />
10,7<br />
U<br />
DD<br />
16<br />
0<br />
Řešením kvadratické rovnice získáme dvě napětí – U DD 8, 1<br />
903V a U DD 1, 2<br />
797<br />
U DD 1,797<br />
2<br />
V nemá smysl, protože je to menší hodnota než U P 2 V.<br />
Nyní určíme, že<br />
V. Druhé řešení<br />
I D<br />
<br />
3<br />
8,903<br />
2 1,5 10<br />
2,97 mA<br />
U<br />
DS<br />
U<br />
GS<br />
U<br />
DD<br />
R<br />
D<br />
I<br />
D<br />
8,9031,5<br />
10<br />
3<br />
2,9710<br />
3<br />
4,448 V U<br />
GS<br />
Nyní můžeme zkontrolovat I D pro dané U GS :<br />
I D<br />
510<br />
4<br />
<br />
2<br />
4,448<br />
2 2,996 mA<br />
Toto je dobrá shoda s výchozími předpoklady.<br />
.<br />
Musíme zkontrolovat i „saturační oblast“: U U U<br />
4,448<br />
2 2,484 V. Při<br />
U DS U<br />
GS 4,5 V je tranzistor v saturační oblasti, vztah pro výpočet I D byl použit oprávněně<br />
U 4,5 V 2,48 V .<br />
<br />
DS U DS sat<br />
<br />
DS sat<br />
GS<br />
P<br />
Příklad 4.5<br />
125
Unipolární tranzistory<br />
Jaký pracovní bod se nastaví v zapojení na obr. 4.25, je-li K = 0,4 mA/V 2 ,<br />
U DD 9 V , R G 470 k<br />
a R D 1, 5 k<br />
<br />
Řešení:<br />
Stále platí:<br />
U<br />
I<br />
GS<br />
D<br />
U<br />
K <br />
DS<br />
U<br />
DD<br />
R<br />
D<br />
I<br />
D<br />
U<br />
U<br />
K U<br />
R I U<br />
2<br />
GS<br />
P<br />
2 DD D D P<br />
U 2 V a<br />
P<br />
Po úpravách dostaneme vztah<br />
2<br />
2<br />
R U<br />
U 1<br />
K<br />
I U<br />
U 0<br />
2 2<br />
R D ID<br />
D DD P<br />
D DD P<br />
(4.24)<br />
Pro dané podmínky dostáváme ze vztahu (4.24) výraz<br />
6<br />
2,2510<br />
I<br />
2<br />
D<br />
<br />
4 3<br />
2,1<br />
10<br />
2,5 10<br />
<br />
I 49 0<br />
D<br />
3 3<br />
a řešením kvadratické rovnice získáme hodnoty 2, 878 10 A a 7,<br />
56610<br />
A . Fyzikální smysl má<br />
hodnota I D 2,<br />
878 mA<br />
proud I D 7,<br />
566 mA<br />
by vyvolal na R D větší úbytek napětí než je napětí<br />
U DD. Nyní už lze určit napětí U DS tedy i U GS :<br />
U U U R I 9 1,5<br />
10<br />
2,87810<br />
4,683 V .<br />
GS<br />
Pro kontrolu:<br />
I<br />
D<br />
K <br />
což je dobrá shoda.<br />
DS<br />
DD<br />
D<br />
D<br />
3<br />
3<br />
2<br />
3<br />
2<br />
U<br />
U<br />
0,4 10<br />
4,683<br />
2 2,789 mA<br />
GS<br />
P<br />
Příklad 4.6<br />
Jaký pracovní bod se nastaví v zapojení na obr. 4.24, jsou-li dány vlastnosti tranzistoru<br />
EMOSFET(N) K = 3,5 mA/V 2 , U P 1,8 V a je zadáno U DD 10 V , R S 100 , R D 1 k<br />
a<br />
R G 2, 5 M , R G 1, 5 M<br />
<br />
1<br />
2<br />
Řešení:<br />
Předpokládejme, že tranzistor zůstane v saturační oblasti a platí vztah I K U<br />
U<br />
2<br />
platí vztah U<br />
GS<br />
D<br />
GS P<br />
U R I , kde U U R<br />
R<br />
R 3,75V<br />
. Takže musí platit<br />
G<br />
S<br />
D<br />
G<br />
DD<br />
G<br />
2 G1<br />
G 2<br />
. Dále<br />
I<br />
D<br />
K <br />
U<br />
R I U<br />
2<br />
G<br />
S<br />
D<br />
P<br />
dosazením a úpravami získáme vztah<br />
2<br />
2<br />
R U<br />
U<br />
1<br />
K<br />
I U<br />
U<br />
0<br />
2 2<br />
R S ID<br />
S G P<br />
D G P<br />
(4.25)<br />
Pro zadané podmínky získáme kvadratickou rovnici<br />
126
Unipolární tranzistory<br />
10<br />
4<br />
I<br />
2<br />
D<br />
<br />
390<br />
285,7 <br />
I 3,802 0<br />
D<br />
a řešením kvadratické rovnice získáme hodnoty<br />
hodnota I D 6,<br />
193mA<br />
. Nyní můžeme určit, že:<br />
3 3<br />
6193 , 10 A a 6137 , 10<br />
A . Fyzikální smysl má<br />
R S<br />
I D<br />
0,619 V<br />
U<br />
U<br />
DS<br />
GS<br />
U<br />
U<br />
DD<br />
G<br />
<br />
R<br />
3<br />
3<br />
R<br />
R <br />
I 10 1,1<br />
10<br />
6,19310<br />
3,19 V<br />
S<br />
D<br />
I<br />
D<br />
S<br />
D<br />
3,75<br />
0,619 3,151V<br />
U DSsat<br />
UGS<br />
U<br />
P 3,1311,8<br />
1,331V 3,19 V pracovní bod leží skutečně<br />
v saturační oblasti<br />
(vstupní předpoklady jsou<br />
správné)<br />
4.11.4 Nastavení pracovního bodu sledovače napětí<br />
[2].<br />
Zapojení sledovače napětí s tranzistorem JFET(N) – nebo DMOSFET – je na obr. 4.26<br />
U DD<br />
I D<br />
vstup<br />
C G<br />
R G<br />
D<br />
G<br />
S<br />
U GS<br />
U G<br />
U D S<br />
R S1<br />
C S<br />
výstup<br />
U S<br />
R S2<br />
Obr. 4.26: Sledovač napětí<br />
Předpokládejme, že proud hradlem G je prakticky nulový a proto U G 0 . Potom platí<br />
jednoduchý vztah<br />
U<br />
GS<br />
R<br />
S<br />
1<br />
I<br />
D<br />
Jestliže se tranzistor nachází v saturační oblasti, musí platit<br />
127
Unipolární tranzistory<br />
2<br />
2<br />
U RS<br />
I <br />
1 D<br />
I 1<br />
<br />
GS<br />
D IDSS<br />
IDSS<br />
1<br />
<br />
<br />
U<br />
(4.26)<br />
P<br />
UP<br />
Úpravou vztahu (4.26) získáme vztah:<br />
<br />
2<br />
<br />
<br />
<br />
2 ID<br />
I<br />
2<br />
<br />
D I<br />
R 1<br />
D<br />
S<br />
R<br />
0<br />
1 2 S<br />
(4.27)<br />
1<br />
U<br />
U I<br />
P<br />
<br />
<br />
porovnej se vztahem 4.20 .<br />
P<br />
Velmi často se volí ID I DSS 2 , obecně ID I DSS 2 , kde 1<br />
vztahu (4.27) dostaneme<br />
k<br />
2<br />
2<br />
DSS<br />
<br />
k pro<br />
JFET<br />
. Potom ze<br />
I<br />
2 DSS<br />
I<br />
DSS<br />
RS 1 2 k R<br />
1<br />
1<br />
k 0<br />
2<br />
S<br />
(4.28)<br />
U<br />
U<br />
P<br />
P<br />
Nyní už můžeme určit potřebnou hodnotu RS<br />
tranzistor, R a<br />
1<br />
G RS<br />
lze potom považovat za<br />
1<br />
zdroj proudu I k :<br />
R<br />
S a<br />
Správnou hodnotu<br />
D I DSS<br />
<br />
<br />
<br />
UP<br />
, b 1<br />
k<br />
(4.29)<br />
k I<br />
I<br />
DSS<br />
k definuje vztah<br />
D I D SS<br />
<br />
<br />
U<br />
R<br />
P<br />
S 1<br />
k<br />
(4.30)<br />
1<br />
k I<br />
DSS<br />
Platí R S <br />
1<br />
0 pro N kanál platí U P 0, tedy UP<br />
0<br />
. Určíme:<br />
U<br />
GS<br />
<br />
1<br />
k <br />
k<br />
I U k <br />
U<br />
R<br />
I R k I<br />
P<br />
S D S DSS <br />
<br />
DSS P 1<br />
1<br />
1<br />
<br />
k IDSS<br />
<br />
To je správná hodnota, protože v pracovní oblasti musí platit 7)<br />
U tedy<br />
U 0<br />
GS U P<br />
U GS P .<br />
Aby byl tranzistor v oblasti saturace, musí platit<br />
(4.31)<br />
7)<br />
Správnost odvození můžeme ověřit i dosazením z (4.31) do (4.26):<br />
I<br />
D<br />
I<br />
DSS<br />
A toto je správně.<br />
<br />
<br />
<br />
U<br />
<br />
2<br />
1<br />
k <br />
2<br />
I DSS 1<br />
1<br />
k k I DSS<br />
P<br />
1 <br />
.<br />
U P<br />
<br />
128
Unipolární tranzistory<br />
U<br />
DS<br />
U U U 1<br />
GS<br />
P<br />
P<br />
k U<br />
U<br />
k<br />
P<br />
p<br />
Příklad 4.7<br />
Určete<br />
R pro: U P 3 V, I DSS<br />
10 mA,<br />
0, 5<br />
S 1<br />
k I<br />
0,<br />
5<br />
I 5 mA<br />
D<br />
DSS<br />
Řešení:<br />
3<br />
k 1<br />
0,5 175,<br />
<br />
UP<br />
RS<br />
1 7<br />
1<br />
2<br />
k IDSS<br />
0,5 10<br />
pro k 0, 4 dostaneme R S 275, 7 ,<br />
k 0,<br />
6 dostaneme R 112,<br />
7 .<br />
1<br />
Máme-li například U DD 10V<br />
(obr. 4.26) a volíme U DS 5 V , potom musí platit při<br />
3<br />
R 176 I D 5 mA, že napětí U I R<br />
R 5 176<br />
R <br />
5 10<br />
.<br />
S 1<br />
Odtud dostaneme<br />
5<br />
R S 2<br />
176 824 .<br />
3<br />
510<br />
Kdybychom na obr. 4.26 zařadili i odpor<br />
zachován proud<br />
napětí:<br />
U<br />
Poznámka:<br />
DD<br />
I<br />
S<br />
D<br />
S<br />
1<br />
S<br />
2<br />
S<br />
R D do vývodu D, pořád zůstane (při<br />
1<br />
S<br />
2<br />
R 176<br />
)<br />
I D 5 mA<br />
. Zvolme například R D 3 , 3 k<br />
a dopočítejme teď potřebné napájecí<br />
D<br />
<br />
R<br />
R U<br />
R I R<br />
R R <br />
I U<br />
<br />
S<br />
1<br />
S<br />
2<br />
DS<br />
21,5 U DS <br />
26,5 V .<br />
U 5 V<br />
DS<br />
D<br />
D<br />
Z výše uvedeného vyplývá, že práce s tranzistory FE je obtížnější než s bipolárními<br />
tranzistory. Pracovní proud se obvykle volí ID I DSS 2 JFETy až I DSS<br />
DMOSFETy – tzn., že<br />
záleží na konkrétním tranzistoru. Ale máme k dispozici obrovské vstupní odpory.<br />
Jiné vlastnosti, jak bude níže ukázáno, jsou již méně výhodné.<br />
S<br />
1<br />
S<br />
2<br />
D<br />
D<br />
DS<br />
S 1<br />
129
Unipolární tranzistory<br />
4.12 Základní zapojení s FETy<br />
Základní zapojení již byla do jisté míry popsána při zkoumání pracovního bodu.<br />
4.12.1 Zapojení SS<br />
Zapojení SS s tranzistory JFET je na obr. 4.20a nebo na obr. 4.22, obr. 4.23 –<br />
přemostí-li se R S kapacitou C S tak velkou, že představuje zkrat pro signály. Ideální napájecí zdroj<br />
napětí představuje pro signály také zkrat – jeho vnitřní odpor je roven nule.<br />
Zapojení SS s tranzistorem EMOSFET(N) je na obr. 4.24 (opět musíme přemostit R s vhodným<br />
kondenzátorem C S<br />
nebo na obr. 4.25.<br />
Pro uvedené obvody, kromě obvodu na obr. 4.25, platí signálové schéma uvedené na obr. 4.27 –<br />
s využitím obecného signálového modelu z obr. 4.18 ( r DS zanedbejte, všechny kapacity představují<br />
zkrat).<br />
i D = i S<br />
G<br />
D<br />
u 1<br />
i 1<br />
0 V<br />
i S<br />
S i<br />
R g<br />
r m<br />
S<br />
U m<br />
R D<br />
u 2<br />
Obr. 4.27: Obecné signálové schéma pro zapojení SS s tranzistory FET<br />
Z hlediska signálu se na vstupu zesilovače uplatňuje odpor<br />
4.20a, obr. 4.23) nebo paralelní kombinaci R G 1<br />
,<br />
R g , který je roven odporu<br />
R G 2<br />
(obr. 4.22a, obr. 4.24).<br />
R G (obr.<br />
Na základě ideálního modulu určíme, že u m u1<br />
(mezi G a interním vývodem S i je již nulový<br />
úbytek napětí), proto<br />
130
Unipolární tranzistory<br />
i<br />
i<br />
S<br />
D<br />
um<br />
rm<br />
u1 rm<br />
gmu 1<br />
(4.32)<br />
iS<br />
gmu 1<br />
(4.33)<br />
u<br />
2 iD<br />
RD<br />
gm<br />
RD<br />
u 1<br />
(4.34)<br />
tedy napěťové zesílení je<br />
A<br />
U SS u2 u1<br />
gm<br />
RD<br />
(4.35)<br />
Vstupní odpor je určen pouze hodnotou R g .<br />
Výstupní odpor určíme pomocí Théveninova teorému.<br />
u<br />
Napětí naprázdno je dáno přímo vztahem (4.34)<br />
g<br />
R<br />
2n<br />
m D u 1<br />
<br />
Zkratový proud určíme z poměrů na obr. 4.28. Platí:<br />
i<br />
ZKR<br />
iD<br />
<br />
gm<br />
u1<br />
.<br />
i i ; i g u<br />
D<br />
S<br />
S<br />
m<br />
1<br />
Teď již můžeme určit výstupní odpor:<br />
R<br />
out<br />
<br />
i<br />
u<br />
2n<br />
ZKR<br />
<br />
g<br />
m<br />
g<br />
R<br />
m<br />
D<br />
u<br />
u<br />
1<br />
1<br />
R<br />
D<br />
(4.36)<br />
i D<br />
G<br />
i ZKR<br />
u 1<br />
0 V<br />
u 1<br />
R g<br />
r m<br />
i S<br />
Obr. 4.28: Signálový model pro určení zkratového proudu i ZKR<br />
Příklad 4.8<br />
131
Určete napěťové zesílení<br />
Unipolární tranzistory<br />
A U SS . Předpokládejte NJFET z příkladu 4.1 – s parametry<br />
U 3,5 V, I DSS<br />
10 mA<br />
a pracovní bod U 1,025 V, ID<br />
IDSS<br />
2 5mA<br />
, R 205 ,<br />
P<br />
R D 1, 795 k a U 15 V .<br />
DD<br />
GS<br />
S<br />
Řešení:<br />
Ze vztahu (4.14) obdržíme<br />
g<br />
m<br />
2 <br />
I<br />
DSS<br />
U<br />
P<br />
1<br />
<br />
<br />
U<br />
U<br />
GS<br />
P<br />
<br />
2<br />
<br />
2<br />
10<br />
3,5<br />
<br />
1<br />
<br />
1,025<br />
3,5<br />
<br />
<br />
<br />
4,04 mA<br />
V .<br />
Stejný výsledek obdržíme i ze vztahu (4.14b):<br />
Ze vztahu (4.35) určíme napěťové zesílení<br />
g<br />
A U SS :<br />
m<br />
ID<br />
IDSS<br />
2<br />
4,04 mA<br />
V .<br />
2<br />
U<br />
P<br />
3<br />
3<br />
2 1 m D<br />
<br />
A u u g R 4,04<br />
10<br />
1,795<br />
10<br />
7,25 .<br />
U SS<br />
Pro zapojení na obr. 4.25 platí signálové schéma uvedené na obr. 4.29 (opět zanedbáváme r DS ).<br />
Předpokládáme, že odpor<br />
R G je tak velký, že platí 1 i2<br />
i a proto i2 i D iS<br />
. Opět platí:<br />
i<br />
s<br />
u1 rm<br />
gm<br />
u 1<br />
(4.37)<br />
a proto<br />
u<br />
R<br />
a napěťové zesílení je<br />
i<br />
g<br />
R<br />
2 D D m D u 1<br />
<br />
A<br />
U SS<br />
u<br />
u<br />
g<br />
R<br />
2 1 m D<br />
(4.38)<br />
132
Unipolární tranzistory<br />
R G<br />
i 2<br />
i D<br />
u 1<br />
i 1<br />
G<br />
0 V<br />
u 1<br />
R D<br />
i S<br />
r m<br />
Obr. 4.29: Obecné signálové schéma zapojení z obr. 4.25<br />
Teď můžeme určit proud i 1 :<br />
u1<br />
u2 RG<br />
u1<br />
<br />
gm<br />
RD<br />
u RG<br />
i1 <br />
1<br />
tedy<br />
1<br />
gm<br />
R<br />
i u <br />
D<br />
1 1<br />
(4.39)<br />
R<br />
G<br />
Ekvivalentní vstupní odpor (proti referenčnímu uzlu)<br />
R u i R 1<br />
g<br />
i<br />
<br />
R<br />
<br />
R i tedy je<br />
1 1 G m D<br />
(4.40)<br />
Odpor R G ve zpětné vazbě (z výstupu u 2 na vstup u 1 ) se jeví jako podstatně menší –<br />
Millerův jev. Proto může být výhodnější zpětnou vazbu „rozpojit“ (pro signál) – viz obr. 4.30.<br />
(4.40).<br />
V tomto případě je vstupní odpor Ri R G 2 , což je určitě lepší stav, než popisuje vztah<br />
R<br />
G<br />
2<br />
C G<br />
R 2<br />
G<br />
R D<br />
r m<br />
Obr. 4.30: Rozdělení odporu R G vede k rozpojení zpětné vazby<br />
133
Unipolární tranzistory<br />
Příklad 4.9<br />
Určete ekvivalentní vstupní odpor R i a napěťové zesílení pro hodnoty z příkladu – 4.4<br />
K = 0,5 mA/V 2 , U 2 V , R D 1, 5 k<br />
, R 470<br />
, I D 3 mA<br />
P<br />
G<br />
Řešení:<br />
Dostaneme<br />
g<br />
m<br />
2 <br />
K I<br />
D<br />
2 <br />
0,5 10<br />
3<br />
310<br />
3<br />
2,45 mA<br />
V<br />
A U SS<br />
2,4510<br />
3<br />
1,5<br />
10<br />
3<br />
3,675<br />
3<br />
1<br />
g R <br />
47010<br />
1<br />
3,675 100, k<br />
Ri u1<br />
i1<br />
RG<br />
m D<br />
5<br />
Výstupní odpor zjistíme z napětí naprázdno u2n<br />
gm<br />
RD<br />
u1<br />
a zkratového proudu i ZKR – obr.<br />
4.31.<br />
R G<br />
i ZKR<br />
u 1<br />
i G<br />
G<br />
0 V<br />
u 1<br />
i S = u 1 /r m<br />
r m<br />
Obr. 4.31: Určení zkratového proudu pro obvod z obr. 4.29<br />
Platí<br />
i<br />
s<br />
u1 rm<br />
gm<br />
u 1 , iG<br />
u1<br />
RG<br />
a (z I. KZ)<br />
iZKR<br />
is<br />
iG<br />
gm<br />
u1 u1<br />
R .<br />
G<br />
Proto je výstupní odpor<br />
R<br />
out<br />
<br />
u<br />
i<br />
2n<br />
ZKR<br />
R out<br />
<br />
u<br />
1<br />
g<br />
<br />
m<br />
R<br />
D<br />
<br />
g 1<br />
R 1<br />
r R<br />
m<br />
D<br />
u<br />
1<br />
G<br />
<br />
R<br />
m<br />
D<br />
G<br />
R<br />
(4.41)<br />
134
Unipolární tranzistory<br />
4.12.2 Zapojení SS se zdroji proudu<br />
Z odvozených vztahů vyplývá, že pro běžné napájecí napětí U DD dosahují struktury<br />
s tranzistory FET relativně malé hodnoty napěťového zesílení – mnohem menší než bipolární<br />
tranzistory za srovnatelných podmínek. Díky malým hodnotám gm<br />
gm<br />
1 rm<br />
je nutné zapojovat<br />
velké hodnoty R D , to však vede (při dané hodnotě I D<br />
k potřebě velkých hodnot napájecího napětí<br />
U DD .<br />
Zapojíme-li místo R D zdroj proudu, je možné dosáhnout i s tranzistory FET velkého<br />
napěťového zesílení. Příklad zapojení [3] s tranzistory EMOSFET(N) – T 1 a proudovým zrcadlem<br />
s EMOSFET(P) – T 3 , T 4 – je na obr. 4.32.<br />
U DD<br />
U SG<br />
U SD<br />
S 3<br />
T 3<br />
S 2<br />
T 2<br />
I R<br />
R<br />
D 3<br />
vstup<br />
D 2<br />
D 1<br />
I D1<br />
T 1<br />
S 1<br />
výstup<br />
Obr.4.32: Zesilovač SS (T 1 ) se zdrojem proudu v D 1 .<br />
Proud I R je definován odporem R. Proudové zrcadlo by mělo pracovat v saturační oblasti.<br />
Předpokládáme T 2, T3<br />
identických vlastností K; U P 0 P kanál indukovaný<br />
. Potom je proud<br />
I R tranzistory T 2, T3<br />
stejný a platí IR I D<br />
<br />
I<br />
R<br />
Současně platí<br />
R I<br />
U<br />
U<br />
SG<br />
GS<br />
U<br />
U<br />
2<br />
K <br />
.<br />
R<br />
U<br />
U<br />
DD<br />
U<br />
SG<br />
GS<br />
U<br />
DD<br />
R I<br />
DD<br />
R<br />
P<br />
R I<br />
Nyní již můžeme určit<br />
úpravách dostaneme vztah<br />
R<br />
<br />
U<br />
DD<br />
R I<br />
R<br />
<br />
I R jako funkci R , dosazením do předchozího vztahu pro I R za<br />
U GS<br />
. Po<br />
135
2 2<br />
IR<br />
2<br />
2RU<br />
U<br />
1<br />
K<br />
I U<br />
U<br />
0<br />
Unipolární tranzistory<br />
R <br />
(4.42)<br />
DD<br />
P<br />
R<br />
DD<br />
P<br />
Příklad 4.10<br />
Určete proud I R , diferenční strmost a napěťové zesílení pro zapojení z obr. 4.32 – platí:<br />
K =2 mA/V 2 , U 2 V , R 10 k<br />
, U 12 V , Earlyho napětí U 150V<br />
.<br />
P<br />
DD<br />
A<br />
Řešení:<br />
Po dosazení do vztahu (4.42) dostaneme<br />
10 8 I 200500 I 100 0 I R 0,93 mA<br />
R<br />
R<br />
1<br />
I R 1,073 mA<br />
2<br />
U<br />
R <br />
R I R 2<br />
10<br />
4<br />
1,07310<br />
3<br />
10,73 V<br />
a napětí<br />
U<br />
SG<br />
U<br />
DD<br />
R I<br />
R 2<br />
12 10,73 1,27 V<br />
a to je hodnota nižší než<br />
U 2 V (kanál by se vůbec nenaindukoval).<br />
P<br />
Fyzikální smysl má tedy<br />
v saturační oblasti.<br />
I<br />
I 0 93 mA<br />
, U U R<br />
I 12 9, 3 2,<br />
7 V – a to je<br />
R R ,<br />
1<br />
SG<br />
DD<br />
R<br />
Předpokládejme pro jednoduchost, že i T 1 má K =2 mA/V 2 , U P 2 V (indukovaný kanál N).<br />
Potom při I I 0 93 mA<br />
je<br />
D R ,<br />
1<br />
1<br />
g<br />
m<br />
2 <br />
K I<br />
D<br />
2 <br />
2 10<br />
3<br />
0,9310<br />
3<br />
2,73 mA<br />
V .<br />
Ideální zdroj proudu by měl mít nekonečný výstupní odpor. Tento odpor bude u existujících<br />
reálných tranzistorů přemostěn odporem r DS (který jsme doposud zanedbávali za předpokladu, že<br />
rDS R D<br />
.<br />
Pro typickou hodnotu Earlyho napětí<br />
U A 150V<br />
3<br />
rDS rDS<br />
U A I R 150 0,9310<br />
161 k<br />
1<br />
2<br />
136
Unipolární tranzistory<br />
V signálovém modelu na obr. 4.33 potom pro výstupní napětí u 2 platí<br />
u<br />
2<br />
<br />
u<br />
r<br />
1<br />
m<br />
<br />
r<br />
r<br />
DS<br />
DS<br />
1<br />
1<br />
r<br />
r<br />
DS<br />
2<br />
DS<br />
2<br />
r DS2<br />
u 2<br />
u 1<br />
u 1<br />
r m<br />
r DS1<br />
i S = u 1 /r m<br />
Obr. 4.33: Signálové schéma pro obvod z obr. 4.32<br />
takže napěťové zesílení je<br />
A<br />
U<br />
<br />
u<br />
u<br />
2<br />
1<br />
g<br />
m<br />
<br />
r<br />
3<br />
3<br />
DS1 DS2<br />
3<br />
16110<br />
16110<br />
2,7310<br />
<br />
<br />
<br />
3<br />
3<br />
DS r<br />
16110<br />
16110<br />
1 DS2<br />
r<br />
r<br />
220<br />
Zdroje proudu mohou být realizovatelné různými způsoby – bipolárními nebo unipolárními<br />
tranzistory. Některé možnosti jejich zapojení jsou na obr. 4.34 [1].<br />
Známe-li proud<br />
I D SS a odpor R 0 (obr. 4.34a, c), je situace jasná – ID I D SS .<br />
S<br />
137
Unipolární tranzistory<br />
Známe-li proud I DSS<br />
a odpor R S 0 (obr. 4.34b, d, f), postupujeme podle vztahu (4.20) –<br />
příklad 4.2 nebo podle vztahu (4.29).<br />
U DD<br />
a) b) c)<br />
U DD<br />
R D<br />
R D<br />
I D I DSS<br />
I D = I DSS<br />
I DSS<br />
U DD<br />
R D<br />
0 V U GS R S<br />
U DD<br />
U DD<br />
d) e) f)<br />
U DD<br />
U GS<br />
U S<br />
R S<br />
U RG1<br />
R G1<br />
U GS<br />
R S<br />
R S<br />
I D I DSS<br />
R D<br />
R D<br />
I D<br />
R G2<br />
R D<br />
I D I DSS<br />
Obr. 4.34: Některá možná zapojení zdroje proudu. Proudy určíme známými<br />
postupy pro určení pracovního bodu.<br />
Příklad 4.11<br />
Určete odpory<br />
R a R v zapojení z obr.4.34e – máme tranzistor EMOSFET(P):<br />
G 1 G 2<br />
Řešení:<br />
Musí platit<br />
K =3 mA/V 2 , U 2 V, požadujeme I D 3 mA,<br />
U 15 V, R 0 .<br />
P<br />
DD<br />
S<br />
I<br />
D<br />
K <br />
U<br />
U<br />
2<br />
GS<br />
P<br />
U<br />
2<br />
3 <br />
310<br />
3 GS 2<br />
310<br />
<br />
138
Unipolární tranzistory<br />
2<br />
2 1<br />
U 2<br />
1 U U <br />
GS<br />
GS<br />
GS 1,2<br />
<br />
<br />
<br />
1<br />
V<br />
3V<br />
Fyzikální smysl má napětí U GS 3 V (toto je nutné k indukování kanálu P – při U P 2 V<br />
.<br />
Protože UGS U RG1 , stačí vypočítat R G a R tak, aby U RG 3<br />
1<br />
V . Platí:<br />
1 G 2<br />
U<br />
R<br />
DD<br />
G<br />
1<br />
R<br />
R<br />
G<br />
G<br />
1<br />
2<br />
U<br />
RG<br />
1<br />
3 V<br />
Volíme:<br />
RG RG<br />
10 M<br />
1<br />
2<br />
<br />
3 7<br />
R G 10<br />
2 M<br />
1<br />
15<br />
R<br />
R R 10 M 2 M M<br />
RG G G G<br />
8<br />
2<br />
1<br />
2<br />
2<br />
U DD<br />
U DD<br />
R D<br />
R S<br />
R S<br />
D<br />
výstup u 2<br />
vstup u 1<br />
vstup u 1<br />
D<br />
R D<br />
výstup u 2<br />
Obr. 4.35: Zapojení SG upravené ze zapojení na obr.4.20a, b<br />
4.12.3 Zapojení se společným hradlem<br />
V tomto zapojení signál vstupuje do vývodu S a je odebírán z vývodu D. Vývod G je na<br />
potenciálu referenční (signálové) svorky. Za této situace můžeme vynechat odpor R na obr. 4.20a,<br />
b – viz obr. 4.35.<br />
G 1<br />
Zapojení na obr. 4.22 upravíme podle obr. 4.36<br />
139
Unipolární tranzistory<br />
U DD<br />
U DD<br />
R D<br />
R S<br />
R G1<br />
D<br />
výstup u 2<br />
R G2<br />
vstup u 1<br />
D<br />
R G2<br />
R S<br />
vstup u 1<br />
R G1<br />
R D<br />
výstup u 2<br />
Obr. 4.36: Zapojení SG upravené z obr. 4.22<br />
Stejně upravíme i zapojení na obr. 4.24.<br />
r DS<br />
.<br />
Všechny struktury mají jedno společné signálové schéma – obr. 4.37 – (neuvažujeme vliv<br />
vstup<br />
S<br />
r m<br />
i D<br />
D<br />
výstup<br />
0 V G<br />
u 1 u 2<br />
R S<br />
i S<br />
R D<br />
Obr. 4.37: Signálové schéma zapojení SG<br />
Ze schématu určíme, že<br />
i<br />
s<br />
id<br />
u1 rm<br />
gm<br />
u 1<br />
(4.43)<br />
u<br />
2 gm<br />
RD<br />
u 1<br />
(4.44)<br />
Jedná se o neinvertující zesilovač<br />
140
A<br />
Unipolární tranzistory<br />
SG u2 u1<br />
gm<br />
RD<br />
(4.45)<br />
Výstupní napětí naprázdno je přímo určeno vztahem (4.44)<br />
u<br />
g<br />
R<br />
2n<br />
m D u 1<br />
<br />
zkratový proud<br />
i<br />
DZKR<br />
i<br />
S<br />
u<br />
1 rm<br />
g1<br />
u1<br />
Proto je výstupní odpor<br />
R o (Théveninův teorém)<br />
R<br />
o<br />
u<br />
i<br />
R<br />
2 n DZKR<br />
D<br />
(4.46)<br />
Vstupní odpor<br />
R in je dán paralelní kombinací r m,<br />
RS<br />
R<br />
in<br />
<br />
r<br />
r<br />
m<br />
m<br />
RS<br />
R<br />
S<br />
<br />
R<br />
1<br />
g<br />
S<br />
m<br />
R<br />
S<br />
(4.47)<br />
Uvážíme-li i vliv r DS , je signálové schéma na obr. 4.38<br />
Základní skutečnosti jsou vyznačeny přímo v obr. 4.38. Platí<br />
iS<br />
iD<br />
u1 gm<br />
iDS<br />
u1<br />
u2 rDS<br />
(4.48a)<br />
u<br />
iD<br />
iDS<br />
i1<br />
u rDS<br />
is<br />
iDS<br />
2 RD<br />
<br />
1<br />
Napěťové zesílení pak je (po vyřešení systému rovnic 4.48a)<br />
A<br />
U SG<br />
<br />
u<br />
u<br />
2<br />
1<br />
<br />
g<br />
m<br />
RD<br />
R<br />
1<br />
R r<br />
D<br />
D<br />
DS<br />
r<br />
DS<br />
<br />
gm<br />
RD<br />
r<br />
r R<br />
DS<br />
DS<br />
D<br />
<br />
R<br />
r<br />
D<br />
DS<br />
r<br />
R<br />
DS<br />
D<br />
<br />
1<br />
r<br />
DS<br />
<br />
<br />
<br />
R<br />
r<br />
D DS<br />
U SG gm<br />
RD<br />
rDS<br />
<br />
(4.48b)<br />
rDS<br />
A<br />
141
Unipolární tranzistory<br />
R D r DS<br />
První člen definuje zesílení, které je dáno strmostí tranzistoru<br />
. Druhý člen popisuje tzv. dopředný přenos – přes „ r DS do R D “.<br />
g m a paralelní kombinací<br />
r DS<br />
i<br />
DS<br />
<br />
<br />
u<br />
1<br />
u<br />
2<br />
rDS<br />
u 1<br />
i 1<br />
R S<br />
S<br />
i<br />
S<br />
u<br />
1g<br />
m i D<br />
u<br />
R<br />
1<br />
S<br />
r m<br />
0 V G<br />
u 2<br />
D<br />
i D + i DS<br />
R D<br />
Obr. 4.38: Signálové schéma zapojení SG s uvážením r DS<br />
4.12.4 Zapojení se společným vývodem D (SD – sledovač)<br />
Schéma sledovače s tranzistory JFET(N) DMOSFETN<br />
nebo je na obr. 4.26.<br />
Odpovídající signálové schéma je na obr. 4.39 (i zde zanedbáme vazební kondenzátory).<br />
u 1<br />
R S2<br />
i S1<br />
i 1<br />
0 V<br />
u 1<br />
R G<br />
S<br />
R S1<br />
r m<br />
u 2<br />
i S2<br />
Obr. 4.39: Signálové schéma sledovače signálu s unipolárním tranzistorem<br />
Obvykle platí, že<br />
R ,<br />
G RS<br />
, RS<br />
r<br />
1 2 m a proto napětí na odporu S 2<br />
R je<br />
142
Unipolární tranzistory<br />
u<br />
R<br />
S 2<br />
S2 u1<br />
(4.49)<br />
RS<br />
RS<br />
rm<br />
1<br />
2<br />
protože proud i 1 napětí u 2 prakticky neovlivňuje. Proto,<br />
u<br />
R<br />
R<br />
S1<br />
S 2<br />
2 u1<br />
<br />
(4.50)<br />
RS<br />
RS<br />
rm<br />
Určíme nyní proud i 1 jako<br />
1<br />
2<br />
i<br />
1<br />
<br />
u<br />
1<br />
u<br />
R<br />
G<br />
S2<br />
<br />
u<br />
R<br />
1<br />
G<br />
<br />
R<br />
S<br />
1<br />
R<br />
S<br />
1<br />
R<br />
r<br />
S<br />
2<br />
m<br />
r<br />
m<br />
a vstupní odpor<br />
R<br />
in<br />
<br />
R in je<br />
u<br />
i<br />
1<br />
1<br />
R<br />
G<br />
<br />
1<br />
<br />
<br />
R<br />
S<br />
R<br />
1<br />
S<br />
2<br />
r<br />
m<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
(4.51)<br />
Pojmy k zapamatování<br />
Unipolární tranzistor – JFET, EMOSFET, DMOSFET; výstupní charakteristiky – odporová oblast,<br />
saturační oblast (srovnej se saturací BJT); odpor kanálu; indukovaný – zabudovaný kanál; pracovní<br />
bod; model tranzistoru – stejnosměrný, signálový; mezní parametry tranzistoru; základní zapojení –<br />
SS, SG a SD; zesílení – napěťové, proudové a výkonové; odpor zesilovací struktury - vstupní,<br />
výstupní; zdroj proudu jako zátěž. Pokud některému z nich ještě nerozumíte, vraťte se k nim ještě<br />
jednou.<br />
Otázky 4<br />
143
Unipolární tranzistory<br />
1. Jakou polaritu musí mít hradlo vůči vývodu S u unipolárního tranzistoru JFET s kanálem typu<br />
N, aby byl správně nastaven pracovní režim<br />
2. Proč nelze u tranzistoru JFET s kanálem typu N přivést na hradlo kladné napětí<br />
3. Proč v zapojení JFETu jako zesilovače signálu nemůžeme použít nulové předpětí hradla –<br />
U GS (bez ohledu na typ vodivosti kanálu).<br />
4. Který tranzistor může pracovat v obohacovacím i ochuzovacím režimu<br />
5. Předpokládejte U GS = 0. Lze pomocí ohmmetru rozlišit stukturu se zabudovaným a<br />
idukovaným kanálem<br />
6. Co je to Earlyho napětí Nakreslete ilustrační obrázek.<br />
7. Jak souvisí parametr r DS s Earlyho napětím<br />
8. Jak odvodíte ze vztahu 2<br />
I<br />
D<br />
K U U<br />
signálovou vodivost g m <br />
9. Jak souvisí signálový odpor rm<br />
se signálovou vodivostí m<br />
GS<br />
P<br />
g <br />
10. Proč je signálový model všech unipolárních tranzistorů stejný<br />
11. Nakreslete signálové schéma zapojení SS.<br />
12. Nakreslete signálové schéma zapojení SG.<br />
13. Nakreslete signálové schéma zapojení SD.<br />
14. Jakými způsoby můžeme nastavit pracovní bod tranzistoru, jaký to má vliv na stabilitu<br />
pracovního bodu<br />
15. Které zapojení tranzistoru zesiluje pouze napěťově<br />
16. Které zapojení tranzistoru zesiluje pouze proudově<br />
17. Které zapojení tranzistoru má největší výkonové zesílení<br />
18. Jaký vliv má odpor ve vývodu S (signálově nezkratovaný) na zesílení<br />
19. Jaký vliv má zapojení zdroje proudu ve vývodu D místo odporu<br />
20. Jakou zpětnou vazbu zavádí odpor ve vývodu S<br />
21. Jakou zpětnou vazbu zavádí odpor z D do G<br />
Úlohy k řešení 4<br />
<br />
144
Příklad 4.1<br />
Unipolární tranzistory<br />
Je dáno zapojení na obrázku a) k příkladu 4.1 s tranzistorem typu JFET s kanálem N. Síť<br />
výstupních charakteristik je na obr. b) k příkladu 4.1. Prahové napětí U 3, 5 V.<br />
U DD<br />
P<br />
I D<br />
R D<br />
C G<br />
D<br />
G<br />
S<br />
U 2<br />
U DS<br />
U U GS<br />
1 U G<br />
R G I S R S<br />
C D<br />
C S<br />
U S<br />
Obr. a) k příkladu 4.1<br />
Obr. b) k příkladu 4.1<br />
a) Určete pracovní bod tranzistoru tak, aby byla dosažena co největší strmost při buzení<br />
signálem s amplitudou menší než 1 V. Napětí stejnosměrného zdroje U DD 20 V,<br />
napětí U DSP v pracovním bodě má být 10 V.<br />
b) Vypočítejte velikosti odporů R D , R S a R G pro pracovní bod z bodu a). Úbytek<br />
napětí na odporu R G při proudu hradla I G 2 nA<br />
nemá být větší než 10 mV.<br />
c) Sestrojte převodní charakteristiku f <br />
I .<br />
145<br />
D U GS<br />
d) Určete graficky napěťové zesílení tranzistoru AU<br />
UDS<br />
UGS<br />
.
Unipolární tranzistory<br />
e) Stanovte proudové a výkonové zesílení.<br />
<br />
Příklad 4.2<br />
Pro tranzistor NJFET (NMOSFET) s parametry U p 3, 5 V a IDSS<br />
10mA určete<br />
odpory R D , R S a R G tak, aby se nastavil pracovní bod tranzistoru I D 5 mA, UDS<br />
5 V při<br />
napájecím napětí U 25V.<br />
DD<br />
a) pro U 0 V<br />
GG<br />
b) pro U 8V<br />
GG<br />
U DD<br />
I D<br />
R D<br />
R G<br />
I G<br />
G<br />
U GS<br />
D<br />
S<br />
U DS<br />
I S<br />
R S<br />
U GG<br />
U S<br />
Obrázek k příkladu 4.2<br />
<br />
Příklad 4.3<br />
V zapojení na obrázku R D 5 , 1k,<br />
R S 1 k,<br />
R G 3 M<br />
a U DD 10V<br />
je<br />
použit tranzistor NMOSFET s vlastnostmi: U 120V, U 2<br />
V, I 5 mA. Určete:<br />
a) strmost tranzistoru<br />
b) výstupní vodivosti kanálu (drain conductance)<br />
A<br />
P<br />
DSS<br />
146
Unipolární tranzistory<br />
U DD<br />
I D<br />
R D<br />
I G<br />
G<br />
D<br />
U DS<br />
R G<br />
U GS<br />
I S<br />
S<br />
R S<br />
U S<br />
Obrázek k příkladu 4.3<br />
<br />
Příklad 4.4<br />
Na obrázku je zesilovač se společným vývodem S (SS) s tranzistorem NMOSFET –<br />
s parametry: indukovaný kanál; K = 2,96 mA/V 2 , U P = 2 V, U A = 156 V. Určete:<br />
a) pracovní bod zapojení<br />
b) prvky náhradního signálového zapojení<br />
c) vstupní odpor zapojení<br />
d) výstupní odpor zapojení<br />
je-li zadáno:<br />
R G 240k,<br />
R G 150<br />
k<br />
1 2 , ,<br />
R D 1 k R 100 ,<br />
R Z 1 k<br />
a U 10V.<br />
S<br />
DD<br />
R G1<br />
R G2<br />
G<br />
I D<br />
U GS<br />
I S<br />
D<br />
S<br />
R D<br />
R S<br />
U DD<br />
vstup<br />
U DS Obrázek k příkladu 4.5<br />
R G1<br />
C G<br />
R G2<br />
I D<br />
D<br />
G<br />
U GS<br />
U RS<br />
S<br />
U RD<br />
R D<br />
C D<br />
U DS<br />
R S<br />
C S<br />
U DD<br />
výstup<br />
U S<br />
Obrázek k příkladu 4.4<br />
147
Unipolární tranzistory<br />
<br />
Příklad 4.5<br />
Jaký pracovní bod se nastaví v zapojení na obrázku, jsou-li dány vlastnosti tranzistoru<br />
2<br />
EMOSFET(N) K 3,5 mA V , UP<br />
2 V a je zadáno UDD<br />
15V, R S 150 , R D 1,<br />
5 k<br />
a R G 1 3, 5 M<br />
, R G 2 1, 5 M<br />
<br />
<br />
Příklad 4.6<br />
Určete napěťové zesílení<br />
A pro strukturu z příkladu 4.1 (str. 140) – R 171<br />
,<br />
U SS<br />
R D 2 k , napájecí napětí UDD<br />
15V; kapacita C S představuje pro signál zkrat.<br />
Předpokládejte NJFET s parametry U 3, 5 V, I 12mA, pracovní bod má hodnoty<br />
U 1,025V, I 2 6 mA (ověřte pracovní bod).<br />
GS<br />
D I D SS<br />
P<br />
DSS<br />
S<br />
Text k prostudování<br />
[1] Frohn, M. – Siedler, H.-J. – Wiemer, M. – Zastrow, P.: Elektronika, polovodičové<br />
součástky a základní zapojení. Ben, Praha 2006, ISBN 80-7300-123-3<br />
Další zdroje<br />
1 Vobecký, J. - Záhlava, V.: Elektronika (součástky a obvody, principy a příklady), Grada,<br />
Praha 2001<br />
2 Till, W., C. – Luxon, J.,T.: Integrated ciruits: Materials, Devices and Fabrications. Prentice<br />
Hall, Inc., Englwood Cliffs, N.J., 1982<br />
3 Schubert, T. – Kim, E.: Active and non-linear electronics. John Wiley Sons, Inc.,1996<br />
[4] Beneš, O. – Černý, A. – Žalud, V.: Tranzistory řízené elektrickým polem, SNTL, Praha<br />
1972<br />
5 Punčochář, J.: Lineární obvody s elektronickými prvky. Skriptum, VŠB-TU Ostrava 2002<br />
6 Mohylová, J.: Lineární obvody s elektronickými prvky -Sbírka příkladů, VŠB-TU Ostrava<br />
2002<br />
7 Yunik, M.: Design of modern transistor circuits. Prentice – Hall, Inc., Englwood Cliffs,<br />
N.J., 1973<br />
8 Doleček, J.: Moderní učebnice elektroniky 2. díl, BEN, Praha, 2005,<br />
ISBN 80-730-161-6<br />
9 Kuphaldt, Tony R.: Lessons In Electric Circuits, www.ibiblio.org/kuphaldt/<br />
148
Unipolární tranzistory<br />
CD-ROM<br />
Otevři soubor a) JFET<br />
b) MOSFET indukovaný kanál - Pracovní bod<br />
c) MOSFET indukovaný kanál – Model tranzistoru<br />
d) MOSFET indukovaný kanál – Signálový model<br />
e) MOSFET zabudovaný kanál - Pracovní bod<br />
f) MOSFET zabudovaný kanál – Model tranzistoru<br />
g) MOSFET zabudovaný kanál – Signálový model<br />
h) MOSFET zabudovaný kanál – Posuv napětí ve vývodu S<br />
Korespondenční úkol<br />
Vypracujte seminární projekt podle zadání vyučujícího. Projekt odevzdejte na moodle<br />
v požadovaném termínu.<br />
149
Obvody s více tranzistory<br />
5 Obvody s více tranzistory<br />
Čas ke studiu: 10 hodin<br />
Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět posoudit a vyřešit obvody s více<br />
tranzistory:<br />
kombinaci BJT a unipolárního tranzistoru<br />
Darlingtovo zapojení<br />
kaskodové zapojení<br />
principielní zapojení OZ<br />
komplementární zapojení tranzistorů<br />
VÝKLAD<br />
Na základě získaných vědomostí z předchozích kapitol jsme schopni vyřešit i složitější<br />
zesilovací struktury s více tranzistory. Pečlivě se musí řešit nastavení pracovních bodů, zvláště tehdy,<br />
nechceme-li používat velké množství oddělovacích kapacit. Tato problematika bude demonstrována<br />
na souboru řešených příkladů, které popisují základní obvodové situace.<br />
Příklad 5.1<br />
Na obrázku je Darlingtonovo zapojení<br />
s těmito parametry: U BE1 = U BE2 = 0,6 V,<br />
R C 100 , R E 10 , U CC = 20 V. Proudové<br />
zesílení je u obou tranzistorů stejné:<br />
100.<br />
1 2 <br />
a) Vypočítejte všechny proudy<br />
v zapojení s podmínkou, že proud<br />
IC 2<br />
odpovídá polovině maximálního<br />
kolektorového proudu.<br />
b) Jak velký bude odpor R B <br />
I C1<br />
R B R C<br />
I B1<br />
U BE1 I B2<br />
I C2<br />
U BE2<br />
I E2<br />
u 1 u 2<br />
R E<br />
U CC<br />
150<br />
Obrázek k příkladu 5.1: Darligtonovo zapojení
Obvody s více tranzistory<br />
Řešení:<br />
a) Proudy v zapojení<br />
I<br />
C<br />
UCC<br />
20<br />
2max<br />
182mA<br />
R R 10010<br />
C<br />
Z kolektorové podmínky vyplývá<br />
I<br />
C2 IC<br />
max 2 182 2 91 m<br />
U<br />
I<br />
CEP<br />
U<br />
CC<br />
<br />
E<br />
A<br />
3<br />
R<br />
R <br />
I 201109110<br />
10 V<br />
B 2 IC<br />
2 91 100 0,<br />
91 m<br />
I<br />
I<br />
I<br />
I<br />
B2 C1<br />
E1<br />
C<br />
E<br />
C2 <br />
A<br />
B 1 I C 1 0, 91 100 9,<br />
1 <br />
A<br />
b) Odpor R B<br />
UCC<br />
U<br />
BE1<br />
U<br />
BE2<br />
RE<br />
I E2<br />
20 20,<br />
6 109110<br />
RB <br />
<br />
1,<br />
96 M<br />
6<br />
I<br />
9,<br />
110<br />
B1<br />
3<br />
Příklad 5.2<br />
Je dáno zapojení podle obrázku skládající se z jednoho tranzistoru PNP a jednoho NPN.<br />
V zapojení jsou zadány hodnoty: U CC = 20 V, R E 100<br />
, U BE1 = 0,6 V. Proudový zesilovací<br />
činitel je u obou tranzistorů stejný - 100.<br />
1 2 <br />
a) Vypočítejte všechny proudy v zapojení. Předpokládejte, že:<br />
I , U U<br />
2.<br />
E I C<br />
CE2 CC<br />
b) Jak velký bude odpor R B <br />
U CC<br />
R B<br />
I B1<br />
I B2<br />
I C1<br />
I C2<br />
I E2<br />
U CE2<br />
U BE1<br />
R C<br />
u 1 u 2<br />
Obrázek k příkladu 5.2 – Kombinace zapojení PNP – NPN<br />
151
Obvody s více tranzistory<br />
Řešení:<br />
a) Pro výstupní obvod platí<br />
U<br />
CC<br />
U<br />
R<br />
I<br />
CE2 C C 2<br />
I<br />
C<br />
2<br />
<br />
U<br />
CC<br />
U<br />
R<br />
C<br />
CE<br />
2<br />
<br />
2010<br />
100<br />
100mA<br />
Proud<br />
I určíme ze vztahu I I 0,<br />
1 100 1<br />
mA<br />
B 2<br />
B<br />
2<br />
C<br />
2<br />
2<br />
Z obrázku vyplývá, že<br />
IC IB<br />
1 mA<br />
1<br />
2<br />
Odtud dostaneme hodnotu<br />
I<br />
I B 1<br />
3<br />
B I 1<br />
110<br />
100 10 <br />
1 C<br />
1<br />
A<br />
b) Odpor R B<br />
UCC<br />
U<br />
BE 20 0,<br />
6<br />
1<br />
RB 1,<br />
94 M<br />
6<br />
I 1010<br />
B<br />
1<br />
Příklad 5.3<br />
Určete pracovní bod zesilovače s komplementárními tranzistory na obrázku. V zapojení použijte<br />
hodnoty s těmito parametry:<br />
R 18<br />
M<br />
1 ,<br />
R2<br />
270 k<br />
R 5 6 k<br />
3 ,<br />
R4<br />
1k<br />
R 5 6 k<br />
5 ,<br />
U CC = 12 V.<br />
u 1<br />
R 1<br />
I 1<br />
I B1<br />
I 3<br />
I B2<br />
I C1<br />
T 1 , β 1<br />
T 2 , β 2<br />
I C2<br />
U CC<br />
R 3<br />
R 4<br />
I E1<br />
I 4<br />
R 2<br />
I 5<br />
R 5<br />
U B u 2<br />
U 4 U 5<br />
Obr. k příkladu 5.3: Zesilovač s komplementárními tranzistory<br />
152
Obvody s více tranzistory<br />
Řešení:<br />
1) V zapojení předpokládáme, že proud<br />
I B 1<br />
« I 1 , potom platí<br />
U<br />
B<br />
<br />
3<br />
2 UCC<br />
27010<br />
12<br />
<br />
<br />
3<br />
6<br />
1 R2<br />
27010<br />
1,8<br />
10<br />
R<br />
R<br />
1,56 V<br />
Příčný proud I 1 děličem R 1, R2<br />
je<br />
I<br />
C 2<br />
UCC<br />
<br />
R R<br />
1<br />
2<br />
12<br />
<br />
6<br />
2,0710<br />
5,8 A<br />
2) Ze známé hodnoty na bázi tranzistoru T 1 – tj. napětí U B určíme, napětí U 4 na odporu R 4:<br />
U<br />
U B U<br />
4 BE 1<br />
pro malé hodnoty proudu IC<br />
odhadneme hodnotu napětí U<br />
1<br />
BE :<br />
1<br />
U 0,56 V U 4 U B U BE 1,<br />
56 0,<br />
56 1 V<br />
BE 1<br />
1<br />
Proud I 4 odporem R 4 je<br />
3<br />
4 4 4 <br />
I U R 1 10 1 mA<br />
3) Nyní odhadneme proud I 3 odporem R 3 . Opět potřebujeme znát hodnotu napětí<br />
tranzistoru T 2.<br />
Předpokládáme-li I C » I<br />
2 C odhadneme, že U 0,6 V <br />
1<br />
EB 2<br />
I U EB R 0, 6 5,<br />
610<br />
0,<br />
107 mA<br />
3<br />
2<br />
4) Předpokládáme, že proud I B « I<br />
2 3 <br />
3<br />
3<br />
I E I 107 A<br />
1 C 1<br />
U EB 2<br />
Nyní lze určit, bázový proud I B tranzistoru T<br />
1<br />
1 , předpokládáme, že pro proudový zesilovací<br />
činitel 1 100<br />
I B I 1<br />
1,07<br />
A<br />
1 C 1<br />
Předpoklad z bodu a) je pro 1 100 určitě splněn a proud I 1 » I B .<br />
1<br />
5) Nyní již ze známých hodnot proudu I C a I<br />
1 4 určíme (1. KZ), že proud odporem R 5 je<br />
I<br />
5 I4<br />
I E<br />
1<br />
110<br />
3<br />
107<br />
10<br />
6<br />
893 A<br />
6) Takže napětí na odporu R 5 je<br />
U<br />
3 6<br />
5 R5<br />
I5<br />
5,<br />
610<br />
89310<br />
<br />
5 V<br />
Stejnosměrné napětí u 2 na kolektoru tranzistoru T 2 je (2. KZ)<br />
u 2 U4<br />
U5<br />
15<br />
6 V<br />
153
Obvody s více tranzistory<br />
7) Ze známé hodnoty proudu I C určíme bázový proud I<br />
2<br />
B tranzistoru T<br />
2<br />
2 , opět předpokládáme,<br />
že pro proudový zesilovací činitel 2 100<br />
I<br />
B<br />
2<br />
I C<br />
2<br />
8, 93 A<br />
2<br />
Předpoklad z bodu 4) je splněn – proud<br />
107 A» 8 ,93A.<br />
8) Platí:<br />
U<br />
CE<br />
U<br />
1<br />
CC U4 U<br />
EB<br />
<br />
2<br />
12 1<br />
0, 6 10,<br />
4V<br />
Poznámka: Tranzistor T 1 spíše „dodává proud“ do báze tranzistoru T 2 , napětí na odporu R 3 se při<br />
signálovém buzení téměř nemění.<br />
U<br />
EE<br />
2<br />
U<br />
CC<br />
U<br />
C<br />
2<br />
12 6 6 V<br />
Můžeme konstatovat, že pracovní poměry zapojení jsou dostatečně určeny.<br />
Řešení:<br />
Příklad 5.4<br />
Pro zesilovač z příkladu 5.3 na obrázku určete orientační hodnotu:<br />
a) napěťového přenosu (zesílení) zapojení<br />
b) vstupního odporu (vstupní impedance) zapojení<br />
c) výstupního odporu (výstupní impedance) zapojení<br />
d) naznačte způsob změny zesílení (bez změny pracovního bodu)<br />
Předpokládejte, že impedance vazebních kapacit je zanedbatelná.<br />
a) Předpokládejte, že na bázi je signál Uˆ i . Tento signál se prakticky celý přenese do emitoru T 1 ,<br />
tedy<br />
Uˆ ˆ<br />
4<br />
U i<br />
Odporem R 4 protéká proud<br />
Iˆ Uˆ<br />
4 i R 4<br />
Z hlediska signálových změn nyní nabývá na významu poznámka z bodu 8) z příkladu 5.3.<br />
Napětí U EB se téměř nemění, všechny změny proudu <br />
2<br />
Iˆ<br />
ˆ<br />
E I<br />
1 C jsou prakticky vyvolány pouze<br />
1<br />
změnami proudu báze T 2 :<br />
Iˆ ˆ «<br />
B I C<br />
<br />
2 2<br />
2<br />
Î C 2<br />
Ze signálového hlediska proto platí, že<br />
154
Obvody s více tranzistory<br />
Iˆ Iˆ<br />
.<br />
4 C 2<br />
tzn., že prakticky celý proud Î 4 protéká přes odpor R 5 .<br />
Takže výstupní napětí û 2 je rovno<br />
Uˆ<br />
R<br />
<br />
5<br />
uˆ<br />
2 Uˆ<br />
4 R5<br />
Iˆ<br />
Uˆ<br />
i<br />
R5<br />
Uˆ<br />
C<br />
1<br />
2<br />
i<br />
i<br />
R4<br />
R4<br />
Napěťový přenos zesílení je<br />
uˆ<br />
R<br />
ˆ 2 5<br />
U 1<br />
→ jedná se o neinvertující zesilovač<br />
U ˆ<br />
i<br />
R4<br />
P<br />
<br />
<br />
<br />
b) Pro určení vstupní impedance musíme určit hodnotu bázového proudu tranzistoru<br />
(signálové poměry). Z bodu a) vyplývá, že platí:<br />
T Iˆ<br />
1 B 1<br />
Iˆ Uˆ<br />
C<br />
2<br />
i<br />
R<br />
4<br />
Odporem R 4 protéká proud<br />
Iˆ Uˆ<br />
4 i R 4<br />
Iˆ <br />
B<br />
Uˆ<br />
i<br />
2<br />
<br />
R<br />
2<br />
4<br />
Uˆ<br />
R<br />
Uˆ<br />
4<br />
Iˆ Iˆ<br />
i<br />
i<br />
C <br />
1<br />
B<br />
→<br />
2<br />
2 R4<br />
2<br />
všechny signálové změny jsou<br />
vyvolány proudem Î<br />
B 2<br />
Iˆ<br />
Iˆ<br />
Uˆ<br />
R<br />
B1 C <br />
1<br />
1 i 4 1 2<br />
V tomto okamžiku již můžeme určit vstupní impedanci<br />
Zˆ<br />
vst B<br />
<br />
Pro hodnoty<br />
Zˆ<br />
vst<br />
Uˆ<br />
Iˆ<br />
i<br />
B1<br />
R<br />
4<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
2<br />
155<br />
Ẑ vst („do báze tranzistoru T 1 “).<br />
R4 RE 1k<br />
a 1 2100<br />
dostaneme hodnotu vstupní impedance<br />
R4 <br />
1<br />
210<br />
10<br />
10<br />
3<br />
4<br />
7<br />
Vstupní odpor není určen pouze odporem R 4 a proudovým zesilovacím činitelem<br />
tranzistoru T 1 , ale i zavedenou zpětnou vazbou – R 4 , R 5 – jedná se o sériovou zápornou zpětnou<br />
vazbu, která zvětšuje vstupní odpor.<br />
Paralelně „k bázi tranzistoru T 1 “ je také připojen napájecí obvod R 1 , R 2 . Celý vstupní<br />
odpor tedy je
Zˆ<br />
vst<br />
Zˆ<br />
vstB<br />
7 6<br />
3<br />
3<br />
R<br />
R 10 18<br />
, 10<br />
22010<br />
<br />
229,<br />
32<br />
<br />
1 2<br />
10<br />
Obvody s více tranzistory<br />
c) Výstupní impedanci určíme pomocí Théveninovy věty. Vstupní napětí je stejné jako v bodě a) –<br />
Uˆ .<br />
i<br />
Pro výstupní napětí platí 5 i<br />
uˆ<br />
R R Uˆ<br />
2 1 4 a to je výstupní napětí naprázdno uˆ 2 n .<br />
Zbývá nám určit zkratový proud 5) Î ZK – viz obr. pro určení zkratového proudu (při stejném<br />
napětí Uˆ na vstupu).<br />
Iˆ<br />
E<br />
i<br />
I nyní platí, že na bázi tranzistoru T 1 je signál Uˆ i , který je také v emitoru T 1 , tedy<br />
1<br />
Uˆ<br />
i<br />
<br />
R<br />
4<br />
Uˆ<br />
<br />
R<br />
i<br />
5<br />
Iˆ<br />
C<br />
1<br />
Napětí na odporu R 3 se téměř nemění, proto se nemění ani proud Î 3 (signálově se mění<br />
jen nepatrně)<br />
Iˆ Iˆ<br />
E<br />
1<br />
B 2<br />
Nyní již můžeme určit, že<br />
Iˆ<br />
C<br />
Iˆ<br />
E<br />
Uˆ<br />
R<br />
2<br />
2<br />
1<br />
2<br />
R R<br />
i<br />
<br />
4<br />
4<br />
R<br />
Zkratový proud je dán součtem kolektorového proudu<br />
Iˆ<br />
ZK<br />
Uˆ<br />
<br />
i<br />
2<br />
R4<br />
R<br />
R R<br />
4<br />
5<br />
5<br />
Uˆ<br />
<br />
R<br />
Výstupní impedance je dána podílem napětí naprázdno<br />
i<br />
5<br />
5<br />
5<br />
Î C 2<br />
a proudu odporem R 5 :<br />
uˆ 2 n a zkratového proudu Î ZK<br />
Zˆ<br />
výst<br />
<br />
uˆ<br />
Iˆ<br />
2n<br />
ZK<br />
<br />
<br />
Uˆ<br />
i 2<br />
<br />
<br />
R<br />
Uˆ<br />
i 1<br />
<br />
R<br />
R4<br />
R<br />
R R<br />
4<br />
5<br />
5<br />
4<br />
5<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
1<br />
R<br />
5<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
2<br />
R4<br />
R5<br />
R4<br />
R5<br />
<br />
R R<br />
4<br />
5<br />
R<br />
R<br />
4<br />
5<br />
<br />
<br />
R<br />
4<br />
1<br />
<br />
2 2 4 5<br />
2<br />
4<br />
R<br />
R<br />
R<br />
5<br />
5<br />
2<br />
<br />
R<br />
4<br />
R<br />
5<br />
1<br />
R<br />
R<br />
5)<br />
Tento způsob určení Î ZK je v linearizovaném modelu velmi náročný, v praxi by to mohlo být<br />
problematické.<br />
156
Obvody s více tranzistory<br />
Všimněte si, že výstupní odpor není určen pouze odporem v kolektoru tranzistoru T 2 R 4 ,<br />
R 5 , ale i způsobem zavedení zpětné vazby – jedná se o napěťovou zápornou zpětnou vazbu, která<br />
výstupní odpor zmenšuje.<br />
U CC<br />
Û i<br />
I B1<br />
I C1<br />
β 2·Î E1<br />
Û i<br />
R 5<br />
← u 2 ideálně 0 V<br />
Î ZK<br />
Obr.: Určení zkratového proudu Î ZK – poměry při zkratu výstupu<br />
d) Nemá-li se měnit pracovní bod zesilovače, musíme připojit vhodný odpor pouze „střídavě“ – tj.<br />
„přes C“. Potřebujeme zvětšit zesílení – připojíme paralelně k odporu R 4 kombinaci R4C<br />
<br />
4<br />
podle<br />
obrázku Úprava zapojení obvodu k dosažení změny hodnoty napěťového zesílení – bez změny<br />
pracovního bodu a). Ve všech vztazích pak místo hodnoty odporu R 4 dosazujeme paralelní kombinaci<br />
R4C 4<br />
<br />
R .<br />
4 C4<br />
R4<br />
a) b)<br />
R 5<br />
C' 4<br />
R 4<br />
R' 4<br />
C' 5 R' 5<br />
Obr. : Úprava zapojení obvodu k dosažení změny hodnoty napěťového<br />
zesílení – bez změny pracovního bodu:<br />
a) zapojení pro zvětšení napěťového zesílení<br />
b) zapojení pro zmenšení napěťového zesílení<br />
157
Obvody s více tranzistory<br />
Potřebujeme-li naopak napěťové zesílení zmenšit – připojíme paralelně k odporu R 5<br />
kombinaci R5C<br />
<br />
5<br />
podle obrázku Úprava zapojení obvodu k dosažení změny hodnoty napěťového<br />
zesílení – bez změny pracovního bodu b). Ve všech vztazích pak místo hodnoty odporu R 5<br />
dosazujeme paralelní kombinaci R5C<br />
<br />
5<br />
R .<br />
5 C5<br />
R5<br />
Příklad 5.5<br />
Na obrázku a) je principielní schéma bipolárního operačního zesilovače s hodnotami:<br />
R C 500 k , R E 500 k<br />
, R D 10 k<br />
a U CC+ = 15 V, U CC - = 15 V.<br />
a) Určete invertující a neinvertující vstup struktury.<br />
b) Odhadněte úroveň výstupního napětí, jsou-li vstupy (a) a (b) nepřipojeny („ve<br />
vzduchu“).<br />
c) Odhadněte úroveň výstupního napětí, jsou-li vstupy (a) a (b) propojeny, ale toto<br />
propojení není připojeno do uzlu obvodu s definovaným stejnosměrným napětím.<br />
d) Odhadněte úroveň výstupního napětí, jsou-li vstupy (a) a (b) propojeny, a toto<br />
propojení je připojeno na referenční uzel (nulové napětí).<br />
e) Určete úroveň výstupního napětí U 0 , je-li zesilovač zapojen podle obrázku b) a U a = 1<br />
V.<br />
f) Odhadněte zesílení zesilovače v pracovním bodě podle obr. f.<br />
U CC+<br />
U d<br />
a<br />
re<br />
T 1<br />
R C<br />
T 2<br />
T 3<br />
T 4<br />
o<br />
≡<br />
a<br />
b<br />
o<br />
U a<br />
b<br />
U b<br />
R E<br />
R D<br />
U o<br />
U CC-<br />
Obr.: a) Zapojení k příkladu 5.5 – jeho ekvivalentní symbol – obsahuje v sobě i<br />
napájení.<br />
158
Obvody s více tranzistory<br />
Řešení:<br />
a) Předpokládáme, že obvod je lineární v okolí nějakého pracovního bodu, kde kolektorové proudy<br />
tranzistorů T 1 a T 2 jsou stejné. Tranzistory mají ideálně shodné vlastnosti. Potom můžeme použít<br />
princip superpozice.<br />
Nejdříve budeme zkoumat signálové působení zdroje napětí u a , zdroj napětí u b nahradíme jeho<br />
vnitřním odporem – ideálně tedy nulou – zkratem – obr. b).<br />
R C<br />
T 3<br />
u a<br />
a<br />
uda<br />
b<br />
T 1<br />
T 2<br />
r e<br />
i ea<br />
r e<br />
r eD<br />
T 4<br />
o<br />
u oa<br />
R E<br />
R D<br />
Obr. b) k příkladu 5.5: Signálové schéma – buzen vstup (a);<br />
zdroje vykazují vůči signálovým změnám nulový odpor – signály<br />
jsou kvalitativně vyznačeny sinusovkami<br />
Tranzistor T 1 tvoří emitorový sledovač (zapojení SC, přenos do interního emitoru tranzistoru se<br />
rovná jedné, r e – emitorový odpor tranzistoru v daném pracovním bodě). Tranzistor T 2 tvoří zapojení<br />
SB – jeho vstupní odpor je také r e . Při této konfiguraci (diferenční) se celé napětí uda<br />
ua<br />
přenese<br />
na sériové řazení 2·r e a vyvolá signálový proud<br />
i<br />
ea<br />
ua<br />
2 r<br />
e<br />
ten (pro dostatečně velký proudový zesilovací činitel β ) vyvolá v kolektoru tranzistoru T 2 napětí<br />
u R i<br />
Ca<br />
C<br />
e<br />
Darlingtonovo zapojení tranzistorů 6) T 3 a T 4 je opět zapojeno jako sledovač (SC) s přenosem<br />
uoa<br />
RD<br />
1<br />
u R r<br />
Ca<br />
D<br />
eD<br />
Platí tedy, že<br />
u<br />
oa<br />
R<br />
C<br />
i<br />
ea<br />
<br />
RC<br />
u<br />
2<br />
r<br />
e<br />
a<br />
6)<br />
Darlingtonovo zapojení tranzistorů T 3 a T 4 zajišťuje velký proudový zesilovací činitel 3 4 ,<br />
tím i velký vstupní odpor ≈ 3 4 RD<br />
RD<br />
→ není zatěžován předchozí stupeň<br />
159
Obvody s více tranzistory<br />
Vstupní napětí u a a výstupní napětí jsou ve fázi, vstup (a) je neinvertujícím (+) vstupem.<br />
Nyní budeme zkoumat signálové působení zdroje napětí u b , zdroj napětí u a nahradíme jeho<br />
vnitřním odporem - ideálně tedy nulou – zkratem – obr. c).<br />
R C<br />
T 3<br />
u db<br />
b<br />
a<br />
0<br />
T 1<br />
T 2<br />
r e<br />
i ea<br />
r e<br />
r eD<br />
T 4<br />
o<br />
u b<br />
R E<br />
R D<br />
u ob<br />
Obr. c) k příkladu 5.5: Signálové schéma – buzen vstup (b);<br />
zdroje vykazují vůči signálovým změnám nulový odpor – signály<br />
jsou kvalitativně vyznačeny sinusovkami<br />
Tranzistor T 1 opět tvoří emitorový sledovač – nyní přenáší na svůj interní emitor napěťovou<br />
úroveň nulovou. Tranzistor T 2 tvoří při tomto buzení zapojení SE – na svůj interní emitor přenáší<br />
napětí u b . Při této konfiguraci (diferenční) se celé napětí u b ( = -u db ) přenese na sériové řazení 2·r e a<br />
vyvolá signálový proud<br />
i<br />
eb<br />
ub<br />
2 r<br />
e<br />
tento proud (pro dostatečně velký proudový zesilovací činitel β) vyvolá v kolektoru tranzistoru T 2<br />
napětí<br />
u<br />
Cb<br />
R<br />
C<br />
i<br />
eb<br />
Darlingtonovo zapojení tranzistorů T 3 a T 4 pracuje stejně jako v předchozím případě, proto<br />
u<br />
u<br />
ob<br />
Cb<br />
<br />
RD<br />
R r<br />
D<br />
eD<br />
1<br />
Platí tedy, že<br />
u<br />
ob<br />
<br />
R<br />
C<br />
i<br />
eb<br />
<br />
RC<br />
u<br />
2r<br />
e<br />
b<br />
<br />
ub<br />
R<br />
2r<br />
e<br />
C<br />
Vstupní napětí u b a výstupní napětí jsou v protifázi, vstup (b) je invertujícím (-) vstupem.<br />
Platí proto (v lineární oblasti), že celkové výstupní napětí je<br />
160
Obvody s více tranzistory<br />
u<br />
u<br />
0<br />
0<br />
u<br />
<br />
0a<br />
<br />
u<br />
u<br />
a<br />
0b<br />
u<br />
b<br />
<br />
2r<br />
e<br />
<br />
u<br />
R<br />
C<br />
a<br />
R<br />
2r<br />
e<br />
C<br />
<br />
u<br />
R<br />
b<br />
2r<br />
e<br />
C<br />
obecně platí<br />
u<br />
d<br />
u<br />
a<br />
u<br />
b<br />
<br />
u<br />
0<br />
<br />
u<br />
d<br />
R<br />
2r<br />
e<br />
C<br />
b) Nemohou-li vtékat do bází tranzistorů T 1 a T 2 odpovídající proudy, jsou oba tranzistory zavřeny.<br />
V kolektoru tranzistoru T 2 bude proto napětí +15 V. Na výstupu je proto napětí<br />
U<br />
15U BE 3 UBE4<br />
151, 2 138 V<br />
0 ,<br />
c) Tvrzení z bodu b) platí i zde. I když jsou vstupy propojeny, nemůže do bází proud vtékat – nemá<br />
odkud – viz obr. 48, kdybychom odpojili vstup (b) od zemní svorky.<br />
d) Situace je znázorněna na obr. d).<br />
Tranzistory mají ideálně shodné vlastnosti, tedy platí U BE1 = U BE2 a kolektorové proudy jsou<br />
stejné. Napětí U E na společných emitorech tranzistorů T 1 a T 2 (vůči zemi) je tedy<br />
U<br />
E<br />
0 U<br />
1 0,<br />
6 V<br />
BE<br />
Napětí na odporu R E je<br />
U<br />
RE<br />
U<br />
E<br />
U<br />
CC<br />
15 14,<br />
V<br />
0, 6 4<br />
Proud odporem R E je<br />
I<br />
RE<br />
U<br />
RE<br />
R<br />
E<br />
50010<br />
3 <br />
28,<br />
8 A<br />
14, 4<br />
<br />
Kolektory obou tranzistorů (shodných vlastností) proto prochází proud<br />
tomu odpovídá úbytek napětí na odporu R C (předpokládáme velkou hodnotu β):<br />
I 2 14,<br />
4 A<br />
,<br />
RE<br />
U<br />
RC<br />
R<br />
C<br />
I<br />
RE<br />
2 50010<br />
3<br />
6<br />
14, 410<br />
7,2 V<br />
Nyní již můžeme určit, že výstupní napětí je<br />
U<br />
0 UCC UR<br />
UBE3<br />
UBE4<br />
,<br />
C<br />
157, 2 0,<br />
6 0,<br />
6 6 6 V<br />
a napětí na odporu R D<br />
U U 6, 6 15 21,<br />
6V<br />
a proud odporem R D<br />
R 0 U CC <br />
<br />
D<br />
4 <br />
I RD U RD RD<br />
21, 6 10 2,<br />
16 mA<br />
Proud I RD je současně i kolektorový proud tranzistoru T 4 .<br />
161
Obvody s více tranzistory<br />
Bázový proud I B3 tranzistoru T 3 je dán vztahem<br />
např.<br />
IB3 IRD<br />
3 4<br />
216<br />
100<br />
3<br />
4<br />
<br />
<br />
2,<br />
1610<br />
10 nA<br />
3<br />
4<br />
To je hodnota podstatně menší než 14,4 μA, koncový stupeň tedy neovlivňuje podstatně vstupní<br />
diferenční stupeň.<br />
+15 V<br />
R C<br />
T 3<br />
a<br />
U BE3 T 4<br />
T 1<br />
T 2<br />
U BE4<br />
E<br />
U BE1<br />
U BE2<br />
b<br />
U RC<br />
R D U RD<br />
U RE<br />
R E<br />
U E<br />
o<br />
U o<br />
-15 V<br />
Obr. d): Zapojení k úkolu d)<br />
Pro úplnost můžeme určit i proudy vstupů (a) a (b) – tedy bázové proudy tranzistorů T 1 a T 2 .<br />
Předpokládejme opět, že β 1 = β 2 = 100, potom<br />
6<br />
IRE<br />
2 14,<br />
410<br />
Ia Ib<br />
144<br />
nA<br />
100<br />
1<br />
(to je opravdu typický vstupní proud běžných operačních zesilovačů s BJT).<br />
Všimněte si, že diferenční (operační) zesilovač neměl ani v jednom z uvedených příkladů<br />
nastavený očekávaný pracovní bod – nulové výstupní napětí. Vhodný pracovní bod je nastaven jen<br />
tehdy, když je umožněn průchod bázových proudů Ia<br />
I<br />
a Ib<br />
I<br />
a když je zavedena<br />
stejnosměrná záporná zpětná vazba – viz úkol e).<br />
e) Předpokládejme, že před připojením napětí U + (skoková změna) byl zesilovač ve stavu U 0 = 0.<br />
V každé elektronické struktuře jsou kapacity (nejběžněji funkční korekční kapacita C K pro<br />
zajištění frekvenční stability; ale vždy jsou také obsaženy nějaké parazitní kapacity). Proto se<br />
nemůže výstupní napětí změnit skokem – obr. f).<br />
Po připojení napětí U + je<br />
Ale napětí<br />
U<br />
E U U<br />
BE 1 <br />
1<br />
0, 6 0,<br />
4V<br />
162
U<br />
U<br />
R<br />
U<br />
U<br />
<br />
0,4 V<br />
0 1<br />
BE 2 U<br />
R1<br />
U<br />
E BE1<br />
<br />
R1<br />
R2<br />
U0<br />
0<br />
Obvody s více tranzistory<br />
Obr. e): Zapojení k úkolům e) a f).<br />
a<br />
o<br />
U a<br />
b<br />
R 2 ; 100k<br />
R 1<br />
100k<br />
U 0<br />
Tranzistor T 2 je proto zavřený, všechen proud přes odpor R C nabíjí korekční kapacitu C K . Napětí<br />
na C K narůstá, proto narůstá i napětí U o . Jde o časovou funkci, platí<br />
u<br />
t<br />
u<br />
t<br />
R<br />
<br />
U<br />
U<br />
<br />
prodané<br />
u0<br />
2<br />
t<br />
<br />
0 1<br />
BE 2 BE1<br />
,<br />
R1<br />
R2<br />
podmínky<br />
Když dosáhne napětí u BE 2<br />
(t)<br />
režimu – otevírá se – děj se ustálí. Ustálí se takové napětí<br />
0 4<br />
hodnoty v okolí 0,6 V, tranzistor T 2 se dostává do aktivního<br />
U BE 2<br />
, aby platilo<br />
kde<br />
U<br />
d<br />
U<br />
U<br />
<br />
U<br />
U<br />
BE<br />
BE 1<br />
BE 2<br />
U<br />
BE<br />
U<br />
R<br />
U<br />
U<br />
1 2<br />
1<br />
R R<br />
d<br />
<br />
2<br />
0<br />
R<br />
1<br />
1<br />
je právě to diferenční napětí, které je potřebné pro udržení výstupního napětí U o v reálné zesilovací<br />
struktuře. Podíl<br />
U<br />
0<br />
U<br />
d <br />
A<br />
definuje napěťové zesílení (diferenční) reálného operačního zesilovače.<br />
Nyní můžeme vyjádřit diferenční napětí pomocí napětí výstupního a zesílení:<br />
U d U 0 A<br />
a dosadit do předchozího vztahu:<br />
U0<br />
U0<br />
R1<br />
U <br />
A R R<br />
1<br />
2<br />
Úpravou získáme vztah pro zesílení zapojení na obr. e) – neinvertující zapojení OZ:<br />
163
Obvody s více tranzistory<br />
U0<br />
1 R1<br />
R2<br />
1 R2<br />
<br />
<br />
1<br />
U 1 R R R1<br />
R<br />
<br />
1<br />
<br />
<br />
1<br />
2<br />
<br />
1<br />
R1<br />
A R1<br />
R2<br />
A<br />
R1<br />
Pro dané hodnoty je<br />
U <br />
5<br />
10 <br />
0<br />
1<br />
1<br />
1<br />
<br />
2<br />
U<br />
<br />
5<br />
5 5<br />
10<br />
<br />
<br />
110<br />
10 1<br />
2 A<br />
1<br />
A<br />
Bude-li<br />
A → ∞, U 0 = 2 V, tedy U R1 = 1 V , U d = U BE1 – U BE2 = 0.<br />
To je ideální stav.<br />
<br />
<br />
1<br />
1<br />
1<br />
R2<br />
A<br />
R<br />
1<br />
f) Zesílení A U0<br />
Ud<br />
lze orientačně určit z úvah z bodu a). Zde jsme určili, že pro malé signálové<br />
změny je u<br />
u u<br />
<br />
d<br />
u<br />
0<br />
a<br />
b<br />
ud<br />
R<br />
2 r<br />
e<br />
C<br />
platí proto<br />
<br />
A R C 2 r e<br />
<br />
Je-li: U 1V,<br />
je<br />
<br />
U 1U<br />
0,4 V, U U<br />
U<br />
0, 415 15,<br />
4V<br />
E<br />
BE<br />
1<br />
RE<br />
E<br />
CC<br />
proud odporem R E je<br />
I U 5 10<br />
5 A<br />
RE<br />
RE<br />
30, 8 <br />
kolektorový proud tranzistorů I C je roven polovině této hodnoty – tedy 15,4 μA. Nyní již můžeme určit<br />
strmost tranzistoru<br />
r U<br />
e<br />
T<br />
I<br />
C<br />
2610<br />
Pro dané hodnoty dostaneme<br />
3<br />
A R C r<br />
15,<br />
410<br />
6<br />
1688<br />
5<br />
2<br />
<br />
510<br />
21688 148<br />
e<br />
Ze schématu vyplývá, že z uvedené jednoduché konstrukce se budou proudové poměry – a<br />
tedy i zesílení A – měnit podle úrovně stejnosměrné složky na vstupu operačního zesilovače (vstupní<br />
souhlasné napětí). Tyto změny bude sice do jisté míry kompenzovat záporná zpětná vazba, nejsou<br />
však vítány. Řešení tohoto problému je použití proudových zdrojů, princip viz obr. g).<br />
Primární proud definuje v tomto jednoduchém případě odpor R I :<br />
I U<br />
U<br />
U<br />
R<br />
I<br />
CC CC<br />
2<br />
BE<br />
Jeden PNP tranzistor T c „kopíruje“ tento proud „jedenkrát“ do kolektoru T 2 .<br />
Dva NPN tranzistory T d , T e proud zdvojí pro emitory tranzistorů T 1 a T 2 .<br />
164
Obvody s více tranzistory<br />
U CC+<br />
T a<br />
T c<br />
≈ I I<br />
T 3<br />
R I<br />
U d<br />
+<br />
-<br />
T 1<br />
T 2<br />
T 4<br />
o<br />
U 0<br />
I I<br />
R D<br />
≈ 2I I<br />
T d<br />
T b<br />
T e<br />
≈ I I<br />
U CC-<br />
Obr. g): Zapojení proudový zdrojů I I a 2·I I<br />
Všechny předchozí úvahy platí s tím, že R C je nyní definován výstupním odporem zdroje proudu<br />
I I . Odpor R E representuje výstupní odpor zdroje proudu 2I I . Pokud by se podařilo realizovat tyto<br />
zdroje (při stejných pracovních bodech jako v předchozích úvahách) s výstupním odporem asi 10 MΩ,<br />
dosáhneme zesílení<br />
A R C r<br />
7<br />
2<br />
10<br />
21688 2 962<br />
e<br />
(odpovídá tomu realizovatelná hodnota Earlyho napětí U A = 150 V, potom odpor mezi kolektorem a<br />
editorem<br />
6<br />
15,<br />
410<br />
<br />
9,<br />
M<br />
rCE U<br />
A IC<br />
150<br />
74<br />
Poznámka:<br />
Korekční kapacita C K (a parazitní kapacity) ovšem způsobují i degradaci zesílení<br />
v závislosti na frekvenci. V kolektoru tranzistoru T 2 je ze signálového hlediska přibližně<br />
kolektorová impedance tvořená paralelní kombinací odporu R C a kapacity C K :<br />
Zˆ<br />
C<br />
<br />
Vztah z bodu a)<br />
R<br />
R<br />
C<br />
C<br />
1<br />
1<br />
<br />
<br />
jC<br />
jC<br />
K<br />
K<br />
<br />
<br />
<br />
RC<br />
1<br />
jC<br />
K<br />
R<br />
C<br />
R<br />
C<br />
<br />
<br />
1 R<br />
j<br />
1<br />
ud<br />
RC<br />
u0<br />
2 re<br />
se musí upravit pro ustálený harmonický stav do podoby<br />
Uˆ<br />
o Zˆ<br />
C RC<br />
C<br />
C<br />
Aˆ<br />
<br />
<br />
Ao<br />
<br />
Uˆ<br />
d<br />
2re<br />
2re<br />
j<br />
C<br />
j<br />
C<br />
kde<br />
CK<br />
<br />
C<br />
RC<br />
<br />
C<br />
K RC<br />
j<br />
C<br />
C<br />
165
Obvody s více tranzistory<br />
RC<br />
Ao<br />
2 re<br />
je původní stejnosměrná hodnota zesílení z bodu a).<br />
Tomu odpovídá modulová charakteristika na obrázku h). V praxi většinou operační zesilovače pracují<br />
na frekvencích ω » C (a C<br />
2 fC<br />
; f C = 1 až 50 Hz). Potom<br />
Aˆ<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
C<br />
A<br />
o<br />
C<br />
T<br />
T<br />
e<br />
j<br />
j<br />
<br />
<br />
<br />
j<br />
2<br />
Výraz T 2 fT<br />
Ao<br />
C je tzv. extrapolovaný tranzitní kmitočet; udává frekvenci na které je<br />
modul přenosu roven právě 1 (0 dB). Hodnota f T je udávána výrobcem v katalogu.<br />
A<br />
(dB)<br />
-20 dB/dec<br />
0 ω C ω T ω<br />
Obr. f) Modulová kmitočtová charaktetistika reálného OZ<br />
Řešení:<br />
Příklad 5.8<br />
Určete orientačně hodnotu napěťové zesílení kaskádního zapojení dvou tranzistorů z<br />
obrázku (při výpočtu zanedbejte vliv vazebních kapacitorů). Vlastnosti tranzistorů jsou:<br />
FET (T 1 ) : I DSS = 10 mA, U P = - 3,5 V a U A = 250 V;<br />
BJT (T 2 ) : β = 150, U BE 0,7 V, U A = 350 V<br />
Hodnoty odporů v zapojení jsou:<br />
R G = 1MΩ, R S = 130 Ω, R D = 1,5 kΩ, R E = 2,7 kΩ, R Z = 2,2 kΩ;<br />
Hodnota stejnosměrného napájení: U CC = 15 V<br />
Pracovní body tranzistorů : Pro tranzistor T 1 platí:<br />
2<br />
U <br />
<br />
1<br />
<br />
GS<br />
I D I DSS<br />
<br />
U P <br />
Dále platí, že U S = – U GS (proud řídící elektrodou G, a tedy i odporem R G , považujeme za nulový)<br />
a proto<br />
I<br />
D<br />
I<br />
S<br />
U<br />
S<br />
R<br />
S<br />
U<br />
GS<br />
R<br />
S<br />
166
Obvody s více tranzistory<br />
U CC<br />
I D<br />
G<br />
R D<br />
C<br />
B<br />
T 1<br />
D U BE<br />
E<br />
U DS<br />
U 2<br />
T 2<br />
U CE<br />
C 2<br />
U 1<br />
U G<br />
R i C 1<br />
R E R Z<br />
U GS<br />
S<br />
R G I S R S<br />
U S<br />
Obr.: Schéma zapojení k příkladu 5.8<br />
Po dosazení dostaneme<br />
<br />
U 3<br />
<br />
1010<br />
<br />
1<br />
U GS GS<br />
130 3,<br />
5<br />
<br />
<br />
<br />
2<br />
<br />
U GS<br />
<br />
0,<br />
7833 V<br />
15,<br />
64 V<br />
Fyzikální význam má pouze kořen U GS = -0,7833 V, druhý kořen kvadratické rovnice (U GS = -<br />
15,64 V) nemá fyzikální význam – tranzistor je úplně zavřený.<br />
Pracovní proud I D tranzistoru T 1 :<br />
3 0,<br />
7833<br />
I D 10 <br />
<br />
10 1<br />
I D 6,<br />
0249 mA<br />
3,<br />
5<br />
<br />
<br />
2<br />
Pro určení pracovního bodu tranzistoru T 2 nakreslíme náhradní schéma – obrázku náhradního<br />
schématu zapojení pro určení pracovního bodu T 1 . Platí<br />
U CC<br />
R D<br />
I B<br />
I C<br />
I E<br />
T 2<br />
U CE<br />
U BE<br />
C 2<br />
I D<br />
RE<br />
Obr.: Náhradní schéma zapojení pro určení pracovního bodu T 1<br />
I<br />
E<br />
B<br />
C<br />
B<br />
B<br />
<br />
<br />
I B<br />
I I I I 1<br />
167
Podle 2. Kirchhoffova zákona platí:<br />
U<br />
CC<br />
R<br />
D<br />
<br />
15 1500 <br />
ID<br />
I<br />
B<br />
UBE<br />
RE<br />
IE<br />
3<br />
6, 025 10<br />
I<br />
<br />
0,<br />
7 2700 1 I I 12,<br />
86 A<br />
B<br />
B<br />
B<br />
Obvody s více tranzistory<br />
Hodnota kolektorového proudu je<br />
I<br />
C<br />
I<br />
B<br />
15012,8610<br />
6<br />
1,94<br />
mA<br />
Je vhodné zkontrolovat pracovní body tranzistorů:<br />
T 2 :<br />
<br />
U 15 2700 194 , 10<br />
3 CE U<br />
CC RE<br />
I E 9,<br />
762 V – toto napětí je mezi kolektorem a<br />
emitorem, je určitě větší než je napětí saturační, tranzistor je v aktivní oblasti.<br />
T 1 :<br />
U<br />
DS<br />
U<br />
CC<br />
R<br />
D<br />
15<br />
1,5<br />
10<br />
<br />
<br />
I<br />
3<br />
D<br />
<br />
I<br />
B<br />
<br />
R I<br />
S<br />
D<br />
<br />
3<br />
6<br />
3<br />
6,02510<br />
12,8610<br />
<br />
6,02510<br />
130<br />
5,36 V<br />
U FETu také ověříme, zda se pracovní bod nachází v saturační oblastí – (nezaměňovat se<br />
saturací bipolárních tranzistorů):<br />
U<br />
U<br />
DS<br />
DS sat<br />
5,36 V<br />
U<br />
GS<br />
U<br />
P<br />
0,7833<br />
3,3<br />
<br />
<br />
2,717 V<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
U<br />
DS sat<br />
U<br />
DS<br />
Oba tranzistory se nacházejí ve vhodné pracovní oblasti, jejich malosignálové vlastnosti – viz obrázek<br />
náhradního signálového schématu (vliv U A při orientačním výpočtu zanedbáme).<br />
g<br />
mT<br />
1<br />
2<br />
I D<br />
<br />
U U<br />
GS<br />
P<br />
<br />
26,<br />
02510<br />
0,<br />
7833<br />
3,<br />
5<br />
<br />
3<br />
<br />
4,<br />
435mS<br />
D<br />
B<br />
C<br />
R i<br />
G<br />
R D<br />
0 V<br />
r e<br />
E i<br />
0 V<br />
S i<br />
u D<br />
E<br />
R G<br />
r m<br />
u 1<br />
S<br />
R e<br />
R Z<br />
R S<br />
u 2<br />
Obr. Náhradní signálové schéma obvodu z příkladu 5.8<br />
168
Obvody s více tranzistory<br />
r<br />
e<br />
<br />
U<br />
I<br />
T<br />
E<br />
<br />
2610<br />
3<br />
1,<br />
95310<br />
3<br />
13,<br />
31 <br />
Napěťové zesílení:<br />
A<br />
U<br />
A<br />
U T<br />
A U určíme jako součin zesílení jednotlivých stupňů:<br />
A<br />
U<br />
1<br />
T 2<br />
V emitoru (interním) tranzistoru T 2 je celkový odpor<br />
R<br />
Ei<br />
RE<br />
RZ<br />
2 700 2 200<br />
re<br />
13 , 31<br />
1 225,<br />
55 <br />
R R<br />
2 700 2 200<br />
E<br />
Z<br />
Tomu odpovídá signálový vstupní odpor v bázi tranzistoru T 2<br />
R 1501225,55183832<br />
bi R Ei<br />
Celkový signálový odpor vývodu D proti zemi je tvořen paralelní kombinací odporu R D a odporu R bi :<br />
R <br />
<br />
<br />
D Rbi<br />
183 832 1500<br />
R D <br />
1 487,<br />
86 <br />
R R 183 832 1500<br />
D<br />
bi<br />
Nyní již můžeme (pro signálové změny) určit, že<br />
u RG<br />
r<br />
<br />
RG<br />
Ri<br />
R<br />
<br />
R<br />
u<br />
R<br />
1<br />
1<br />
uD<br />
<br />
D <br />
Ri<br />
R<br />
m S<br />
G rm<br />
S<br />
R<br />
D<br />
<br />
A<br />
UT<br />
1<br />
u<br />
D<br />
u<br />
1<br />
<br />
RD<br />
r R<br />
m<br />
S<br />
<br />
RD<br />
1 g R<br />
m<br />
S<br />
A<br />
UT<br />
1<br />
<br />
1<br />
1 487,<br />
86<br />
4,<br />
435 10<br />
3<br />
130<br />
<br />
1 487,<br />
86<br />
225,<br />
5 130<br />
4,<br />
185<br />
Pokud by na obrázku v zadání příkladu 5.8 byl odpor R S přemostěn kondenzátorem, nahradíme<br />
v obrázku náhradního signálového schématu odpor R S zkratem (nulový signálový odpor). Za této<br />
situace je zesílení prvního stupně<br />
A<br />
U T<br />
1<br />
R<br />
r<br />
1 487,<br />
86<br />
225,<br />
5<br />
D<br />
R<br />
0 6,<br />
598<br />
S<br />
Z poměrů v signálovém schématu také určíme, že<br />
u 2<br />
u<br />
D<br />
<br />
Re<br />
r R<br />
e<br />
e<br />
m<br />
<br />
R<br />
e<br />
<br />
R<br />
R<br />
E<br />
E<br />
RZ<br />
R<br />
Z<br />
<br />
A<br />
U T<br />
2<br />
u<br />
2<br />
u<br />
D<br />
<br />
1<br />
1<br />
r<br />
e<br />
R<br />
e<br />
<br />
1<br />
113,<br />
31 1 212,<br />
24<br />
0,<br />
989<br />
Nyní již můžeme určit, že<br />
A<br />
U<br />
R<br />
130<br />
A A 4, 1850,<br />
989 4,<br />
139<br />
S<br />
U T<br />
1<br />
U T<br />
2<br />
169
Obvody s více tranzistory<br />
A<br />
U<br />
( R 0)<br />
A A 6,<br />
5980,<br />
989 6,<br />
525<br />
S<br />
U T<br />
1<br />
U T<br />
2<br />
Vstupní odpor struktury je prakticky určen odporem R G .<br />
Výstupní odpor celé struktury je tvořen výstupním odporem emitorového sledovače. Pokud by<br />
byl tento buzen z ideálního zdroje napětí, byl by výstupní odpor určen paralelním řazením r e a R e , tedy<br />
hodnotou<br />
13,<br />
311212,<br />
24<br />
13,<br />
311212,<br />
24<br />
1317 , <br />
V zapojení na obrázku k příkladu 5.8 je ovšem buzen ze zdroje napětí s výstupním odporem<br />
přibližně R D . Potom je výstupní odpor emitorového sledovače větší, určen vztahem (R V → R D ;<br />
nezahrnujeme vliv odporu zátěže – což je v této situaci správné)<br />
R<br />
out SC<br />
r<br />
e<br />
<br />
<br />
<br />
1<br />
RV<br />
β re<br />
<br />
11<br />
β re<br />
RE<br />
RV<br />
β RE<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
11500<br />
15013,<br />
3<br />
13,<br />
3<br />
11 150 13,<br />
3 2700 1500<br />
1502700<br />
Pokud bychom uvažovali i vliv U A , určíme, že<br />
1 UA<br />
250<br />
rd T <br />
41,<br />
494k<br />
1<br />
3<br />
g I 6,<br />
02510<br />
dT<br />
1<br />
D<br />
<br />
<br />
22,<br />
95 <br />
Hodnota odporu<br />
zmenšilo.<br />
R D by byla ještě zmenšena paralelním přiřazením<br />
r d T 1<br />
, celkové zesílení by se<br />
Příklad 5.9<br />
Určete napěťové zesílení kaskodového zesilovače na obrázku s parametry tranzistorů:<br />
T 1 (FET): U P = - 4 V, I DSS = 5 mA, U A = 200 V<br />
T 2 (BJT): = 200, U A = 250 V<br />
Jsou zadány hodnoty:<br />
R B 4,7 k,<br />
R B 3,9 k,<br />
3,9<br />
k,<br />
1<br />
2<br />
R C<br />
R 600, R G 470 k,<br />
R S 2 , 2 k<br />
i<br />
U 0,6 V, U 15V<br />
.<br />
BE<br />
CC<br />
170
Obvody s více tranzistory<br />
U CC<br />
I C<br />
R<br />
R C<br />
B1<br />
C B<br />
C<br />
B<br />
T 2<br />
U 1 R i<br />
G<br />
T 1 D<br />
E<br />
R B2<br />
U BE<br />
I D<br />
U GS<br />
S<br />
R G R S<br />
C S<br />
3<br />
RB2 3,<br />
910<br />
U B UCC<br />
15<br />
3<br />
RB1<br />
RB2<br />
4,<br />
7 3,<br />
910<br />
6,<br />
8 V<br />
U E UB<br />
UBE<br />
6, 8 0,<br />
6 6,<br />
2V<br />
2<br />
I D I DSS 1<br />
UGS<br />
U P , UGS<br />
RS<br />
I D<br />
2<br />
2 R 2<br />
1 <br />
<br />
S<br />
R<br />
<br />
<br />
S<br />
I D ID<br />
<br />
1<br />
0<br />
UP<br />
UP<br />
IDSS<br />
<br />
1,<br />
004 m<br />
2<br />
302500 I D 1300<br />
ID<br />
1<br />
0 I D <br />
3,<br />
294 m<br />
I D 1,004<br />
mA<br />
Obr. k příkladu 5.9: Kaskodové zapojení FETu a bipolárního tranzistoru (BJT)<br />
Řešení:<br />
Nejdříve určíme pracovní body tranzistorů.<br />
Napětí na bázi tranzistoru T 2 je<br />
Stejnosměrné napětí U E na emitoru T 2 pak je<br />
Pro T 1 musí platit<br />
Fyzikální smysl má řešení<br />
S I D<br />
2,209V<br />
171<br />
U 2<br />
A<br />
A<br />
. Nyní můžeme určit, že:
Obvody s více tranzistory<br />
U<br />
GS<br />
U<br />
G<br />
R I<br />
S<br />
D<br />
3,326V<br />
U<br />
U<br />
DS T<br />
1<br />
DS sat<br />
U<br />
E<br />
U<br />
R<br />
GS<br />
S<br />
I<br />
U<br />
D<br />
P<br />
6,<br />
2 2,<br />
209 4 V<br />
<br />
2,<br />
209 4<br />
<br />
1,791 V<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
U<br />
DS sat<br />
U<br />
DS<br />
Zanedbáme-li proud báze 1<br />
T 2 je<br />
IC I D<br />
U<br />
CE<br />
U<br />
CC<br />
U<br />
E<br />
R<br />
C<br />
I<br />
D<br />
156, 23,<br />
9 4,<br />
9V<br />
U 4,9 V – znamená, že i tranzistor T 2 je v aktivní pracovní oblasti.<br />
CE<br />
Nyní určíme pro tranzistor T 1 parametry modelu:<br />
2 I D 2 10<br />
gmT<br />
<br />
1,<br />
117 mS<br />
1<br />
U U<br />
2,<br />
209 4<br />
GS<br />
P<br />
3<br />
1 U A 200<br />
rd T 200k<br />
1<br />
3<br />
g I 10<br />
dT<br />
Parametry modelu tranzistoru T 2 jsou<br />
1<br />
D<br />
1 IC<br />
10<br />
geT<br />
38, 46 mS<br />
2<br />
3<br />
r U 2610<br />
e<br />
T<br />
3<br />
1 U A 250<br />
rd T 250k<br />
2<br />
3<br />
g I 10<br />
dT<br />
2<br />
C<br />
<br />
<br />
Nyní nakreslíme signálový model struktury, zanedbáme odpor R i (600 ) a R G (řádově MΩ).<br />
Vstupním (známým) signálem je napětí U i U 1 , proud I 1 je v tomto ideálním případě nulový.<br />
U i<br />
G<br />
I 1<br />
rm 1 g m<br />
D<br />
S<br />
U i<br />
U<br />
r 1 g<br />
i<br />
e<br />
r<br />
m<br />
e<br />
g<br />
m<br />
U<br />
i<br />
E<br />
C<br />
B<br />
gm U i<br />
R C U 2<br />
Obrázek signálového modelu struktury k příkladu 5.9 – není zahrnut vliv U A<br />
napětí<br />
Ze zjednodušeného signálového modelu (zanedbáme vliv U A , tedy<br />
r dT 1<br />
a<br />
r dT 2<br />
) je výstupní<br />
172
Obvody s více tranzistory<br />
U<br />
g g g<br />
mT U1<br />
2<br />
mT1<br />
m<br />
1<br />
Napěťové zesílení (přenos) tedy je<br />
U<br />
U<br />
2<br />
1<br />
<br />
U<br />
U<br />
2<br />
i<br />
g<br />
mT<br />
1<br />
R<br />
C<br />
R<br />
C<br />
3<br />
3<br />
1117<br />
, 10<br />
3,<br />
9 10<br />
4,<br />
356<br />
Parametr<br />
geT<br />
ge<br />
38, 46 mS<br />
se při daných zjednodušeních neuplatňuje.<br />
1<br />
Shrnutí<br />
Tato kapitola shrnuje Vaše dosavadní poznatky o tranzistorových obvodech. Nejsou k ní<br />
žádné otázky ani kontrolní příklady k řešení. Doporučujeme, abyste si všechny příklady samostatně<br />
pečlivě propočítali a promysleli. V případě jakýchkoliv nejasností se vraťte k základním zapojením<br />
s jedním tranzistorem. Po zopakování se pokuste řešit problém znovu.<br />
Korespondenční úkol<br />
Bude zadán vyučujícím z množiny příkladů určených k samostatnému řešení.<br />
173
Parazitní kapacity<br />
6 Vliv parazitních kapacit bipolárního tranzistoru<br />
Čas ke studiu: 3 hodiny<br />
Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět posoudit vliv parazitní kapacity<br />
kolektor-báze bipolárního tranzistoru v zapojení:<br />
se společným emitorem (SE)<br />
se společným kolektorem (SC)<br />
se společnou bází (SB)<br />
VÝKLAD<br />
Pro vyšší pracovní frekvence již jednoduchý model bipolárního tranzistoru na obr. 3.13 není<br />
dostatečný. Vlastnosti tranzistoru degradují. Pro běžné situace má největší vliv kapacita zavřeného<br />
přechodu báze – kolektor – C CB . Je závislá na pracovním bodu a výrobci ji většinou uvádějí (běžně<br />
jednotky pF). Náhradní schéma rozšířené o vliv C CB je na obr. 6.1.<br />
C<br />
C CB<br />
B<br />
E i<br />
u CE<br />
u BE<br />
r e<br />
E<br />
Obr. 6.1: Náhradní (signálový) model tranzistoru, zahrnutý vliv kapacity C CB<br />
Doplněním kapacity C CB do modelu se nic nezmění na předchozích úvahách o nastavení<br />
pracovního bodu a určení r e .<br />
Prozkoumejme vliv C CB v jednotlivých zapojeních. Budeme uvažovat jen signálové modely<br />
bez odporového děliče R A , R B – viz např. obr. 3.20 (kap 3), jeho vliv snadno dopočítáme (paralelní<br />
zapojení).<br />
174
Parazitní kapacity<br />
6.1 Vliv kapacity C CB v zapojení SE<br />
Vyjdeme ze signálového schématu na obr. 3.23c) – signálové schéma zapojení SE s<br />
externím odporem R C a externím proměnným emitorovým odporem R E → už modelujeme situaci pro<br />
střídavý signál – jenž doplníme kapacitou C CB – viz obr. 6.2. Budeme řešit ustálený harmonický stav,<br />
tzn. budeme pracovat s fázory proudů a napětí.<br />
Stále platí: U ˆ BEi 0,<br />
Iˆ<br />
ˆ<br />
C i I B i , Iˆ<br />
ˆ<br />
C i I E .<br />
Dále platí<br />
Iˆ<br />
E<br />
Iˆ<br />
B i<br />
Iˆ<br />
C i<br />
<br />
Iˆ<br />
B Iˆ<br />
C B <br />
Iˆ<br />
C Iˆ<br />
C B <br />
Iˆ<br />
C Iˆ<br />
B<br />
Ze signálového modelu odvodíme, že:<br />
C CB<br />
C<br />
Î C<br />
B<br />
Î CB<br />
Î B i<br />
Î ci<br />
Û B<br />
Î B<br />
0 V<br />
E i<br />
Û 2 = - R C·Î C<br />
Î E<br />
r e<br />
E<br />
R e<br />
û e<br />
Obr. 6.2: Zapojení SE (s externím emitorovým odporem R E ) – vliv kapacity<br />
C CB – signálový model (v ustáleném harmonickém stavu)<br />
I ˆ<br />
Iˆ<br />
E<br />
C B<br />
U ˆ<br />
B<br />
<br />
r<br />
e<br />
R<br />
e<br />
<br />
U<br />
ˆ Uˆ<br />
Zˆ<br />
j C U<br />
ˆ Uˆ<br />
<br />
<br />
B<br />
2<br />
C<br />
C B<br />
B<br />
2<br />
U<br />
ˆ 2<br />
R<br />
C<br />
Iˆ<br />
C<br />
R<br />
C<br />
<br />
uvažujeme<br />
Iˆ<br />
Iˆ<br />
<br />
<br />
Ci<br />
C B<br />
1;<br />
Iˆ<br />
C i Iˆ<br />
E<br />
Uˆ<br />
U<br />
2<br />
ˆ 2<br />
Uˆ<br />
<br />
R<br />
<br />
B<br />
ˆ ˆ<br />
C<br />
j<br />
CC B U B j<br />
CC<br />
B U 2 <br />
re<br />
Re<br />
<br />
<br />
RC<br />
1<br />
jR<br />
C<br />
Uˆ<br />
1<br />
jr<br />
R <br />
C<br />
CB<br />
r<br />
e<br />
R<br />
e<br />
B<br />
e<br />
e<br />
C<br />
CB<br />
<br />
175
Parazitní kapacity<br />
ˆ 2<br />
U<br />
Uˆ<br />
B<br />
<br />
r<br />
e<br />
R<br />
C<br />
R<br />
e<br />
<br />
<br />
1<br />
j<br />
r<br />
e<br />
R<br />
1<br />
jR<br />
C<br />
e<br />
C<br />
<br />
C<br />
C B<br />
C B<br />
(6.1)<br />
Vztah (6.1) popisuje napěťový přenos z báze (B) do kolektoru (C) tranzistoru. Formální<br />
úpravou vztahu získáme vztah<br />
kde<br />
Aˆ<br />
Uˆ<br />
R<br />
1<br />
j<br />
<br />
2<br />
C<br />
n<br />
U SER <br />
(6.1b)<br />
Uˆ<br />
B<br />
re<br />
Re<br />
1<br />
j<br />
3<br />
<br />
<br />
3 1 RC C CB<br />
(6.2)<br />
je pól přenosu a<br />
<br />
n<br />
RC<br />
1 RC<br />
<br />
R C<br />
<br />
3<br />
1 r e E CB<br />
<br />
(6.3)<br />
r R R C<br />
r R<br />
e<br />
e<br />
C<br />
CB<br />
e<br />
e<br />
je nula přenosu<br />
Chceme-li sestrojit modulovou (amplitudovou) kmitočtovou charakteristiku pak pro jednotlivé<br />
frekvence můžeme psát:<br />
RC<br />
0 (velmi nízké frekvence): A ˆ U SER 0 <br />
r R<br />
3 :<br />
n<br />
Aˆ<br />
U SER<br />
<br />
r<br />
e<br />
R<br />
C<br />
R<br />
e<br />
1<br />
<br />
1<br />
j <br />
3<br />
e<br />
e<br />
: Aˆ<br />
<br />
<br />
3<br />
U SER<br />
3<br />
<br />
r<br />
e<br />
R<br />
C<br />
R<br />
e<br />
<br />
1<br />
1<br />
j<br />
<br />
3<br />
<br />
r<br />
e<br />
R<br />
C<br />
R<br />
e<br />
<br />
1<br />
1<br />
j<br />
Modul napěťového přenosu pak je: Aˆ<br />
<br />
<br />
U SER<br />
R<br />
C<br />
3 <br />
re<br />
Re<br />
1<br />
2<br />
Vyjádříme-li jej v dB pak získáme výraz:<br />
<br />
ˆ<br />
R<br />
1<br />
R<br />
20 log AU SER 3<br />
3<br />
r <br />
<br />
e Re<br />
2 <br />
re<br />
Re<br />
Na frekvenci 3<br />
C<br />
<br />
C<br />
20<br />
log 20<br />
log 20<br />
log <br />
poklesne zesílení o 3 dB pod ideální hodnotu 20 logR r<br />
R <br />
C<br />
e<br />
e<br />
<br />
<br />
3 n :<br />
A ˆ<br />
U SER<br />
<br />
r<br />
e<br />
R<br />
C<br />
R<br />
e<br />
<br />
3 RC<br />
3<br />
j<br />
j<br />
r<br />
e<br />
R<br />
e<br />
<br />
<br />
Zvětšíme-li desetkrát, zmenší se přenos o 20 dB.<br />
: A ˆ 1<br />
přenos 0 dB<br />
U SER<br />
176
Parazitní kapacity<br />
Pro 3<br />
Pro vysoké frekvence je přechod C-B „zkratován” kondenzátorem C CB , Uˆ B<br />
proniká<br />
na kolektor „přímo” přes C CB – hovoříme o dopředném přenosu – viz obr. 6.3.<br />
ˆ .<br />
můžeme zjednodušeně předpokládat, že výstupní impedance Z0<br />
RC<br />
Uˆ<br />
2<br />
20log<br />
ˆ<br />
U B<br />
3<br />
3<br />
RC<br />
r R<br />
e<br />
e<br />
<br />
Obr. 6.3: Kmitočtová modulová charakteristika napěťového přenosu obvodu<br />
na obrázku 5.2 → 20log<br />
U ˆ U ˆ<br />
2 B<br />
Určeme i vstupní impedanci pro 3<br />
<br />
.<br />
Pro 3<br />
Aˆ<br />
U SER RC<br />
re<br />
Re<br />
. Takže vstupní impedance bez vlivu Î C B (C CB ) je<br />
Zˆ<br />
iB<br />
Uˆ<br />
<br />
B<br />
Iˆ<br />
B<br />
<br />
Uˆ<br />
Iˆ<br />
E<br />
B<br />
<br />
<br />
<br />
Uˆ<br />
B<br />
Uˆ<br />
<br />
e<br />
B<br />
r R<br />
Nyní určíme vliv C CB . Situace je nakreslena pro 3<br />
<br />
e<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
na obr. 6.4<br />
re<br />
Re<br />
<br />
Rib<br />
C CB<br />
B<br />
Û B<br />
B<br />
Û<br />
R<br />
C<br />
2<br />
Û<br />
B<br />
re<br />
R<br />
e<br />
≡<br />
C MK<br />
Obr. 6.4: Millerův jev (kapacita C MK )<br />
Platí:<br />
Iˆ<br />
C B<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
ˆ<br />
<br />
<br />
<br />
B<br />
2 j CC D U B j CC D U<br />
B <br />
j C<br />
<br />
2<br />
1<br />
C D<br />
Uˆ<br />
<br />
1<br />
1 <br />
<br />
B<br />
Uˆ<br />
<br />
<br />
<br />
ˆ<br />
<br />
<br />
Aˆ<br />
U SE R<br />
<br />
Ekvivalentní vstupní impedance kapacity C CB (vůči zemní svorce) určíme pomocí<br />
zobecněného Ohmova zákona jako<br />
177
Parazitní kapacity<br />
Zˆ<br />
ekv<br />
<br />
Uˆ<br />
Iˆ<br />
B<br />
C B<br />
<br />
jC<br />
C D<br />
<br />
1<br />
1<br />
<br />
A<br />
U SE R<br />
<br />
Tomu odpovídá ekvivalentní kapacita proti zemi<br />
<br />
<br />
RC<br />
Aˆ<br />
U SER CC D <br />
re<br />
Re<br />
<br />
C C 1 1<br />
(6.4)<br />
MK<br />
C D<br />
Tak velkou kapacitu bychom museli zapojit proti zemi, aby měla stejný vliv jako kapacita C CB<br />
(mezi C a B). Jde o tzv. Millerův jev, který byl popsán historicky již u elektronek. Platí zcela obecně<br />
pro jakoukoliv kapacitu zapojenou mezi invertující vstup a výstup kteréhokoliv zesilovače. Napěťový<br />
úbytek na kapacitě C CB je 1 Â U SE R – krát větší než Uˆ B → to vyvolá i odpovídající hodnotu<br />
proudu Î CB .<br />
Výsledná vstupní impedance (její model + napájecí obvod báze vyjádřený hodnotou R V ) je<br />
znázorněna na obr. 6.5.<br />
Ekvivalentní kapacita C MK způsobí, že s rostoucí frekvencí roste proudový odběr ze zdroje napětí<br />
U ˆ<br />
1 , klesá proudový a výkonový zisk struktury. Není-li zdroj U ˆ 1 ideální – tzn. R S 0 , klesá<br />
s rostoucí frekvencí napětí Uˆ<br />
B , protože<br />
Uˆ<br />
ˆ<br />
Zˆ<br />
in<br />
B U1<br />
<br />
(6.6)<br />
RS<br />
Zˆ<br />
in<br />
a to již (nečekaně) na nízkých frekvencích.<br />
R S<br />
<br />
B<br />
Û 1<br />
Û B<br />
R V<br />
C MK<br />
R i b<br />
Obr. 6.5: Impedanční poměry na vstupu zapojení SE;<br />
R S – odpor zdroje napětí Û 1<br />
R V – napájecí obvod báze<br />
C MK – Millerova kapacita<br />
R i b –vstupní odpor báze tranzistoru<br />
178
Parazitní kapacity<br />
6.2 Vliv kapacity C CB v zapojení SC<br />
Vyjdeme ze signálového schématu na obr. 3.27 – signálové schéma zapojení SC – které<br />
doplníme kapacitou C CB – viz obr. 6.6 a). Při této konfiguraci se kapacita C CB projeví pouze ve vstupní<br />
impedanci a to pouze svou hodnotou, protože signálově je spojen „kolektorovým vývodem“ připojen<br />
přímo na zemní (referenční) svorku – nikoliv do obvodu zpětné vazby. Celkově jsou poměry shrnuty<br />
na obr. 6.6 b).<br />
a) b)<br />
C CB<br />
Û B<br />
0 V<br />
E i<br />
r e<br />
Û 1<br />
R S<br />
<br />
Û B<br />
B<br />
R v<br />
C CB<br />
R i b<br />
E<br />
R E<br />
Û 2<br />
Obr. 6.6: a) Signálové schéma zapojení se společným kolektorem – s uvážením vlivu C CB<br />
b) Impedanční poměry na vstupu zapojení SC – se zahrnutím vlivu C CB<br />
Formálně jde na obr. 6.6 b) o totéž, co je na obr. 6.5, pouze místo kapacity C MK stačí přímo<br />
uvažovat kapacitu C CB . Proto dochází k frekvenční degradaci v zapojení se společným kolektorem až<br />
na mnohem vyšších frekvencích – přibližně<br />
emitorem při stejných podmínkách.<br />
Napěťový přenos mezi bází a emitorem pak je<br />
Uˆ 2 Re<br />
<br />
Uˆ<br />
B<br />
re<br />
Re<br />
 U SER<br />
– krát vyšších oproti zapojení se společným<br />
6.3 Vliv kapacity C CB v zapojení SB<br />
Nyní vyjdeme ze struktury signálového schématu na obr. 3.31 – signálové schéma zapojení<br />
SB – které doplníme kapacitou C CB – viz obr. 6.7. Při této konfiguraci kapacita C CB vůbec neovlivňuje<br />
vstupní poměry, je zapojena paralelně k R C . Takže platí<br />
ˆ<br />
ˆ<br />
ˆ<br />
I E IC<br />
U1<br />
r<br />
e<br />
<br />
<br />
<br />
Uˆ<br />
ˆ Iˆ<br />
1<br />
2 C RC<br />
1<br />
jRC<br />
CC B <br />
re<br />
U<br />
<br />
1<br />
R<br />
jR<br />
C<br />
C<br />
C<br />
C B<br />
179
Parazitní kapacity<br />
E<br />
Î e<br />
E i<br />
Î e Î C<br />
Û 1<br />
r e<br />
Û<br />
0 V<br />
2<br />
R R C<br />
E<br />
C CB<br />
Obr. 6.7: Signálové schéma zapojení SB s uvážením vlivu C CB<br />
Pro zesílení platí<br />
kde<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2<br />
1<br />
ˆ<br />
R<br />
1<br />
C<br />
AU SB <br />
(6.7)<br />
re<br />
1<br />
j 3<br />
3 1<br />
R C C CB<br />
Pro 3<br />
:<br />
Aˆ<br />
U SER<br />
<br />
r<br />
e<br />
R<br />
C<br />
R<br />
e<br />
1<br />
<br />
1<br />
j <br />
3<br />
: Aˆ<br />
<br />
<br />
3<br />
U SER<br />
3<br />
<br />
R<br />
r<br />
C<br />
e<br />
<br />
1<br />
1<br />
j<br />
<br />
R<br />
C<br />
2 r<br />
e<br />
e<br />
j45<br />
o<br />
: A ˆ 1<br />
přenos 0 dB<br />
U SER<br />
6.8.<br />
Modulová (amplitudová) kmitočtová charakteristika napěťového přenosu je znázorněna na obr.<br />
180
Parazitní kapacity<br />
Uˆ<br />
2<br />
20log<br />
ˆ<br />
U B<br />
3<br />
<br />
Obr. 6.8: Kmitočtová modulová charakteristika napěťového přenosu obvodu<br />
na obrázku 5.7 → 20log<br />
U ˆ U ˆ<br />
2 B<br />
Pojmy k zapamatování<br />
Parazitní kapacita kolektor-báze; parazitní kapacita kolektor-báze v signálovém modelu tranzistoru;<br />
Millerův jev; kmitočová charakteristika, dopředný přenos.<br />
Otázky 6<br />
1. Nakreslete signálový model BJT, který zahrnuje kapacitu C CB .<br />
2. Vysvětlete podstatu Millerova jevu.<br />
3. Proč se Millerův jev neuplatňuje v zapojeních SB a SC<br />
4. Vysvětlete podstatu dopředného přenosu.<br />
Úlohy k řešení 6<br />
<br />
Příklad 6.1<br />
Předpokládejme, že do struktury podle příkladu 3.2 (str. 75, kap. 3) doplníme kapacitu<br />
kolektor-báze o velikosti 3 pF. Určete hodnotu Millerovy kapacity.<br />
<br />
181
Parazitní kapacity<br />
Příklad 6.2<br />
Předpokládejme, že do struktury podle příkladu 3.3 (str. 80, kap. 3) doplníme kapacitu<br />
kolektor-báze o velikosti 3 pF. Určete hodnotu Millerovy kapacity.<br />
Text k prostudování<br />
[1] Frohn, M. – Siedler, H.-J. – Wiemer, M. – Zastrow, P.: Elektronika, polovodičové<br />
součástky a základní zapojení. Ben, Praha 2006, ISBN 80-7300-123-3<br />
Další zdroje<br />
[1] Horowitz, P.- Winfield,H.: The art of electronics (second edition). Cambridge University<br />
Press, Cambridge 1982<br />
2 Doleček, J.: Moderní učebnice elektroniky 4. díl, BEN, Praha, 2006,<br />
ISBN 80-7300-185-3<br />
3 Kuphaldt, Tony R.: Lessons In Electric Circuits, www.ibiblio.org/kuphaldt/<br />
CD-ROM<br />
Otevři soubor BJT SE<br />
182
Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory<br />
7 Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory<br />
Čas ke studiu: 2 hodiny<br />
Cíl Cílem je shrnutí dosud získaných poznatků o základních zapojeních s<br />
bipolárním a unipolárním tranzistorem a posouzení jejich vlastností:<br />
základní zapojení s BJT<br />
základní modely s BJT<br />
základní zapojení s FETy<br />
základní modely s FETy<br />
VÝKLAD<br />
Tato kapitola shrnuje dosavadní poznatky o tranzistorových obvodech a rozšiřuje je o chování<br />
tranzistorových struktur ve frekvenční oblasti – o zahrnutí vlivu zpětnovazební kapacity mezi bází a<br />
kolektorem (mezi vývodem G a D u FETů). Nejsou k ní žádné otázky ani kontrolní příklady k řešení.<br />
Doporučujeme, abyste si jednotlivá zapojení promysleli. V případě jakýchkoliv nejasností se vraťte<br />
k příslušným částem materiálu.<br />
7.1 Shrnutí základních vlastností zapojení s jedním bipolárním<br />
tranzistorem<br />
Při srovnání vlastností zapojení se společnou bází (SB) a se společným emitorem (SE) se<br />
může zdát, že jejich frekvenční vlastnosti jsou stejné. Obě zapojení mají stejný pól přenosu – <br />
3 –<br />
definovaný kolektorovým odporem R C a kapacitou C CB – časová konstanta definovaná<br />
kolektorovým obvodem – 3 1 3<br />
R C C C B<br />
. Podstatný rozdíl je v tom, že v zapojení SE se na<br />
vstupu uplatňuje Millerova kapacita CMK<br />
CC B Aˆ<br />
U SE R<br />
– a ta je velmi velká. Proto má zapojení<br />
SB mnohem lepší frekvenční vlastnosti, ale i malý vstupní odpor.<br />
V tabulce 2a) jsou shrnuty vlastnosti základních zapojení s jedním BJT tranzistorem. Platí jak<br />
pro tranzistory NPN, tak pro tranzistory PNP. Tabulka je doplněna o tabulku 2b), kde jsou uvedeny<br />
základní zapojení s náhradními signálovými schématy a tabulku 2c) pro výpočet kapacit v zapojení<br />
(jednotlivé kapacity přechodů zde nejsou zahrnuty).<br />
183
Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory<br />
<br />
I<br />
E<br />
Všechny parametry v tabulce 2 a÷c) můžeme určit, známe-li pracovní bod tranzistoru<br />
r U I a kapacitu C .<br />
e<br />
T<br />
E<br />
<br />
CB<br />
Z tabulky můžeme určit napěťové, proudové i výkonové zesilnění jednotlivých<br />
2<br />
zapojení. Okamžitá hodnota vstupního výkonu je p1 u1<br />
Rib<br />
, okamžitá hodnota výstupního<br />
2<br />
výkonu je p2 u2<br />
R , kde R je roven hodnotě R C v zapojení SE a SB a hodnotě R E pro zapojení<br />
SC.<br />
Potom<br />
A<br />
P<br />
<br />
p<br />
p<br />
2<br />
1<br />
<br />
u<br />
2<br />
2<br />
2<br />
1<br />
u<br />
R<br />
ib<br />
R<br />
A<br />
2<br />
U<br />
<br />
R<br />
R<br />
Určujeme-li výkonové zesílení „do zátěže“<br />
AP<br />
Z<br />
<br />
p<br />
p<br />
2<br />
1<br />
<br />
u<br />
u<br />
2<br />
2<br />
2<br />
1<br />
R<br />
R<br />
ib<br />
Z<br />
A<br />
2<br />
U<br />
<br />
ib<br />
R<br />
R<br />
ib<br />
Z<br />
R Z , potom vždy platí<br />
Protože obvykle platí, že<br />
R R nebo R E je<br />
Z<br />
C<br />
A Z<br />
A .<br />
P<br />
P<br />
Z vlastností zapojení vyplývá, že zapojení SE zesiluje napěťově, proudově (to se<br />
projeví v hodnotě R ib ), tedy i výkonově. Jeho výkonové zesílení je největší. Výstupní napětí u 2 má<br />
opačnou fázi než napětí vstupní u 1 . Vstupní proud a výstupní proud jsou ve fázi.<br />
Zapojení SC sice zesiluje proudově (velká hodnota R ib ), ale napěťové zesílení je<br />
přibližně 1. Výkonové zesílení je menší než v zapojení SE. Výstupní napětí u 2 je se vstupním<br />
napětím u 1 ve fázi. Vstupní proud a výstupní proud jsou rovněž ve fázi.<br />
Zapojení SB proudově nezesiluje, zesiluje pouze napěťově. Jeho výkonové zesílení je také<br />
menší než v zapojení SE. Výstupní napětí u 2 je se vstupním napětím u 1 ve fázi. Vstupní proud a<br />
výstupní proud jsou také ve fázi.<br />
Tabulka 2: Shrnutí základních vlastností zapojení s jedním BJT tranzistorem; zesilovač je nezatížený;<br />
R e je ta část odporu R E , která se uplatňuje pro signál (nepřemostěná C E ).<br />
184
Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory<br />
a) Shrnutí základních vlastností:<br />
r U<br />
e<br />
T<br />
I<br />
E<br />
Odpor vstupní<br />
elektrody<br />
R<br />
ib<br />
Zapojení SE Zapojení SC Zapojení SB<br />
r R R 1<br />
r<br />
R <br />
1<br />
e<br />
e<br />
ib<br />
e e<br />
Rie<br />
re<br />
Vstupní<br />
odpor: R i n<br />
R R<br />
in<br />
V<br />
R<br />
R V R 1 R 2<br />
ib<br />
Rin<br />
RV<br />
Rib<br />
Re<br />
re<br />
Rin<br />
<br />
R V R 1 R Re<br />
re<br />
2<br />
Výstupní<br />
odpor: R out<br />
R <br />
R R<br />
<br />
e r<br />
RV<br />
R<br />
e<br />
S<br />
Rout<br />
<br />
1<br />
8) Re<br />
re<br />
1<br />
re<br />
<br />
out<br />
C<br />
R R<br />
out<br />
e<br />
r<br />
e<br />
Rout R C<br />
Napěťové<br />
zesílení:<br />
A U<br />
Proudové<br />
zesílení:<br />
A I<br />
Výkonové<br />
zesílení:<br />
A P<br />
A<br />
I<br />
A<br />
<br />
R<br />
C<br />
U 8)<br />
Re<br />
re<br />
A R<br />
A<br />
9)<br />
U C re<br />
R<br />
V<br />
A<br />
R<br />
<br />
I<br />
V<br />
<br />
1<br />
re<br />
<br />
R<br />
A<br />
I<br />
<br />
R<br />
A<br />
V<br />
U<br />
<br />
<br />
A U<br />
Re<br />
R r<br />
e<br />
1<br />
RV<br />
<br />
1<br />
<br />
1<br />
R<br />
r <br />
A I<br />
<br />
e<br />
e<br />
e<br />
A<br />
U<br />
U<br />
<br />
RC<br />
R r<br />
e<br />
C<br />
e<br />
e<br />
9)<br />
A R r<br />
in<br />
P AU<br />
2 in<br />
<br />
AP<br />
A<br />
2 e<br />
U <br />
AP<br />
AU<br />
2 <br />
RC<br />
R e<br />
RC<br />
R<br />
A I<br />
1<br />
R<br />
3 dB<br />
1<br />
3 <br />
R <br />
—<br />
C C CB<br />
3<br />
<br />
1<br />
R C C CB<br />
Vstupní<br />
arazitní<br />
kapacita<br />
<br />
C <br />
MK CCB<br />
1<br />
<br />
e<br />
R<br />
C<br />
R r<br />
e<br />
<br />
<br />
<br />
C —<br />
CB<br />
Využití<br />
Zapojení pro nf a vf<br />
obvody<br />
Měnič impedance<br />
nf vstupní obvod<br />
vf zesilovač<br />
na f > 100 MHz<br />
8) Při výpočtu zesílení je potřeba i zahrnout vliv zátěže<br />
9) Při R e → 0<br />
185
Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory<br />
b) Shrnutí základních zapojení<br />
Schéma zapojení :<br />
Signálové schéma:<br />
Zapojení SE<br />
U CC<br />
C CB<br />
C<br />
u 1<br />
R 1<br />
C 1<br />
R 2<br />
R C<br />
C E<br />
R E1<br />
C 2<br />
R E2<br />
u 2<br />
B<br />
Û 1<br />
R V<br />
0 V<br />
r e<br />
E<br />
E i<br />
R e<br />
r CE<br />
Û 2<br />
Zapojení SC<br />
U CC<br />
C CB<br />
u 1 C 1<br />
R 1<br />
Û 1<br />
R V<br />
0 V<br />
E i<br />
r e<br />
R 2<br />
R E<br />
C 2<br />
u 2<br />
E<br />
R E<br />
Û 2<br />
Zapojení SB<br />
U CC<br />
E<br />
r e<br />
E i<br />
C B<br />
R 1<br />
R C<br />
C C<br />
u 2<br />
Û 1<br />
R E<br />
0 V<br />
C CB<br />
Û 2<br />
R C<br />
C E<br />
R 2<br />
R E<br />
186
Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory<br />
7.2 Shrnutí základních vlastností zapojení s unipolárním<br />
tranzistorem<br />
Při pohledu na signálové modely na obr. 6.1 – kde jsme zahrnuli i vliv kapacity C GD –<br />
vidíme, že situace je stejná, jako když jsme řešili zapojení s tranzistory BJT. Stačí pouze udělat<br />
substituce:<br />
ˆ B Uˆ<br />
G , e r m<br />
U<br />
r , RC<br />
RD<br />
RE<br />
RS<br />
CCB<br />
CGD<br />
Vstupní odpor unipolárních tranzistorů je velmi velký, takže nemá vůbec smysl uvažovat o<br />
neboť .<br />
proudovém zesílení <br />
C GD<br />
a)<br />
D<br />
c)<br />
C GD<br />
D<br />
G<br />
0 V<br />
S i<br />
R D<br />
Û 2<br />
G<br />
0 V<br />
S i<br />
Û 1<br />
r m<br />
r m<br />
Û 1<br />
S<br />
R S1<br />
Û 2<br />
R S2<br />
b)<br />
S<br />
r e<br />
S i<br />
0 V<br />
Û 1<br />
R S<br />
G<br />
C GD<br />
R CD<br />
Û 2<br />
Obr. 6.1: Signálové modely unipolárních tranzistorů se zahrnutím vlivu kapacity<br />
a) Zapojení se společným emitorem – SS<br />
b) Zapojení se společnou „bází“ – SG<br />
c) Zapojení se společným kolektorem – SD<br />
C<br />
GD<br />
187
Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory<br />
Otázky 7<br />
1. Které zapojení BJT má nejmenší vstupní odpor<br />
2. Které zapojení BJT má nejmenší výstupní odpor<br />
3. Jakézapojení BJT použijete, požaduje-li se největší výkonové zesílení<br />
4. Které zapojení BJT má Millerovu kapacitu<br />
5. Které zapojení BJT je invertující<br />
6. Které zapojení FETu má nejmenší výstupní odpor<br />
7. Které zapojení FETu má nejmenší vstupní odpor<br />
8. Které zapojení FETu má Millerovu kapacitu<br />
9. Které zapojení FETu je invertující<br />
10. Jak se mění napěťové zesílení reálných struktur s připojením zatěžovacího odporu (zátěže).<br />
11. Proč se zapojení SC (SD) nazývá někdy sledovač<br />
12. Čím nahradíte v signálovém schématu ideální zdroj napětí (a proč)<br />
13. Čím nahradíte v signálovém schématu ideální zdroj proudu (a proč)<br />
14. Čím nahradíte v signálovém schématu kapacitor na dostatečně vysokých frekvencích (a<br />
proč)<br />
15. Co si představujete pod pojmem měnič impedance<br />
Text k prostudování<br />
[1] Frohn, M. – Siedler, H.-J. – Wiemer, M. – Zastrow, P.: Elektronika, polovodičové<br />
součástky a základní zapojení. Ben, Praha 2006, ISBN 80-7300-123-3<br />
[2] Horowitz, P.- Winfield,H.: The art of electronics (second edition). Cambridge University<br />
Press, Cambridge 1982<br />
3 Kuphaldt, Tony R.: Lessons In Electric Circuits, www.ibiblio.org/kuphaldt/<br />
CD-ROM<br />
Otevři soubor a) BJT SE<br />
188
) BJT SB<br />
c) BJT SC<br />
d) MOSFET indukovaný kanál<br />
e) MOSFET zabudovaný kanál<br />
Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory<br />
Korespondenční úkol<br />
Vypracujte seminární projekt podle zadání vyučujícího. Projekt odevzdejte na moodle<br />
v požadovaném termínu.<br />
189
Vliv vazebních kapacit<br />
8 Vliv vazebních kapacit<br />
Čas ke studiu: 3 hodiny<br />
Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět:<br />
posoudit vliv vazebních a blokovacích kapacit na přenosovou<br />
charakteristiku zesilovací struktury<br />
navrhnout a optimalizovat hodnoty vazebních a blokovacích kapacit<br />
tak, aby bylo dosaženo požadovaných mezních kmitočtů<br />
VÝKLAD<br />
V neposlední řadě mohou být frekvenční vlastnosti ovlivňovány vazební kapacitou na vstupu a<br />
výstupu zesilovače. Obecně je možná situace znázorněna na obr. 8.1.<br />
R S<br />
C in<br />
Û i<br />
R O<br />
C O<br />
Û 1<br />
R in<br />
Û 2n = Â·Û i<br />
R Z<br />
Û 2<br />
Obr. 8.1: Obvodový model pro posouzení vlivu vazebních kapacit<br />
Fázor napětí Û 1 – představuje zdroj signálu, R S – je výstupní odpor zdroje 10) , C in – je vstupní<br />
oddělovací (vazební) kapacita, R in – modeluje vstupní odpor 10) zesilovače se zesílením naprázdno (bez<br />
uvážení R )<br />
Z<br />
ˆ <br />
ˆ<br />
A U 2n U i<br />
10) Obecně mohou být odpory R , R , R i R<br />
S in o Z<br />
nahrazeny impedancemi Zˆ<br />
, Zˆ<br />
, Zˆ<br />
i Zˆ<br />
S in o Z<br />
.<br />
190
Vliv vazebních kapacit<br />
R O – modeluje výstupní odpor 10) zesilovače a C O – pak výstupní oddělovací kapacitu do zátěže 11) R Z .<br />
Známým postupem pro harmonický ustálený stav odvodíme napětí<br />
tvořený R S , C in a R in )<br />
Uˆ<br />
i<br />
in<br />
Uˆ i (impedanční dělič<br />
Rin<br />
j<br />
RinCin<br />
Uˆ<br />
<br />
Uˆ<br />
1 1 <br />
(8.1)<br />
1<br />
R<br />
j Rin<br />
RS<br />
C<br />
in R<br />
<br />
S <br />
1 <br />
in<br />
j<br />
C<br />
Modul přenosu vstupního obvodu pak je<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
i<br />
1<br />
<br />
1<br />
R<br />
<br />
R<br />
R C<br />
2<br />
Jestliže platí pro vstupní kmitočet, že<br />
tedy<br />
<br />
in<br />
in<br />
R<br />
R C<br />
1<br />
S<br />
<br />
S<br />
in<br />
in<br />
in<br />
<br />
in<br />
C<br />
in<br />
1<br />
<br />
<br />
R R C<br />
S<br />
in ,<br />
můžeme pro určení Û i použít zjednodušený vztah<br />
tedy<br />
in<br />
ˆ<br />
i U ˆ 1 j<br />
RinCin<br />
(1. asymptota přenosu U ˆ i Uˆ<br />
1 pro nízké kmitočty).<br />
U<br />
Jestliže platí, že<br />
<br />
R<br />
R C<br />
1<br />
S<br />
in<br />
1<br />
<br />
<br />
in<br />
in<br />
R<br />
R C<br />
S<br />
můžeme pro určení Û i použít zjednodušený vztah<br />
R<br />
in<br />
in<br />
Uˆ i U ˆ 1 <br />
(2. asymptota přenosu).<br />
RS<br />
Rin<br />
Charakteristický kmitočet vstupního obvodu<br />
<br />
in<br />
<br />
<br />
S<br />
in<br />
1<br />
R R<br />
in Cin<br />
tedy definuje frekvenční vlastnosti celého zesilovače.<br />
Modulová asymptotická kmitočtová charakteristika napěťového přenosu U ˆ i Uˆ<br />
1 v dB – tedy<br />
20log<br />
ˆ Uˆ<br />
U i 1 – je na obr. 8.2<br />
11) Tu může tvořit i vstupní odpor dalšího kaskádně řazeného zesilovače<br />
191
Vliv vazebních kapacit<br />
20<br />
log<br />
ˆ<br />
Uˆ<br />
1<br />
1<br />
<br />
20log R i<br />
C<br />
n<br />
in<br />
<br />
U i<br />
0<br />
Rin<br />
RS<br />
Ci<br />
n<br />
1<br />
R in C in<br />
ω<br />
20log<br />
R<br />
S<br />
R<br />
in<br />
R<br />
in<br />
<br />
R<br />
R C<br />
2<br />
20 log 1<br />
in S in<br />
Obr. 8.2: Asymptotické zobrazení poměru 20log<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
i 1<br />
Obdobně určíme napětí na zátěži R Z :<br />
Uˆ<br />
ˆ<br />
Z<br />
Z O<br />
2 U2n<br />
<br />
U2n<br />
<br />
(8.2)<br />
R<br />
Z<br />
R<br />
O<br />
R<br />
<br />
1<br />
j<br />
C<br />
O<br />
ˆ<br />
jR<br />
C<br />
1<br />
j<br />
RZ<br />
RO<br />
CO<br />
V praxi platí RZ R out , potom přenos výstupního obvodu vyjádříme jako<br />
Uˆ<br />
2 j<br />
RZC<br />
<br />
O<br />
(8.2a)<br />
Uˆ<br />
1 j<br />
R C<br />
2n<br />
Z<br />
O<br />
Diskuse vztahu (8.2a) je stejná jako u vztahu (8.1) charakteristický kmitočet výstupního obvodu:<br />
<br />
out<br />
<br />
1<br />
R C<br />
Z<br />
O<br />
tedy<br />
Modulová asymptotická kmitočtová charakteristika napěťového přenosu<br />
ˆ<br />
ˆ<br />
20 log U2<br />
U2n<br />
– je na obr. 8.3<br />
Uˆ Uˆ<br />
2 2n<br />
v dB –<br />
Vyjádříme-li modul přenosu v dB, získáme výraz<br />
Uˆ<br />
20log<br />
Uˆ<br />
2<br />
1<br />
20log<br />
Uˆ<br />
20log<br />
Uˆ<br />
1<br />
<br />
2<br />
1<br />
R<br />
Aˆ<br />
Uˆ<br />
<br />
Uˆ<br />
C<br />
Uˆ<br />
2<br />
Aˆ<br />
Uˆ<br />
<br />
( 8.<br />
4)<br />
<br />
20log<br />
A<br />
20log<br />
R<br />
2 2<br />
2<br />
2 2<br />
R<br />
R C<br />
1<br />
R<br />
R C<br />
in<br />
i<br />
in<br />
in<br />
S<br />
i<br />
i<br />
<br />
in<br />
i<br />
Z<br />
Z<br />
C<br />
0<br />
0<br />
0<br />
192
Vliv vazebních kapacit<br />
20 log<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2<br />
2 n<br />
1<br />
R Z C O<br />
<br />
20log R Z C O<br />
<br />
0<br />
ω<br />
R Z C 2<br />
20 log 1 O<br />
Obr. 8.3: Asymptotické zobrazení poměru<br />
20 log<br />
ˆ<br />
ˆ<br />
U<br />
2<br />
U<br />
2n<br />
Charakteristický kmitočet in 1 RS<br />
RinCin<br />
1 RinCin<br />
je vhodné volit menší než výstupní<br />
kmitočet out 1 RZ<br />
CO<br />
, protože hodnota R in je obvykle větší než R Z.<br />
Dostáváme tak přiměřenou<br />
hodnotu výstupní vazební kapacity C O.<br />
(i C in ). Není vhodné volit in out , protože již dochází<br />
k velkému poklesu přenosu v okolí in<br />
out<br />
(i k velkému posunu fáze). Pro in<br />
out<br />
je vztah (8.4)<br />
kvalitativně zachycen na obr. 8.4.<br />
193
a) b)<br />
<br />
20 log R i C<br />
n<br />
in<br />
<br />
Vliv vazebních kapacit<br />
20log<br />
Uˆ<br />
i 20 log Â<br />
Uˆ<br />
1<br />
1<br />
1<br />
Ri<br />
n RS<br />
Cin<br />
<br />
R i C<br />
n<br />
in<br />
<br />
Rin<br />
20log<br />
R R<br />
S<br />
in<br />
3<br />
20 log<br />
0 0 <br />
Â<br />
c)<br />
20 log<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2<br />
2n<br />
<br />
20log<br />
R Z<br />
C<br />
0<br />
<br />
0 <br />
<br />
1 R Z<br />
C 0<br />
<br />
d)<br />
20log<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2<br />
1<br />
0 <br />
in out<br />
<br />
h<br />
Obr. 8.4: Asymptotické (kvalitativní) zobrazení vztahu (8.4): 20log<br />
U ˆ ˆ<br />
2 U1<br />
;<br />
součtem charakteristik (a + b + c) získáme výslednou křivku (d)<br />
194
Pro<br />
in<br />
Vliv vazebních kapacit<br />
roste přenos se strmostí 40dB dek vliv in i CO<br />
; pro in<br />
out<br />
se strmostí<br />
20dB dek vlivC<br />
O<br />
.<br />
Pro <br />
out h<br />
h<br />
je dáno zesílením<br />
 je<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2 i n ˆ<br />
1<br />
<br />
R<br />
i n<br />
R<br />
R<br />
S<br />
<br />
A<br />
<br />
R<br />
Z<br />
RZ<br />
R<br />
0<br />
Pro již degraduje přenos  – typicky 20dB dek.<br />
h<br />
8.1 Vliv blokovací kapacity C E emitorového odporu<br />
Velmi často je externí emitorový odpor R e ( RE<br />
Re<br />
nastavuje a stabilizuje pracovní bod)<br />
přemostěn blokovací kapacitou C E.<br />
Signálové schéma (bez napájecích obvodů v bázi) je na obr. 8.5.<br />
Î C Î e<br />
Û B<br />
0 V<br />
r e<br />
E i<br />
Û 2 = -R C Î e<br />
E<br />
R e<br />
C E<br />
Obr. 8.5: Signálové schéma v zapojení SE s blokovací kapacitou C E<br />
Opět budeme chtít vyjádřit napěťový přenos. Nejdříve vyjádříme emitorový proud Î e<br />
Uˆ<br />
1<br />
jR<br />
C<br />
B<br />
e E<br />
Iˆ e <br />
Uˆ<br />
B <br />
(8.5)<br />
Re.1<br />
j<br />
CE<br />
R<br />
Re<br />
re<br />
j<br />
re<br />
ReCE<br />
e <br />
Re<br />
1<br />
j<br />
CE<br />
Nyní vyjádříme výstupní napětí U ˆ<br />
2<br />
ˆ R<br />
e E<br />
C Iˆ<br />
e Uˆ<br />
2 BRC<br />
<br />
(8.6)<br />
Re<br />
re<br />
j<br />
re<br />
ReCE<br />
U<br />
1<br />
j<br />
R C<br />
195
Vliv vazebních kapacit<br />
Ze vztahu (8.6) odvodíme výraz pro napěťové zesílení<br />
Uˆ<br />
Aˆ 2<br />
U SE <br />
Uˆ<br />
B<br />
<br />
RC<br />
R r<br />
e<br />
e<br />
<br />
1<br />
jReC<br />
1<br />
j<br />
C R<br />
E<br />
<br />
E<br />
e<br />
r<br />
e<br />
<br />
(8.3)<br />
kde<br />
re<br />
Re<br />
R e re<br />
to je vždy menší než R e . Diskutujme nyní vztah (8.3):<br />
R r<br />
e<br />
e<br />
a) Pro R e C E 1 ,<br />
tedy pro:<br />
<br />
1<br />
R C<br />
e<br />
E<br />
<br />
<br />
R<br />
má napěťové zesílení hodnotu:<br />
Výraz<br />
1<br />
R e C E<br />
e<br />
1<br />
označíme jako<br />
e CE<br />
r<br />
Aˆ<br />
U SE<br />
ω E 1<br />
<br />
RC<br />
r R<br />
e<br />
e<br />
a R r C 1<br />
b) Pro R e C E 1<br />
tedy pro:<br />
1<br />
R C<br />
e<br />
E<br />
je napěťové zesílení:<br />
Výraz<br />
<br />
R<br />
e<br />
1<br />
e CE<br />
r<br />
<br />
Aˆ<br />
e<br />
U SE<br />
<br />
e<br />
R<br />
e<br />
<br />
E<br />
1<br />
e CE<br />
r<br />
RC<br />
r R<br />
e<br />
označíme jako<br />
e<br />
ω E 2<br />
j<br />
R C<br />
e<br />
E<br />
b) Pro R<br />
r C<br />
1<br />
:<br />
e<br />
e<br />
E<br />
tedy pro:<br />
<br />
R<br />
r C<br />
ReCE<br />
e<br />
1<br />
e<br />
E<br />
<br />
1<br />
je napěťové zesílení:<br />
Aˆ<br />
U SE<br />
<br />
RC<br />
r R<br />
e<br />
e<br />
<br />
jReCE<br />
j<br />
R r C<br />
<br />
e<br />
e<br />
<br />
E<br />
<br />
RC<br />
r R<br />
e<br />
e<br />
<br />
re<br />
R<br />
r R<br />
e<br />
e<br />
e<br />
R<br />
e<br />
<br />
R<br />
r<br />
C<br />
e<br />
R<br />
e<br />
e<br />
Tedy až pro<br />
e<br />
e<br />
e<br />
E2 1 reC<br />
E má zesilovač velké zesílení R C r e<br />
r r , R r . Situace je kvalitativně znázorněna na obr. 8.6.<br />
(obvykle platí<br />
196
Vliv vazebních kapacit<br />
Uˆ<br />
2<br />
20 log<br />
ˆ<br />
U B<br />
20log<br />
<br />
R C r e<br />
<br />
RC<br />
20log<br />
R r<br />
e<br />
e<br />
0 <br />
<br />
E1 <br />
1<br />
R C<br />
e<br />
E<br />
<br />
E2 <br />
<br />
r<br />
e<br />
1<br />
R<br />
e CE<br />
Obr. 8.6: Kvalitativní (asymptotické) zobrazení napěťového přenosu<br />
obvodu z obr. 7.5 v dB → 20log<br />
U ˆ U ˆ<br />
2 B<br />
Příklad 8. 1<br />
Určete velikost vstupní kapacity C 1 , výstupní kapacity C 2 a blokovací kapacity C E tak, aby<br />
pokles zesílení o 3 dB byl právě na frekvencí f d = 30 Hz. V zapojení je zadáno: UCC<br />
14V,<br />
300,<br />
I C 5mA , R C =1,5 kΩ, R E = 100 Ω, R 1 = 23,5 kΩ, R 2 = 2,2 kΩ<br />
U CC<br />
R 1<br />
R C<br />
C 2<br />
C 1<br />
R 2<br />
R E C E<br />
Obr. 8.7: Zapojení k příkladu 8.1 RE R e <br />
Řešení:<br />
r<br />
e<br />
UT<br />
5, 2 <br />
I<br />
C<br />
A. Výpočet kapacit (teoretický) :<br />
1) ω E 30 Hz zvolíme hodnotu frekvence f<br />
2 E 2<br />
197<br />
= 3 Hz
Vliv vazebních kapacit<br />
<br />
1<br />
fE2<br />
R r C<br />
E2 2<br />
E e E<br />
<br />
C<br />
E<br />
<br />
2<br />
f<br />
E2<br />
1<br />
R<br />
E<br />
r<br />
e<br />
R<br />
E<br />
r<br />
e<br />
RE<br />
re<br />
5,2 100<br />
4, 94 <br />
R r 5,2 100<br />
E<br />
e<br />
C<br />
E<br />
<br />
2<br />
f<br />
E2<br />
1<br />
R<br />
E<br />
r<br />
e<br />
0,0107 F<br />
2) in E2 in<br />
3E<br />
2 volíme:<br />
fin<br />
10 Hz<br />
<br />
12)<br />
R V<br />
R<br />
ib<br />
R<br />
in<br />
R1<br />
R2<br />
2,2 10<br />
23,5 10<br />
R1<br />
R2<br />
<br />
2 011, 7 <br />
R R<br />
3<br />
3<br />
2,2 10<br />
23,5 10<br />
1<br />
<br />
r 301<br />
4,94 1<br />
<br />
487<br />
1 e<br />
R R 855 <br />
V<br />
ib<br />
2<br />
3<br />
3<br />
<br />
in<br />
<br />
C 1<br />
1R <br />
in<br />
<br />
C<br />
in<br />
1<br />
2 f<br />
d<br />
R<br />
in<br />
C in<br />
<br />
1<br />
2 10<br />
855<br />
18,6 F<br />
3) out d f out 30 Hz<br />
Rout RC<br />
1 , 5<br />
k<br />
C<br />
out<br />
1<br />
odhadneme:<br />
1<br />
<br />
<br />
0, 589 F<br />
f R R RZ<br />
5 Rout<br />
5R<br />
3<br />
2<br />
C 2 30 6 1,5<br />
10<br />
d<br />
<br />
out<br />
Z<br />
<br />
B) Výpočet kapacit (praktický postup) :<br />
1) Vypočteme orientační hodnoty kapacit pro požadované f d :<br />
C<br />
in<br />
1<br />
2<br />
f R<br />
1<br />
230855<br />
f<br />
30 Hz<br />
<br />
6,2 F<br />
d<br />
d<br />
in<br />
12) poznámka: f<br />
<br />
2<br />
<br />
in<br />
d<br />
E 2<br />
198
Vliv vazebních kapacit<br />
C<br />
out<br />
<br />
f<br />
d<br />
30 Hz<br />
<br />
<br />
2 <br />
f<br />
d<br />
<br />
<br />
1<br />
R<br />
out<br />
R<br />
Z<br />
<br />
<br />
odhadneme:<br />
R<br />
Z<br />
5R<br />
C<br />
<br />
1<br />
2 30 6 1,5<br />
10<br />
3<br />
0,589 F<br />
C<br />
E<br />
1<br />
230<br />
4,94<br />
f<br />
30 Hz<br />
<br />
1,07mF<br />
d<br />
2<br />
f<br />
d<br />
1<br />
R<br />
E<br />
r<br />
e<br />
2) Optimalizujeme hodnoty kapacit – viz tabulka 3:<br />
C opt<br />
E 1, 07 mF<br />
C<br />
outopt<br />
10 0,589 5, 9 F<br />
C inopt<br />
3 6,2 18,<br />
6 F<br />
Tabulka 3: Požadavky na návrh kapacit<br />
kapacita<br />
Orientační hodnota<br />
Vstupní<br />
vazební<br />
C<br />
in<br />
<br />
1<br />
2 f<br />
d<br />
R<br />
in<br />
Výstupní<br />
out<br />
vazební 2 f R<br />
R <br />
C<br />
<br />
d<br />
1<br />
out<br />
Z<br />
Blokovací<br />
(vazební)<br />
C<br />
E<br />
<br />
1<br />
2<br />
f R<br />
d<br />
E<br />
r<br />
e<br />
Metodické<br />
pokyny:<br />
Při této volbě každá kapacita způsobí pokles přenosu o 3 dB (a příslušný<br />
fázový posuv) právě na f d , a to není přípustné. Proto musíme volit jeden kmitočet<br />
zlomu (bod zlomu) na f d , další na f d 3 a poslední na f d 10. Ze vztahů vyplývá,<br />
že již vypočítané hodnoty kapacit stačí násobit 3 nebo 10. Nejmenší možnou<br />
hodnotu největší kapacity v obvodu dostaneme takto:<br />
Určíme hodnoty C in , C out , C E podle tabulky (tedy pro frekvenci f d )<br />
Největší z nich neměníme (určuje f d )<br />
Nejmenší z nich násobíme 10 krát (bod zlomu f d 10)<br />
Prostřední z nich (podle velikosti) násobíme 3 krát (bod zlomu f d 3)<br />
Pokud jsou v obvodu pouze 2 kapacity, pak menší kapacitu násobíme 3 krát.<br />
199
Vliv vazebních kapacit<br />
Pojmy k zapamatování<br />
Vazební kapacita – vstupní, výstupní; vstupní a výstupní odpor zesilovače; asymptotické zobrazení<br />
přenosu, charakteristický kmitočet – pokles přenosu o 3 dB; blokovací kapacita. Pokud některému<br />
z nich ještě nerozumíte, vraťte se k nim ještě jednou.<br />
Otázky 8<br />
1. Proč je nutné používat vazební a blokovací kapacity<br />
2. Jak určíte dolní kmitočet znáte-li vstupní vazební kapacitu a vstupní odpor zesilovače<br />
3. Jaký je pokles přenosu na dolním kmitočtu zesilovače s jedinou vazební kapacitou<br />
4. Jaký je pokles přenosu na dolním kmitočtu zesilovače se dvěma vazebními kapacitami<br />
navrženými pro stejný dolní kmitočet<br />
5. Popište metodiku návrhu vazebních a blokovacích kapacit, která zaručuje optimální hodnoty<br />
kapacit a pokles 3 dB na dolním kmitočtu.<br />
Úlohy k řešení 8<br />
<br />
Příklad 8.1<br />
V zapojení na obrázku je zadáno: R 1 = 39 kΩ, R 2 = 8,2 kΩ, R C = R Z = 2,7 kΩ, R E = 820 Ω,<br />
U 12V, 125,. Určete:<br />
CC<br />
a) Určete pracovní bod tranzistoru<br />
b) Velikost kolektorové ztráty tranzistoru<br />
c) Velikost napěťového zesílení A U<br />
d) Velikost vstupní kapacity C 1 , výstupní kapacity C 2 a blokovací kapacity C E tak, aby<br />
pokles zesílení o 3 dB byl právě na frekvencí f d (f d = 30 Hz).<br />
e) Millerovu kapacitu, je-li zadáno C CB = 1,8 pF<br />
200
Vliv vazebních kapacit<br />
U CC<br />
R 1<br />
R C<br />
C 2<br />
C 1<br />
R 2<br />
R E<br />
C E<br />
R Z<br />
Obr. Zapojení k příkladu 8.1<br />
<br />
Příklad 8.2<br />
Nízkofrekvenční zesilovač v zapojení podle příkladu 8.1 s tranzistorem BC237A má mít<br />
dolní mezní frekvenci f D = 20 Hz (pokles o 3 dB). Určete velikost vstupní kapacity C 1 , výstupní<br />
kapacity C 2 a blokovací kapacity C E .<br />
Hodnoty odporů jsou R C = 2,2 kΩ, R E = 470 Ω, R 1 = 120 kΩ, R 2 = 27 kΩ, R Z = 15 kΩ, = 450,<br />
r e = 13 Ω,.<br />
<br />
Příklad 8.3<br />
Tranzistor BC273A s β = 170 v zapojení zesilovacího stupně podle příkladu 8.1 má<br />
pracovní bod I CP = 2 mA, U CEP = 5 V, U BEP = 0,62 V, napájecí napětí má hodnotu U CC = 10 V a<br />
Earlyho napětí U A = 100 V.<br />
a) Určete hodnoty odporů v zapojení<br />
b) Určete hodnoty náhradního signálového schématu<br />
c) Pokles zesílení o 3 dB je na dolní mezní frekvenci f D = 30 Hz, určete:<br />
velikost vstupní kapacity C 1 a výstupní kapacity C 2<br />
U CC<br />
R 1<br />
R C<br />
C 2<br />
C 1<br />
R Z = 5·R C<br />
Obr. Zapojení k příkladu 8.3<br />
201
Vliv vazebních kapacit<br />
<br />
Příklad 8.4<br />
Jaká je hodnota dolní frekvence f d , je-li v zapojení nízkofrekvenční zesilovače s<br />
tranzistorem BC273A z příkladu 8.3 zadána hodnota vstupní kapacity C 1 = 100 nF<br />
Text k prostudování<br />
[1] Mohylová, J.: Přednášky Elektrické obvody II<br />
Další zdroje<br />
[1] Horowitz, P.- Winfield,H.: The art of electronics (second edition). Cambridge University<br />
Press, Cambridge 1982<br />
CD-ROM<br />
Otevři soubor BJT SE<br />
Korespondenční úkol<br />
Bude zadán vyučujícím z množiny příkladů určených k samostatnému řešení..<br />
202
Operační zesilovače<br />
9 Operační zesilovače (OZ)<br />
Čas ke studiu: 6 hodin<br />
Cíl Po prostudování této kapitoly budete umět:<br />
popsat principiální strukturu OZ<br />
analyzovat základní zesilovací struktury s ideálním OZ<br />
navrhovat některé ideální struktury s OZ<br />
posoudit kmitočtové vlastnosti zesilovacích struktur s OZ<br />
VÝKLAD<br />
Operační zesilovač je dnes v analogové elektronice nejrozšířenějším funkčním blokem, pomocí<br />
kterého se realizují všechny možné požadavky konstruktérů. Princip obvodového řešení s bipolárními<br />
tranzistory je podrobně analyzován v řešeném příkladu 5.5 – obr. 9.1 Obdobně jsou řešeny i struktury<br />
s unipolárními tranzistory. Samotný OZ budeme považovat za lineární prvek.<br />
U CC+<br />
T a<br />
T c<br />
T 3<br />
R I<br />
U d<br />
+<br />
-<br />
T 1<br />
T 2<br />
T 4<br />
o<br />
U 0<br />
R D<br />
T d<br />
T b<br />
T e<br />
U CC-<br />
Obr. 9.1: Principiální schéma OZ s bipolárními tranzistory<br />
203
Operační zesilovače<br />
Z dvojbranového pohledu patří OZ mezi zdroje napětí (nulová výstupní impedance) řízené<br />
napětím (nekonečná vstupní impedance). Jeho nejběžnější diferenční uspořádání je na obr. 9.2.<br />
Výstupní napětí je nejčastěji vztaženo vůči referenčnímu uzlu (zemi).<br />
NEINVERTUJÍCÍ<br />
VSTUP<br />
U ˆ<br />
U ˆ<br />
K ˆ<br />
U ˆ<br />
A ˆ U<br />
ˆ<br />
A ˆ ( U ˆ<br />
U ˆ<br />
<br />
2 o 21 1<br />
d<br />
<br />
)<br />
(+)<br />
VÝSTUP<br />
U<br />
<br />
ˆ<br />
1<br />
<br />
ˆ<br />
U d<br />
Î<br />
o<br />
Uˆ<br />
<br />
(-)<br />
Uˆ ˆ<br />
2<br />
<br />
U o<br />
Uˆ<br />
<br />
0<br />
INVERTUJÍCÍ<br />
VSTUP<br />
(a)<br />
0<br />
0<br />
(b)<br />
Uˆ<br />
o<br />
Obr.9.2: a) Znázornění diferenčního operačního zesilovače jako dvojbranu<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
; Uˆ<br />
ˆ<br />
<br />
1<br />
<br />
d 2 U o<br />
<br />
<br />
b) symbolická značka operačního zesilovače a poměry na vstupu pro ideální operační<br />
zesilovač (pro libovolné výstupní napětí) - zemnicí vývod v zapojení b) se většinou<br />
nekreslí<br />
Jedná se ideálně o zdroj napětí řízený napětím, proto proudy do řídících vstupů jsou nulové<br />
(diferenční odpor mezi neinvertujícím vstupem (+) a invertujícím vstupem (-) je nekonečně velký).<br />
Pro ideální operační zesilovač musí platit, že napěťové zesílení nabývá nekonečné hodnoty<br />
Uˆ Uˆ<br />
1 Uˆ<br />
d<br />
o / Aˆ<br />
0<br />
(9.1)<br />
Pro libovolné výstupní napětí a libovolný výstupní proud je diferenční napětí na vstupu<br />
ideálního operačního zesilovače rovno nule:<br />
tzn.<br />
Uˆ<br />
ˆ ˆ<br />
d U U<br />
0<br />
(9.2)<br />
<br />
U ˆ<br />
U ˆ<br />
<br />
(9.3)<br />
204
Operační zesilovače<br />
Napětí na invertujícím vstupu a neinvertujícím vstupu ideálního operačního zesilovače jsou<br />
stále stejná. Někdy proto hovoříme o virtuálním zkratu (propojení) - virtuální proto, že diferenční<br />
napětí je sice nulové, ale nevtéká žádný proud (do vstupů zesilovače).<br />
Ideální operační zesilovač lze proto s výhodou definovat pomocí dvou pravidel:<br />
Pro libovolné výstupní napětí<br />
Uˆ o a libovolné zatížení výstupu platí:<br />
Pravidlo 1: DIFERENČNÍ NAPĚTÍ JE ROVNO NULE<br />
Pravidlo 2: PROUDY DO VSTUPŮ JSOU ROVNY NULE.<br />
U ˆ<br />
d 0; U ˆ<br />
U ˆ<br />
(P1)<br />
Tato dvě pravidla velmi zjednodušují řešení obvodů s ideálními operačními zesilovači.<br />
V další části popíšeme pouze invertující a neinvertující zesilovač s ideálním operačním<br />
zesilovačem. Další příklady použití OZ budou zařazeny podle aplikace v následujících kapitolách.<br />
(P2)<br />
9.1 Invertující zesilovač s ideálním operačním zesilovačem (IOZ)<br />
Na obr. 9.3 je invertující zesilovač s ideálním OZ. Na invertujícím vstupu je tzv. virtuální zem<br />
(P1: U ˆ Uˆ<br />
0 ). Proto určíme, že<br />
<br />
<br />
Iˆ<br />
( Uˆ<br />
0) / Zˆ<br />
.<br />
1<br />
1<br />
1<br />
Do invertujícího vstupu nevtéká proud (P2), proto<br />
Iˆ<br />
2<br />
Iˆ<br />
Uˆ<br />
Zˆ<br />
(I. KZ).<br />
1<br />
Ve smyslu II. Kirchhoffova zákona musí platit<br />
ˆ<br />
0 Uˆ<br />
Napěťový přenos pak je<br />
ˆ<br />
ˆ<br />
1<br />
1<br />
Uˆ<br />
Iˆ<br />
Zˆ<br />
Uˆ<br />
U<br />
ˆ Zˆ<br />
<br />
Zˆ<br />
0<br />
U 2 Z 2 2 2 2 2 1 1 2 <br />
ˆ<br />
ˆ<br />
ˆ<br />
P U U2<br />
U1<br />
Z2<br />
Z1<br />
(9.4)<br />
Pro obvykle uváděnou volbu Zˆ<br />
1 R1<br />
a Zˆ<br />
2 R2<br />
dospějeme k nejběžněji uváděné podobě<br />
přenosu invertujícího zapojení ideálního operačního zesilovače<br />
ˆ<br />
P U<br />
Uˆ<br />
2<br />
Uˆ<br />
1<br />
R<br />
vstupní a výstupní napětí mají opačnou fázi, struktura je invertující.<br />
2<br />
R<br />
1<br />
Vstupní impedance<br />
ˆ<br />
Z vst<br />
Uˆ<br />
1<br />
Iˆ<br />
Uˆ<br />
1<br />
1<br />
U<br />
ˆ<br />
1 Zˆ<br />
1<br />
Zˆ<br />
1<br />
Výstupní impedance je u ideálního zdroje napětí vždy nulová.<br />
205
Operační zesilovače<br />
Vhodnou volbou impedancí Ẑ<br />
1<br />
a Ẑ<br />
2<br />
(složeny z pasivních prvků) můžeme realizovat různé<br />
frekvenčně závislé přenosy - podle konkrétních požadavků (například filtry).<br />
0<br />
Î 2<br />
Ẑ 2<br />
Û 1<br />
0<br />
0<br />
Û 2<br />
Û 1<br />
Ẑ 1<br />
Î 1<br />
0<br />
U ˆ<br />
Z 2<br />
Û 2<br />
Ẑ 1<br />
Ẑ 2<br />
Obr. 9.3: Invertující zesilovač s IOZ<br />
Obr. 9.4: Neinvertující zesilovač s IOZ<br />
9.2 Neinvertující zesilovač s OZ<br />
Neinvertující zesilovací struktura s ideálním OZ je na Obr. 9.4.<br />
Platí Uˆ<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
<br />
Uˆ<br />
ˆ ˆ ˆ ˆ<br />
U 2Z1<br />
Z1<br />
Z2<br />
- do vstupu (-) totiž nevtéká proud<br />
– (P 2) - impedanční dělič není zatížený. Podle pravidla 1 tedy musí platit<br />
tedy i<br />
Uˆ<br />
ˆ<br />
1<br />
1 (P1), dále musí platit <br />
Uˆ<br />
Zˆ<br />
ˆ<br />
2<br />
1<br />
ˆ<br />
<br />
Zˆ<br />
1<br />
Zˆ<br />
ˆ<br />
2<br />
<br />
ˆ<br />
P U U2<br />
U1<br />
1<br />
Z2<br />
Z1<br />
(9.5)<br />
Při nejběžnější volbě Zˆ<br />
1<br />
R1<br />
a Zˆ<br />
2<br />
R2<br />
obdržíme pro vztah pro napěťové zesílení<br />
Pˆ<br />
U 1 R<br />
2<br />
R<br />
1<br />
vstupní a výstupní napětí jsou ve fázi, struktura je neinvertující.<br />
Vstupní impedance je v daném případě<br />
ˆ<br />
Z vst<br />
Uˆ<br />
Iˆ<br />
ˆ 0 <br />
1 1 U1<br />
Výstupní impedance je rovna nule.<br />
206
Operační zesilovače<br />
9.3 Reálné vlastosti OZ<br />
V technické praxi ovšem ideální OZ neexistuje. Proto je potřebný katalogový list, které tyto<br />
odchylky proti ideálu specifikuje. V tomto základním kurzu se omezíme na výčet základních<br />
parametrů reálného OZ:<br />
Napěťové zesílení A: udává se pro diferenční (rozdílový) signál (při otevřené smyčce zpětné vazby),<br />
u reálných OZ je velmi velké, podle konkrétního typu OZ mezi 10 4 až 10 7 . Zesílení 10 4 znamená, že<br />
při rozdílovém napětí mezi vstupy 1 mV bude výstupní napětí 10000 krát větší, tedy 10 V (a naopak,<br />
pro výstupní napětí menší jak 10 V bude diferenční napětí vždy menší jak 1 mV). Jak napěťové<br />
zesílení vzniká je vysvětleno ve strukturách tranzistory.<br />
Tranzitní frekvence f T : s růstem frekvence se zesílení OZ snižuje, při určité frekvenci klesne až na<br />
hodnotu 1, tzn. OZ nezesiluje. Této frekvenci říkáme tranzitní frekvence, podle typu zesilovače je 0,1<br />
až 1000 MHz. (je třeba si uvědomit, že při této frekvenci klesne zesílení na hodnotu 1, což už pro<br />
použití OZ většinou nestačí, ve skutečnosti můžeme používat OZ pro frekvence o 1 nebo 2 řády nižší<br />
než je f T – viz teorie zpětné vazby (kap. 10). Tranzitní frekvence je definována kapacitami ve struktuře<br />
zesilovače – nejčastěji tzv. korekční kapacitou. Z modulové charakteristiky přenosu reálného OZ lze<br />
určit, že<br />
f T<br />
A 0 f 1<br />
kde A 0 je stejnosměrné zesílení OZ<br />
f 1 je frekvence pólu přenosu OZ<br />
Rychlost přeběhu: udává maximální rychlost změny výstupního napětí při jednotkovém skoku na<br />
vstupu, bývá cca 0,1 až 20 V/µs. Je určena dosažitelnými proudy ve struktuře zesilovače a jejími<br />
kapacitami – malé proudy a velké kapacity vedou k malým rychlostem přeběhu.<br />
Napěťová nesymetrie (ofset) OZ je nežádoucí vlastnost. Způsobí, že při nulovém napětí mezi<br />
vstupními svorkami nebude na výstupu nulové napětí. Ke kompenzaci ofsetu mají některé OZ<br />
speciální vývody, k nimž se připojí nastavitelný rezistor (odporový trimr), jehož vhodným nastavením<br />
se dá ofset vykompenzovat. Bohužel ofset není konstantní, mění se s teplotou a také vlivem stárnutí.<br />
Na obr. 9.1 je příčinou napěťové nesymetrie nestejnost vstupních bipolárních tranzistorů (T 1 a T 2 ) –<br />
při stejných kolektorových proudech se poněkud liší bázová napětí.<br />
Vstupní klidový proud OZ je nežádoucí vlastnost. Je to vstupní proud do bází tranzistorů T 1 a T 2 na<br />
obr. 9.1.<br />
Proudová nesymetrie (ofset) OZ je nežádoucí vlastnost. Příčinou je nestejnost vstupních bipolárních<br />
tranzistorů (T 1 a T 2 ) – různé bázové proudy (proudové zesilovací činitele) při stejných kolektorových<br />
proudech.<br />
Tyto parametry si absolventi mohou prakticky změřit v rámci problémových úloh v laboratořích<br />
v navazujícím předmětu Praktika z elektronických obvodů (PEO).<br />
V katalogu jsou uváděny další parametry OZ, které však již přesahují rámec tohoto kurzu. Jejich<br />
význam je popisován v odborné literatuře zabývající se operačními zesilovači.<br />
207
Operační zesilovače<br />
Příklad 9. 1<br />
Určete výstupní napětí U o jako funkci rozdílu napětí Uˆ 1 Uˆ<br />
2 .<br />
Î 2 = Î 1 R 2<br />
Î<br />
(2) 1 R 1<br />
Î -<br />
R<br />
0<br />
(1) 1 Î +<br />
+<br />
R 2<br />
Û<br />
Û 1<br />
2<br />
Û +<br />
Û -<br />
Û o<br />
Obr. 9.5: Diferenční zapojení operačního zesilovače<br />
Řešení:<br />
Ze základních pravidel pro ideální OZ vyplývá, že<br />
Uˆ Uˆ<br />
<br />
Iˆ<br />
Iˆ<br />
0<br />
Napětí na neinvertujícím vstupu je určen odporovým děličem<br />
Uˆ<br />
<br />
potom proud<br />
Iˆ<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
<br />
Uˆ<br />
<br />
R<br />
2<br />
R2 1<br />
R1<br />
R2<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
<br />
Uˆ<br />
2 2 <br />
1 I2<br />
R1<br />
R1<br />
Pomocí II. Kirchhoffova zákona určíme<br />
Uˆ<br />
ˆ<br />
0 U<br />
0 R2I<br />
2 <br />
Dosazením a úpravami dostaneme<br />
Uˆ<br />
0<br />
Uˆ<br />
1<br />
R2<br />
<br />
R R<br />
1<br />
2<br />
ˆ<br />
<br />
0<br />
R<br />
2<br />
<br />
<br />
Uˆ<br />
2<br />
ˆ<br />
Uˆ<br />
1<br />
R2<br />
<br />
R1<br />
R<br />
R<br />
1<br />
2<br />
<br />
Uˆ<br />
1<br />
<br />
R2<br />
R R<br />
1<br />
2<br />
<br />
R<br />
R<br />
2<br />
1<br />
Uˆ<br />
2<br />
Uˆ<br />
1<br />
<br />
R<br />
1<br />
<br />
2<br />
R2<br />
R R<br />
1<br />
2<br />
<br />
208
Operační zesilovače<br />
Uˆ<br />
<br />
1<br />
R1R<br />
2<br />
R R<br />
1<br />
<br />
1<br />
<br />
<br />
R<br />
R<br />
2<br />
2<br />
2<br />
<br />
<br />
R<br />
R<br />
2<br />
1<br />
Uˆ<br />
2<br />
Uˆ<br />
<br />
1<br />
R<br />
R<br />
2<br />
1<br />
<br />
<br />
R1<br />
R2<br />
R R<br />
1<br />
2<br />
<br />
<br />
<br />
R<br />
R<br />
2<br />
1<br />
Uˆ<br />
2<br />
<br />
<br />
R<br />
R<br />
2<br />
1<br />
<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
1<br />
2<br />
<br />
Další řešené příklady s OZ budou obsaženy v následujících kapitolách podle obvodového<br />
využití.<br />
9.4 Filtry s operačními zesilovači (aktivní filtry)<br />
V technické praxi často potřebujeme upravit definovaným způsobem frekvenční spektrum<br />
signálu. Jedná se o lineární proces, při kterém dochází k přesně definovanému lineárnímu zkreslení<br />
(změna amplitudy s frekvencí, ochuzení spektra – nikdy obohacení spektra). Hovoříme o filtraci<br />
signálu – obvody, které tuto funkci realizují, nazýváme frekvenčními filtry. Základní rozdělení<br />
frekvenčních filtrů je na obrázku 9.6.<br />
P<br />
DP filtr<br />
Vstupní signál<br />
=<br />
frekvenční<br />
složky<br />
+<br />
+<br />
HP filtr<br />
Pásmová<br />
propust<br />
P<br />
P<br />
f<br />
f<br />
P<br />
f<br />
Pásmová<br />
zádrž<br />
(notch)<br />
f<br />
Obr. 9.6 Základní rozdělení filtů podle modulu přenosu<br />
Na vybraných zapojeních, za využití elementárních poznatků z teorie obvodů, předvedeme<br />
analýzu filtrů s operačními zesilovači, abychom demonstrovali jejich universální využití. Samotnou<br />
teorií filtrů v plném rozsahu (aproximační problémy, různé obvodové realizace) se nebudeme zabývat,<br />
neboť svou náročností přesahuje rámec tohoto úvodního kurzu.<br />
209
Operační zesilovače<br />
Stručný komentář k obr. 9.6:<br />
Dolní propust (DP; LowPass - LP) – přenáší (propouští) signály od frekvence 0 až do<br />
charakteristické frekvence f 0 (potlačuje frekvence nad f 0 ).<br />
Horní propust (HP; HighPass - HP) – přenáší (propouští) signály od charakteristické frekvence<br />
f 0 až do ∞ (potlačuje frekvence pod f 0 ).<br />
Pásmová propust (PP; BandPass - BP) – přenáší (propouští) signály v pásmu frekvencí f 1 až f 2<br />
(potlačuje frekvence mimo pásma f 1 až f 2 ).<br />
Pásmová zádrž (PZ; BandStop - BS) – potlačuje signály v pásmu frekvencí f 1 až f 2 (frekvence<br />
mimo pásma f 1 až f 2 propouští).<br />
Problematiku analýzy filtrů budeme demonstrovat pouze na řešených příkladech, za<br />
použití dosud uvedených poznatků.<br />
Příklad 9. 2<br />
Pro zapojení na obr. 9.7 určete (uvažujte ideální operační zesilovač):<br />
a) přenos struktury U ˆ<br />
2<br />
U ˆ<br />
1<br />
b) typ filtru<br />
c) nakreslete modulovou<br />
charakteristiku přenosu.<br />
R 1<br />
C<br />
R 2<br />
0<br />
Û 1<br />
Û 2<br />
Obr. 9.7: Zapojení k příkladu 9.2<br />
Řešení:<br />
a) Jedná se o invertující zapojení operačního zesilovače s přenosem<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
Zˆ<br />
ˆ<br />
kde<br />
2 1 2<br />
Z1<br />
<br />
Z ˆ 1<br />
R1<br />
1<br />
jC<br />
, Zˆ<br />
2<br />
R<br />
2<br />
<br />
Dosazením do výrazu pro napěťový přenos dostaneme:<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2<br />
1<br />
<br />
R2<br />
jCR2<br />
<br />
R 1 jC<br />
1<br />
jCR<br />
1<br />
1<br />
<br />
<br />
CR<br />
CR<br />
2<br />
1<br />
<br />
j<br />
R2<br />
j<br />
<br />
j<br />
1 CR<br />
CR<br />
R j<br />
1<br />
<br />
1<br />
1<br />
1<br />
210
Operační zesilovače<br />
Pro kmitočty « 1 CR1<br />
je přenos popsán vztahem<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2<br />
1<br />
R2<br />
<br />
R<br />
1<br />
j<br />
<br />
1 CR<br />
1<br />
<br />
a<br />
1<br />
a 1 – první asymptota přenosu – přenos vzrůstá se strmostí<br />
20 dB dek (nárůst desetkrát);<br />
Pro kmitočty » 1 CR1<br />
je přenos popsán vztahem<br />
Uˆ<br />
2 R2<br />
j<br />
R2<br />
a2<br />
Uˆ<br />
R j<br />
R<br />
1<br />
a 2 – druhá asymptota přenosu<br />
1<br />
Na charakteristické frekvenci <br />
0<br />
1 CR1<br />
je přenos<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2<br />
1<br />
2<br />
1<br />
R2<br />
<br />
R<br />
<br />
R<br />
2<br />
1<br />
2<br />
R<br />
1<br />
j0<br />
j<br />
<br />
e<br />
0<br />
j5<br />
4<br />
0<br />
1<br />
<br />
R2<br />
<br />
R<br />
1<br />
j<br />
j <br />
R<br />
j<br />
2<br />
1<br />
2 j<br />
e<br />
<br />
R1<br />
j<br />
4<br />
2 e<br />
modul přenosu je tedy o 3 dB menší než je jeho ustálená hodnota přenosu 1<br />
2 <br />
e<br />
20log 3<br />
.<br />
b) Nízké frekvence jsou potlačovány, vysoké frekvence jsou propouštěny, jedná se o horní<br />
propust (HP; invertující) prvního řádu, protože v obvodu se vyskytuje pouze jedna časová<br />
konstanta CR 1<br />
a přenos proto obsahuje asymptotu, kde přísluší nejvýše exponent<br />
prvního řádu.<br />
c) Návod:<br />
Určíme modul přenosu, závislost vyneseme v semilogaritmických souřadnicích (na ose x<br />
logaritmické znázornění , na ose y modul přenosu v dB).<br />
<br />
20 log<br />
ˆ<br />
Uˆ<br />
U i<br />
1<br />
a<br />
2<br />
20 log R2<br />
R1<br />
<br />
<br />
(dB)<br />
0<br />
<br />
1<br />
1<br />
CR<br />
1<br />
<br />
a1<br />
20log<br />
1<br />
<br />
<br />
211
Operační zesilovače<br />
Příklad 9. 3<br />
Pro zapojení na obr. 9.8 určete (uvažujte ideální operační zesilovač):<br />
a) přenos struktury Uˆ<br />
2<br />
/ U ˆ<br />
1<br />
b) typ filtru<br />
c) nakreslete modulovou charakteristiku přenosu.<br />
C 2<br />
R 2<br />
R 2<br />
R 1<br />
C 1<br />
R 1<br />
0<br />
0<br />
Û 1 Û<br />
2<br />
Û1<br />
Û 2<br />
Řešení:<br />
a) Jedná se o kaskádní zapojení filtrů (přenos druhé struktury viz příklad k řešení 9.4). Platí , že<br />
Uˆ ˆ <br />
přenos zapojení tedy je<br />
2<br />
U 1<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2<br />
1<br />
Uˆ<br />
<br />
2<br />
<br />
Uˆ<br />
1<br />
Uˆ<br />
2<br />
<br />
Uˆ<br />
<br />
1<br />
Obr. 9.8: Zapojení k příkladu. 9.3<br />
<br />
R<br />
R<br />
2<br />
1<br />
<br />
j<br />
R2<br />
1 C2R2<br />
<br />
<br />
j<br />
1 C1<br />
R1<br />
R1<br />
j<br />
1<br />
C1<br />
R<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
R<br />
R<br />
2<br />
1<br />
<br />
<br />
<br />
2<br />
<br />
j<br />
1 C2R2<br />
<br />
j<br />
1 C R j<br />
1<br />
C R<br />
<br />
1<br />
1<br />
<br />
<br />
<br />
2<br />
<br />
2<br />
<br />
Pro kmitočty « 1 C<br />
1R1<br />
« 1 C<br />
2R<br />
2<br />
je přenos popsán vztahem<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2<br />
1<br />
R<br />
<br />
<br />
R<br />
2<br />
1<br />
<br />
<br />
<br />
2<br />
<br />
1<br />
j<br />
1<br />
C<br />
R <br />
1<br />
1<br />
<br />
a<br />
a 1 – s růstem frekvence přenos roste se strmostí<br />
212<br />
20 dB dek .<br />
Pro kmitočty 1 C<br />
1R1<br />
« « 1 C<br />
2R<br />
2<br />
je přenos definován vztahem<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
<br />
<br />
<br />
R<br />
<br />
<br />
<br />
2 2<br />
<br />
<br />
a2<br />
R <br />
1<br />
1<br />
a 2 – přenos je konstantní.<br />
2
Operační zesilovače<br />
Pro kmitočty 1 C<br />
1R1<br />
« 1 C<br />
2R<br />
2<br />
« je přenos definován vztahem<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2<br />
<br />
2<br />
R <br />
2<br />
1<br />
1<br />
<br />
<br />
<br />
R<br />
1<br />
<br />
<br />
<br />
C2R<br />
j<br />
2<br />
<br />
a 3 – s růstem frekvence přenos klesá se strmostí<br />
a<br />
3<br />
20 dB dek .<br />
Na charakteristických frekvencích<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2<br />
1<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
R<br />
R<br />
2<br />
1<br />
<br />
<br />
<br />
2<br />
1 R<br />
C 1 1<br />
,<br />
1 R<br />
C 2 2<br />
je pokles přenosu proti hodnotě<br />
právě 3 dB.<br />
b) Nízké frekvence jsou potlačovány, vysoké frekvence jsou také potlačeny, propouštěny jsou<br />
frekvence v intervalu kmitočtů 1 C<br />
1R1<br />
až 1 C<br />
2R<br />
2<br />
– jedná se o pásmovou propust (PP<br />
s malým činitelem jakosti Q; zapojení je neinvertující).<br />
c) Návod:<br />
Určíme modul přenosu, závislost vyneseme v semilogaritmických souřadnicích.<br />
20<br />
log<br />
(dB)<br />
ˆ<br />
U i<br />
Uˆ<br />
1<br />
a<br />
2<br />
R<br />
R logR<br />
<br />
20 R<br />
2<br />
log<br />
2 1<br />
40<br />
2<br />
1<br />
0<br />
<br />
1<br />
1<br />
CR<br />
1<br />
<br />
2<br />
1<br />
CR<br />
2<br />
<br />
a 1<br />
a 3<br />
Pojmy k zapamatování<br />
Ideální, reálný OZ; vstup invertující, neinvertující; virtuální zem (zkrat); diferenční napětí; napěťové<br />
zesílení; tranzitní frekvence; napěťová a proudová nesymetrie; rychlost přeběhu; přenos struktury.<br />
Filtr – dolní a horní propust, pásmová propust a pásmová zádrž. Pokud některému z nich ještě<br />
nerozumíte, vraťte se k nim ještě jednou.<br />
213
Operační zesilovače<br />
Otázky 9<br />
1. Které tranzistory na obr. 9.1 tvoří diferenční stupeň OZ<br />
2. Čím je dána napěťová (proudová) nesymetrie OZ<br />
3. Definujte ideální OZ.<br />
4. Jaký je přenos invertující struktury s OZ<br />
5. Jaký je přenos neinvertující struktury s OZ<br />
6. Jaká je vstupní impedance neinvertující struktury s OZ<br />
7. Jaká je vstupní impedance invertující struktury s OZ<br />
8. Definujte typy filtrů podle přenosové kmitočtové charakteristiky.<br />
Úlohy k řešení 9<br />
<br />
Příklad 9.1<br />
Určete napěťový přenos a vstupní impedanci struktury na obrázku.<br />
R<br />
C<br />
E. C<br />
R<br />
Û 1<br />
+<br />
Û 2<br />
Û 1<br />
+<br />
Û 2<br />
Obrázek k příkladu 9.1 Obrázek k příkladu 9.2<br />
(integrátor – invertující)<br />
(derivátor – invertující)<br />
<br />
Příklad 9.2<br />
Určete napěťový přenos a vstupní impedanci struktury na obrázku.<br />
<br />
Příklad 9.3<br />
Určete napěťový přenos a vstupní impedanci struktury na obrázku.<br />
214
Operační zesilovače<br />
<br />
Příklad 9.4<br />
Určete napěťový přenos a vstupní impedanci struktury na obrázku.<br />
R 2<br />
R 2<br />
F. R 1 C<br />
R<br />
C<br />
+<br />
+<br />
Û 1<br />
Û 2<br />
Û 1<br />
Û 2<br />
Obrázek k příkladu 9.3 Obrázek k příkladu 9.4<br />
(horní propust 1. řádu – invertující)<br />
(dolní propust 1. řádu – invertující)<br />
<br />
Příklad 9.5<br />
Určete napěťový přenos a vstupní impedanci struktury na obrázku.<br />
<br />
Příklad 9.6<br />
Určete napěťový přenos a vstupní impedanci struktury na obrázku.<br />
+<br />
+<br />
R<br />
R 1<br />
R 2<br />
R<br />
R 2<br />
C<br />
R 1<br />
Û 1<br />
Û 2<br />
Û 1<br />
Û 2<br />
Obrázek k příkladu 9.5 Obrázek k příkladu 9.6<br />
(neinvertující struktura)<br />
(neinvertující struktura – frekvenčně závislý přenos)<br />
<br />
Příklad 9.7<br />
Strukturu na obrázku 9.5 (řešený příklad 9.1) řešte pomocí principu superpozice<br />
(předpokládejte, že všechny prvky obvodu jsou lineární – i OZ).<br />
215
Operační zesilovače<br />
<br />
Příklad 9.8<br />
Pro zapojení na obrázku určete<br />
(uvažujte ideální operační zesilovač):<br />
a) přenos struktury Uˆ<br />
2<br />
Uˆ<br />
1<br />
b) typ filtru<br />
c) nakreslete modulovou<br />
charakteristiku přenosu.<br />
R<br />
C<br />
C<br />
R<br />
0<br />
Û 1<br />
Û 2<br />
Obrázek k příkladu 9.8<br />
Text k prostudování<br />
[1] Punčochář,J.: Operační zesilovače v elektronice. BEN, Praha 2002 (5. vydání), ISBN 80-<br />
7300-059-8<br />
Další zdroje<br />
[1] Horowitz, P.- Winfield,H.: The art of electronics (second edition). Cambridge University<br />
Press, Cambridge 1982<br />
2 Mikulec, M., – Havlíček, V.: Basic circuit theory. Vydavatelství ČVUT, Praha, 2005,<br />
ISBN 80-01-03172-1<br />
3 Doleček, J.: Moderní učebnice elektroniky 5. díl, BEN, Praha, 2007,<br />
ISBN 978-80-7300-187-2<br />
4 Punčochář, J.: Lineární obvody s elektronickými prvky. Skriptum, VŠB-TU Ostrava 2002,<br />
ISBN 80-248-0040-3<br />
5 Mohylová, J.: Lineární obvody s elektronickými prvky -Sbírka příkladů, VŠB-TU Ostrava<br />
2002, ISBN 80-248-0098-5<br />
Korespondenční úkol<br />
Bude zadán vyučujícím z množiny příkladů určených k samostatnému řešení..<br />
216
Zpětná vazba<br />
10 Zpětná vazba<br />
Čas ke studiu: 4 hodiny<br />
Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět :<br />
aplikovat poznatky z teorie zpětné vazby<br />
určit vstupní impedanci zesilovacích struktur s reálnými OZ<br />
určit výstupní impedanci zesilovacích struktur s reálnými OZ<br />
určit šířku frekvenčního pásma zesilovacích struktur s reálnými OZ<br />
VÝKLAD<br />
Zpětná vazba (ZV) vzniká, přivedeme-li část signálu nebo celý signál z výstupu zpět na<br />
vstup. Zavedením zpětné vazby můžeme ovlivnit parametry zapojení (zesílení, nelineární zkreslení,<br />
stabilitu, …). Pro popis obvodů se zpětnou vazbou použijeme dvojbranový přístup. Základním<br />
obvodem (dvojbranem) je některý z řízených zdrojů, signál je (ideálně) přenášen pouze jedním<br />
směrem – ze vstupu na výstup (přímá větev). Druhý dvojbran (zpětnovazební větev) přenáší signál z<br />
výstupu (přímé větve) na vstup (přímé větve). I ve zpětné větvi uvažujeme ideálně pouze přenos<br />
signálu jedním směrem – obě větve jsou tedy unilaterální.<br />
Xˆ i<br />
S<br />
ˆX ˆX<br />
1<br />
2<br />
Pˆ<br />
Xˆ<br />
Xˆ<br />
a <br />
2<br />
1<br />
Xˆ<br />
Z<br />
Pˆ<br />
Z <br />
Xˆ<br />
Z<br />
Xˆ<br />
2<br />
Obr. 10.1: Obecné blokové schéma ideální zpětnovazební struktury.<br />
Obecné blokové (skupinové) schéma takového zpětnovazebního obvodu je na obr. 10.1, kde<br />
Pˆ<br />
ˆ ˆ<br />
a X2<br />
X1<br />
definuje přenos bez ZV (přímé větve)<br />
Pˆ<br />
Xˆ<br />
Xˆ<br />
Z Z 2 definuje přenos zpětnovazební větve<br />
S definuje způsob slučování zpětnovazebního Z<br />
217<br />
Xˆ a vstupního <br />
Xˆ i signálu.
Zpětná vazba<br />
V blokovém schématu je vyznačeno znaménko (-), proto platí<br />
X<br />
ˆ1<br />
Xˆ<br />
i Xˆ<br />
Z<br />
(10.1)<br />
Určíme, že<br />
tedy i<br />
ˆ 2<br />
X<br />
Xˆ<br />
P <br />
2<br />
a Xˆ<br />
ˆ ˆ ˆ ˆ ˆ ˆ ˆ ˆ ˆ <br />
Xˆ<br />
2 Pa<br />
X1<br />
Pa<br />
Xi<br />
XZ<br />
Pa<br />
Xi<br />
PZ<br />
X2<br />
1<br />
1<br />
Pˆ<br />
aP<br />
ˆ<br />
Z <br />
Pˆ<br />
aX<br />
ˆ<br />
i<br />
Po úpravě obdržíme pro celkový přenos struktury se zpětnou vazbou vztah<br />
Pˆ<br />
<br />
Xˆ<br />
Xˆ<br />
2<br />
1<br />
Pˆ<br />
a<br />
<br />
1<br />
Pˆ<br />
Pˆ<br />
a<br />
Z<br />
Pˆ<br />
a<br />
<br />
B<br />
(10.2)<br />
Člen ve jmenovateli vztahu (10.2)<br />
B 1 P ˆ<br />
a P ˆ<br />
Z<br />
(10.3)<br />
se nazývá činitel zpětné vazby (stupeň ZV).<br />
<br />
Pa<br />
Platí-li P <br />
B<br />
<br />
P<br />
a<br />
<br />
B 1<br />
(10.4)<br />
hovoříme o záporné zpětné vazbě (degenerativní) – záporná zpětná vazba působí "proti" stavu bez<br />
zpětné vazby.<br />
Pˆ<br />
Jestliže platí, že B 1, tedy<br />
a<br />
Pˆ<br />
Pˆ<br />
a<br />
, (10.5)<br />
B<br />
hovoříme o kladné zpětné vazbě (regenerativní) – kladná zpětná vazba "podporuje" zesílení struktury<br />
(proti stavu bez vazby).<br />
V praxi jsou oba přenosy (přímý i zpětnovazební) funkcí frekvence. Tzn., že na některých<br />
frekvencích tak může nastat kritická situace, kdy právě platí<br />
B 1<br />
P ˆ<br />
a P ˆ 0<br />
(10.6)<br />
Z<br />
Přenos se zpětnou vazbou je zde teoreticky nekonečně veliký. Prakticky se však vždy ustálí na<br />
nějaké konečné hodnotě (nelinearity reálných obvodů) – v obvodu vznikají samovolné kmity<br />
(oscilace).<br />
Ty pak mohou být a) žádoucí – oscilátory, klopný obvod, pokud je podmínka (10.6) splněna v<br />
širokém pásmu frekvencí<br />
b) nežádoucí – u zesilovačů a filtrů (hovoříme o nestabilitě).<br />
Vraťme se k přenosu struktury, vztah (10.2) přepíšeme do oboru reálných čísel<br />
a<br />
<br />
a<br />
Z<br />
<br />
P P 1 P P<br />
(10.7)<br />
218
Tento vztah má obecný význam. Máme-li ideální (zesilovač) stav, kdy<br />
obvodu<br />
P<br />
ID<br />
<br />
lim<br />
Pa<br />
<br />
Pa<br />
1<br />
Pa<br />
PZ<br />
<br />
1 P Z<br />
P a<br />
Zpětná vazba<br />
, pak přenos ideálního<br />
je určen pouze vlastnostmi zpětnovazebního obvodu, nikoliv řízeným zdrojem (zesilovačem).<br />
(10.8)<br />
V technické praxi to znamená, že zpětnovazební větev můžeme konstruovat (navrhovat) tak,<br />
aby zaručovala požadovaný frekvenční průběh přenosu (zesilovače, frekvenční filtry, korektory).<br />
Vliv změny přenosu přímé větve lze získat derivací vztahu (10.7) podle P a přenosu struktury:<br />
dP<br />
dP<br />
<br />
1<br />
P P<br />
<br />
P P<br />
1<br />
<br />
a Z a Z<br />
(1 )<br />
2 <br />
a Pa<br />
PZ<br />
1<br />
Pa<br />
PZ<br />
2<br />
(10.9)<br />
Tato derivace se normuje, zavádí se pojem normovaná diferenciální citlivost S<br />
S<br />
<br />
P<br />
a<br />
<br />
<br />
dP<br />
dP<br />
a<br />
P<br />
P<br />
a<br />
<br />
Pa<br />
P<br />
dP<br />
<br />
dP<br />
a<br />
<br />
P<br />
a<br />
P<br />
a<br />
<br />
1<br />
1<br />
Pa<br />
PZ<br />
1<br />
P P 1<br />
Pa<br />
PZ<br />
a<br />
Z<br />
1<br />
<br />
2 (10.10)<br />
Velký činitel zpětné vazby vede ke zmenšení vlivu změny přenosu P a na celkový přenos. Pro ideální<br />
operační zesilovač je P a a S P a <br />
0.<br />
10.1 Vliv zpětné vazby na frekvenční vlastnosti přenosu<br />
Vycházíme z obecného vztahu pro přenos struktury (10.2). Předpokládejme pro jednoduchost,<br />
že zpětnovazební přenos je popsán pouze reálným číslem, je frekvenčně nezávislý. Potom platí pro<br />
celkový přenos struktury<br />
Pˆ<br />
ˆ<br />
<br />
ˆ<br />
<br />
Pa<br />
1<br />
Pa<br />
PZ<br />
(10.11)<br />
10.1.1 Horní kmitočet přenosu Pˆ<br />
a<br />
Vycházíme ze vztahu pro přenos struktury. Horní kmitočet přenosu přímé větve<br />
popsán vztahem<br />
219<br />
P a je<br />
ˆ H<br />
a Pao<br />
Pao<br />
<br />
(10.12)<br />
j<br />
H<br />
1<br />
j<br />
H<br />
P<br />
<br />
1<br />
P A , 1<br />
(tento popis vyhovuje i u operačních zesilovačů, v katalozích se uvádí ao o H ,<br />
Ao<br />
1 T<br />
– extrapolovaný tranzitní kmitočet operačního zesilovače). Vztahu (10.12) odpovídají<br />
Bodeho asymptoty na obr. 10.2 – plné čáry.
Zpětná vazba<br />
Dosadíme-li vztah (10.12) do vztahu (10.11) pro přenos struktury dostaneme:<br />
P<br />
ˆ <br />
ao<br />
<br />
P <br />
ao<br />
<br />
(10.13)<br />
1<br />
P<br />
j<br />
j<br />
aoP<br />
<br />
Z<br />
1<br />
PaoP<br />
<br />
Z<br />
P<br />
1<br />
<br />
H<br />
<br />
1<br />
1<br />
PaoPZ<br />
HZ<br />
Přenos pro nízké frekvence<br />
Záporná ZV – 1 PaP<br />
Z 1<br />
rozšíří frekvenční pásmo za cenu poklesu zesílení (proti stavu<br />
bez vazby) – viz obr. 10.2..<br />
<br />
<br />
HZ H<br />
1 Pa<br />
PZ<br />
(10.14)<br />
P<br />
1<br />
1<br />
20log P<br />
<br />
dB<br />
<br />
P<br />
ao<br />
dB<br />
P<br />
a<br />
dB<br />
<br />
20 log<br />
P<br />
ao<br />
<br />
<br />
H<br />
-3dB<br />
(-20 dB/dek)<br />
20 log<br />
P<br />
1 P<br />
ao<br />
ao<br />
P<br />
Z<br />
0<br />
H<br />
HZ<br />
H·P ao<br />
<br />
<br />
°<br />
0<br />
-45<br />
<br />
-90<br />
Obr. 10.2: Modulová a fázová charakteristika funkce dané vztahem (10.12) - plné<br />
čáry; vliv zpětné vazby – přerušované čáry<br />
10.1.2 Dolní kmitočet přenosu Pˆ<br />
a<br />
Dolní kmitočet přenosu přímé větve<br />
j<br />
Pˆ a je popsán vztahem<br />
j<br />
<br />
ˆ H<br />
D<br />
a Pao<br />
Pao<br />
<br />
D<br />
j<br />
1<br />
j<br />
<br />
(10.15)<br />
D<br />
P<br />
Dosadíme-li vztah (10.15) do vztahu (10.11) pro přenos struktury dostaneme:<br />
220
Pˆ<br />
<br />
P<br />
1<br />
P<br />
ao<br />
ao<br />
P<br />
Z<br />
j<br />
D<br />
1<br />
PaoPZ<br />
<br />
<br />
j<br />
1<br />
1<br />
P P<br />
Dolní frekvence se zpětnou vazbou je určena vztahem: 1 P P <br />
Záporná ZV – 1 PaP<br />
Z 1<br />
rozšíří frekvenční pásmo – viz obr. 10.3.<br />
D<br />
<br />
ao<br />
Z<br />
<br />
Zpětná vazba<br />
(10.16)<br />
DZ D ao Z<br />
(10.17)<br />
Vztahy (10.14) a (10.17) platí i pro přenosy P a , kde se současně vyskytuje dolní i horní<br />
kmitočet, platí-li, že H D . Pro struktury se zápornou zpětnou vazbou vždy platí, že šířka pásma<br />
se zpětnou vazbou H 1 PaoPZ<br />
D<br />
1<br />
PaoPZ<br />
je větší než šířka pásma bez vazby: H - D .<br />
P<br />
ao<br />
dB<br />
20log<br />
P<br />
<br />
dB<br />
<br />
(+20 dB/dek)<br />
20 log<br />
P<br />
1 P<br />
ao<br />
ao<br />
P<br />
Z<br />
0<br />
<br />
°<br />
DZ<br />
D<br />
<br />
90<br />
45<br />
0<br />
<br />
Obr. 10.3: Modulová a fázová charakteristika funkce dané vztahem (10.15) – plné<br />
čáry; vliv zpětné vazby – přerušované čáry.<br />
10.2 Vliv zpětné vazby na na vstupní impedanci<br />
Analyzujeme-li i impedanční vlastnosti na vstupu zpětnovazební struktury, musíme situaci<br />
zkoumat poněkud podrobněji, než je tomu na obr.10.1. Dvě možná zapojení na vstupu zpětnovazební<br />
struktury jsou uvedena na obr.10.4.<br />
Způsob získání zpětnovazební "informace" není v tomto okamžiku upřesněn. Vždy však musí<br />
platit pro zpětnovazební signály (veličiny), že<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
Pˆ<br />
Pˆ<br />
Iˆ<br />
Z 1 a Z<br />
Z 1<br />
Iˆ<br />
Pˆ<br />
Pˆ<br />
a<br />
Z<br />
221
Zpětná vazba<br />
tedy součin P ˆ aP ˆ<br />
Z musí být bez rozměru.<br />
Vstupní impedance obvodu na obr. 10.4. a) (sériová vazba) je definována zobecně-ným<br />
tvarem Ohmova zákona, odvození je zřejmé z uvedených poměrů:<br />
Zˆ<br />
vst<br />
Uˆ<br />
ˆ ˆ ˆ ˆ ˆ ˆ<br />
i U1<br />
UZ<br />
U1<br />
U1Pa<br />
PZ<br />
<br />
Zˆ<br />
( ˆ ˆ<br />
ˆ ˆ ˆ ˆ<br />
vst1<br />
1<br />
Pa<br />
P<br />
I I U Z<br />
i<br />
1<br />
1<br />
vst1<br />
Z<br />
)<br />
(10.18)<br />
Je zřejmé, že pro zápornou zpětnou vazbu sériovou roste modul vstupní impedance nad<br />
hodnotu modulu bez zpětné vazby:<br />
Zˆ<br />
vst<br />
Zˆ<br />
Pˆ<br />
Pˆ<br />
Zˆ<br />
(10.19)<br />
vst1 1 a Z vst1<br />
Iˆ ˆ<br />
1<br />
I i<br />
Î 1<br />
Û 1<br />
Ẑ<br />
Pˆ<br />
a<br />
vst1<br />
Î i<br />
Pˆ<br />
a<br />
Ẑ vst1<br />
Û i<br />
Û 2<br />
Î 1<br />
Û 1 = Û i<br />
Î Z<br />
Pˆ<br />
Z<br />
Pˆ<br />
Z<br />
(a)<br />
(b)<br />
Obr. 10.4. a) Sériové zapojení zpětné vazby (vstupu zesilovače a výstupu zpětnovazebního obvodu)<br />
- ideálně se předpokládá, že zpětnovazební napětí je dodáváno z ideálního zdroje<br />
napětí, které nelze ovlivnit proudem vstupním;<br />
b) paralelní zapojení zpětné vazby (vstupu zesilovače a výstupu zpětnovazebního<br />
obvodu) - ideálně se předpokládá, že zpětnovazební proud je dodáván z ideálního<br />
zdroje proudu, který nelze ovlivnit vstupním napětím.<br />
Vstupní impedance pro paralelní vazbu - obr. 10.4. b) - je<br />
Zˆ<br />
<br />
Uˆ<br />
<br />
Uˆ<br />
<br />
Zˆ<br />
i<br />
1<br />
vst1<br />
1<br />
vst paraleln í<br />
Zvst<br />
1 Pa<br />
PZ<br />
Iˆ<br />
i Iˆ<br />
Iˆ<br />
Z Iˆ<br />
Iˆ<br />
Pˆ<br />
aP<br />
ˆ<br />
1<br />
(10.20)<br />
1<br />
1 1 Z<br />
Pro zápornou zpětnou vazbu paralelní klesá modul vstupní impedance pod hodnotu modulu bez<br />
zpětné vazby.<br />
Iˆ<br />
<br />
ˆ<br />
<br />
<br />
ˆ<br />
ˆ<br />
<br />
222
Zpětná vazba<br />
10.3 Vliv zpětné vazby na výstupní impedanci<br />
Dvě možná řazení na výstupu zesilovače jsou na obr. 10.5. Na obr. 10. 5. a) se jedná o<br />
napěťovou vazbu (v dvojbranové terminologii paralelní řazení) - zpětnovazební informace je<br />
odvozena od výstupního napětí. Na obr. 10. 5. b) se jedná o proudovou vazbu (sériové řazení na<br />
výstupu struktury) - zpětnovazební informace je odvozena od výstupního proudu.<br />
Impedanční poměry na výstupu lze určit pomocí Théveninova teorému. Výstupní impedanci<br />
stanovíme jako poměr výstupního napětí naprázdno U ˆ 2 n a proudu nakrátko Iˆ 2<br />
<br />
ZK .<br />
Na obr.10. 5. a) při stavu naprázdno (R Z ) není zpětná vazba rozpojena, proto platí<br />
obecný vztah (10.2), tedy i<br />
kde<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
Pˆ<br />
1<br />
Pˆ<br />
Pˆ<br />
<br />
<br />
2 n i a a Z<br />
(10.21)<br />
Pˆ a je přenos přímé větve (zesilovače) bez zatížení.<br />
Ẑ výst2<br />
Î 2 Î 2 Î<br />
2<br />
<br />
Î 2 Î 2<br />
Î<br />
2<br />
Pa<br />
ˆ U ˆ<br />
1<br />
Û 2<br />
R<br />
Z<br />
Pa<br />
ˆ I ˆ<br />
1<br />
Yˆ<br />
výst2<br />
Û 2<br />
0<br />
Û 2<br />
R<br />
Z<br />
Pˆ<br />
Z<br />
Û 2<br />
Pˆ<br />
0<br />
Z<br />
(a)<br />
Obr. 10. 5. a) Napěťová zpětná vazba (výstup zesilovače a vstup zpětnovazebního obvodu jsou<br />
zapojeny paralelně) - ideálně se předpokládá, že zpětnovazební obvod má nekonečný<br />
vstupní odpor - neodebírá proud;<br />
b) proudová zpětná vazba (výstup zesilovače a vstup zpětnovazebního obvodu jsou<br />
zapojeny do série) – ideálně se předpokládá, že na vstupu zpětnovazeb-ního obvodu<br />
je nulové napětí – má nulový vstupní odpor.<br />
(b)<br />
Při zjišťování stavu nakrátko [obr. 10. 5. a)], kdy R Z = 0, je zpětná vazba rozpojena, vstup<br />
zpětnovazebního obvodu je zkratován. Potom je vstupní napětí přímé větve Uˆ Uˆ<br />
1 i zesilováno<br />
"celým" přenosem přímé větve, platí<br />
Iˆ<br />
Pˆ<br />
Uˆ<br />
Zˆ<br />
(10.22)<br />
2ZK<br />
a i výst2<br />
Ze vztahů (10.21) a (10.22) určíme výstupní impedanci<br />
ˆ s napěťovou vazbou<br />
Z výst 2napěťová<br />
223
Zˆ<br />
Uˆ<br />
Iˆ<br />
Zˆ<br />
1<br />
Pˆ<br />
Pˆ<br />
<br />
výst2 napěťová 2n<br />
2ZK<br />
výst2<br />
a Z<br />
(10.23)<br />
<br />
Zpětná vazba<br />
Záporná zpětná vazba napěťová zmenšuje výstupní impedanci - ideálně až k nulové hodnotě<br />
1 P ˆ aP ˆ Z - sytém se chová jako "lepší" zdroj napětí.<br />
Na obr. 10. 5. b) při stavu naprázdno (R Z ) je zpětná vazba rozpojena, proto platí<br />
Iˆ Iˆ<br />
1 i a tento proud je zesílen "celým" přenosem přímé větve. Napětí naprázdno je potom dáno<br />
vztahem Uˆ<br />
2n<br />
Pˆ<br />
aI<br />
ˆ<br />
i Yˆ<br />
výst 2 Pˆ<br />
aI<br />
ˆ<br />
iZ<br />
ˆ<br />
výst 2 . Při stavu nakrátko je zpětná vazba uzavřena, platí tedy<br />
Výstupní impedance<br />
Iˆ<br />
Iˆ<br />
Iˆ<br />
Pˆ<br />
1<br />
Pˆ<br />
Pˆ<br />
<br />
<br />
2 ZK 2ZK<br />
i a a Z<br />
(10.24)<br />
Zˆ<br />
ˆ struktury s proudovou zpětnou vazbou je<br />
Z<br />
V 2 I<br />
ˆ<br />
ˆ<br />
Pˆ<br />
Iˆ<br />
Zˆ<br />
a i výst 2<br />
výst 2 proudová U 2n<br />
I2<br />
ZK <br />
Z<br />
výst 1<br />
Pa<br />
PZ<br />
Iˆ<br />
i Pˆ<br />
a 1<br />
Pˆ<br />
aP<br />
ˆ<br />
2<br />
(10.25)<br />
Z <br />
Záporná zpětná vazba proudová zvětšuje výstupní impedanci - ideálně až k nekonečné hodnotě<br />
1 Pˆ<br />
ˆ – sytém se chová jako "lepší" zdroj proudu.<br />
<br />
a P Z<br />
<br />
ˆ<br />
<br />
ˆ<br />
ˆ<br />
<br />
Příklad 10. 1<br />
Určete vstupní odpor neinvertující struktury na obr. 10.5. Víte-li, že diferenční odpor R d<br />
operačního zesilovače je 1 MΩ a stejnosměrné zesílení OZ je 10 5<br />
R d<br />
+<br />
R 1<br />
R 2<br />
Û 1<br />
Û 2<br />
Obr. 10. 5: Neinvertující strukrura s OZ a reálným vstupním odporem<br />
Řešení:<br />
Jedná se o sériovou zpětnou vazbu zápornou a napěťovou. V tomto případě téměř splněny<br />
předpoklady, které byly požadovány při odvození obecných vztahů. Proto platí Zˆ vst Rd<br />
,<br />
224
Zpětná vazba<br />
P ˆ Z R1 R1<br />
R2<br />
je přenos zpětnovazebního děliče a Pˆ A ˆ a je přenos OZ. Ze vztahu (10.18)<br />
určíme:<br />
R <br />
<br />
<br />
1<br />
6 R<br />
<br />
<br />
1 5<br />
Zˆ<br />
Zˆ<br />
vst vst1 (<br />
1<br />
Pˆ<br />
Pˆ<br />
a Z ) R 1<br />
Aˆ<br />
d<br />
10 1<br />
10<br />
<br />
R1<br />
R2<br />
R1<br />
R2<br />
<br />
Ke stejnému výsledku dospějeme i bez teorie zpětné vazby – důsledným využitím<br />
Kirchoffových zákonů a Ohmova zákona.<br />
Předpokládejme, že známe výstupní napětí Û 2 . Tomu přísluší diferenční napětí<br />
ˆ<br />
U d<br />
Uˆ<br />
Aˆ<br />
.<br />
2<br />
Î d<br />
Û d<br />
Î d<br />
+<br />
R 1<br />
R 2<br />
Û 1<br />
Û 2<br />
Obr. 10. 6 Proudové a napěťové poměry v zapojení na obr. 10. 5<br />
Vstupní proud celé struktury je přímo určen proudem<br />
Iˆ<br />
d<br />
Uˆ<br />
d<br />
R<br />
d<br />
Uˆ<br />
<br />
Aˆ<br />
R<br />
<br />
2 d .<br />
Napětí na vstupu struktury je dáno součtem napětí na odporu R 1 a diferenčního napětí Û d .<br />
V praxi vždy platí, že proud diferenčním odporem R d je řádově menší než proud odporem R 1 (toto<br />
musí být zajištěno při návrhu obvodu). Odpory R 1 a R 2 tvoří prakticky nezatížený dělič a můžeme psát<br />
R<br />
Uˆ<br />
1<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
1 2 d<br />
R1<br />
R2<br />
Celková vstupní impedance je určena vztahem<br />
Zˆ<br />
vst<br />
<br />
Uˆ<br />
Iˆ<br />
d<br />
1<br />
<br />
R1<br />
Uˆ<br />
R1<br />
R2<br />
Iˆ<br />
d<br />
2<br />
Uˆ<br />
d<br />
<br />
R1<br />
R1<br />
R2<br />
Uˆ<br />
2<br />
Uˆ<br />
<br />
2<br />
<br />
Aˆ<br />
R<br />
d<br />
Uˆ<br />
2<br />
Aˆ<br />
<br />
<br />
R<br />
d<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
R1<br />
R R<br />
1<br />
2<br />
<br />
Aˆ<br />
<br />
<br />
Impedanční poměry v dalších zpětnovazebních strukturách se řeší obdobně, ale situace může<br />
být složitější. Problematika přesahuje rámec základního kurzu a je náplní navazujících kurzů.<br />
225
Zpětná vazba<br />
Řešení:<br />
Příklad 10. 2<br />
Pro neinvertující strukturu na obr. 10.5. určete:<br />
a) zesílení s ideálním OZ pro hodnoty R 1 = 1 kΩ a R 2 = 9 kΩ<br />
b) horní frekvenci struktrury f HZ pro R 1 = 1 kΩ a R 2 = 9 kΩ a reálný OZ s parametry<br />
A o =10 5 ; f 1 = 10 Hz<br />
c) přenos OZ z bodu b) pro stejnosměrné signály<br />
a) Pro ideální OZ platí, že P a A <br />
proto<br />
Pˆ<br />
<br />
Pa<br />
1<br />
P P<br />
a<br />
Z<br />
<br />
1<br />
<br />
<br />
P<br />
Z<br />
<br />
1<br />
P<br />
Z<br />
Přenos zpětnovazební větve je určen pouze odporovým děličem R 1 , R 2 , takže<br />
Pˆ<br />
<br />
1<br />
P<br />
Z<br />
<br />
1<br />
R1<br />
R R<br />
1<br />
2<br />
<br />
R1<br />
R<br />
R<br />
1<br />
2<br />
1<br />
R<br />
R<br />
2<br />
1<br />
1<br />
910<br />
110<br />
3<br />
3<br />
10<br />
b) Platí Pao<br />
Ao<br />
, H<br />
1 2<br />
f1<br />
proto<br />
<br />
HZ<br />
<br />
H<br />
Obvykle pro OZ platí, že<br />
1 «<br />
proto<br />
<br />
f<br />
HZ<br />
A o<br />
<br />
1<br />
<br />
2<br />
f<br />
<br />
<br />
1<br />
1<br />
PaoPZ<br />
2<br />
f1 1<br />
Ao<br />
<br />
R 1 R2<br />
<br />
R1<br />
R R<br />
HZ<br />
2<br />
2<br />
f <br />
R<br />
<br />
1<br />
1 Ao<br />
2<br />
R1<br />
R2<br />
<br />
R<br />
1000<br />
<br />
f<br />
1 5<br />
5<br />
HZ fT<br />
10 10<br />
10 Hz<br />
R1<br />
R2<br />
10 000<br />
R<br />
T<br />
<br />
1<br />
<br />
R1<br />
R R<br />
2<br />
Na této frekvenci poklesne přenos o 3 dB pod hodnotu stanovenou v bodě a).<br />
c) Pro stejnosměrné signály pracujeme s hodnotou Pao<br />
Ao<br />
, proto<br />
226
Zpětná vazba<br />
P ˆ <br />
P<br />
10<br />
<br />
1000<br />
110<br />
<br />
10000<br />
ao<br />
1<br />
PaoPZ<br />
5<br />
5<br />
9,<br />
9990<br />
P ˆ 9,9990 – popisuje odchylku proti ideálnímu zesílení z bodu a) pro frekvence podstatně<br />
nižší než f 1 .<br />
Pojmy k zapamatování<br />
Zpětná vazba – kladná, záporná, sériová, paralelní, napěťová, proudová; činitel zpětné vazby; horní a<br />
dolní kmitočet přenosu; vstupní a výstupní impedance struktury. Pokud některému z nich ještě<br />
nerozumíte, vraťte se k nim ještě jednou.<br />
Otázky 10<br />
1. Definujte rozdíl mezi kladnou a zápornou zpětnou vazbou.<br />
2. Jak se mění horní kmitočet struktury se zaváděním záporné zpětné vazby<br />
3. Jak se mění dolní kmitočet struktury se zaváděním záporné zpětné vazby<br />
4. Jak se mění vstupní impedance při paralelním zapojení záporné zpětné vazby<br />
5. Jak se mění vstupní impedance při sériovém zapojení záporné zpětné vazby<br />
6. Jak se mění výstupní impedance při napěťovém zapojení záporné zpětné vazby<br />
7. Jak se mění výstupní impedance při proudovém zapojení záporné zpětné vazby<br />
Úlohy k řešení 10<br />
<br />
Příklad 10.1<br />
Ve struktuře na obrázku 10.5 je zadáno R 1 = 1 kΩ a R 2 = 9 kΩ. Určete vstupní odpor<br />
struktury, je-li R d operačního zesilovače je 1 MΩ a stejnosměrné zesílení OZ je 10 5 .<br />
227
Zpětná vazba<br />
<br />
Příklad 10.2<br />
Ve struktuře na obrázku 10.5 je zadáno R 1 = 10 kΩ a R 2 = 90 kΩ. Určete vstupní odpor<br />
struktury, je-li R d operačního zesilovače je 1 MΩ a stejnosměrné zesílení OZ je 10 5 .<br />
<br />
Příklad 10.3<br />
Ve struktuře na obrázku 10.5 je zadáno R 1 = 1 kΩ a R 2 = 99 kΩ. Určete vstupní odpor<br />
struktury, je-li R d operačního zesilovače je 1 MΩ a stejnosměrné zesílení OZ je 10 5 .<br />
<br />
Příklad 10.4<br />
Ve struktuře na obrázku 10.5 je zadáno R 1 = 1 kΩ a R 2 = 9 kΩ. Určete vstupní odpor<br />
struktury, je-li R d operačního zesilovače je 1 MΩ a stejnosměrné zesílení OZ je 10 6 .<br />
<br />
Příklad 10.5<br />
Ve struktuře na obrázku 10.5 je zadáno R 1 = 1 kΩ a R 2 = 9 kΩ. Určete vstupní odpor<br />
struktury, je-li R d operačního zesilovače je 1 MΩ a stejnosměrné zesílení OZ je 10 4 .<br />
<br />
Příklad 10.6<br />
V neinvertující struktuře na obrázku 10.5 je použit reálný OZ s parametry A o = 10 5 ; f 1 = 10<br />
Hz. Určete horní frekvenci struktury, je-li:<br />
a) R 1 = 1 kΩ a R 2 = 2 kΩ<br />
b) R 1 = 1 kΩ a R 2 = 99 kΩ<br />
c) R 1 = 1 kΩ a R 2 = 999 kΩ<br />
<br />
Příklad 10.7<br />
V neinvertující struktuře na obrázku 10.5 je R 1 = 1 kΩ a R 2 = 9 kΩ. Určete horní frekvenci<br />
struktury, je-li:<br />
a) A o = 10 5 ; f 1 = 1 Hz<br />
228
Zpětná vazba<br />
b) A o = 10 5 ; f 1 = 5 Hz<br />
c) A o = 10 5 ; f 1 = 50 Hz<br />
d) A o = 10 6 ; f 1 = 10 Hz<br />
e) A o = 10 4 ; f 1 = 10 Hz<br />
Text k prostudování<br />
[1] Punčochář,J.: Operační zesilovače v elektronice. BEN, Praha 2002 (5. vydání), ISBN 80-<br />
7300-059-8<br />
Další zdroje<br />
[1] Horowitz, P.- Winfield,H.: The art of electronics (second edition). Cambridge University<br />
Press, Cambridge 1982<br />
CD-ROM<br />
Otevři soubor Oscilátor, zpětná vazba<br />
Korespondenční úkol<br />
Bude zadán vyučujícím z množiny příkladů určených k samostatnému řešení..<br />
229
Oscilátory<br />
11 Oscilátory<br />
Čas ke studiu: 3 hodiny<br />
Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět:<br />
aplikovat teorii zpětné vazby na oscilátory<br />
popsat základní LC oscilátory<br />
popsat základní RC oscilátory<br />
navrhnout základní oscilátory RC<br />
popsat základní princip stabilizace amplitudy kmitů<br />
Cílem této kapitoly není vyčerpávající výklad problematiky oscilátorů. Toto je náplní<br />
navazujících kurzů. Bude zde však předvedeno využití dříve získaných poznatků při konstrukci a<br />
analýze základních zapojení oscilátorů.<br />
VÝKLAD<br />
Oscilátory jsou zesilovače s vhodnou nadkritickou kladnou zpětnou vazbou na požadované<br />
frekvenci. Pro správnou činnost musí být splněny dvě podmínky:<br />
a) amplitudová – A 1<br />
- toto jsou symboly používáné v technické praxi nejčastěji,<br />
z hlediska teorie uvedené v kapitole 10 platí P ; A P .<br />
b) fázová – A <br />
2k<br />
, k 0, 1, 2, <br />
Generované kmity vykazují harmonický průběh, jsou-li splněny obě podmínky na některé<br />
frekvenci.<br />
Generované kmity vykazují neharmonický průběh, jsou-li splněny obě podmínky pro široké<br />
spektrum frekvencí.<br />
Stabilita kmitočtu oscilátoru je učena:<br />
Kvalitou součástek (mezní frekvence)<br />
Obvodovým zapojením (vhodnější bývá zapojení se společnou bází a kolektorem, u VF<br />
oscilátorů požadavek na kvalitu cívek – nesmí se teplem roztahovat, kvalita kondenzátorů)<br />
Kolísáním napájecího napětí (má za příčinu změnu pracovního bodu tranzistoru)<br />
230<br />
Z<br />
a
Oscilátory<br />
Změnou teploty (nutnost teplotní stabilizace)<br />
Kladný teplotní součinitel indukčnosti se kompenzuje záporným teplotním součinitelem<br />
kondenzátoru, když toto nepomůže, tak je nejlepší oscilátor umístit do termostatu.<br />
Vlivem zátěže (oddělovací stupeň)<br />
Mechanické provedení (dobré mechanické upravení krytí cívek, malá vzdálenost zmenšuje<br />
indukčnost a zhoršuje činitel jakosti Q.<br />
Kvalitou rozvodu napájecího napětí (zařazení filtračních členů do přívodu pro zamezení<br />
šíření energie po rozvodu napájení)<br />
Frekvenční stabilitu oscilátoru určíme jako<br />
Zlepšení stability dosáhneme použitím:<br />
S f<br />
fo<br />
– stabilizovaného zdroje<br />
– rezonančního obvodu s co nejvyšším činitelem jakosti Q<br />
– tranzistoru s co největší strmostí (vstupní a výstupní kapacita tranzistoru)<br />
– piezoelektrického rezonátoru<br />
Hodnotu frekvence f lze zvýšit násobičem kmitočtu.<br />
11.1 Harmonické (sinusové) oscilátory<br />
Podle zapojení dělíme oscilátory na:<br />
1) Oscilátory LC (pro vyšší kmitočty)<br />
a) Oscilátory s indukční vazbou - Meissnerovo zapojení<br />
laděný v kolektorovém obvodu<br />
laděný v bázovém obvodu<br />
b) Tříbodové oscilátory – 1. rezonanční obvod: dělené L – Hartleyovo zapojení<br />
2. rezonanční obvod: dělené C – Colpittson. zapojení<br />
Hartleyův oscilátor<br />
C<br />
Colpittsův oscilátor<br />
L<br />
1<br />
L<br />
3<br />
1 3<br />
C<br />
L 1 2 L 2<br />
C 1 2 C 2<br />
2) Oscilátory RC (pro nízké kmitočty)<br />
3) Oscilátory řízené krystalem<br />
231
Oscilátory<br />
11.1.1 Oscilátory s indukční vazbou<br />
Řídící rezonanční obvod je zapojen přímo na výstupní svorky zesilovače, vstup zesilovače<br />
je induktivně vázán s řídícím rezonančním obvodem – viz obr. 11.1. Oscilátor kmitá na frekvenci dané<br />
Thomsnovým vztahem. Pro zajištění kladné zpětné vazby je nutné dodržet správnou orientaci cívek<br />
vazebního transformátoru – tranzistor v zapojení SE posouvá fázi o 180, ZV smyčka musí zavádět<br />
další posuv o stejný úhel. Jsou vhodné pro kmitočty do desítek MHz.<br />
f o<br />
<br />
2<br />
1<br />
LC<br />
Obr. 11.1: Oscilátor LC – Meissnerovo zapojení<br />
11.1.2 Tří bodové zapojení oscilátorů LC<br />
Colpittsův oscilátor (obr. 11.2): kapacitní odbočka na LC obvodu. Obvod je vhodný pro<br />
kmitočty řádově stovek MHz. Kapacita C Z zaručuje nulovou impedanci napájení. Signál se odebírá z<br />
emitoru přes C E (nebo z kolektoru laděným obvodem a transformátorem).<br />
C Z<br />
+U CC<br />
1<br />
C 2<br />
2 R 2<br />
3<br />
R 1<br />
<br />
C v<br />
1<br />
LC<br />
2<br />
C E<br />
C1<br />
C<br />
C <br />
2<br />
C R E<br />
1<br />
C1<br />
C2<br />
o<br />
1<br />
Obr. 10.1: Oscilátor LC – Colpittsnovo tří bodové zapojení<br />
232
Oscilátory<br />
11.2 Oscilátory RC<br />
Oscilátory RC mají zpětnou vazbu (řídicí člen) vytvořenou kombinací členů RC.<br />
Frekvence oscilátoru ω o je dána hodnotami RC.<br />
Selektivita na ω o je zajištěna různými obvody:<br />
• Wienův člen<br />
• Přemostěný článek T<br />
• Fázovací články<br />
V praktických zapojeních je vždy nutné stabilizovat amplitudu<br />
• Podmínka oscilací – lineární problém<br />
• Stabilizace amplitudy – nelineární problém<br />
Zisk (přenos) zpětnovazební smyčky na ω o je větší než 1<br />
R<br />
C<br />
Wienův člen<br />
R<br />
C<br />
U +<br />
A<br />
+<br />
OZ<br />
-<br />
B<br />
U o<br />
A<br />
R t<br />
žárovka<br />
B<br />
U A<br />
R t<br />
Neinvertující<br />
a)<br />
470<br />
4k7<br />
<br />
<br />
<br />
R f<br />
zesilovač<br />
R Z<br />
b)<br />
Obr. 11.3: Oscilátor RC s Wienovým členem, stabilizace amplitudy:<br />
a) termistorem (NTC – negative temperature coefficient, teplota roste – klesá R t <br />
b) žárovkou (cca 10 mA jmenovitý proud; roste napští U o RZ<br />
roste, zesílení obvodu<br />
klesá)<br />
233
Oscilátory<br />
11.2.1 Oscilátor RC s Wienovým členem<br />
Napěťový přenos dosahuje maxima při určité frekvenci, na které má Wienův článek nulový<br />
fázový posun. Na této frekvenci vznikne kladná ZV a oscilátor se rozkmitá – viz obr. 11.3.<br />
Operační zesilovavač Rt<br />
a<br />
neinvertujícího zesilovače): U<br />
Rf<br />
Uo<br />
1<br />
tvoří neinvertující zesilovač s přenosem U – vstup<br />
R<br />
t<br />
R<br />
f<br />
Wienův člen (obr. 11.4) má frekvenčně závislý přenos:<br />
U o<br />
R<br />
C<br />
U +<br />
U<br />
U<br />
<br />
o<br />
<br />
Zˆ<br />
2<br />
Zˆ<br />
Zˆ<br />
1<br />
2<br />
Zˆ<br />
1<br />
Zˆ<br />
dosadíme :<br />
2<br />
R 1<br />
R 1<br />
<br />
R 1<br />
jC<br />
jC<br />
jC<br />
<br />
1<br />
R<br />
jCR<br />
R<br />
C<br />
Obr. 11.4: Wienův člen<br />
Výraz pro napěťový přenos upravíme<br />
U<br />
U<br />
<br />
o<br />
<br />
dostaneme: o 1<br />
<br />
R<br />
3R<br />
j CR<br />
CR<br />
2<br />
1<br />
C<br />
<br />
<br />
Přenos Wienova členu na frekvenci RC<br />
o 1<br />
Fáze přenosu Wienova členu na frekvenci<br />
<br />
3<br />
j<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
<br />
o<br />
<br />
<br />
o<br />
<br />
<br />
je: U U 1 3<br />
o<br />
<br />
je: 0<br />
Obvod bude kmitat, bude-li přenos Wienova členu a neinvertujícího zesilovače na o větší než<br />
1, tedy<br />
1<br />
3<br />
<br />
<br />
R 1 <br />
<br />
R<br />
t<br />
f<br />
<br />
1<br />
<br />
<br />
Rt<br />
R<br />
f<br />
2<br />
V praxi se volí R 2 (dobře zvolená podmínka oscilací)<br />
t R f<br />
Po rozkmitání roste U o zmenšuje se R t , ustálí se taková amplituda U o , kde<br />
<br />
Rt<br />
U<br />
R<br />
f<br />
o<br />
<br />
2<br />
Případ a) – stabilizace amplitudy termistorem<br />
<br />
R t je funkcí<br />
U o (roste<br />
U o → klesá<br />
o<br />
R t → klesá zesílení)<br />
o<br />
Případ b) – stabilizace amplitudy žárovkou<br />
234
Oscilátory<br />
<br />
R t konstantní, R f RZ<br />
Proto pro rozkmitání musí platit R 2<br />
Za studena je<br />
Při růstu<br />
R Z malý<br />
t R f<br />
U o se vlákno žárovky zahřívá <br />
R Z roste ustálí se o<br />
U když R 2<br />
Poznámka: V tomto typu oscilátoru je zaváděna kladná zpětná vazba přes frekvenčně závislý dělič.<br />
Záporná zpětná vazba R , je frekvenčně nezávislá<br />
t R f<br />
t R Z<br />
11.2.2 Oscilátor RC s přemostěným článkem T<br />
Operační zesilovač s přemostěným článkem T (obr. 11.5) tvoří pásmovou propust.<br />
Přemostěný článek T má přenos na o <br />
o 1<br />
RC<br />
C<br />
T článek<br />
A<br />
R<br />
C<br />
R<br />
B<br />
R<br />
U- -<br />
U +<br />
+<br />
U o<br />
A<br />
C<br />
C<br />
B<br />
R<br />
R f<br />
R t<br />
NTC<br />
(a)<br />
(b)<br />
Obr. 11.5: a) Oscilátor RC s přemostěným článkem T<br />
b) jiný typ T článku<br />
13)<br />
U 2 3<br />
<br />
Uo<br />
13) přenos na o odvodíme metodou uzlových napětí nebo transfigurací → Y:<br />
235
Oscilátory<br />
a fáze přenosu je <br />
0<br />
o<br />
. Aby obvod osciloval, musí být splněna podmínka oscilace<br />
tedy<br />
U o Rt<br />
2<br />
U <br />
U U o <br />
(dominuje kladná vazba)<br />
R R<br />
3<br />
R<br />
f<br />
R<br />
t<br />
R<br />
t<br />
f<br />
<br />
t<br />
2<br />
3<br />
<br />
3R<br />
t<br />
2R<br />
t<br />
2R<br />
f<br />
<br />
R<br />
t<br />
<br />
2R<br />
f<br />
S růstem U o klesá R t , amplituda se ustálí tam, kde<br />
R 2R<br />
t<br />
f<br />
Poznámka: Záporná zpětná vazba (přes T-člen) je frekvenčně závislá, kladná zpětná vazba je<br />
frekvenčně nezávislá.<br />
11.2.3 Oscilátor RC s fázovým posunem 180 () ve zpětnovazební<br />
smyčce<br />
Oscilátor RC s fázovým posunem 180 () ve zpětnovazební smyčce je na obr. 11.6.<br />
Operační zesilovač je zapojen jako invertující, takže obrací fázi. Následující 3 RC články (derivační<br />
články) musí zajistit splnění fázové oscilační podmínky, tzn. každý článek má fázový posun 60°.<br />
Musí být splněna i amplitudová oscilační podmínka. Aby obvod pracoval bezproblémově, musí být<br />
Inverující OZ se zesílením : -R b R a<br />
Vstupní odpor<br />
R a R<br />
R b<br />
U 2<br />
R a<br />
-<br />
+<br />
U o<br />
C C C<br />
ZV s fázovým<br />
posunem R R<br />
Obr. 11.6: Oscilátor s invertujícím zesilovačem a fázovým posunem 180 <br />
<br />
2 2 2<br />
G 1 R<br />
U G C j<br />
2GC<br />
<br />
U 2 2 2<br />
o G C j<br />
3GC<br />
236
Oscilátory<br />
výstupní odpor zesilovače malý.<br />
Přenos členu RC z obr. 11.7 je (vztah odvodíme např. metodou uzlových napětí (viz EO I):<br />
<br />
C C C<br />
<br />
U R<br />
U C<br />
U 1 = U o<br />
U 2<br />
φ<br />
R R R R a<br />
(a)<br />
(b)<br />
Obr. 11 .7: a) RC člen s fázovým posunem 180 <br />
b) fázorový diagram napětí <br />
<br />
o<br />
60<br />
<br />
<br />
U<br />
U<br />
2<br />
1<br />
<br />
U<br />
U<br />
2<br />
o<br />
<br />
CR<br />
<br />
3<br />
R<br />
3<br />
C<br />
2 2 2<br />
2 2 2<br />
5<br />
<br />
R C <br />
j1<br />
<br />
R C 6<br />
3<br />
2 2 2<br />
Při 1<br />
R C 6<br />
0<br />
Pro 1<br />
6 <br />
je <br />
<br />
o RC je přenos zpětnovazebního členu<br />
1<br />
o 180 , tj. o f0<br />
<br />
6 RC<br />
1<br />
2<br />
6 RC<br />
U<br />
U<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
2<br />
o <br />
<br />
1<br />
2 <br />
2 2<br />
1 <br />
CR<br />
5<br />
<br />
6CR<br />
<br />
<br />
3<br />
1 <br />
R<br />
6CR<br />
<br />
3<br />
C<br />
3<br />
1 <br />
<br />
6CR<br />
<br />
Aby oscilátor kmital, musí platit na R <br />
o R a<br />
R<br />
C<br />
<br />
<br />
1<br />
29<br />
<br />
<br />
R<br />
R<br />
b<br />
a<br />
<br />
<br />
1<br />
29<br />
<br />
1<br />
<br />
<br />
R<br />
b<br />
29R<br />
a<br />
237
14)<br />
Oscilátory<br />
11.2.4 Tranzistorové verze oscilátorů RC<br />
V současné době se používají zapojení s OZ. Pro vyšší frekvence je někdy vhodné se vrátit<br />
k historicky starším zapojením s tranzistory. Princip funce je samazřejmě stejný (vhodné využití<br />
zpětné vazby). Komplikovanější je nastavení pracovních bodů jednotlivých tranzistorů a použití<br />
oddělovacích (vazebních) kapacitorů.<br />
11.2.4.1 Oscilátoru RC s fázovým posunem 180a jedním tranzistorem<br />
Oscilátoru RC s fázovým posunem 180a jedním tranzistorem je na obr. 11.8. Tranzistor T 1<br />
tvoří invertující zesilovač s přenosem AUSE<br />
RC<br />
Re<br />
14) a vstupním odporem R in , který odpovídá<br />
paralelní kombinaci odporů R B , R 1 B a 2<br />
Re<br />
zde proudový zesilovací činitel tranzistoru T 1 ).<br />
Pokud platí R in R , obvod osciluje pro R C R e 29<br />
14) , protože obvod RC ve zpětné vazbě je stejný<br />
jako u zapojení na obr. 11.6 - oscilátor s invertujícím zesilovačem a fázovým posunem 180 . Pro<br />
správnou činnost misí platit R » R C .<br />
U CC<br />
R B1 R C<br />
U o<br />
C C C<br />
B<br />
C<br />
U CE<br />
I B<br />
R R R B2<br />
U B<br />
T 1<br />
U E<br />
E<br />
+C E<br />
I D<br />
R E1<br />
R E2<br />
I E<br />
Obr. 11.8: Oscilátoru RC s fázovým posunem 180a jedním tranzistorem<br />
14) kde<br />
R R<br />
e<br />
R<br />
E 1 E 2<br />
238
Oscilátory<br />
11.2.4.2 Oscilátoru RC s více tranzistory a Wienovým členem<br />
Oscilátoru RC s dvěma tranzistory a s Wienovým členem je zobrazen na obr. 11.9.<br />
– dvoustupňový zesilovač má fázový posun 2·180° (splnění fázové podmínky)<br />
– žárovka (24 V, 50 mA) slouží ke stabilizaci velikosti výstup. sinusového<br />
napětí<br />
– zvětší-li se amplituda, zvětší se i napětí na žárovce(ohřeje se vlákno – větší<br />
odpor), tím vzroste velikost Re a tím i záporná ZV.<br />
– zmenší se zesílení a amplituda kmitů klesne.<br />
T 2<br />
T 1<br />
Z<br />
R 2 C 2<br />
R 4<br />
1<br />
f o <br />
2 RC<br />
U CC<br />
Wienův člen<br />
R C1<br />
R C2<br />
R 1<br />
1<br />
f o <br />
2<br />
R1R2C1C<br />
R 3 R 1 = R 2 , C 1 = C 2<br />
R<br />
C<br />
2<br />
C 1<br />
Obr. 11.9: Oscilátoru RC s dvěma tranzistory a s Wienovým členem<br />
Tranzistorová verze oscilátoru RC s Wienovým členem je zobrazen na obr. 11.10.<br />
T 1 – invertující zesilovač<br />
A<br />
1<br />
<br />
6,8 10<br />
10<br />
3<br />
1,8 10<br />
T 2 – invertující zesilovač A2<br />
C<br />
2 na o<br />
představuje zkrat)<br />
800<br />
3<br />
<br />
3<br />
R Z<br />
T 3 – emitorový sledovač<br />
A 3 1 (malý výstupní odpor)<br />
celkové zesílení kaskády<br />
oscilace<br />
A A<br />
1<br />
2<br />
A<br />
3<br />
<br />
6,8 1,8<br />
3<br />
1<br />
10 <br />
0, 8<br />
R Z<br />
je větší než +3, tzn.<br />
báze T 1 je napájena stejnosměrně z odporu 470 přes "spodní větev" Wienova členu; z<br />
hlediska signálového zajišťuje C 2 připojení této větve k referenčnímu uzlu (zemi)<br />
239
Oscilátory<br />
s růstem amplitudy (v emitoru T 3 ) se přes C 1 a odpor 150 zvětšuje R Z (žárovka 24 V,<br />
50 mA) klesá přenos (celkové zesílení) kaskády. Amplituda se ustálí při<br />
A1 A2<br />
A3<br />
3 (nelineární záporná ZV)<br />
6 k 8 1 k 8<br />
U CC<br />
9 V<br />
T 3<br />
T 1<br />
výstup<br />
Wienova<br />
členu<br />
1k<br />
R Z<br />
+ C 1<br />
G5<br />
150<br />
800<br />
470<br />
T 2<br />
C 2<br />
+ C 2<br />
G5<br />
výstup<br />
R<br />
C<br />
R<br />
C<br />
vstup Wienova členu<br />
Obr. 11.10: Tranzistorová verze oscilátoru RC s Wienovým členem<br />
Příklad 11. 1<br />
Určete hodnotu rezistorů R u oscilátoru na obr. 11.3 pro požadované hodnoty frekvence f 0 (viz<br />
tabulka), je-li C = 33 nF.<br />
Řešení:<br />
0 1 2<br />
6<br />
R 1 2<br />
f0C<br />
4,<br />
82310<br />
f0<br />
f RC<br />
Tab. k příkladu 11.1:<br />
f 0 (Hz) 20 50 100 200 500 1 000 2 000 5 000<br />
R (kΩ) 241,1 96,5 48,2 24,1 9,65 4,82 2,41 0,965<br />
240
Oscilátory<br />
V praxi je hodnota odporu R na frekvenci f 0 = 20 Hz již dost velká (pokud nepoužijeme OZ<br />
s velkými vstupními odpory), naopak hodnota odporu na frekvenci f 0 = 5 kHz je dost malá (pokud<br />
nepoužijeme výkonový OZ). Přijatelných hodnot R můžeme dosáhnout změnou C. Pro f 0 = 20 Hz<br />
zvětšíme hodnotu C např. 10 krát (330 nF) a proto musíme R 10 krát zmenšit (24,11 kΩ). Pro f 0 = 5<br />
kHz zmenšíme hodnotu C např. 10 krát (3,3 nF) a proto musíme R 10 krát zvětšit (9,65 kΩ).<br />
Příklad 11. 2<br />
Určete potřebnou hodnotu rezistoru R f u oscilátoru na obr. 11.3 takovou, aby se obvod<br />
rozkmital, je známa hodnota odporu R t = 10 kΩ. (NTC, perličkový).<br />
Řešení:<br />
Problém lze řešit dvěma způsoby<br />
a) Z přenosu zpětnovazební smyčky<br />
Přenos Wienova členu U<br />
<br />
Uo<br />
1 3 na kmitočtu <br />
0<br />
.<br />
Zesílení neinvertující struktury U<br />
o<br />
U<br />
<br />
1 R<br />
t<br />
R<br />
f<br />
Pro oscilace musí platit, že přenos smyčky<br />
U<br />
U U<br />
U 1 1<br />
R R 3<br />
o<br />
<br />
o<br />
<br />
f<br />
t<br />
f<br />
R R 3R<br />
t<br />
f<br />
R<br />
f<br />
<br />
R<br />
t<br />
2 10<br />
4<br />
2 5 kΩ<br />
b) „Z rovnosti vazeb“<br />
Přenos obvodu kladné vazby U U 1 3 ;<br />
Přenos obvodu záporné vazby<br />
U<br />
A<br />
U<br />
o<br />
R<br />
f<br />
<br />
R R<br />
Aby obvod osciloval, musí převažovat kladná vazba<br />
1<br />
3<br />
<br />
t<br />
R<br />
f<br />
R R<br />
f<br />
t<br />
<br />
<br />
f<br />
<br />
t<br />
o<br />
R R<br />
f<br />
3R<br />
f<br />
R f R t<br />
2<br />
Správně získáváme oběma postupy shodné výsledky.<br />
241
Oscilátory<br />
Příklad 11. 3<br />
Jaký musí být poměr<br />
R f<br />
R<br />
, aby oscilátor na obr. 11.6 kmital<br />
Řešení:<br />
Musí platit:<br />
<br />
<br />
U U<br />
o <br />
<br />
U<br />
U<br />
R f 29R<br />
<br />
o<br />
<br />
<br />
<br />
1<br />
R 1 <br />
<br />
f<br />
1<br />
29<br />
<br />
R <br />
Pojmy k zapamatování<br />
Podmínky oscilace – amplitudá, fázová; oscilátory LC, RC; stabilizace amplitudy; Wienův<br />
člen, přemostěný článek T; RC člen s fázovým posunem 180º. Pokud některému z nich ještě<br />
nerozumíte, vraťte se k nim ještě jednou.<br />
Otázky 11<br />
1. Definujte amplitudovou a fázovou podmínku oscilace.<br />
2. Objasněte princip stabilizace amplitudy.<br />
3. Jaký je přenos Wienova členu na charakteristické frekvenci<br />
4. Jaký je fázový posuv Wienova členu na charakteristické frekvenci<br />
5. Máme k dispozici invertující zesilovač s jedním tranzistorem Oscilátor můžeme<br />
dokonstruovat pomocí:<br />
a) Wienova členu<br />
b) přemostěného T článku<br />
c) RC členu s fázovým posunem 180º<br />
242
Oscilátory<br />
<br />
Úlohy k řešení 11<br />
Příklad 11.1<br />
Určete hodnotu kapacitorů C u oscilátoru s Wienovým členem na obr. 11.3 pro<br />
požadované hodnoty frekvence f 0 (hodnoty f 0 jsou uvedeny v tabulce ), je-li R = 10 kΩ.<br />
Tabulka:<br />
f 0 (Hz) 20 50 100 200 500 1 000 5 000 10 000<br />
C (nF)<br />
<br />
Příklad 11.2<br />
Určete potřebnou hodnotu rezistoru R f u oscilátoru na obr. 11.3 takovou, aby se obvod<br />
rozkmital, je známa hodnota odporu R t – viz tabulka. (NTC, perličkový).<br />
Tabulka:<br />
R t (kΩ ) 20 8 6 4<br />
R f<br />
<br />
Příklad 11.3<br />
Určete potřebnou hodnotu rezistoru R f u oscilátoru na obr. 11.5 pro zadané hodnoty odporu<br />
R t (viz tabulka).<br />
Tabulka:<br />
R t (kΩ ) 10 8 6 4<br />
R f<br />
<br />
Příklad 11.4<br />
Určete potřebné hodnoty kapacitorů C u oscilátoru na obr. 11.6 pro hodnoty frekvencí<br />
v tabulce, je-li hodnota R = 2,2 kΩ.<br />
Tabulka:<br />
f 0 (Hz) 20 50 100 200 500 1 000 2 000 5 000<br />
C<br />
243
Oscilátory<br />
Text k prostudování<br />
[1] Frohn, M. – Siedler, H.-J. – Wiemer, M. – Zastrow, P.: Elektronika, polovodičové<br />
součástky a základní zapojení. Ben, Praha 2006, ISBN 80-7300-123-3<br />
Další zdroje<br />
[1] Horowitz, P.- Winfield,H.: The art of electronics (second edition). Cambridge University<br />
Press, Cambridge 1982<br />
2 Kuphaldt, Tony R.: Lessons In Electric Circuits, www.ibiblio.org/kuphaldt/<br />
[3] Punčochář,J.: Operační zesilovače v elektronice. BEN, Praha 2002 (5. vydání), ISBN 80-<br />
7300-059-8<br />
CD-ROM<br />
Otevři soubor Oscilátory, zpětná vazba<br />
Korespondenční úkol<br />
Bude zadán vyučujícím z množiny příkladů určených k samostatnému řešení..<br />
244
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
12 Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
Čas ke studiu: 4 hodiny<br />
Cíl Po prostudování této kapitoly pochopíte základní aplikační principy tranzistorů<br />
a operačních zesilovačů v generátorech neharmonických signálů:<br />
Schmittův klopný obvod s OZ – invertující zapojení<br />
Schmittův klopný obvod s OZ –neinvertující zapojení<br />
Schmittův klopný obvod – tranzistorové zapojení<br />
astabilní klopný obvod s operačním zesilovačem<br />
astabilní klopný obvod – tranzistorové zapojení<br />
generátor pilového napětí<br />
Tato kapitola má pouze informativní charakter. Cílem není vyčerpávající výklad<br />
problematiky generátorů neharmonických signálů. Toto je náplní navazujících kurzů. Bude zde však<br />
předvedeno využití dříve získaných poznatků při konstrukci a analýze základních zapojení generátorů.<br />
VÝKLAD<br />
Jsou popsány obvody (zesilovači) s kladnou zpětnou vazbou. Kladná zpětná vazba<br />
(regenerativní) vede k velmi rychlým přechodným dějům v zesilovací struktuře. Současně vzniká<br />
hysterezní jev (hystereze klopného obvodu), který je funkčně využit pro generování obdélníkových a<br />
pilových napětí.<br />
12.1 Schmittův klopný obvod (SKO)<br />
Schmittův klopný obvod, ať tranzistorová (obr. 12.7) verze nebo verze s operačním<br />
zesilovačem (obr. 12.1 a obr 12.4), je základním funkčním blokem mnoha generátorů obdélníkového a<br />
pilového napětí.<br />
245
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
12.1.1 Invertující varianta Schmittova klopného obvodu<br />
Princip činnosti je popsán pouze v bodech.<br />
U CC+<br />
U i<br />
-<br />
OZ<br />
+<br />
U CC -<br />
UOM<br />
R 1 U +<br />
R R<br />
R 2<br />
1<br />
2<br />
U O<br />
(U OM )<br />
R 1<br />
Obr. 12.1: Schmittův klopný obvod – invertující zapojení<br />
Po připojení napájecího napětí (zapnutí systému) se uvede výstup operačního zesilovače OZ<br />
například do stavu<br />
U U<br />
<br />
U 1,5 V, U U<br />
R R<br />
<br />
OA<br />
OM<br />
CC<br />
(obecně se může uvést i do stavu<br />
Pro Ui<br />
A<br />
OM<br />
1 1 R2<br />
UOM<br />
, toto nejde exaktně určit)<br />
U<br />
A je stále U d 0 , trvá stav UO<br />
UOM<br />
Při přibližování U i k U A („zdola“, růst U i se U d 0 zmenšuje; pro Ui<br />
UA<br />
je se<br />
0 , výstup operačního zesilovače přechází skokem do stavu<br />
U d<br />
U OB UOM<br />
<br />
UCC<br />
1,5 V, UB<br />
UOM<br />
R1<br />
R1<br />
R2<br />
UA<br />
Při dalším růstu Ui<br />
U<br />
A U<br />
A je trvale UO U OB UOM<br />
, protože<br />
U d Ui<br />
UB<br />
Ui<br />
U<br />
A 0.<br />
Pro Ui<br />
U<br />
A je U d vždy záporné a vždy platí<br />
U U<br />
O<br />
OM<br />
Při poklesu U i platí, že U d 0 pro Ui<br />
UB<br />
. Při Ui<br />
UB<br />
je už U d vždy kladné a<br />
je vždy rovno hodnotě UOM<br />
.<br />
Situace je graficky vyjádřena na obr. 12.2<br />
U O<br />
Rozdíl hodnot U A a U B definuje hysterezi obvodu<br />
2UOM<br />
R1<br />
U H U<br />
A UB<br />
<br />
R R<br />
1<br />
2<br />
246
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
Důležité je, že po překročení hranice U A (skok UOM<br />
U OM musí napětí U i<br />
klesnout pod hodnotu UB U<br />
A , aby nastal skok UOM<br />
→ UOM<br />
→ <br />
t 5<br />
U o<br />
t 6<br />
t min<br />
t 4<br />
t 1 +Δ<br />
t 2<br />
+ U OM<br />
U<br />
1<br />
OM<br />
R<br />
R R<br />
2<br />
1<br />
t 1<br />
U +B<br />
U +A<br />
U H<br />
<br />
U<br />
1<br />
OM<br />
R<br />
R R<br />
2<br />
1<br />
U i<br />
- U OM<br />
t 4<br />
t 3 t 2 t max > t 2<br />
Obr. 12.2: Převodní charakteristika Schmittova obvodu z obr. 12.1<br />
( t i – čas jako parametr z obr. 12.3 )<br />
Důležité je, že po poklesu pod hranici U B (skok OM<br />
překročit hodnotu U A , aby nastal skok UOM<br />
→ UOM<br />
Ilustrace chování Schmittova obvodu je na obr. 12.3<br />
U → U OM musí napětí U i<br />
0 <br />
max<br />
<br />
<br />
U +A<br />
t 2<br />
t<br />
t 3 t 4 t 5 t 6<br />
t<br />
t min<br />
u o(t)<br />
u +(t)<br />
U +A<br />
u o<br />
<br />
u o<br />
u + u +<br />
U +B<br />
+ U OM<br />
t<br />
U +B<br />
- U OM<br />
Obr. 12.3: Ilustrace chování Schmittova obvodu („invertující“)<br />
Bod:<br />
Předpoklady při zapnutí: UO UOM<br />
, U UA<br />
, Ui<br />
U<br />
A, U d 0<br />
247
U<br />
U<br />
U<br />
U<br />
U<br />
i U<br />
A UO UOM<br />
, U U<br />
A , Ui<br />
UB<br />
i<br />
i<br />
i<br />
i<br />
UB<br />
U d 0 , U UOM<br />
U<br />
O , B<br />
UB<br />
→ U d 0 U UOM<br />
UA<br />
→ U d 0 , UO<br />
UOM<br />
U<br />
A → U d 0 , UO<br />
UOM<br />
(viz i časy t 1 až t 6 v obr. 12.2 → jako parametr)<br />
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
U<br />
, U 0<br />
U<br />
U<br />
O A<br />
d<br />
12.1.2 Neinvertující varianta Schmittova klopného obvodu<br />
Neinvertující varianta zapojení Schmittova klopného obvodu je na obr. 12.4.<br />
Předpokládejme například, že po zapnutí systému je UO<br />
UOM<br />
Tento stav je trvalý pro U d 0 , z principu superpozice<br />
R 2<br />
R 1<br />
U i<br />
U d<br />
+<br />
OZ<br />
-<br />
U O = U OM<br />
Obr. 12.4: Schmittův klopný obvod – neinvertující zapojení<br />
U<br />
d<br />
tedy pro<br />
U<br />
U<br />
i<br />
i<br />
<br />
<br />
R<br />
R <br />
1<br />
R<br />
R<br />
Klesne-li i<br />
skokem na hodnotu<br />
R<br />
2 1<br />
UOM<br />
<br />
R2<br />
R1<br />
R2<br />
U U<br />
1<br />
UOM<br />
je O OM<br />
2<br />
U pod hodnotu R R2<br />
UOM<br />
UOM<br />
Tento stav je trvalý proU<br />
d 0 , z principu superpozice<br />
U<br />
d<br />
U<br />
i<br />
<br />
R<br />
R <br />
1<br />
2<br />
U<br />
2<br />
OM <br />
R2<br />
R1<br />
R2<br />
0<br />
1 je U d 0 a výstupní napětí přechází<br />
R<br />
0<br />
248
tedy pro<br />
U<br />
i<br />
<br />
R<br />
R<br />
Hystereze obvodu je<br />
U<br />
R<br />
1<br />
2<br />
U<br />
OM<br />
H 2 <br />
1<br />
U OM<br />
R2<br />
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
Ilustrace chování neinvertující varianty Schmittova obvodu je na obr. 12.5<br />
Odpovídající převodní charakteristika je na obr. 12. 6 – čas t i vynesen jako parametr<br />
<br />
R 1<br />
+ ·U OM<br />
R 2<br />
<br />
t max<br />
<br />
t min<br />
<br />
t<br />
u o(t)<br />
+ U OM<br />
<br />
R 1<br />
- ·U OM<br />
R 2<br />
t<br />
- U OM<br />
Obr. 12.5: Neinvertující varianta Schmittova obvodu<br />
u o<br />
t 2<br />
t 3 t t<br />
1<br />
5 t max t 2<br />
+U OM<br />
t 1<br />
R 1<br />
- ·U OM<br />
R 2<br />
R 1<br />
+ ·U OM<br />
R 2<br />
U i<br />
t min t 3<br />
t 3 t 4 t 5<br />
- U OM<br />
Obr. 12.6: Převodní charakteristika neinvertujícího Schmittova obvodu z obr. 12.4<br />
( t i – čas jako parametr z obr. 12.5 )<br />
Bod:<br />
Předpoklady při zapnutí: UO UOM<br />
U d 0 (superpozice kladným napětím)<br />
Stále trvalý stav U d 0 , UO<br />
U OM<br />
249
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
– Superpozice Ui<br />
0 U d 0 aUO UOM<br />
, ale U d 0 , UO<br />
UOM<br />
Právě platí U d 0 UO UOM<br />
(skok)<br />
– Superpozice Ui<br />
0 U d 0 aUO U OM , ale U d 0 , UO<br />
UOM<br />
– Superpozice U i 0 a UO UOM<br />
, ale U d 0 , UO<br />
UOM<br />
Právě začíná platit U d 0 UO U OM (skok), atd.<br />
12.1.3 Tranzistorová verze Schmittova klopného obvodu<br />
Jedná se o neinverutující strukturu mezi body a <br />
Silná kladná zpětná vazby se uzavírá přes odpor R 6<br />
Předpokládejme: UCC<br />
12<br />
V, R 1 0 , R2 1<br />
k<br />
, R3 22 k<br />
, R4 22 k<br />
,<br />
R5 1<br />
k a R 6 220 <br />
+U CC<br />
R 2<br />
R 5 ( R 2 )<br />
<br />
R 1<br />
C<br />
T 1<br />
R 3<br />
C<br />
T 2<br />
<br />
U i<br />
U BE1<br />
U O<br />
R 4<br />
R 6<br />
U R6<br />
Obr. 12.7: Schmittův klopný obvod se dvěma tranzistory<br />
U 0 T 1 je zavřený a T 2 je otevřený do saturace, napětí na odporu R 6 pak je<br />
i<br />
U<br />
R 6<br />
U<br />
CC<br />
<br />
R6<br />
R R<br />
2<br />
6<br />
12 <br />
220<br />
2 V<br />
220 1000<br />
250
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
Napětí Ui<br />
UR<br />
U<br />
2 0, 4<br />
6 BE<br />
14) T 1 se začíná otvírat T 2 se začíná zavírat <br />
1<br />
proud do odporu R 6 začíná dodávat T 1 atd. skok kladná zpětná vazba T 1 se úplně<br />
otevře, napětí na odporu R 6 pak je<br />
U U U<br />
2 0,6 1,4 V – T 2 se úplně uzavře<br />
R6<br />
i<br />
BE1<br />
Napětí U<br />
U<br />
2 2<br />
0,6 2 0,7 V<br />
U (dělič 22 k, 22 k)<br />
B 2<br />
R 6<br />
BE 2<br />
U<br />
BE 2<br />
U<br />
B 2<br />
U<br />
R 6<br />
0,7 1,4<br />
0,7 V<br />
Při dalším růstu<br />
U i zůstává T 1 sepnut, T 2 rozepnut<br />
Při poklesu U i (T 1 sepnut) klesá proud tranzistorem T 1 mění se (roste) napětí v<br />
kolektoru T 1 . V okamžiku, kdy napětí U BE 2 0,4 V , začíná spínat T 2 , proud z T 2<br />
vytváří na odporu R 6 napětí, které zavírá dále tranzistor T 1 atd. skokem se otevře T 2 a<br />
zavře T 1 – viz obr. 12. 8.<br />
T 1 zavřen<br />
T 2 otevřen<br />
u i<br />
U i 2 V + 0,4 V<br />
hystereze<br />
u i<br />
t<br />
t<br />
u o<br />
12 V<br />
u o<br />
T 1 otevřen<br />
T 2 zavřen<br />
2 V<br />
t<br />
t<br />
Obr. 12.8: Kvalitativní znázornění funkce Schmittova obvodu s tranzistory<br />
14) malý proud tranzistoru T 1<br />
251
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
12.2 Astabilní klopný obvod – AKO<br />
Astabilní (samokmitající) klopný obvod (multivibrátor) (AKO) je klopný obvod, který má dva<br />
kvazistabilní stavy. Obvod může být sestaven z diskrétních součástek nebo může být v integrované<br />
podobě.<br />
12.2.1 Astabilní klopný obvod s operačním zesilovačem<br />
Základní astabilní klopný obvod s operačním zesilovačem je znázorněn na obr. 12.9. OZ s<br />
odpory R a a R b – tvoří Schmittův klopný obvod. Napětí na kapacitě u C t<br />
se mění v intervalu<br />
napětí U R R<br />
R <br />
OM a a b – viz obr 12.10.<br />
R<br />
u C (t)<br />
U<br />
R<br />
1<br />
OM<br />
R<br />
R<br />
2<br />
1<br />
C<br />
U d<br />
-<br />
+<br />
R b<br />
U O<br />
(U OM )<br />
R a<br />
Obr. 12.9: Astabilní klopný obvod s jedním OZ<br />
Kondenzátor C se nabíjí (vybíjí) přes odpor R<br />
Předpokládejme, že právě platí<br />
u<br />
C<br />
0<br />
<br />
U<br />
OM<br />
R<br />
<br />
a<br />
R R<br />
a<br />
b<br />
Schmittův klopný obvod (SKO) přešel skokem do stavu UO<br />
UOM<br />
<br />
Kondenzátor C se nabíjí z hodnoty u C 0 na konečnou teoretickou hodnotu napětí<br />
u<br />
C<br />
<br />
<br />
U<br />
OM<br />
Pro nabíjení kondenzátoru C přes odpor R platí<br />
kde<br />
u<br />
C<br />
t<br />
<br />
t u<br />
0<br />
<br />
u <br />
e u <br />
C<br />
C<br />
RC je časová konstanta obvodu<br />
Pro dané poměry tedy<br />
C<br />
252
u<br />
C<br />
t<br />
<br />
U<br />
<br />
OM<br />
R<br />
<br />
a<br />
R R<br />
Dříve než napětí na kapacitě<br />
a<br />
b<br />
U<br />
OM<br />
<br />
<br />
<br />
e<br />
t<br />
<br />
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
U<br />
OM<br />
u C t<br />
dosáhne hodnoty uC<br />
<br />
U<br />
OM<br />
, přepne Schmittův<br />
klopný obvod v čase t T 2 (T – perioda kmitů), protože zde platí<br />
u t T 2 U<br />
R R R . Proto<br />
C<br />
<br />
<br />
U<br />
<br />
OM<br />
OM<br />
a<br />
a<br />
R<br />
<br />
a<br />
R R<br />
b<br />
a<br />
U<br />
OM<br />
b<br />
<br />
e<br />
<br />
T<br />
2<br />
<br />
U<br />
OM<br />
U<br />
OM<br />
R<br />
<br />
a<br />
R R<br />
a<br />
b<br />
U<br />
OM<br />
U<br />
OM<br />
R<br />
<br />
a<br />
R R<br />
a<br />
b<br />
U<br />
OM<br />
<br />
Ra<br />
Ra<br />
R<br />
R R<br />
a<br />
b<br />
b<br />
e<br />
T<br />
2<br />
U<br />
OM<br />
R<br />
<br />
b<br />
R R<br />
a<br />
b<br />
U<br />
OM<br />
<br />
2Ra<br />
Rb<br />
T<br />
2<br />
R<br />
a<br />
R<br />
b<br />
e<br />
R<br />
b<br />
<br />
T<br />
2<br />
2R<br />
R e<br />
a<br />
b<br />
e<br />
T 2<br />
2<br />
R<br />
<br />
R<br />
b<br />
a<br />
1<br />
ln<br />
2R<br />
R <br />
2RC<br />
ln1<br />
R R <br />
T 2<br />
ln 1<br />
2<br />
V praxi běžně volíme<br />
T 2RC<br />
ln3<br />
a<br />
a<br />
R R<br />
b<br />
b<br />
a<br />
b<br />
u o(t)<br />
u C(t)<br />
Kvalitativní průběh "bez" Schmittova klopného obvodu<br />
U<br />
R<br />
OM<br />
a<br />
+ U OM<br />
R<br />
R<br />
b<br />
a<br />
U<br />
R<br />
OM<br />
a<br />
R<br />
R<br />
b<br />
a<br />
t<br />
- U OM<br />
T 2 T<br />
2<br />
Obr. 12.10: Kvalitativní průběh napětí<br />
u o t<br />
a t<br />
<br />
u C v astabilním klopném obvodu<br />
Při dané symetrické struktuře nabíjecího obvodu trvá i vybíjení kapacitoru C z hodnoty<br />
uC<br />
t U<br />
OMRa<br />
Ra<br />
Rb<br />
na hodnotu uC<br />
t<br />
UOM<br />
Ra<br />
Ra<br />
Rb<br />
stejnou dobu<br />
253
t T 2 (Teoretická hodnota je nyní UOM<br />
změní SKO svůj stav)<br />
Nesymetrická struktura nabíjecího obvodu je na obr. 12.11.<br />
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
, ovšem při u C t U R R<br />
R <br />
Kapacita C se nabíjí z hodnoty UOM<br />
Ra<br />
Ra<br />
Rb<br />
na hodnotu UOM<br />
Ra<br />
Ra<br />
Rb<br />
<br />
R , proto nyní T T R C ln 1 2 <br />
odpor 1<br />
2 1 1 <br />
R a R b<br />
OM<br />
přes<br />
Kapacita C se vybíjí z hodnoty UOM<br />
Ra<br />
Ra<br />
Rb<br />
na hodnotu UOM<br />
Ra<br />
Ra<br />
Rb<br />
<br />
R , proto nyní T T R C ln 1 2 <br />
odpor 2<br />
2 2 2 <br />
R a R b<br />
Perioda kmitů je T T T<br />
R<br />
R C<br />
ln1<br />
2 <br />
1 2 1 2 <br />
R a R b<br />
Pro hodnoty odporů R 1 R 2 R je perioda kmitů T 2RC<br />
ln<br />
1<br />
2R<br />
a R b<br />
přes<br />
a<br />
a<br />
b<br />
Pro variantu na obr. 12.11b) platí: R 1 R 2 konst<br />
R C ln 1 , T R C ln 1 2 <br />
T 1 1 2R<br />
a R b<br />
2 2 <br />
R R <br />
C ln 1 <br />
T T 1 T 2 1 2 2R<br />
a R b<br />
R a R b<br />
Frekvence kmitů<br />
f 1 T pak je konstantní<br />
Střída T1 T2<br />
R1<br />
R2<br />
se mění<br />
Nevýhodou zapojení na obr. 12.9 a 12.11 je to, že k dispozici máme sice obdélníkové výstupní<br />
napětí, ale napětí na kapacitě u C t má exponenciální průběhy.<br />
<br />
V elektrotechnických obvodech ovšem často vyžadujeme pilové napětí.<br />
R 1 D 1<br />
R 2 D 2<br />
D 1<br />
A<br />
U d<br />
-<br />
+<br />
B<br />
U O<br />
R 1<br />
R 2<br />
D 2<br />
A B<br />
R b<br />
u C (t)<br />
C<br />
R a<br />
a) b)<br />
Obr. 12.11: Zapojení astabilního klopného obvodu s nesymetrickou strukturou<br />
nabíjecích obvodů.<br />
254
12.2.2 Astabilní klopný obvod s tranzistory<br />
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
Schéma obvodu je na obr. 12.12. V podstatě se jedná o dvoustupňový zesilovač se silnou<br />
kladnou zpětnou vazbou – signál z kolektoru jednoho tranzistoru je kondenzátorem převáděn na bázi<br />
druhého tranzistoru. tranzistoru.<br />
+U CC<br />
R C<br />
2 k 2<br />
R B<br />
R B<br />
R C<br />
2k2<br />
C b<br />
C a<br />
u C1<br />
u C2<br />
T 1<br />
T 2<br />
u BE1<br />
u BE2<br />
Obr. 12.12: Tranzistorový multivibrátor – AKO<br />
Předpokládejme, že T 2 je sepnut a T 1 je rozepnut. Kapacita<br />
UC b<br />
U CC <br />
C b je nabita na hodnotu<br />
U CC<br />
Napětí na bázi tranzistoru T 1 se blíží hodnotě ≈ 0,5 V. Kapacita C a se nabíjí přes odpor R B ,<br />
otevřený T 2 ( U CET 2<br />
0). Tranzistor T 1 se začne otvírat, napětí U klesá → tranzistor T 2<br />
se zavírá, tzn. napětí U CET 2<br />
roste → T 1 se (přes C a ) ještě více otevírá skokové sepnutí T 1<br />
a skokové rozepnutí T 2 , napětí na bázi T 2 je U U<br />
U<br />
BE<br />
Tranzistor T 2 bude zavřený, dokud UBE U 0, 5<br />
2 Cb V. Situace je znázorněna na obr. 12.13.<br />
Kapacita C b se nabíjí přes odpor R B a otevřený T 1 ( U CET 1<br />
0 ) z počáteční hodnoty<br />
C U CC na teoretickou konečnou hodnotu UCC<br />
.<br />
U b<br />
2<br />
C<br />
b<br />
CET 1<br />
CC<br />
u<br />
u<br />
u<br />
C<br />
C<br />
C<br />
Platí<br />
t<br />
<br />
t u<br />
0<br />
<br />
u <br />
e u <br />
0<br />
<br />
<br />
<br />
C<br />
U<br />
U<br />
R B C<br />
CC<br />
CC<br />
C<br />
C<br />
C b<br />
R B<br />
R C<br />
+U CC<br />
u C (t)<br />
T 2<br />
tedy<br />
sepnutý T 1<br />
u BE2<br />
u<br />
C<br />
t<br />
<br />
t <br />
UCC<br />
UCC<br />
<br />
e UCC<br />
Obr. 12.13: Nabíjení kapacity<br />
C b<br />
255
t<br />
u C však nedosáhne hodnoty UCC<br />
tranzistor T 2 (přes<br />
půl periody, tedy<br />
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
, v okamžiku, kdy u C t<br />
0, 5V se začíná spínat<br />
C a se zavírá T 1 atd., skokové sepnutí T 2 a skokové rozepnutí T 1 ). Jde právě o<br />
T<br />
2<br />
u <br />
C<br />
CC<br />
T<br />
2<br />
2U<br />
e<br />
U<br />
0, 5<br />
T<br />
2<br />
e <br />
e<br />
T<br />
2<br />
<br />
2<br />
UCC<br />
0,5<br />
2U<br />
CC<br />
T 2 ln 2 1, 4<br />
R<br />
B<br />
<br />
C<br />
Děj se periodicky opakuje, nabíjí se<br />
1<br />
2<br />
CC<br />
C a – viz obr. 12.14.<br />
u C1(t)<br />
vliv R C· C<br />
+ U CC<br />
0<br />
u C2(t)<br />
0<br />
u BE2(t)<br />
T<br />
+ U CC<br />
+ U OM<br />
t<br />
t<br />
u BE1(t)<br />
0<br />
– U CC<br />
t<br />
+ U OM<br />
0<br />
– U CC<br />
t<br />
Obr. 12.14: Kvalitativní zobrazení průběhů napětí na obr. 12.12<br />
256
12.3 Generátor pilového napětí<br />
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
Generátor pilového napětí je zobrazen na obr. 12.15. Pro nesymetrickou činnost je na obr.<br />
12.15b) uvedena struktura nesymetrických nabíjecích obvodů.<br />
D 1<br />
R 1<br />
R 2<br />
D 2<br />
A<br />
B<br />
b)<br />
C<br />
R b<br />
A<br />
R<br />
B<br />
U d<br />
OZ 1<br />
R a<br />
U d<br />
OZ 2<br />
U O<br />
U OM<br />
Integrátor<br />
SKO<br />
a)<br />
U t<br />
U OM<br />
R a<br />
+ ·U OM<br />
R b<br />
0<br />
R a<br />
- ·U OM<br />
R b<br />
Obr. 12.15: a) Generátor pilového napětí<br />
b) s nesymetrickou strukturou nabíjecích obvodů<br />
OZ 2+R 1 +R 2 tvoří neinvertující SKO, změny stavu při<br />
OZ 1+R+C tvoří invertující integrátor, pro který platí:<br />
u<br />
<br />
t<br />
u t u<br />
o<br />
t t 1<br />
0<br />
dt<br />
C<br />
R<br />
U<br />
OM<br />
R<br />
a<br />
R<br />
b<br />
u<br />
Předpokládejme, že t OM a b<br />
stavu<br />
u<br />
t<br />
U OM<br />
t<br />
<br />
R<br />
R<br />
t<br />
a<br />
b<br />
) <br />
U<br />
OM<br />
0 U<br />
R<br />
R , výstup OZ 2 přešel skokem do stavu U OM (ze<br />
1<br />
<br />
C<br />
<br />
<br />
U<br />
R<br />
OM<br />
dt <br />
257<br />
R<br />
R<br />
a<br />
b<br />
U<br />
OM<br />
U<br />
<br />
RC<br />
Napětí u t lineárně klesá a v čase t T 2 (půl periody) dosáhne druhé komparativní<br />
úrovně U R R<br />
OM<br />
a<br />
b<br />
OM<br />
t
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
R a T 2 Ra<br />
T R<br />
U OM U<br />
OM U<br />
OM RC<br />
2<br />
R RC R<br />
2 R<br />
b<br />
Výstup OZ 2 přechází skokem do stavu UO<br />
UOM<br />
, takže napětí<br />
U<br />
t<br />
t<br />
R<br />
<br />
a<br />
R<br />
b<br />
U<br />
OM<br />
U<br />
<br />
RC<br />
OM<br />
t<br />
b<br />
Napětí U t lineárně roste, v čase t T 2 dosáhne komparativní úrovně U OMRa<br />
Rb<br />
<br />
R a T 2 Ra<br />
T R<br />
U<br />
OM U<br />
OM U<br />
OM RC<br />
2<br />
R RC R<br />
2 R<br />
b<br />
b<br />
Děj se periodicky opakuje – viz obr. 12.16. Opakovací perioda je T 4RC<br />
R a Rb<br />
,<br />
frekvence f 1 T .<br />
b<br />
a<br />
b<br />
a<br />
u<br />
u<br />
t<br />
<br />
t<br />
O<br />
t<br />
+ U OM<br />
R 1<br />
+ ·U OM<br />
R 2<br />
t<br />
- U OM<br />
T 2<br />
T 2<br />
- ·U OM<br />
R 1<br />
R 2<br />
T<br />
Obr. 12.16: Kvalitativní průběh napětí<br />
u t t<br />
a t<br />
<br />
u C<br />
Pojmy k zapamatování<br />
Neharmonický signál, Schmittův klopný obvod, hystereze, astabilní klopný obvod, pilové napětí.<br />
Otázky 12<br />
1. Popište Schmittův klopný obvod s OZ – invertující zapojení<br />
2. Popište Schmittův klopný obvod s OZ –neinvertující zapojení<br />
3. Popište Schmittův klopný obvod – tranzistorové zapojení<br />
258
4. Popište astabilní klopný obvod s operačním zesilovačem<br />
5. Popište astabilní klopný obvod – tranzistorové zapojení<br />
6. Popište generátor pilového napětí<br />
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
Úlohy k řešení 12<br />
<br />
Příklad 12.1<br />
Určete rozhodovací úrovně obvodu na obrázku pro zadané hodnoty odporů R 1 , R 2 a<br />
hysterezi obvodu U H . Předpokládejte, že výstupní napětí OZ dosahuje pouze hodnot U om = ± 12<br />
V.<br />
Tabulka:<br />
R 1 (kΩ) 100 10 10 1<br />
R 2 (kΩ) 100 10 100 10<br />
U R+ (V)<br />
U H (V)<br />
U i<br />
+<br />
R 2<br />
U+<br />
R 1<br />
-<br />
U o<br />
Obr. k příkladu 12.1 – Schmittův klopný obvod<br />
<br />
Příklad 12.2<br />
a) Určete rozhodovací úrovně obvodu na obrázku (komparátor) pro zadané hodnoty<br />
odporů R 1 , R 2<br />
b) hysterezi obvodu U H<br />
Předpokládejte, že výstupní napětí OZ dosahuje pouze hodnot<br />
U<br />
d použijte princip superpozice)<br />
U<br />
om<br />
12 V . (K určení napětí<br />
R 2<br />
R 1<br />
U i<br />
Ud<br />
+<br />
–<br />
U o<br />
Zapojení klopného obvodu k příkladu 12.2<br />
R 1 (kΩ) 10 6,8 4,7 1 10<br />
R 2 (kΩ) 10 10 10 10 100<br />
U i2 (V)<br />
259
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
U H (V)<br />
<br />
Příklad 12.3<br />
Výstup operačního zesilovače na obr. 12.11 se právě změnil z hodnoty<br />
hodnotu Uom<br />
Jaká je teoretická hodnota napětí na kapacitě C<br />
Uom<br />
na<br />
<br />
Příklad 12.4<br />
Určete frekvenci kmitů f astabilního klopného obvodu z obrázku 12.11, je-li<br />
a) R a = R b = 10 kΩ, C = 1 μF, R 1 = 2,2 kΩ<br />
b) R a = R b = 10 kΩ, C = 100 nF, R 1 = 2,2 kΩ<br />
c) R a = R b = 10 kΩ, C = 10 nF, R 1 = 2,2 kΩ<br />
Text k prostudování<br />
[1] Frohn, M. – Siedler, H.-J. – Wiemer, M. – Zastrow, P.: Elektronika, polovodičové<br />
součástky a základní zapojení. Ben, Praha 2006, ISBN 80-7300-123-3<br />
Další zdroje<br />
[1] Horowitz, P.- Winfield,H.: The art of electronics (second edition). Cambridge University<br />
Press, Cambridge 1982<br />
2 Kuphaldt, Tony R.: Lessons In Electric Circuits, www.ibiblio.org/kuphaldt/<br />
[3] Punčochář,J.: Operační zesilovače v elektronice. BEN, Praha 2002 (5. vydání), ISBN 80-<br />
7300-059-8<br />
CD-ROM<br />
Otevři soubor a) SKO s BJT<br />
b) SKO s OZ<br />
c) AKO s OZ<br />
260
Generátory obdélníkového a pilového napětí<br />
d) AKO s BJT<br />
Korespondenční úkol<br />
Bude zadán vyučujícím z množiny příkladů určených k samostatnému řešení..<br />
261
Klíč k řešení<br />
KLÍČ K ŘEŠENÍ<br />
Jednoduché příklady mají uvedeny pouze numerické výsledky. U některých příkladů (jež se<br />
autorům jevily jako obtížné, významné pro praxi) je uveden celý postup.<br />
<br />
Úlohy k řešení 1<br />
1.1 I v 5,5 A<br />
1.2 U 1 V<br />
1.3 P 4,1 W<br />
1.4 P 9,6 W<br />
<br />
Úlohy k řešení 2<br />
0.1 a) R F 75,5 Ω, b) r F 3,7 Ω, c) R R 2,43 kΩ, d) r z 183 Ω e) R z 385 Ω,<br />
f) r z 37 Ω<br />
0.2 a) U DP 290 mV, I DP 2,45 mA<br />
b)<br />
255
Klíč k řešení<br />
0.3 Jedná se o v praxi často řešený problém, pro správné pochopení je uveden celý<br />
postup.<br />
a) Proud stabilizační diodou je nejmenší, když proud zátěže I Z je maximální.<br />
Pří určení odporu R použijeme zapojení na obr.<br />
I<br />
R<br />
a<br />
I Z = 200 mA<br />
I ZD<br />
U<br />
r d<br />
U ZD<br />
U d<br />
b<br />
Obr. : Zapojení pro výpočet proudu I ZD min<br />
I<br />
3<br />
3<br />
I<br />
Z<br />
I<br />
ZD<br />
20010<br />
5010<br />
250 mA<br />
max<br />
min<br />
U<br />
R<br />
I r<br />
d<br />
I<br />
ZD<br />
U<br />
d<br />
0<br />
R <br />
U r<br />
d<br />
I<br />
I<br />
ZD<br />
U<br />
d<br />
<br />
30 25010<br />
25010<br />
3<br />
3<br />
9,<br />
9<br />
80 <br />
Poznámka:<br />
I ZD<br />
I ZD<br />
U ZD<br />
r d<br />
U ZD<br />
U ZD<br />
U ZD<br />
I ZDmin<br />
U d<br />
I Zmax<br />
I ZDmax<br />
I D<br />
b) K určení napětí naprázdno U 0 a vnitřního odporu R i náhradního zapojení stabilizátoru<br />
napětí na svorkách a, b na obr. použijeme Théveninovu větu<br />
R<br />
i<br />
R r<br />
R r<br />
d<br />
1, 95<br />
d<br />
<br />
r<br />
d<br />
256
Klíč k řešení<br />
U<br />
U<br />
r<br />
I<br />
U<br />
r<br />
U U<br />
30 9,<br />
9<br />
9, 9 2 10,<br />
39V<br />
80 2<br />
d<br />
0<br />
<br />
d<br />
<br />
Z<br />
<br />
ZD<br />
<br />
d<br />
<br />
Z<br />
<br />
<br />
R rz<br />
c) Ztrátový výkon diody je maximální, jestliže při konstantním napětí na diodě je proud<br />
diodou maximální, tj. tehdy když proud zátěže je minimální – I Z = 0 – viz bod b).<br />
Napětí na diodě je pak rovno napětí naprázdno U 0<br />
I ZD max<br />
245mA<br />
P<br />
Z max<br />
U<br />
ZD<br />
I<br />
ZD<br />
10 , 390,<br />
245 2,<br />
54 W<br />
d) Při řešení budeme opět uvažovat, že proud zátěží I Z = 0. Změna napájecího napětí<br />
U 3V<br />
Změnou vstupního napětí se také mění i proud v obvodu a napětí naprázdno, opět vyjdeme<br />
z náhradního schématu na obr. rovnice popisující obvod bez změny vstupního napětí je<br />
U<br />
R<br />
I<br />
ZD<br />
r<br />
d<br />
I<br />
ZD<br />
U<br />
d<br />
0<br />
Při změně vstupního napětí pak dostaneme<br />
U<br />
U<br />
R<br />
I<br />
I <br />
r I<br />
I U<br />
0<br />
ZD<br />
ZD<br />
Odečteme-li stav popisující poměry bez změny napájecího napětí dostaneme<br />
U R<br />
I<br />
ZD<br />
r<br />
d<br />
I<br />
ZD<br />
0<br />
d<br />
ZD<br />
ZD<br />
d<br />
dosadíme-li<br />
U<br />
ZD<br />
U I<br />
r<br />
ZD<br />
d<br />
<br />
I<br />
ZD<br />
R<br />
r <br />
0<br />
d<br />
<br />
I<br />
ZD<br />
<br />
U<br />
r<br />
d<br />
ZD<br />
U<br />
ZD<br />
U <br />
rd<br />
R r<br />
d<br />
2<br />
3 73<br />
80 2<br />
<br />
mV<br />
U<br />
R rd<br />
R 80<br />
Činitel vyhlazení: <br />
V<br />
1<br />
1<br />
41<br />
U<br />
r r 2<br />
ZD<br />
d<br />
d<br />
Činitel stabilizace:<br />
S<br />
<br />
U<br />
U<br />
U<br />
U<br />
Z<br />
Z<br />
<br />
U<br />
U<br />
ZD<br />
U<br />
U<br />
ZD<br />
I<br />
Z<br />
0<br />
U<br />
<br />
U<br />
ZD<br />
<br />
U<br />
ZD I Z 0<br />
U<br />
S <br />
V<br />
U<br />
ZD<br />
U<br />
I Z<br />
0<br />
41<br />
10,<br />
39<br />
30<br />
14,<br />
2<br />
0.4<br />
257
Klíč k řešení<br />
a) Napěťová závislost kapacitní diody je dána vztahem:<br />
K<br />
12<br />
C K C U D<br />
510<br />
4 10 F V<br />
<br />
U D<br />
Závislost f <br />
C kapacitní diody<br />
U D<br />
U D (V) -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10<br />
C (pF) 10,0 7,07 5,77 5,0 4,47 4,08 3,78 3,54 3,33 3,16<br />
U D (V) -11 -12 -13 -14 -15 -16 -17 -18 -19 -20<br />
C (pF) 3,01 2,89 2,77 2,67 2,58 2,5 2,42 2,35 2,29 2,23<br />
Grafická závislost f <br />
C je vynesena na obr.<br />
U D<br />
C (pF)<br />
Obr.: Závislost f <br />
C kapacitní diody<br />
U D<br />
U D (V)<br />
b) Určíme impedanci diody podle obrázku „Náhradní zapojení kapacitní diody pro střídavý<br />
signál“ – viz zadání<br />
Z R<br />
d<br />
<br />
G<br />
d<br />
1<br />
jC<br />
d<br />
R<br />
d<br />
<br />
G<br />
G<br />
d<br />
2<br />
d<br />
jC<br />
<br />
C<br />
2<br />
d<br />
d<br />
Z<br />
<br />
110<br />
6<br />
6 12<br />
6<br />
3<br />
4 <br />
4 <br />
12<br />
4<br />
2<br />
12<br />
6<br />
10<br />
j2<br />
10010<br />
<br />
2<br />
510<br />
510<br />
<br />
110<br />
10<br />
j314<br />
, 10<br />
9,<br />
8910<br />
<br />
Z 4,<br />
1<br />
j314<br />
Z výpočtu impedance Z vyplývá, že náhradní schéma kapacitní diody lze zjednodušit na<br />
zapojení podle následujícího obrázku:<br />
258
Klíč k řešení<br />
c) Pro výpočet indukčnosti L převedeme sériové zapojení na předchozím obrázku na<br />
paralelní zapojení – viz obr. ( 0 – rezonanční úhlový kmitočet):<br />
C S<br />
R S<br />
Obr.: Zjednodušené náhradní zapojení při<br />
f0 100 MHz<br />
Musí platit rovnost (ekvivalence)<br />
R S<br />
R P<br />
C P<br />
C S<br />
Obr.: Paralelní náhradní zapojení kapacitní diody<br />
Y<br />
G<br />
p<br />
<br />
j<br />
C<br />
0<br />
p<br />
<br />
R<br />
S<br />
<br />
1<br />
1<br />
j<br />
C<br />
0<br />
S<br />
<br />
R<br />
R<br />
2<br />
S<br />
S<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
j<br />
C<br />
0<br />
1<br />
C<br />
0<br />
S<br />
S<br />
<br />
<br />
<br />
2<br />
Y<br />
<br />
R<br />
<br />
1<br />
C<br />
S<br />
0 S<br />
2<br />
2 1 <br />
2 1<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
S<br />
RS<br />
0CS<br />
0CS<br />
<br />
R<br />
<br />
j<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
2<br />
Porovnáním tedy získáme paralelní vodivost G p<br />
G<br />
p<br />
<br />
R<br />
R<br />
S<br />
1<br />
<br />
2 1<br />
S<br />
<br />
2 2<br />
0CS<br />
<br />
<br />
2 2<br />
0CS<br />
RS<br />
2 2 2<br />
0CS<br />
RS<br />
Pro<br />
f0 100 MHz<br />
je hodnota paralelní vodivosti<br />
G<br />
p<br />
<br />
1<br />
6 2 12<br />
2<br />
100<br />
10<br />
5<br />
10<br />
<br />
6 2 12<br />
2<br />
2<br />
100<br />
10<br />
5<br />
10<br />
<br />
5<br />
2 4<br />
5<br />
<br />
3,<br />
95 10<br />
4<br />
2<br />
4<br />
<br />
3,<br />
95 10<br />
1<br />
1,<br />
58 10<br />
S<br />
R<br />
p<br />
1 1<br />
<br />
25 334 <br />
5<br />
G 3,<br />
9510<br />
p<br />
259
Klíč k řešení<br />
Dalším porovnáním určíme hodnotu paralelní kapacity C p<br />
1<br />
0CS<br />
<br />
0C<br />
p<br />
<br />
2<br />
2 1 <br />
R <br />
<br />
<br />
S<br />
0CS<br />
<br />
a pro<br />
f0 100 MHz<br />
dostaneme hodnotu<br />
6<br />
CS<br />
510<br />
12<br />
Cp <br />
<br />
4,<br />
9910<br />
5<br />
2 2 2<br />
4<br />
1<br />
C R 1158<br />
, 10<br />
0<br />
S<br />
S<br />
pF<br />
Z výpočtu vyplývá, že prakticky platí:<br />
C p<br />
C .<br />
Obvodu „Ladění rezonančního obvodu kapacitní diodou“ potom odpovídá model na<br />
následujícím obrázku, R je paralelní kombinací odporů R a R.<br />
p<br />
L R P C P R<br />
L<br />
R C P<br />
Obr.: Náhradní zapojení pro střídavý signál<br />
Při rezonanci platí:<br />
L <br />
0<br />
X<br />
L<br />
1<br />
<br />
0C p<br />
X<br />
C<br />
<br />
pro<br />
pro<br />
f 100 MHz<br />
je hodnota indukčností L<br />
0<br />
1 1<br />
7<br />
L <br />
5, 0610<br />
0,<br />
5 H<br />
2<br />
2<br />
<br />
6<br />
12<br />
0C <br />
p 2<br />
10010<br />
510<br />
f0 100 MHz<br />
platí<br />
<br />
<br />
R<br />
<br />
R<br />
R<br />
p<br />
R R<br />
p<br />
<br />
3<br />
3<br />
10010<br />
25,<br />
310<br />
3<br />
10010<br />
25,<br />
310<br />
3<br />
20,<br />
2 k<br />
d) Činitel jakosti Q paralelního rezonančního obvodu pak je:<br />
3<br />
R<br />
20,<br />
210<br />
Q <br />
63,<br />
4<br />
6<br />
7<br />
L 2<br />
10010<br />
5,<br />
0610<br />
0<br />
Šířku pásma B určíme ze vztahu:<br />
260
Klíč k řešení<br />
6<br />
f0 10010<br />
B 1,<br />
5810<br />
Q 63,<br />
4<br />
6<br />
Hz<br />
e) Změní-li se rezonanční kmitočet f0<br />
z hodnoty 100 MHz na 150 MHz a nebudeme-li<br />
měnit hodnotu indukčnosti L, musí se změnit hodnota kapacity C p kapacitní diody. Opět<br />
vyjdeme z úvahy, že při rezonanci platí: X X<br />
1 1<br />
12<br />
C Cp <br />
2,<br />
22510<br />
2,<br />
22 pF<br />
2<br />
2<br />
L<br />
6<br />
7<br />
0 2<br />
15010<br />
5,<br />
06 10<br />
Z tabulky závislosti f <br />
–20 V.<br />
<br />
<br />
L<br />
C<br />
C U D odečteme, že potřebná hodnota napětí na diodě D<br />
U je<br />
f) K určení činitele jakosti Q a šířky pásma B na frekvenci f = 150 MHz musíme určit<br />
novou hodnotu R a X L<br />
G<br />
R<br />
p<br />
0<br />
p<br />
6 2<br />
12<br />
2<br />
2<br />
150<br />
10<br />
2,<br />
22 10<br />
<br />
6 2<br />
12<br />
2<br />
2<br />
150<br />
10<br />
2,<br />
22 10<br />
<br />
2 2<br />
C RS<br />
4<br />
<br />
<br />
2 2 2<br />
2<br />
1<br />
C R 1<br />
4<br />
0<br />
<br />
S<br />
1 1<br />
<br />
57,<br />
k<br />
6 G 17,<br />
5110<br />
1<br />
p p<br />
17,<br />
51 S<br />
X L<br />
L 2<br />
15010<br />
6<br />
5,<br />
0610<br />
7<br />
4769 , <br />
R<br />
<br />
R R<br />
p<br />
R R<br />
p<br />
<br />
3<br />
3<br />
10010<br />
571<br />
, 10<br />
3<br />
10010<br />
571 , 10<br />
3<br />
36,<br />
35 k<br />
<br />
R<br />
L<br />
0<br />
<br />
36,<br />
3510<br />
476,<br />
9<br />
Q <br />
Hz<br />
3<br />
76,<br />
2<br />
6<br />
f 15010<br />
B <br />
0 <br />
1,<br />
97 M<br />
Q 76,<br />
2<br />
<br />
0.5<br />
a) Pomocí 2. Kirchhoffova zákona určíme: U R<br />
I D<br />
UD<br />
0<br />
Pracovní bod leží na charakteristice o parametru E = 2 000 mW/cm 2 a na zatěžovací<br />
přímce (na jejím „prodloužení“ do IV. kvadrantu):<br />
261
Klíč k řešení<br />
Obr.: Charakteristiky fotodiody<br />
naprázdno: I = 0 → U D = U 0 = – 0,3 V<br />
bod A<br />
nakrátko: U D = 0 → I K<br />
U0 R 30 A<br />
bod B<br />
V pracovním bodu P určíme napětí a proud diody: U DP = 180 mV<br />
I DP = – 48 µA<br />
6<br />
3<br />
Napětí UR IDP<br />
R 4810<br />
1010<br />
480mV<br />
Z výsledků vyplývá, že napětí na odporu R je větší než napětí zdroje U 0 . Tzn., že dioda<br />
v tomto pracovním bodě pracuje jako fotoelektrický článek (fotovoltaický režim) a dodává<br />
výkon do odporu R.<br />
b) Mají-li se napětí U<br />
R a U0<br />
rovnat, musí být napětí na fotodiodě U<br />
D<br />
0 V. Tím je<br />
vlastně určen pracovní bod P na ose proudu – při I D = – 30 µA. Interpolací mezi<br />
charakteristikami určíme, že požadovaná intenzita osvětlení je:<br />
E 1200 mW/cm 2<br />
c) Při dodržování spotřebičové šipkové konvence platí:<br />
6<br />
6<br />
<br />
4810<br />
<br />
23 0410<br />
P – spotřeba<br />
3<br />
R<br />
UR<br />
I<br />
DP<br />
48010<br />
<br />
,<br />
6<br />
6<br />
<br />
4810<br />
8 6410<br />
P – zdroj energie<br />
3<br />
D<br />
U<br />
DP<br />
I<br />
DP<br />
18010<br />
<br />
,<br />
6<br />
6<br />
<br />
0,<br />
3<br />
4810<br />
14 410<br />
P U<br />
<br />
, – zdroj energie<br />
U<br />
I DP<br />
Energie dodávaná zdrojem a fotodiodou se rovná energii spotřebované.<br />
262
Klíč k řešení<br />
0.6<br />
a) Diody jsou trvale zavřeny, U výst = U vst<br />
b) Pro kladnou půlvlnu a U m větší než U 1 začíná spínat dioda D 1 (pro křemíkovou diodu<br />
je maximální výstupní napětí U 1 + 0,6 V<br />
Pro zápornou půlvlnu a U m větší než U 1 začíná spínat dioda D 2 (pro křemíkovou diodu<br />
je minimální výstupní napětí -U 1 - 0,6 V<br />
0.7<br />
U 1<br />
t<br />
řešení a)<br />
U 2<br />
t<br />
U 2<br />
t<br />
řešení b)<br />
U 2<br />
řešení c)<br />
Při zmenšování hodnoty R zvlnění roste (řešení d).<br />
t<br />
<br />
Úlohy k řešení 3<br />
3.1 I C 14,4 mA, U CE 6,4 V<br />
3.2 a) R C = 1,2 kΩ, R B 716,2 kΩ;<br />
c) P = 30 mW<br />
d) 312<br />
263
Klíč k řešení<br />
I CP<br />
P<br />
U CEP<br />
zatěžovací přímky<br />
I BP<br />
I BK<br />
P<br />
U BEP<br />
b): Konstrukce zatěžovací přímky v síti charakteristik<br />
3.3 R C = 1,2 kΩ, R B 341 kΩ;<br />
3.4 R C = 1,7 kΩ, R 2 = 2,2 kΩ; R 1 = 23,45 kΩ<br />
3.5 I B = 6,76 A, I C = 1,352 mA, I E = 1,359 mA, I 1 = 0,102 mA, I 2 = 95,54 A<br />
3.6 R E = 3,75 kΩ, R 1 = 34,5 kΩ; R 2 = 40,5 kΩ<br />
3.7 a) R C = 2 kΩ, R E = 500 Ω, R 1 = 153,63 kΩ, R 2 = 35,64 kΩ, R V = 28,93 kΩ,<br />
r CE = 52,5 kΩ, r e = 13 Ω<br />
b) R ib =2,873 kΩ<br />
c) A U = -154, A I = 200<br />
d) R in =2,613 kΩ, R out =2 kΩ<br />
e) A U = -51,3 (R Z = 1 kΩ), A U = -151 (R Z = 100 kΩ)<br />
264
Klíč k řešení<br />
i 1<br />
i b<br />
B<br />
i c<br />
C<br />
u 1<br />
R V<br />
i v<br />
0 V<br />
E i<br />
r ce<br />
R C<br />
u 2<br />
u e<br />
r e<br />
i e<br />
E<br />
Signálové schéma zapojení SE – příklad 3.7<br />
3.8<br />
U CC<br />
R 1<br />
C 1<br />
R 2<br />
R C<br />
R E<br />
C 2<br />
C E<br />
u 1<br />
u 2<br />
R Z<br />
u 1<br />
i b<br />
B<br />
0 V<br />
u 1<br />
r e<br />
i c<br />
E i<br />
i e<br />
E<br />
C<br />
r ce<br />
R C<br />
u 2<br />
Schéma zapojení SB – příklad 3.8<br />
Signálové schéma zapojení SB – příklad 3.8<br />
a) Prvky v modelu tranzistoru mají stejnou hodnotu jako v příkladu 3.7, protože<br />
se nezměnil pracovní bod.<br />
b) R in =13 Ω<br />
c) A U = -154, A I = 0,995<br />
d) R out =2 kΩ<br />
3.9<br />
i 1<br />
i b<br />
B<br />
C<br />
u 1<br />
R V<br />
i v<br />
0 V<br />
E i<br />
r e<br />
i e<br />
E<br />
R E<br />
u 2<br />
Signálové schéma zapojení SC – příklad 3.9<br />
b) R E = 3,75 kΩ, R 1 =<br />
34,5 kΩ, R 2 = 40,5 kΩ,<br />
265
Klíč k řešení<br />
c) R V = 18,63 kΩ, r e = 13 Ω<br />
c) A U = -154, A I = 200<br />
d) R in =17,76 kΩ, R out =13 Ω<br />
e) A U = 0,996<br />
f) P C = 15 mW<br />
<br />
Úlohy k řešení 4<br />
4.1<br />
a) Strmost tranzistoru je největší, je-li napětí hradla U G 0V<br />
, popřípadě<br />
zanedbatelné. Pro JFET s kanálem typu N musí být napětí hradla vždy menší než 0 V,<br />
takže při požadovaném maximálním buzení 1V<br />
(odpovídá amplitudě 1 V) musí být<br />
U 1V . Pro U 10 V a U 1V<br />
odečteme z charakteristik tranzistoru<br />
GS<br />
DSP<br />
proud v pracovním bodě: I DP<br />
4, 1mA<br />
b) R S = 244 Ω, R D = 2,195 kΩ, R G ≤ 10·10 -3 /2·10 -9 = 5 MΩ<br />
c)<br />
GS<br />
d) Při použití údajů z obrázku z bodu c) A U = -5,7<br />
e) Při použití údajů z obrázku z bodu c) A I = 15,2·10 3 , A P = 86,64·10 3<br />
4.2<br />
a) U GG = 0 V: R S = 205 Ω, R D = 3,795 kΩ, R G volíme = 1 MΩ<br />
b) U GG = 8 V: R S = 1 805 Ω, R D = 2,195 kΩ, R G volíme = 1 MΩ<br />
266
Klíč k řešení<br />
4.3<br />
a) g m = 2,3 mS<br />
b) g d = 8,917 S<br />
4.4<br />
a) I D = 5,2 mA, U GS = 3,326 V, U DS = 4,28 V<br />
b) g m = 7,843 mA/V, r d = 30 kΩ,<br />
c) R in = 92,3 kΩ<br />
d) R out = 981,7 Ω<br />
4.5<br />
a) I D = 7,16 mA, U GS = 3,429 V, U DS = 3,214 V<br />
4.6<br />
A U = -9,7<br />
<br />
Úlohy k řešení 6<br />
6.1<br />
V příkladu 3.2 bylo určeno, že A U = -218 C MK = 657 pF<br />
6.2<br />
V příkladu 3.3 bylo určeno, že A U = -6,48 C MK = 19,44 pF<br />
<br />
Úlohy k řešení 8<br />
8.1<br />
a) I C = 1,6 mA, I B = 12,8 A, U CE = 6,37 V<br />
b) P C =10,2 mW<br />
c) A U = -83<br />
d) C 1 =3,37 F, C 2 =0,982 F, C E = 327 F – bez optimalizace (nezaručuje<br />
požadavek)<br />
267
C 1opt =10,11 F, C 2 opt =9,82 F, C E opt = 327 F – zaručuje požadavek<br />
d) C MK = 151,2 pF<br />
Klíč k řešení<br />
8.2<br />
C 1opt =5,1 F, C 2 opt =5 F, C E opt = 629 F<br />
8.3<br />
a) R C = 2,5 kΩ, R 1 = 797,3 kΩ,<br />
b) r e = 13 Ω, r CE = 52,5 kΩ, R ib = 2,223 kΩ, R in = 2,216 kΩ<br />
c) C 1opt = 2,39 F, C 2 opt =1,06 F<br />
8.4<br />
f d = 718,2 Hz<br />
<br />
Úlohy k řešení 9<br />
9.1<br />
ˆ 1<br />
P U<br />
, Zˆ<br />
in<br />
R<br />
j RC<br />
9.2<br />
ˆ jRC<br />
,<br />
P U<br />
Zˆ 1<br />
in<br />
<br />
j C<br />
9.3<br />
ˆ jR2C<br />
P U<br />
,<br />
1<br />
jR1C<br />
Zˆ<br />
1<br />
in<br />
R 1<br />
<br />
j C<br />
9.4<br />
P ˆ R<br />
, Zˆ<br />
U in<br />
R<br />
R1<br />
1<br />
jR C<br />
2<br />
2<br />
1<br />
9.5<br />
ˆ<br />
P U<br />
2<br />
, Z in<br />
R<br />
1<br />
R<br />
R<br />
1<br />
ˆ<br />
268
Klíč k řešení<br />
9.6<br />
ˆ<br />
<br />
1<br />
jC<br />
R1<br />
R2<br />
, Zˆ<br />
in<br />
R<br />
1<br />
jR C<br />
P U<br />
1<br />
<br />
9.7<br />
Výsledky musí být shodné s řešeným příkladem<br />
9.8<br />
ˆ<br />
P U<br />
jRC<br />
,<br />
2<br />
1<br />
jRC<br />
<br />
<br />
20 log<br />
(dB)<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2<br />
1<br />
<br />
1<br />
CR<br />
<br />
Pásmová propust<br />
<br />
Úlohy k řešení 10<br />
10.1<br />
R in = 10 10 Ω (není uvažován vliv souhlasného vstupu)<br />
10.2<br />
R in = 10 10 Ω (není uvažován vliv souhlasného vstupu)<br />
10.3<br />
R in = 10 9 Ω (není uvažován vliv souhlasného vstupu)<br />
10.4<br />
R in = 10 11 Ω (není uvažován vliv souhlasného vstupu)<br />
10.5<br />
R in = 10 9 Ω (není uvažován vliv souhlasného vstupu)<br />
10.6<br />
a) f HZ = 333,3 kHz<br />
b) f HZ = 10 kHz<br />
c) f HZ = 1 kHz<br />
269
Klíč k řešení<br />
10.7<br />
a) f HZ = 10 kHz<br />
b) f HZ = 50 kHz<br />
c) f HZ = 500 kHz<br />
d) f HZ = 1 MHz<br />
e) f HZ = 10 kHz<br />
<br />
Úlohy k řešení 11<br />
11.1<br />
f 0 (Hz) 20 50 100 200 500 1 000 5 000 10 000<br />
C (nF) 796 318 159 79,6 31,8 15,9 3,18 1,59<br />
11.2<br />
R t (kΩ ) 20 8 6 4<br />
R f (kΩ ) 10 4 3 2<br />
11.3<br />
R t (kΩ ) 10 8 6 4<br />
R f (kΩ ) 5 4 3 2<br />
11.4<br />
f 0 (Hz) 20 50 100 200 500 1 000 2 000 5 000<br />
C (F) 1,48 591 n 295 n 148 n 59,1 n 29,5 n 14,8 n 5,91 n<br />
<br />
Úlohy k řešení 12<br />
12.1<br />
R 1 (kΩ) 100 10 10 1<br />
R 2 (kΩ) 100 10 100 10<br />
U R+ (V) 6 6 1,09 1,09<br />
U H (V) 12 12 2,18 2,18<br />
270
Klíč k řešení<br />
12.2<br />
R 1 (kΩ) 10 6,8 4,7 1 10<br />
R 2 (kΩ) 10 10 10 10 100<br />
U i2 (V) 12 8,16 5,64 1,2 1,2<br />
U H (V) 24 16,3 11,28 2,4 2,4<br />
12.3<br />
u<br />
C<br />
0<br />
<br />
U<br />
om<br />
Ra<br />
<br />
R R<br />
a<br />
b<br />
12.4<br />
Pro R a = R b je<br />
<br />
R C T t t<br />
2R 1<br />
C ln<br />
1<br />
2R<br />
R <br />
n v 1<br />
3 6<br />
3<br />
a) T 22,<br />
210<br />
10<br />
ln3<br />
4,<br />
83410<br />
s<br />
f<br />
1 T 206,9 Hz<br />
b) f 1 T 2 069 Hz<br />
c) f 1 T 20 690 Hz<br />
n<br />
v<br />
a<br />
b<br />
271
Literatura<br />
Literatura<br />
1 Mohylová, J.: Lineární obvody s elektronickými prvky -Sbírka příkladů, VŠB-TU Ostrava<br />
2002<br />
2 Punčochář, J.: Lineární obvody s elektronickými prvky. Skriptum, VŠB-TU Ostrava 2002<br />
3<br />
Punčochář, J.: Astabilní obvod s reálnými operačními zesilovači. www.elektrorevue.cz<br />
4 Punčochář, J.: Dolní propusti Sallen - Key s reálnými operačními zesilovači<br />
www.elektrorevue.cz<br />
5 Mohylová, J.: Vliv vektorové chyby invertoru na přenos souhlasné složky signálu<br />
diferenčního zesilovače. www.elektrorevue,cz<br />
6 Mohylová, J.: Sylaby Teorie obvodů I, II a III. Katedra teoretické elektrotechniky FEI, VŠB –<br />
TU Ostrava, 1997 – 2001<br />
7 Punčochář,J.: Operační zesilovače v elektronice. BEN, Praha 2002 (5. vydání)<br />
8 Čermák, J.: Kurz polovodičové techniky, SNTL, Praha 1976<br />
9 Huelsman, P. L.: Basic Circuit Theory (3 rd edition). Prentice - Hall, Inc., 1991<br />
10 Lurje, O. B.: Integralnyje mikroschemy v usilitelnych ustrojstvach. Radio i svjaz, Moskva,<br />
1988<br />
11 Mikulec, M., – Havlíček, V.: Basic circuit theory II. Vydavatelství ČVUT, Praha, 1996<br />
12 Čajka, J. - Kvasil, J.: Teorie lineárních obvodů. SNTL, Praha, 1979<br />
13 Dostál, J.: Operační zesilovače. BEN, Praha, 2005<br />
14 Angot, A.: Užitá matematika pro elektrotechnické inženýry. SNTL, Praha, 1971<br />
15 Žalud, V.: Moderní radioelektronika. BEN, Praha, 2000<br />
16 Vobecký, J. - Záhlava, V.: Elektronika (součástky a obvody, principy a příklady), Grada,<br />
Praha 2001<br />
17 Belza, J.: Operační zesilovače pro obyčejné smrtelníky. BEN, Praha 2004<br />
18 Horowitz, P.- Winfield,H.: The art of electronics (second edition). Cambridge Univer-sity<br />
Press, Cambridge 1982<br />
19 Frohn, M. – Siedler, H.-J. – Wiemer, M. – Zastrow, P.: Elektronika, polovodičové součástky a<br />
základní zapojení. Ben, Praha 2006<br />
20 Beneš, O. – Černý, A. – Žalud, V.: Tranzistory řízené elektrickým polem, SNTL, Praha 1972<br />
21 Neumann, P. – Uhlíř, J.: Elektronické obvody a funkční bloky, ČVUT, Praha 1999<br />
22 Foit, J. – Hudec: Součástky moderní elektroniky, ČVUT, Praha 1996<br />
23 Lawless, B.: Fundamentals Analogy Electronics, Prentice Hall 1996<br />
24 Schubert, T. – Kim, E.: Active and non-linear electronics, John Wiley & Sons, Inc. 1996<br />
25<br />
26<br />
AN 211A: Field effect transistors in theory and practice, Motorola Semiconductor<br />
Applications Note, Motorola, Inc. 1993<br />
Kuphaldt, Tony R.: Lessons In Electric Circuits, www.ibiblio.org/kuphaldt/<br />
27 Doleček, J.: Moderní učebnice elektroniky 2. díl, BEN, Praha, 2005<br />
28 Doleček, J.: Moderní učebnice elektroniky 4. díl, BEN, Praha, 2006<br />
272
Rejstřík<br />
Rejstřík<br />
akceptor, 28<br />
aktivní režim, 61<br />
aproximace, 16<br />
astabilní klopný obvod, 252<br />
báze, 55<br />
Coulombův zákon, 30<br />
diferenciální odpor, 13<br />
diferenční napětí, 212<br />
diferenční vodivost, 34<br />
dolní propust, 209<br />
donor, 28<br />
dopředný přenos, 141<br />
Earlyho napětí, 61, 113<br />
emitor, 55<br />
emitorový sledovač, 86<br />
EMOSFET, 112<br />
extrapolovaný tranzitní kmitočet, 219<br />
extrinsický polovodič, 27<br />
Fickův zákon, 28<br />
filtr, 208<br />
fotodioda, 44<br />
fotojev, 44<br />
frekvenční spektrum, 208<br />
gate, 100<br />
horní propust, 209<br />
hradlo, 100<br />
hystereze, 258<br />
indukovaný kanál, 100<br />
interní emitor, 63<br />
intrinsický polovodič, 27<br />
invertující zesilovač, 204<br />
JFET, 101<br />
kanál N, 99<br />
kanál P, 99<br />
kladná zpětná vazba, 250<br />
klopný obvod, 218<br />
kmitočtová charakteristika, 179<br />
kolektor, 55<br />
kolektorová ztráta, 67<br />
Lavinový jev, 39<br />
linearizace, 15<br />
Millerova kapacita, 199<br />
Millerův jev, 177<br />
MOSFET, 107<br />
napěťové zesílení, 75, 140<br />
napěťový přenos, 86<br />
neinvertující zesilovač, 140, 204<br />
obohacovací režim, 100<br />
odporová oblast, 112, 142<br />
ochuzená vrstva, 30<br />
ochuzovací režim, 100<br />
operační zesilovač, 202<br />
oscilátor, 218<br />
oscilátory LC, 231<br />
oscilátory RC, 233<br />
parazitní kapacita, 180<br />
pásmová propust, 212<br />
pásmová zádrž, 212<br />
pilové napětí, 258<br />
Planckova konstanta, 45<br />
pracovní bod, 12<br />
propustný směr, 34<br />
proudové zesílení, 96<br />
proudový zesilovací činitel, 57<br />
273
Rejstřík<br />
přechod P-N, 29<br />
reaktance, 90<br />
saturační oblast, 127<br />
saturační proud, 111<br />
Schmittův klopný obvod, 245<br />
signálová vodivost, 63<br />
signálové schéma, 140<br />
signálový model, 63<br />
signálový odpor, 92, 115<br />
statický odpor, 12<br />
strmost, 63<br />
teplotní napětí, 33, 63<br />
Théveninův teorém, 140<br />
tranzistor FET, 100<br />
tranzistor NPN, 64<br />
tranzistor PNP, 65<br />
tranzistorový jev, 56<br />
unipolární tranzistor, 100<br />
usměrňovací jev, 34<br />
vazební kapacita, 199<br />
vstupní impedance, 176<br />
vstupní odpor, 83<br />
výkonové zesílení, 92<br />
Wienův člen, 233<br />
zabudovaný kanál, 100<br />
zapojení se společnou bází, 90<br />
zapojení se společným emitorem, 73<br />
závěrný směr, 32<br />
zbytkový proud, 67<br />
Zenerova dioda, 40<br />
Zenerův jev, 38<br />
zpětná vazba, 217<br />
ztrátový výkon, 19<br />
274