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5.3.3 Gleichgewichtskonzentration von atomaren Fehlstellen in ...

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Die Thermodynamik schreibt e<strong>in</strong>em Kristall zw<strong>in</strong>gend vor, wieviele Leerstellen und Eigenzwischengitteratome er im<br />

thermodynamischen Gleichgewicht und e<strong>in</strong>er gegebenen Temperatur haben muß. Bei e<strong>in</strong>em Wechsel der Temperatur ändert sich<br />

die <strong>Gleichgewichtskonzentration</strong>, und das bedeutet, dass atomare <strong>Fehlstellen</strong> entweder erzeugt oder vernichtet oder werden<br />

müssen - je nachdem ob wir die Temperatur erhöhen bzw, erniedrigen<br />

Wie kann e<strong>in</strong> Kristall <strong>in</strong> der Realität AF's erzeugen oder vernichten? E<strong>in</strong> Atom kann ja nicht e<strong>in</strong>fach so verschw<strong>in</strong>den (und an<br />

der Oberfläche wieder auftauchen) wie wir das mit der Mathematik postulieren.<br />

Umgekehrt, wie kann e<strong>in</strong>e vorhandene Leerstelle verschw<strong>in</strong>den? Indem sie mit e<strong>in</strong>em Eigen-ZGA rekomb<strong>in</strong>iert, OK; aber da<br />

es <strong>in</strong> der Regel sehr viel weniger ZGA's als Leerstellen gibt, wird das nicht viel nützen.<br />

Die Antwort ist e<strong>in</strong>fach im Pr<strong>in</strong>zip und komplex <strong>in</strong> der Praxis:<br />

Erzeugung und Vernichtung <strong>von</strong> AF's geschieht mit Hilfe anderer Defekte; <strong>in</strong>sbesondere Versetzungen und Korngrenzen.<br />

Beide Defektsorten können AF's emittieren oder absorbieren.<br />

In Kapitel 10 werden wir lernen wie das geht (und was dabei mit den Korngrenzen und Versetzungen geschieht). Die L<strong>in</strong>ks<br />

führen auf Unterkapitel mit relevanten Bildern, die aber auch schon <strong>in</strong> dem hier diskutierten Zusammenhang sofort<br />

verständlich s<strong>in</strong>d:<br />

AF's und Versetzungen<br />

AF's und Korngrenzen<br />

Darüberh<strong>in</strong>aus können AF's formal verschw<strong>in</strong>den, <strong>in</strong>dem sie sich zu größeren Defekten, z.B. "Voids" oder Versetzungsr<strong>in</strong>gen<br />

zusammenlagern - das hatten wir schon früher angesprochen.<br />

.Wenn man e<strong>in</strong> bißchen weiterdenkt, wird jedoch sofort klar, dass für alle diese Prozesse Zeit benötigt wird, da die AF's erstmal die<br />

"Partner f<strong>in</strong>den (oder verlassen) müssen. Dazu müssen sie diffundieren.<br />

Die E<strong>in</strong>stellung e<strong>in</strong>es neuen Gleichgewichts wird also schnell erfolgen können, falls die AF's sehr beweglich s<strong>in</strong>d. Falls sie<br />

aber nur langsam und träge im Gitter herumdiffundieren, kann es auch sehr lange dauern - Stunden, e<strong>in</strong> Menschenalter, e<strong>in</strong><br />

Millenium, e<strong>in</strong> Alter des Universums.<br />

Was wir hier betrachten ist der Weg <strong>in</strong>s Gleichgewicht - die K<strong>in</strong>etik. Sie wird uns e<strong>in</strong> eigenes Kapiutel wert se<strong>in</strong>!<br />

Wie groß s<strong>in</strong>d reale Bildungsenergien und Konzentrationen?<br />

Zunächst gilt (fast) immer<br />

E<strong>in</strong>ige Zahlen<br />

H F (i) > H F (V)<br />

d.h. die Konzentration an Leerstellen wird i.d.R. viel größer se<strong>in</strong> als die Konzentration an Eigenzwischengitteratomen. Die<br />

große Ausnahme hier, wie auch bei vielen anderen Eigenschaften, ist Silizium. Im L<strong>in</strong>k s<strong>in</strong>d e<strong>in</strong>ige der bemerkenswerten<br />

speziellen Eigenschaften <strong>von</strong> Si zusammengefaßt.<br />

Typische Werte für die Bildungsenthalpien der Leerstellen s<strong>in</strong>d:<br />

Kristall H F (V) [eV]<br />

Ag 1,1<br />

Al 0,76<br />

Au 0,98<br />

Cu 1,0<br />

Si ? 2,0 - 4,5<br />

nicht e<strong>in</strong>deutig geklärt<br />

MaWi 1 Skript - Page 6

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