Halbleiter und Passive Bauelemente - Farnell

Halbleiter und Passive Bauelemente
Diskrete Bauelemente
600V und 1200V
Dioden
V RRM I F (av) I FRM I FSM (*t rr min.) V F max.
Preis
V A A A ns V Bauform Typ Best.-Nr. pro Stück
600 120 360 90 2,2 TO-3P FFA120UP60DN 149-5125● g13,28
600 8 80 30 2,6 TO-220 FFP08S60STU 149-5099● g0,78
600 8 60 45 2,1 TO-220F FFPF08H60STU 149-5109● g0,91
600 8 80 30 2,6 TO-220F FFPF08S60STU 149-5110● g0,91
600 10 100 40 2,5 TO-220F FFPF10H60STU 149-5111● g0,91
600 15 30 200 40 2,2 TO-247 ISL9K1560G3 149-5115● g3,95
600 4 8 50 22 2,4 TO-220 ISL9K460P3 149-5101● g1,38
1200 8 16 100 44 3,3 TO-220 ISL9K8120P3 149-5102● g2,26
600 8 16 100 30 2,4 TO-220 ISL9K860P3 149-5103● g2,04
600 15 30 200 40 2,2 TO-247 ISL9R1560G2 149-5116● g2,13
600 15 30 200 40 2,2 TO-220 ISL9R1560P2 149-5104● g1,61
600 15 30 200 40 2,2 TO-220F ISL9R1560PF2 149-5113● g1,78
1200 18 36 200 70 3,3 TO-247 ISL9R18120G2 149-5117● g2,64
1200 18 36 200 70 3,3 TO-220 ISL9R18120P2 149-5105● g2,04
1200 30 70 325 100 3,3 TO-247 ISL9R30120G2 149-5118● g4,30
600 30 70 325 45 2,4 TO-247 ISL9R3060G2 149-5119● g3,78
600 30 70 325 45 2,4 TO-220 ISL9R3060P2 149-5106● g3,30
600 4 8 50 22 2,4 TO-220 ISL9R460P2 149-5107● g0,87
600 4 8 50 22 2,4 TO-220F ISL9R460PF2 149-5114● g0,87
1200 8 16 100 44 3,3 TO-220 ISL9R8120P2 149-5108● g1,38
HiPerFRED Epitaxiale
Dioden
TO-220AB
TO-220
TO-3P
TO-247AD
• Planar passivierte Chips
• Sehr kurze Erholungszeit
• Extrem geringe Schaltverluste
SOT-227B
TO-220F
• Geringe I RM -Werte
• Weiches Erholungsverhalten
• Epoxyd entspricht UL 94V-0
TO-247
TO-220AC
V RRM I F av I FS V F
max. max. max. max. Preis
V A A V Gehäuse Typ Best.-Nr. pro Stück
600 10 50 1,42 TO-220AB DSEC16-06A 142-7238● g2,80
1200 10 40 1,96 TO-220AB DSEC16-12A 142-7239● g3,30
400 120 2000 1,07 SOT-227B DSEC240-04A 142-7240● g49,00
600 120 2000 1,39 SOT-227B DSEC240-06A 142-7241● g49,00
200 30 1,05 TO-247AD DSEC30-02A 142-7242● g3,65
1200 15 90 1,78 TO-247AD DSEC30-12A 142-7243● g4,30
200 30 325 0,95 TO-247AD DSEC60-02A 142-7244● g7,65
400 30 140 1,09 TO-247AD DSEC60-04A 142-7245● g7,80
600 30 250 1,25 TO-247AD DSEC60-06A 142-7247● g8,50
1200 30 200 1,78 TO-247AD DSEC60-12A 142-7248● g11,00
1200 15 90 1,79 TO-220AC DSEP12-12A 142-7262● g1,85
600 15 110 1,35 TO-220AC DSEP15-06A 142-7263● g1,75
300 30 300 0,93 TO-220AC DSEP29-03A 142-7264● g2,70
600 30 250 1,26 TO-220AC DSEP29-06A 142-7265● g2,70
1200 30 200 1,81 TO-220AC DSEP29-12A 142-7266● g3,35
300 30 300 0,96 SOT-227B DSEP2X31-03A 142-7268● g15,70
600 30 250 1,3 SOT-227B DSEP2X31-06A 142-7269● g16,50
1200 30 200 1,96 SOT-227B DSEP2X31-12A 142-7270● g20,00
300 60 600 1,26 SOT-227B DSEP2X61-03A 142-7273● g20,00
600 60 600 1,48 SOT-227B DSEP2X61-06A 142-7274● g20,00
1200 60 800 1,7 SOT-227B DSEP2X61-12A 142-7275● g26,20
300 90 1000 1,3 SOT-227B DSEP2X91-03A 142-7276● g25,40
600 90 1000 1,52 SOT-227B DSEP2X91-06A 142-7277● g28,40
600 30 250 1,56 TO-247AC DSEP30-06B 142-7278● g3,40
200 8 80 0,94 TO-220AC DSEP8-02A 142-7279● g1,40
600 10 50 1,42 TO-220AC DSEP8-06A 142-7280● g1,40
Epitaxiale Dioden
(FRED)
• Geringe IRM-Werte
• Weiches Erholungsverhalten
• Epoxyd entspricht UL 94V-0
V RRM I F av Ifs V F
max. max. max. max. Preis
V A A V Gehäuse Typ Best.-Nr. pro Stück
1200 109 600 1,16 TO-247 DSEI120-12A 142-7253● g9,45
1000 12 75 2,1 TO-220AC DSEI12-10A 142-7254● g1,40
1200 17 130 1,87 TO-220AC DSEI20-12A 142-7255● g2,45
1200 92 1200 1,61 SOT-227B DSEI2X101-12A 142-7256● g27,80
1200 28 200 2,2 SOT-227B DSEI2X31-12B 142-7257● g18,10
1200 52 450 2,15 SOT-227B DSEI2X61-12B 142-7259● g25,40
200 69 600 0,88 TO-247 DSEI60-02A 142-7261● g4,00
Schnelle Hochleistungs-
Recovery Dioden
(HiPerFRED 2. Generation)
TO-220AB
TO-247AD
• Planar passivierte Chips
• Sehr kurze Erholungszeit
• Extrem geringe Schaltverluste
TO-247AD
• Planar passivierte Chips
• Sehr geringer Leckstrom
• Sehr kurze Erholungszeit
• Verbessertes thermisches Verhalten
• Sehr geringe IRM-Werte
V RRM I F av I FS V F
max. max. max. max. Preis
V A A V Gehäuse Typ Best.-Nr. pro Stück
300 60 550 1,1 TO-3P DPG120C300QB 142-7228● g5,45
200 15 150 1 TO-220AC DPG15I200PA 142-7229● g1,10
300 15 150 1 TO-220AC DPG15I300PA 142-7230● g1,10
400 10 100 1,04 TO-220AB DPG20C400PB 142-7231● g1,40
400 15 150 1,07 TO-247 DPG30C400HB 142-7232● g2,75
300 30 300 1,06 TO-247 DPG60C300HB 142-7233● g3,70
HiPerDynFRED
Epitaxial Dioden
SOT-227B
TO-220AC
TO-3P
TO-220AC
• Sehr weiches Erholverhalten
• Stoßentladungs-Spannung für
verlässlichen Betrieb
• Weiches Sperr-Erholungsverhalten
für geringe EMI/RFI
• Silikonchip auf Untergrund aus einer Kupferverbindung
• Hohe Stromableitung
• Planar passivierte Chips
• Sehr kurze Erholungszeit
• Extreme geringe Schaltverluste
SOT-227B
TO-220AC
• Geringe IRM-Werte
• Weiches Erholungsverhalten
• Epoxyd entspricht UL 94V-0
ISOPLUS220
V RRM I F av I FS V F
max. max. max. max. Preis
V A A V Gehäuse Typ Best.-Nr. pro Stück
600 10 120 1,42 ISOPLUS220 DSEA16-06AC 142-7235● g4,65
600 15 130 1,34 ISOPLUS220 DSEA29-06AC 142-7236● g5,45
600 30 105 1,56 ISOPLUS220 DSEA59-06BC 142-7237● g7,00
600 15 115 1,25 ISOPLUS220 DSEE15-06CC 142-7249● g5,45
1200 10 130 1,12 ISOPLUS220 DSEE15-12CC 142-7250● g5,45
1200 15 100 1,5 ISOPLUS220 DSEE29-12CC 142-7251● g7,00
600 6 150 1,35 ISOPLUS220 DSEE6-06CC 142-7252● g4,45
1200 25 95 3,3 SOT-227B DSEP2X25-12C 142-7267● g24,10
600 35 100 2 SOT-227B DSEP2X35-06C 142-7272● g22,30
16
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