Halbleiter und Passive Bauelemente - Farnell

Halbleiter und Passive Bauelemente
Speicher
Serieller Flash-Speicher
• Die Familie der seriellen Flash-Speicher SST 25 bietet eine vieradrige SPI-kompatible Schnittstelle für ein Gehäuse mit wenigen
Pins, das auf der Platine wenig Platz erfordert und die gesamten Kosten niedrig hält.
• PIN-TO-PIN kompatibel mit SPI seriellem EEPROM
gemäß Industriestandard
Typ Hersteller Pins Bauform Beschreibung Best.-Nr. Preis pro Stück
SST25VF010A-33-4I-SAE SST 8 SOIC 1 Mbit SERIAL FLASH. Clock Frequency 33MHz 136-8686● g1,75
SST25VF010A-33-4I-QAE SST 8 WSON 1 Mbit SERIAL FLASH. Clock Frequency 33MHz 136-8687● g2,00
SST25LF020A-33-4I-SAE SST 8 SOIC 2 Mbit SERIAL FLASH. Clock Frequency 33MHz 136-8688● g2,10
SST25VF040B-50-4I-S2AF SST 8 SOIC 4 Mbit SERIAL FLASH. Clock Frequency 50MHz 136-8690● g2,85
SST25VF040B-50-4I-QAF SST 8 WSON 4 Mbit SERIAL FLASH. Clock Frequency 50MHz 136-8691● g3,00
SST25VF080B-50-4I-S2AF SST 8 SOIC 8 Mbit SERIAL FLASH. Clock Frequency 50MHz 136-8693● g3,45
SST25VF080B-50-4I-QAF SST 8 WSON 8 Mbit SERIAL FLASH. Clock Frequency 50MHz 136-8694● g3,75
SST25VF016B-50-4I-S2AF SST 8 SOIC 16 Mbit SERIAL FLASH. Clock Frequency 50MHz 136-8695● g3,85
SST25VF016B-50-4I-QAF SST 8 WSON 16 Mbit SERIAL FLASH. Clock Frequency 50MHz 136-8696● g4,10
Permanent Statischer MRAM
1M & 4M bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) Bauteile speichern 65.536 & 262.144 Wörter mit je 16 bits.
Sie sind ausgestattet mit Chip Enable (E), Write Enable (W) und Output Enable (G) Pins, welche eine signifikante Flexibilität des
Systemdesigns ohne Bus-Contention gestatten. Durch die separaten Byte-Enable Steuerungen (LB and UB) können individuelle
Bytes geschrieben und gelesen werden. MRAM arbeitet mit nichtflüchtiger Speichertechnologie, welche Daten bei Stromausfall
schützt und keine periodische Aktualisierung erfordert. Es ist ein kompletter permanenter Betrieb mit Datenerhalt über 20
Jahren möglich. Diese Geräte stellen eine ideale Lösung dar für Anwendungen, welche permanent speichern und schnell auf
kritische Daten zugreifen müssen. Die ICs erfordern Einzelstromversorgung mit 3.3V.
Betriebstemperatur Pins Beschreibung Typ Best.-Nr. Preis pro Stück
-45/85 44 / TSOP II 1M (64K x 16-Bit) MRAM 35ns MR0A16ACYS35 149-9761● g25,70
-40/105 44 / TSOP II 1M (64K x 16-Bit) MRAM 35ns MR0A16AVYS35 149-9763● g34,20
0/70 44 / TSOP II 1M (64K x 16-Bit) MRAM 35ns MR0A16AYS35 149-9764● g12,90
-40/85 44 / TSOP II 4M (256K x 16-Bit) MRAM 35ns MR2A16ACYS35 149-9758● g34,20
0/70 44 / TSOP II 4M (256K x 16-Bit) MRAM 35ns MR2A16ATS35C 149-9759● g19,40
-40/105 44 / TSOP II 4M (256K x 16-Bit) MRAM 35ns MR2A16AVYS35 149-9760● g32,10
Atmel AT45D-DataFlash-Speicher
Merkmale
• Erhältlich mit Speicherkapazitäten von 1MBit bis 64 MBit (einfacher Upgrade-Pfad)
• Einfache serielle SPI-Schnittstelle benötigt nur 7 Kontakte für die Kommunikation mit dem Hostprozessor
• SPI-Datentransfer mit hoher Übertragungsgeschwindigkeit von bis zu 20MHz
• Ein /Zwei bidirektionale/r integrierte/r Puffer, um den Datenfluss zum/vom Gerät zu beschleunigen
Typ Pinzahl Gehäuse Produktbeschreibung Typ Best.-Nr. Preis pro Stück
45DB001 8 / SOIC 1Mb (128K x 8) Serial Flash Memory - SPI interface (IND TEMP). AT45DB011B-SU 109-5792● g1,59
45DB011 8 / SOIC 1MB, 2.7-Volt DataFlash, 20MHz AT45DB011D-SU 136-2659● g1,25
45DB021 8 / SOIC 2MB, 2.7-Volt DataFlash, 20MHz AT45DB021D-SU 136-2660● g2,50
45DB021 8 / SOIC 2Mb, 2.7-volt DataFlash, SPI, RapidS Serial Interface AT45DB021D-SSU 145-5036● g1,50
45DB041 8 / SOIC 4Mb, 2.5-volt DataFlash, SPI, RapidS Serial Interface AT45DB041D-SSU 145-5037● g1,90
45DB041 28 / TSOP 4Mb (512K x 8) Serial Flash Memory - SPI interface (IND TEMP, TSOP). AT45DB041B-TU 109-5795● g2,71
45DB041 8 / SOIC 4MB, 2.5V or 2.7V, DataFlash, 20MHz AT45DB041D-SU 136-2661● g2,00
45DB081 8 / SOIC 8Mb, 2.5-volt DataFlash, SPI, RapidS Serial Interface, 0.150” Wide SOIC AT45DB081D-SSU 145-5038● g1,95
45DB081 8 / SOIC 8Mb, 2.5-volt DataFlash, SPI, RapidS Serial Interface, 0.209” Wide SOIC AT45DB081D-SU 145-5039● g1,95
45DB081 28 / TSOP 8Mb (1M x 8) Serial Flash Memory - SPI interface (IND TEMP, TSOP). AT45DB081B-TU 109-5796● g3,40
45DB161 8 / SOIC 16Mb, DataFlash, SPI, RapidS Serial Interface AT45DB161D-SU 145-5040● g2,95
45DB161 28 / TSOP 16Mb, DataFlash, SPI, RapidS Serial Interface AT45DB161D-TU 145-5041● g2,65
45DB321 8 / SOIC 32MB, 2.7-volt, DataFlash, SPI, RapidS Serial Interface AT45DB321D-SU 145-5042● g3,35
45DB321 28 / TSOP 32MB, 2.7-Volt DataFlash, 20MHz AT45DB321D-TU 136-2664● g6,55
45DB642 28 / TSOP 64Mb (8M x 8) Serial Flash Memory - SPI and parallel I/O interface (IND TEMP, TSOP). AT45DB642D-TU 109-5799● g11,70
45DB642 8 / CASON 64MB, 2.7-volt DataFlash, Dual-interface AT45DB642D-CNU 145-5043● g7,10
MirrorBit Low Voltage Flash Memory
Merkmale:
• 2 Bit Datenspeicher in einer Memory Zelle.
Einfache Semetrik und Zell Bauweise
• 2 getrennte Befehlsebenen in einer einzelnen Zelle
• 2 unabhängige programmierbare
Einheiten pro Zelle
• Einfache Zell Bauweise
• Dasselbe Gehäuse und Pin Layout wie
die AMD 29LV 3 Volt Famillie
• Flexible Sektoren Architektur
Typ Pins Pkg Beschreibung Typ Best.- Nr. Preis pro Stück
25FL008 8 SOP 8Mb (512K×8) CMOS 3V Flash Memory, 50 MHz SPI Bus S25FL008A0LMFI001 147-8653● g1,57
25FL016 16 SOIC 16Mb (512Kx32) CMOS 3V Flash Memory, 50 MHz SPI Bus S25FL016A0LMFI001 147-8654● g1,79
25FL064 16 SOIC 64Mb (512Kx128) CMOS 3V Flash Memory, 50 MHz SPI Bus S25FL064A0LMFI001 147-8656● g6,14
29GL512 64 BGA 512Mb (32Mx16 / 64Mx8) High Sector Protect S29GL512N10FFI010 147-8657● g23,74
29GL512 64 BGA 512Mb (32Mx16 / 64Mx8) Low Sector Protect S29GL512N10FFI020 147-8658● g23,74
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