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Forschungsbericht 2012 - Die Fakultät für Naturwissenschaften

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<strong>Forschungsbericht</strong> <strong>2012</strong>: Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, <strong>Fakultät</strong> <strong>für</strong> <strong>Naturwissenschaften</strong>Kooperationen:PD Dr. Frank Gellerich, Universitätsklinikum MagdeburgFörderer: Haushalt; 01.06.2011 - 30.12.2013Wechselwirkung zwischen biologischen KompartimentenIn zellulären Systemen herrscht eine rege und ausgeklügelte Kommunikation zwischen den verschiedenenKompartimenten der Zelle vor. Es wird angestrebt, dieses biologische Grundkonzept in "bottom-up" Ansätzen zu nutzen,um z.B. künstliche Reaktionssysteme zu erzeugen, die diese Prinzipien verwirklichen.Ziel unseres Projekts ist es, die Kopplung zwischen einem Hefezell-Extrakt (der die cytosolischen Komponenten enthält)mit Mitochondrien zu erforschen. Im Hefeextrakt findet die Glykolyse statt, d.h. der Abbau von Zuckern, die dann in denMitochondiren weiter abgebaut werden. <strong>Die</strong>se Prozesse dienen zur Energiegewinnung der Zelle. Interessanterweisekommt es in beiden Systemen, d.h. dem Hefeextrakt und dem Mitochondrium zu selbstorganisierter Dynamik. Sokönnen im Hefezellextrakt zeitliche Oszillationen und raumzeitliche Wellen entstehen, während das Mitochondriumselbst Oszillationen zeigen kann.<strong>Die</strong> komplexe, selbstorganisierte Dynamik soll zunächst in jedem der beiden Teilsystemen soll erforscht werden. Ineinem nächsten Schritt soll untersucht werden, welches dynamische Verhalten das gekoppelte System auscytosolischem Zellextrakt und Mitochondrien zu zeigen in der Lage ist.Projektleiter:Kooperationen:apl. Prof. Dr. Armin DadgarInst. f. Experimentelle Physik - Prof. ChristenFörderer: DFG; 01.05.2011 - 30.04.2014DFG Forschergruppe FOR 957: Polarisations-Feld-Kontrolle in Nitrid-Licht-Emitter; Teilprojekt: Polarization reducedGaN layers for light emitters on planar silicon substratesAuf hochindizierten Si(11h) Substraten erden AlN/GaN Schichtstapel mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxiegewachsen. <strong>Die</strong>se Schichten weisen eine Neigung der polaren c-Achse zur Oberflächennormalen auf womit sich derQCSE reduzieren lässt. Nach den Wachstumsuntersuchungen sollen abschließend LED Strukturen die Stärke des QCSE jenach Kippwinkel aufzeigen.Projektleiter:Projektbearbeiter:Kooperationen:apl. Prof. Dr. Armin DadgarDr. Armin DadgarDr. Frank Habel, Freiberger Compound MaterialsFörderer: Industrie; 15.08.<strong>2012</strong> - 31.12.<strong>2012</strong>Entwicklung Epitaxierezept <strong>für</strong> GaN-auf-Saphir mit definiertem SpannungszustandEin Epitaxierezept zum Wachstum einer definiert vorgespannten GaN auf Saphir Schicht mittels metallorganischerGasphasenepitaxie wird entwickelt. Der Wachstumsprozess wird im Detail mit den wesentlichen Parametern <strong>für</strong> einenWachstumserfolg dokumentiertProjektleiter:apl. Prof. Dr. Armin DadgarFörderer: Sonstige; 14.08.2011 - 31.12.<strong>2012</strong>Entwicklung von piezoelektr. Spiralfedern <strong>für</strong> die Anwendung in einer UhrSi basierte Spiralfedern werden in der metallorganischen Gasphasenepitaxie mit AlN bewachsen. Darauf folgt eineProzesierung und Kontaktierung der innenliegenden Spiralfederflächen um so die induzierte Piezospannung alsenergiequelle zu nutzen.Projektleiter:Projektbearbeiter:Kooperationen:Arbeitsfassung <strong>2012</strong>ohne redaktionelle Freigabeapl. Prof. Dr. Armin DadgarDr. Armin DadgarDr. Frank Habel, Freiberger Compound MaterialsFörderer: Industrie; 01.12.2010 - 30.12.2013HVPE GaN Templates mit unterschiedlicher VorspannungWachstum spannungsangepasster GaN Templates <strong>für</strong> die HVPE dicker Schichten mittels metallorganischerGasphasenepitaxie. Dazu werden Saphir Substrate mit GaN bewachsen und die Verspannung reproduzierbar auf dieoptimalen Werte eingestellt.21

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