JEDNOSPOJNI TRANZISTORI - UJT

JEDNOSPOJNI TRANZISTORI -
UJT

• Jednospojni tranzistor (Unijunction
Transistor - UJT, stari naziv -
dvobazna dioda) ima samo jedan PN
spoj,
• Njegove karakteristike veoma se
razlikuju od onih koje ima bipolarni
tranzistor.

Jednospojni tranzistor je veoma
pogodan kao:
generator različitih talasnih oblika,
naponski komparator, vremensko rele,
za upravljanje tiristorima i trijacima.

• Struktura jednospojnog tranzistora
može da bude: štapičasta, kockasta i
planarna.

• Ekvivalentna šema na slici predstavlja UJT
samo u oblasti zakočenja u kojoj je struja
emitera jednaka ili manja od struje vrha.
Baza (B2)
B2
(+)
Emiter (E)
Ue
p+
N
Ubb
E
Ud
Ie
RB2
A
Ubb=
UB2B1
Ue=UEB1
RB1
Baza (B1)
a)
Ie ≤ Ip
b)
B1
(-)

• Kada se na UJT priključi napon U B2B1 struja će
početi da teče kroz silicijumski štapić od B2 ka
B1.
• Deo napona U B2B1 koji iznosi ηU B2B1 pojaviće
se u tački A.
• Štapić ima unutrašnju otpornost R BB i struja
koja utiče u bazu 2 ima vrednost:
I
B2
=
U
R
B2 B1
BB

• Na sl. je prikazana statička emitorska
karakteristika za neku konstantnu vrednost
napona U B2B1 .
• Oblast levo od vrha naziva se oblast zakočenja i
u najvećem delu ove oblasti emitor je polarisan u
nepropusnom smeru, a tek u blizini vrha malo
polarisan u propusnom smeru.
• Zbog toga kroz emitorski spoj protiče vrlo mala
inverzna struja zakočenja .

Emitorska karakteristika UJT-a.

• U ovom delu karakteristike otpornost RBB
može da se podeli na dva dela :
RB1 = ηRBB.
RB2 = RBB − RB1.

η =
RB
1
R
BB
• Ovaj odnos zavisi od temperature i
strukture UJT-a.
UP = UD + ηUB2B1.

• Druga oblast je oblast negativne otpornosti.
• Struje emitora su veće od struje vrha IP.
• Otpornost R B 1 sastoji se od
• konstantnog dela R S i
• promenljivog dela Rn,
• gde je R S otpornost zasićenja,
• a Rn negativna otpornost (otpornost se
smanjuje pri povećanju struje emitora).

• Kada otpornost Rn dostigne vrednost nula
tada je otpornost između emitora i baze 1
jednaka otpornosti zasićenja R S (R B1 =R S ) i
UJT ne radi više u oblasti negativne otpornosti.

• Tačka na karakteristici u kojoj R B1 dostiže
svoju minimalnu vrednost naziva se dolina ili
ulegnuće .
• Napon i struja doline označavaju se sa U V i I V.

• Ako se emitorska struja povećava preko I V
UJT dolazi u oblast zasićenja u kojoj je struja
emitora linearna funkcija napona emitora.

Ekvivalentne šeme UJT-a a) za oblast negativne
otpornosti, b) za oblast zasićenja, c) oznaka UJT-a.
E
Ue
Ud
Ie
A
Rb2
Rsat
Ubb=
U B2B1
B2
E
Ud
Ie
R B2
Ubb=
U B2B1
A
b)
B2
Ie
Ib2
E
B2
B1
U B2B1
Rn
B1
Ue
Rsat
B1
U EB1
Ip ≤ Ie ≤ Iv
Sl. 5.2
a)
Ie ≥ Iv
c)

Parametri vršne tačke IP, UP.
• I struja vrha IP i napon vrha UP smanjuju se
kada temperatura raste.
• Promene UP u zavisnosti od temperature mogu
da se svedu na minimum dodavanjem
otpornika R2 u kolo baze 2.

Polarizacija UJT-a.
R2
+
+
E
B2
Ubb
Ue
UJT N
B1
R1
Sl.5.4

Parametri doline I V , U V .
• I struja doline I V i napon doline U V opadaju
kada se temperatura okoline povećava.
• Ove veličine zavise i od međubaznog napona
U B2B1 i rastu kada se on povećava.

• Jednospojni tranzistori se gotovo uvek
upotrebljavaju u kolima u kojima postoji
određena RC konstanta.
• U tom slučaju vremena uključivanja, (a
naročito isključivanja) u velikoj meri zavise od
veličine kapaciteta kondenzatora u kolu
emitora C E .