Infineon-FF1200R17KE3-DS-v02_01-en_de
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TechnischeInformation/TechnicalInformation<br />
IGBT-Module<br />
IGBT-modules<br />
<strong>FF1200R17KE3</strong><br />
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter<br />
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues<br />
Kollektor-Emitter-Sperrspannung<br />
Collector-emittervoltage<br />
Kollektor-Dauergleichstrom<br />
ContinuousDCcollectorcurr<strong>en</strong>t<br />
PeriodischerKollektor-Spitz<strong>en</strong>strom<br />
Repetitivepeakcollectorcurr<strong>en</strong>t<br />
Gesamt-Verlustleistung<br />
Totalpowerdissipation<br />
Gate-Emitter-Spitz<strong>en</strong>spannung<br />
Gate-emitterpeakvoltage<br />
VorläufigeDat<strong>en</strong><br />
PreliminaryData<br />
Tvj = 25°C VCES 1700 V<br />
TC = 80°C, Tvj max = 150°C<br />
TC = 25°C, Tvj max = 150°C<br />
IC nom<br />
IC<br />
<br />
1200<br />
1600<br />
tP = 1 ms ICRM 2400 A<br />
TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 5,95 kW<br />
VGES +/-20 V<br />
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.<br />
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung<br />
Collector-emittersaturationvoltage<br />
Gate-Schwell<strong>en</strong>spannung<br />
Gatethresholdvoltage<br />
Gateladung<br />
Gatecharge<br />
InternerGatewi<strong>de</strong>rstand<br />
Internalgateresistor<br />
Eingangskapazität<br />
Inputcapacitance<br />
Rückwirkungskapazität<br />
Reversetransfercapacitance<br />
Kollektor-Emitter-Reststrom<br />
Collector-emittercut-offcurr<strong>en</strong>t<br />
Gate-Emitter-Reststrom<br />
Gate-emitterleakagecurr<strong>en</strong>t<br />
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast<br />
Turn-on<strong>de</strong>laytime,inductiveload<br />
IC = 1200 A, VGE = 15 V<br />
IC = 1200 A, VGE = 15 V<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
VCE sat<br />
2,00<br />
2,40<br />
<br />
A<br />
A<br />
2,45 V<br />
V<br />
IC = 48,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V<br />
VGE = -15 V ... +15 V QG 14,0 µC<br />
Tvj = 25°C RGint 1,6 Ω<br />
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 110 nF<br />
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,50 nF<br />
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA<br />
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA<br />
IC = 1200 A, VCE = 900 V<br />
VGE = ±15 V<br />
RGon = 1,2 Ω<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
td on<br />
<br />
0,74<br />
0,80 <br />
µs<br />
µs<br />
Anstiegszeit,induktiveLast<br />
Risetime,inductiveload<br />
IC = 1200 A, VCE = 900 V<br />
VGE = ±15 V<br />
RGon = 1,2 Ω<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
tr<br />
<br />
0,20<br />
0,25 <br />
µs<br />
µs<br />
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast<br />
Turn-off<strong>de</strong>laytime,inductiveload<br />
IC = 1200 A, VCE = 900 V<br />
VGE = ±15 V<br />
RGoff = 1,5 Ω<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
td off<br />
<br />
1,45<br />
1,80 <br />
µs<br />
µs<br />
Fallzeit,induktiveLast<br />
Falltime,inductiveload<br />
IC = 1200 A, VCE = 900 V<br />
VGE = ±15 V<br />
RGoff = 1,5 Ω<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
tf<br />
<br />
0,18<br />
0,30 <br />
µs<br />
µs<br />
Einschaltverlust<strong>en</strong>ergieproPuls<br />
Turn-on<strong>en</strong>ergylossperpulse<br />
IC = 1200 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH<br />
VGE = ±15 V<br />
RGon = 1,2 Ω<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
Eon<br />
<br />
240<br />
350 <br />
mJ<br />
mJ<br />
Abschaltverlust<strong>en</strong>ergieproPuls<br />
Turn-off<strong>en</strong>ergylossperpulse<br />
IC = 1200 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH<br />
VGE = ±15 V<br />
RGoff = 1,5 Ω<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
Eoff<br />
<br />
305<br />
445 <br />
mJ<br />
mJ<br />
Kurzschlußverhalt<strong>en</strong><br />
SCdata<br />
Wärmewi<strong>de</strong>rstand,ChipbisGehäuse<br />
Thermalresistance,junctiontocase<br />
Wärmewi<strong>de</strong>rstand,GehäusebisKühlkörper<br />
Thermalresistance,casetoheatsink<br />
TemperaturimSchaltbetrieb<br />
Temperatureun<strong>de</strong>rswitchingconditions<br />
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V<br />
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt<br />
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C<br />
ISC<br />
<br />
4800<br />
proIGBT/perIGBT RthJC 21,0 K/kW<br />
proIGBT/perIGBT<br />
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)<br />
RthCH 17,0 K/kW<br />
Tvj op -40 125 °C<br />
<br />
A<br />
preparedby:MW<br />
approvedby:CL<br />
dateofpublication:2<strong>01</strong>3-10-02<br />
revision:2.1<br />
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation<br />
IGBT-Module<br />
IGBT-modules<br />
<strong>FF1200R17KE3</strong><br />
Dio<strong>de</strong>,Wechselrichter/Dio<strong>de</strong>,Inverter<br />
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues<br />
PeriodischeSpitz<strong>en</strong>sperrspannung<br />
Repetitivepeakreversevoltage<br />
Dauergleichstrom<br />
ContinuousDCforwardcurr<strong>en</strong>t<br />
PeriodischerSpitz<strong>en</strong>strom<br />
Repetitivepeakforwardcurr<strong>en</strong>t<br />
Gr<strong>en</strong>zlastintegral<br />
I²t-value<br />
VorläufigeDat<strong>en</strong><br />
PreliminaryData<br />
Tvj = 25°C VRRM 1700 V<br />
IF 1200 A<br />
tP = 1 ms IFRM 2400 A<br />
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 240 kA²s<br />
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.<br />
Durchlassspannung<br />
Forwardvoltage<br />
Rückstromspitze<br />
Peakreverserecoverycurr<strong>en</strong>t<br />
Sperrverzögerungsladung<br />
Recoveredcharge<br />
Abschalt<strong>en</strong>ergieproPuls<br />
Reverserecovery<strong>en</strong>ergy<br />
Wärmewi<strong>de</strong>rstand,ChipbisGehäuse<br />
Thermalresistance,junctiontocase<br />
Wärmewi<strong>de</strong>rstand,GehäusebisKühlkörper<br />
Thermalresistance,casetoheatsink<br />
TemperaturimSchaltbetrieb<br />
Temperatureun<strong>de</strong>rswitchingconditions<br />
IF = 1200 A, VGE = 0 V<br />
IF = 1200 A, VGE = 0 V<br />
IF = 1200 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=125°C)<br />
VR = 900 V<br />
VGE = -15 V<br />
IF = 1200 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=125°C)<br />
VR = 900 V<br />
VGE = -15 V<br />
IF = 1200 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=125°C)<br />
VR = 900 V<br />
VGE = -15 V<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
VF<br />
IRM<br />
Qr<br />
Erec<br />
<br />
<br />
<br />
1,80<br />
1,90<br />
1150<br />
1250 <br />
305<br />
510 <br />
190<br />
340 <br />
2,20 V<br />
V<br />
proDio<strong>de</strong>/perdio<strong>de</strong> RthJC 48,0 K/kW<br />
proDio<strong>de</strong>/perdio<strong>de</strong><br />
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)<br />
A<br />
A<br />
µC<br />
µC<br />
mJ<br />
mJ<br />
RthCH 39,0 K/kW<br />
Tvj op -40 125 °C<br />
preparedby:MW<br />
approvedby:CL<br />
dateofpublication:2<strong>01</strong>3-10-02<br />
revision:2.1<br />
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation<br />
IGBT-Module<br />
IGBT-modules<br />
<strong>FF1200R17KE3</strong><br />
Modul/Module<br />
Isolations-Prüfspannung<br />
Isolationtestvoltage<br />
MaterialModulgrundplatte<br />
Materialofmodulebaseplate<br />
InnereIsolation<br />
Internalisolation<br />
Kriechstrecke<br />
Creepagedistance<br />
Luftstrecke<br />
Clearance<br />
Vergleichszahl<strong>de</strong>rKriechwegbildung<br />
Comperativetrackingin<strong>de</strong>x<br />
Wärmewi<strong>de</strong>rstand,GehäusebisKühlkörper<br />
Thermalresistance,casetoheatsink<br />
Modulstreuinduktivität<br />
Strayinductancemodule<br />
Modulleitungswi<strong>de</strong>rstand,Anschlüsse-<br />
Chip<br />
Moduleleadresistance,terminals-chip<br />
Lagertemperatur<br />
Storagetemperature<br />
Anzugsdrehmom<strong>en</strong>tf.Modulmontage<br />
Mountingtorqueformodulmounting<br />
Anzugsdrehmom<strong>en</strong>tf.elektr.Anschlüsse<br />
Terminalconnectiontorque<br />
Gewicht<br />
Weight<br />
VorläufigeDat<strong>en</strong><br />
PreliminaryData<br />
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,4 kV<br />
Cu <br />
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)<br />
basicinsulation(class1,IEC61140)<br />
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink<br />
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal<br />
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink<br />
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal<br />
Al2O3 <br />
<br />
<br />
<br />
<br />
15,0<br />
15,0<br />
10,0<br />
10,0<br />
CTI > 250 <br />
proModul/permodule<br />
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)<br />
min. typ. max.<br />
mm<br />
mm<br />
RthCH 6,00 K/kW<br />
LsCE 20 nH<br />
TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 0,37 mΩ<br />
Tstg -40 125 °C<br />
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift<br />
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote<br />
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift<br />
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote<br />
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift<br />
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote<br />
M 4,25 - 5,75 Nm<br />
G 1500 g<br />
M<br />
1,8<br />
8,0<br />
-<br />
-<br />
2,1<br />
10<br />
Nm<br />
Nm<br />
preparedby:MW<br />
approvedby:CL<br />
dateofpublication:2<strong>01</strong>3-10-02<br />
revision:2.1<br />
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation<br />
IGBT-Module<br />
IGBT-modules<br />
<strong>FF1200R17KE3</strong><br />
VorläufigeDat<strong>en</strong><br />
PreliminaryData<br />
Ausgangsk<strong>en</strong>nlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)<br />
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)<br />
IC=f(VCE)<br />
VGE=15V<br />
Ausgangsk<strong>en</strong>nlini<strong>en</strong>feldIGBT,Wechselrichter(typisch)<br />
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)<br />
IC=f(VCE)<br />
Tvj=125°C<br />
2400<br />
2200<br />
2000<br />
1800<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
2400<br />
2200<br />
2000<br />
1800<br />
VGE = 20V<br />
VGE = 15V<br />
VGE = 12V<br />
VGE = 10V<br />
VGE = 9V<br />
VGE = 8V<br />
1600<br />
1600<br />
1400<br />
1400<br />
IC [A]<br />
1200<br />
IC [A]<br />
1200<br />
1000<br />
1000<br />
800<br />
800<br />
600<br />
600<br />
400<br />
400<br />
200<br />
200<br />
0<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0<br />
VCE [V]<br />
0<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0<br />
VCE [V]<br />
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)<br />
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)<br />
IC=f(VGE)<br />
VCE=20V<br />
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)<br />
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)<br />
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)<br />
VGE=±15V,RGon=1.2Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=900V<br />
2400<br />
2200<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
1000<br />
900<br />
Eon, Tvj = 125°C<br />
Eoff, Tvj = 125°C<br />
2000<br />
1800<br />
1600<br />
800<br />
700<br />
1400<br />
600<br />
IC [A]<br />
1200<br />
1000<br />
800<br />
600<br />
400<br />
200<br />
E [mJ]<br />
500<br />
400<br />
300<br />
200<br />
100<br />
0<br />
5 6 7 8 9 10 11 12 13<br />
VGE [V]<br />
0<br />
0 400 800 1200 1600 2000 2400<br />
IC [A]<br />
preparedby:MW<br />
approvedby:CL<br />
dateofpublication:2<strong>01</strong>3-10-02<br />
revision:2.1<br />
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation<br />
IGBT-Module<br />
IGBT-modules<br />
<strong>FF1200R17KE3</strong><br />
VorläufigeDat<strong>en</strong><br />
PreliminaryData<br />
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)<br />
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)<br />
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)<br />
VGE=±15V,IC=1200A,VCE=900V<br />
Transi<strong>en</strong>terWärmewi<strong>de</strong>rstandIGBT,Wechselrichter<br />
transi<strong>en</strong>tthermalimpedanceIGBT,Inverter<br />
ZthJC=f(t)<br />
2000<br />
1800<br />
Eon, Tvj = 125°C<br />
Eoff, Tvj = 125°C<br />
100<br />
ZthJC : IGBT<br />
1600<br />
E [mJ]<br />
1400<br />
1200<br />
1000<br />
800<br />
600<br />
ZthJC [K/kW]<br />
10<br />
1<br />
400<br />
200<br />
0<br />
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12<br />
RG [Ω]<br />
i:<br />
ri[K/kW]:<br />
τi[s]:<br />
1<br />
7,35<br />
0,02<br />
2<br />
7,35<br />
0,06<br />
3<br />
4,2<br />
0,1<br />
4<br />
2,1<br />
0,3<br />
0,1<br />
0,0<strong>01</strong> 0,<strong>01</strong> 0,1 1 10<br />
t [s]<br />
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter<br />
(RBSOA)<br />
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)<br />
IC=f(VCE)<br />
VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,Tvj=125°C<br />
2600<br />
IC, Modul<br />
2400 IC, Chip<br />
IC [A]<br />
2200<br />
2000<br />
1800<br />
1600<br />
1400<br />
1200<br />
1000<br />
800<br />
600<br />
400<br />
200<br />
0<br />
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800<br />
VCE [V]<br />
Durchlassk<strong>en</strong>nlinie<strong>de</strong>rDio<strong>de</strong>,Wechselrichter(typisch)<br />
forwardcharacteristicofDio<strong>de</strong>,Inverter(typical)<br />
IF=f(VF)<br />
IF [A]<br />
2400<br />
2200<br />
2000<br />
1800<br />
1600<br />
1400<br />
1200<br />
1000<br />
800<br />
600<br />
400<br />
200<br />
Tvj = 25°C<br />
Tvj = 125°C<br />
0<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
VF [V]<br />
preparedby:MW<br />
approvedby:CL<br />
dateofpublication:2<strong>01</strong>3-10-02<br />
revision:2.1<br />
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation<br />
IGBT-Module<br />
IGBT-modules<br />
<strong>FF1200R17KE3</strong><br />
VorläufigeDat<strong>en</strong><br />
PreliminaryData<br />
SchaltverlusteDio<strong>de</strong>,Wechselrichter(typisch)<br />
switchinglossesDio<strong>de</strong>,Inverter(typical)<br />
Erec=f(IF)<br />
RGon=1.2Ω,VCE=900V<br />
SchaltverlusteDio<strong>de</strong>,Wechselrichter(typisch)<br />
switchinglossesDio<strong>de</strong>,Inverter(typical)<br />
Erec=f(RG)<br />
IF=1200A,VCE=900V<br />
500<br />
450<br />
Erec, Tvj = 125°C<br />
400<br />
375<br />
Erec, Tvj = 125°C<br />
400<br />
350<br />
350<br />
325<br />
300<br />
300<br />
275<br />
E [mJ]<br />
250<br />
E [mJ]<br />
250<br />
200<br />
225<br />
150<br />
100<br />
200<br />
175<br />
150<br />
50<br />
125<br />
0<br />
0 400 800 1200 1600 2000 2400<br />
IF [A]<br />
100<br />
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12<br />
RG [Ω]<br />
Transi<strong>en</strong>terWärmewi<strong>de</strong>rstandDio<strong>de</strong>,Wechselrichter<br />
transi<strong>en</strong>tthermalimpedanceDio<strong>de</strong>,Inverter<br />
ZthJC=f(t)<br />
100<br />
ZthJC : Dio<strong>de</strong><br />
ZthJC [K/kW]<br />
10<br />
i:<br />
ri[K/kW]:<br />
τi[s]:<br />
1<br />
16,8<br />
0,02<br />
2<br />
16,8<br />
0,06<br />
3<br />
9,6<br />
0,1<br />
4<br />
4,8<br />
0,3<br />
1<br />
0,0<strong>01</strong> 0,<strong>01</strong> 0,1 1 10<br />
t [s]<br />
preparedby:MW<br />
approvedby:CL<br />
dateofpublication:2<strong>01</strong>3-10-02<br />
revision:2.1<br />
6
TechnischeInformation/TechnicalInformation<br />
IGBT-Module<br />
IGBT-modules<br />
<strong>FF1200R17KE3</strong><br />
Schaltplan/circuit_diagram_headline<br />
VorläufigeDat<strong>en</strong><br />
PreliminaryData<br />
Gehäuseabmessung<strong>en</strong>/packageoutlines<br />
preparedby:MW<br />
approvedby:CL<br />
dateofpublication:2<strong>01</strong>3-10-02<br />
revision:2.1<br />
7
8<br />
TechnischeInformation/TechnicalInformation<br />
<strong>FF1200R17KE3</strong><br />
IGBT-Module<br />
IGBT-modules<br />
preparedby:MW<br />
approvedby:CL<br />
dateofpublication:2<strong>01</strong>3-10-02<br />
revision:2.1<br />
VorläufigeDat<strong>en</strong><br />
PreliminaryData<br />
Nutzungsbedingung<strong>en</strong><br />
<br />
DieindiesemProduktdat<strong>en</strong>blatt<strong>en</strong>thalt<strong>en</strong><strong>en</strong>Dat<strong>en</strong>sindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung<br />
<strong>de</strong>rEignungdiesesProduktesfürIhreAnw<strong>en</strong>dungsowiedieBeurteilung<strong>de</strong>rVollständigkeit<strong>de</strong>rbereitgestellt<strong>en</strong>Produktdat<strong>en</strong>fürdiese<br />
Anw<strong>en</strong>dungobliegtIhn<strong>en</strong>bzw.Ihr<strong>en</strong>technisch<strong>en</strong>Abteilung<strong>en</strong>.<br />
IndiesemProduktdat<strong>en</strong>blattwerd<strong>en</strong>diej<strong>en</strong>ig<strong>en</strong>Merkmalebeschrieb<strong>en</strong>,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehm<strong>en</strong>.Eine<br />
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabe<strong>de</strong>rimjeweilig<strong>en</strong>Liefervertrag<strong>en</strong>thalt<strong>en</strong><strong>en</strong>Bestimmung<strong>en</strong>.Garanti<strong>en</strong><br />
jeglicherArtwerd<strong>en</strong>fürdasProduktund<strong>de</strong>ss<strong>en</strong>Eig<strong>en</strong>schaft<strong>en</strong>keinesfallsübernomm<strong>en</strong>.DieAngab<strong>en</strong>ind<strong>en</strong>gültig<strong>en</strong>Anw<strong>en</strong>dungs-und<br />
Montagehinweis<strong>en</strong><strong>de</strong>sModulssindzubeacht<strong>en</strong>.<br />
Sollt<strong>en</strong>SievonunsProduktinformation<strong>en</strong>b<strong>en</strong>ötig<strong>en</strong>,dieüberd<strong>en</strong>InhaltdiesesProduktdat<strong>en</strong>blattshinausgeh<strong>en</strong>undinsbeson<strong>de</strong>reeine<br />
spezifischeVerw<strong>en</strong>dungundd<strong>en</strong>EinsatzdiesesProduktesbetreff<strong>en</strong>,setz<strong>en</strong>Siesichbittemit<strong>de</strong>mfürSiezuständig<strong>en</strong>Vertriebsbüroin<br />
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteress<strong>en</strong>t<strong>en</strong>halt<strong>en</strong>wirApplicationNotesbereit.<br />
Aufgrund<strong>de</strong>rtechnisch<strong>en</strong>Anfor<strong>de</strong>rung<strong>en</strong>könnteunserProduktgesundheitsgefährd<strong>en</strong><strong>de</strong>Substanz<strong>en</strong><strong>en</strong>thalt<strong>en</strong>.BeiRückfrag<strong>en</strong>zud<strong>en</strong>in<br />
diesemProduktjeweils<strong>en</strong>thalt<strong>en</strong><strong>en</strong>Substanz<strong>en</strong>setz<strong>en</strong>Siesichbitteeb<strong>en</strong>fallsmit<strong>de</strong>mfürSiezuständig<strong>en</strong>VertriebsbüroinVerbindung.<br />
Sollt<strong>en</strong>Siebeabsichtig<strong>en</strong>,dasProduktinAnw<strong>en</strong>dung<strong>en</strong><strong>de</strong>rLuftfahrt,ingesundheits-o<strong>de</strong>rleb<strong>en</strong>sgefährd<strong>en</strong>d<strong>en</strong>o<strong>de</strong>rleb<strong>en</strong>serhalt<strong>en</strong>d<strong>en</strong><br />
Anw<strong>en</strong>dungsbereich<strong>en</strong>einzusetz<strong>en</strong>,bitt<strong>en</strong>wirumMitteilung.Wirweis<strong>en</strong>daraufhin,dasswirfürdieseFälle<br />
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessm<strong>en</strong>ts;<br />
-d<strong>en</strong>Abschlussvonspeziell<strong>en</strong>Qualitätssicherungsvereinbarung<strong>en</strong>;<br />
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahm<strong>en</strong>zueinerlauf<strong>en</strong>d<strong>en</strong>Produktbeobachtungdring<strong>en</strong><strong>de</strong>mpfehl<strong>en</strong>und<br />
gegeb<strong>en</strong><strong>en</strong>fallsdieBelieferungvon<strong>de</strong>rUmsetzungsolcherMaßnahm<strong>en</strong>abhängigmach<strong>en</strong>.<br />
Soweiterfor<strong>de</strong>rlich,bitt<strong>en</strong>wirSie,<strong>en</strong>tsprech<strong>en</strong><strong>de</strong>HinweiseanIhreKund<strong>en</strong>zugeb<strong>en</strong>.<br />
InhaltlicheÄn<strong>de</strong>rung<strong>en</strong>diesesProduktdat<strong>en</strong>blattsbleib<strong>en</strong>vorbehalt<strong>en</strong>.<br />
Terms&Conditionsofusage<br />
<br />
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyint<strong>en</strong><strong>de</strong>dfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnical<strong>de</strong>partm<strong>en</strong>tswill<br />
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheint<strong>en</strong><strong>de</strong>dapplicationandthecomplet<strong>en</strong>essoftheproductdatawithrespecttosuch<br />
application.<br />
Thisproductdatasheetis<strong>de</strong>scribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted<br />
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreem<strong>en</strong>t.Therewillb<strong>en</strong>oguaranteeofanykindfortheproductandits<br />
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsi<strong>de</strong>red.<br />
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiv<strong>en</strong>inthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof<br />
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically<br />
interestedwemayprovi<strong>de</strong>applicationnotes.<br />
Duetotechnicalrequirem<strong>en</strong>tsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe<br />
salesoffice,whichisresponsibleforyou.<br />
Shouldyouint<strong>en</strong>dtousetheProductinaviationapplications,inhealthorlive<strong>en</strong>dangeringorlifesupportapplications,pleas<strong>en</strong>otify.Please<br />
note,thatforanysuchapplicationsweurg<strong>en</strong>tlyrecomm<strong>en</strong>d<br />
-toperformjointRiskandQualityAssessm<strong>en</strong>ts;<br />
-theconclusionofQualityAgreem<strong>en</strong>ts;<br />
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymake<strong>de</strong>livery<strong>de</strong>p<strong>en</strong><strong>de</strong>don<br />
therealizationofanysuchmeasures.<br />
Ifandtotheext<strong>en</strong>tnecessary,pleaseforwar<strong>de</strong>quival<strong>en</strong>tnoticestoyourcustomers.<br />
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
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