SENSORES - Departamento de Electricidad y ElectrÃ³nica

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DETECTORES FOTOELÉCTRICOSFOTOMULTIPLICADORESEfecto fotoeléctricoGeneración de portadores libres cuando incide un fotón de suficienteenergía para arrancar electrones de la superficie de un conductorh K mh.ν: energía del fotónh: constante de Planck (4,135x10-15 eV.s)ν: frecuencia de la luzΦ: función trabajo de la superficie emisoraK m : energía cinética máxima del electrónFOTODETECTORES DESEMICONDUCTORPortadores excitados de la banda de valencia a la deconducción permanecen en el semiconductorh E gE g : energía del gapmaxh.cEg1,24mE ( eV )g
TERMÓMETROS DE DIODO DE UNIÓN P-NFundamento fisico:La tensión entre los terminales de un diodo alimentado con corriente constantevaría linealmente con la temperatura.IVI = I o exp ( qV / 2k B T )I: corriente que circula por el diodoI o : corriente de saturación Io= k. exp (-E g / 2k B T )E g : energía del gap del semiconductorK B : cte de BoltzmannV: tensión entre los extremos del diodoV = E g /q – 2k B T/q (ln k – ln I)dV / dT =– 2k B /q (ln k – ln I) Si, 1 mA -2.0 mV/ºCSi, 10 μA -2.8 mV/ºCGe, 1mA -1.95 mV/ºC
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