(ou) V - Andrei

More documents

Recommendations

Info

2.6.3 Diode électroluminescente (ou LED) ■ Principe : La circulation du courant provoque la luminescence ➪ Fonctionnement sous polarisation directe (V > V o) ➪ L’intensité lumineuse ∝ courant électriqueI d ☛ Ne marche pas avec le Si (cf. cours Capteurs) ➥ V o ≠ 0.7V ! (AsGa: ~1.3V) 44
3. Applications des Diodes 3.1 Limiteur de crête (clipping) Un aperçu qui sera complété en TD et TP. ■ Fonction : Protéger les circuits sensibles (circuits intégrés, amplificateur à grand gain…) contre une tension d’entrée trop élevée ou d’une polarité donnée. Exemple : clipping parallèle (diode // charge) Fonctionnement : droite de charge ➪ quand Vg(t) > Vo= 0.7V : Ve ≅ Vo V R g g I d V o Q V e V d =V e Z ➪ quand Vg(t)< Vo : V e e ≅ Vg Ze + Rg ☛ Protection contre les tensions supérieures à ~1V Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode : P max V o ⋅ I V g dmax ≅ V o R g V ⋅ g − 0, 6 ≈ (si Z e >> q.q. Ω ) R g V e Z e circuit à protéger 45
Page 1 and 2: Cours d’Electronique Analogique E
Page 3 and 4: 1. Les bases 1.1 Composants linéai
Page 5 and 6: 1.2.2 Sources réelles : source de
Page 7 and 8: Transformation de schéma : en fait
Page 9 and 10: Mesure de R th : ■ Au multimètre
Page 11 and 12: 2.2 Caractéristiques d’une diode
Page 13 and 14: Limites de fonctionnement : ■ Zon
Page 15 and 16: 2.3.2 Droite de charge ■ Loi de K
Page 17 and 18: 2.4.2 Seconde approximation ● ten
Page 19 and 20: Remarques : ■ V R d f ≠ Id ■
Page 21 and 22: Exemple : Calcul de Q du circuit su
Page 23 and 24: 3) R 270 Déterminer V s ,V D1 et V
Page 25 and 26: Illustration : Etude la tension aux
Page 27 and 28: Autres exemples: 1) Schéma statiqu
Page 29 and 30: Schéma dynamique : v g ω R g Z C
Page 31 and 32: 2.5.2 Fonctionnement d’une diode
Page 33 and 34: 2.5.3 Modèle faibles signaux (bass
Page 35 and 36: ■ Résumé des schémas équivale
Page 37 and 38: 2.5.4 Réponse fréquentielle des d
Page 39 and 40: ■ Variation de V d de faible ampl
Page 41 and 42: 2.6 Quelques diodes spéciales 2.6.
Page 43: V pol 2.6.2 Diode tunnel ➪ Exploi
Page 47 and 48: Protection contre une surtension in
Page 49 and 50: 3.2 Redressement ■ Objectif: Tran
Page 51 and 52: avec filtrage : V s V i ➪ Ondulat
Page 53 and 54: Autres configurations possibles :
Page 55 and 56: ● Cas particulier : ( ω ⋅t ) p
Page 57 and 58: 3.4 Multiplieur de tension ■ Fonc
Page 59 and 60: 4. Transistor bipolaire 4.1 Introdu
Page 61 and 62: 4.2 Structure et fonctionnement d
Page 63 and 64: ■ Premières différences entre l
Page 65 and 66: ■Caractéristiques en configurati
Page 67 and 68: ■Caractéristiques en configurati
Page 69 and 70: B ■ Modes actif / bloqué / satur
Page 71 and 72: ■ Valeurs limites des transistors
Page 73 and 74: 4.4 Modes de fonctionnement du tran
Page 75 and 76: Exemple : Calcul du point de foncti
Page 77 and 78: ■ Quelques circuits élémentaire
Page 79 and 80: Exercices : Calculer le courant dan
Page 81 and 82: 4.6 Circuits de polarisation du tra
Page 83 and 84: ■ Polarisation par réaction de c
Page 85 and 86: Une façon de comprendre la stabili
Page 87 and 88: Amélioration possible +V EE I p R
Page 89 and 90: Notation : hFEV " h T ie" = = “r
Page 91 and 92: I c 1 Note sur h FE et h fe : droit
Page 93 and 94: Analyse dynamique : Hypothèses : t
Page 95 and 96:
Autre exemple : Régulateur de tens
Page 97 and 98:
ve R 1 C . i Rz + hie v + → s h f
Page 99 and 100:
4.8 Amplificateurs à transistors b
Page 101 and 102:
☛ L’amplificateur “idéal”
Page 103 and 104:
Exemple : v g C B R 1 R 2 RE R C C
Page 105 and 106:
● Impédance d’entrée : ☛ Z
Page 107 and 108:
Avec l’effet Early : i e v g rB h
Page 109 and 110:
La forme du signal de sortie change
Page 111 and 112:
● Gain en tension (sur charge): A
Page 113 and 114:
■ L’amplicateur EC en résumé
Page 115 and 116:
Exemple: v g Z e C R 1 R 2 B V CC E
Page 117 and 118:
● Impédance de sortie Z s = h ie
Page 119 and 120:
L’amplicateur CC en résumé : Av
Page 121 and 122:
■ Propriétés : ● Gain en tens
Page 123 and 124:
4.8.5 Influence de la fréquence du
Page 125 and 126:
4.8.6 Couplage entre étages ■ Ob
Page 127 and 128:
v entrée C L v L R 1 R 2 C.C. R E
Page 129 and 130:
● Analyse statique : ☛ V CC pol
Page 131 and 132:
● Analyse statique : Statique : v
Page 133 and 134:
4.8.7 Amplificateurs de puissance
Page 135 and 136:
● Impédance de sortie du Darling
Page 137 and 138:
■ Amplificateur Push-Pull ● Amp
Page 139 and 140:
v g émetteur suiveur R 1 R 2 R 2 R
Page 141 and 142:
Difficultés de cet exemple ● pos
Page 143 and 144:
4.8.8 Amplificateur différentiel
Page 145 and 146:
● Mode commun: hyp: V + = V− =
Page 147 and 148:
● Polarisation par miroir de cour
Page 149 and 150:
5. Transistors à effet de champ ou
Page 151 and 152:
Caractéristique d’un JFET (N): [
Page 153 and 154:
Caractéristique d’un MOSFET (N)
Page 155 and 156:
Caractéristique d’un MOSFET (N)
Page 157 and 158:
■ Mode “source de courant comma
Page 159 and 160:
5.3 Quelques circuits de polarisati
Page 161 and 162:
■ Polarisation par réaction de d
Page 163 and 164:
Stabilisation par une résistance d
Page 165 and 166:
Remarques: Tout FET se comporte com
Page 167 and 168:
Amélioration possible: V com v ent
Page 169 and 170:
6. Contre-réaction et amplificateu
Page 171 and 172:
Exemple: v e C B R 1 R 2R E R C C C
Page 173 and 174:
Impédance d’entrée ( 1+ AB) B.
Page 175 and 176:
■ Amplificateur opérationnel Arc
Page 177 and 178:
● Exemples de circuits avec rétr
Page 179 and 180:
■ ANNEXE: Rappel de quelques mont
Page 181 and 182:
● Influence des imperfections de
Page 183:
Circuit avec compensation : Méthod
show all

(ou) V - Andrei

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?