(ou) V - Andrei

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Redressement double alternace (pont de Graetz) V i D 1 D 3 V s , V i D 2 D 4 R V s R c ■ Fonctionnement ➪ quand V i > ~1.4V : D 1 et D 4 = passants, D 2 et D 3 = bloquées Parcours du courant : ➪ quand V i < ~ -1.4V : D 1 et D 4 = bloquées, D 2 et D 3 = passantes Parcours du courant : ~1.4V t V i < 1. 4V 50
avec filtrage : V s V i ➪ Ondulation résiduelle réduite D 1 D 3 50 Ω D 2 D 4 R 200µF R c =10kΩ V s avec condensateur sans condensateur 51
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☛ L’amplificateur “idéal”
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Exemple : v g C B R 1 R 2 RE R C C
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● Impédance d’entrée : ☛ Z
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Avec l’effet Early : i e v g rB h
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La forme du signal de sortie change
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● Gain en tension (sur charge): A
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■ L’amplicateur EC en résumé
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Exemple: v g Z e C R 1 R 2 B V CC E
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● Impédance de sortie Z s = h ie
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L’amplicateur CC en résumé : Av
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■ Propriétés : ● Gain en tens
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4.8.5 Influence de la fréquence du
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4.8.6 Couplage entre étages ■ Ob
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v entrée C L v L R 1 R 2 C.C. R E
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● Analyse statique : ☛ V CC pol
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● Analyse statique : Statique : v
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4.8.7 Amplificateurs de puissance
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● Impédance de sortie du Darling
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■ Amplificateur Push-Pull ● Amp
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v g émetteur suiveur R 1 R 2 R 2 R
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Difficultés de cet exemple ● pos
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4.8.8 Amplificateur différentiel
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● Mode commun: hyp: V + = V− =
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● Polarisation par miroir de cour
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5. Transistors à effet de champ ou
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Caractéristique d’un JFET (N): [
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Caractéristique d’un MOSFET (N)
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Caractéristique d’un MOSFET (N)
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■ Mode “source de courant comma
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5.3 Quelques circuits de polarisati
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■ Polarisation par réaction de d
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Stabilisation par une résistance d
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Remarques: Tout FET se comporte com
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Amélioration possible: V com v ent
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6. Contre-réaction et amplificateu
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Exemple: v e C B R 1 R 2R E R C C C
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Impédance d’entrée ( 1+ AB) B.
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■ Amplificateur opérationnel Arc
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● Exemples de circuits avec rétr
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■ ANNEXE: Rappel de quelques mont
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● Influence des imperfections de
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Circuit avec compensation : Méthod
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