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I<br />
I<br />
nous fallait ici un transistor<br />
spécial et notre choix s'est<br />
porté sur le BFG65, dont la<br />
bande passante est de<br />
2 GHz (gigahertz, 10^<br />
hertz) avec un bruit propre<br />
extrêmem<strong>en</strong>t faible. Son<br />
aspect n'est pas plus habituel<br />
que ses caractéristiques<br />
: l'émetteur est sorti<br />
par deux connexions reliées<br />
intérieurem<strong>en</strong>t.<br />
La diode z<strong>en</strong>er D1 fixe I ' int<strong>en</strong>sité<br />
continue qui traverse<br />
le transistor. La t<strong>en</strong>sion<br />
de la base est toujours inférieure<br />
de 4,7 V à celle du<br />
collecteur La différ<strong>en</strong>ce<br />
<strong>en</strong>tre la t<strong>en</strong>sion d'alim<strong>en</strong>tation<br />
et celle du collecteur<br />
se retrouve aux bornes de<br />
R1 et du pot<strong>en</strong>tiomètre P1,<br />
qui sert à régler I ' int<strong>en</strong>sité.<br />
Les bobines, comme nous<br />
l'avons vu plus haut, bloqu<strong>en</strong>t<br />
les t<strong>en</strong>sions alternatives<br />
mais laiss<strong>en</strong>t passer<br />
le courant continu.<br />
Tous les cond<strong>en</strong>sateurs, à<br />
l'exception de C1, serv<strong>en</strong>t<br />
au découplage <strong>en</strong>tre alternatif<br />
et continu. Le montage<br />
de C4 et C3 <strong>en</strong> parallèle<br />
ne signifie pas que nous<br />
ayons besoin d'un capacité<br />
précise de 2,201 i^F, car<br />
la tolérance des cond<strong>en</strong>sateurs<br />
chimiques peut aller<br />
jusqu'à + 30%. En fait<br />
ces deux cond<strong>en</strong>sateurs<br />
se partag<strong>en</strong>t la tâche. Les<br />
cond<strong>en</strong>sateurs chimiques<br />
ont une inductance importante<br />
qui les empêche de<br />
remplir leur rôle <strong>en</strong> haute<br />
fréqu<strong>en</strong>ce ; ils font donc<br />
leur travail <strong>en</strong> basse fréqu<strong>en</strong>ce,<br />
grâce à leur capacité<br />
importante. Pour les<br />
hautes fréqu<strong>en</strong>ces, ce<br />
sont des cond<strong>en</strong>sateurs<br />
de faible capacité et sans<br />
inductance appréciable<br />
qui <strong>en</strong>tr<strong>en</strong>t <strong>en</strong> jeu. Ce sont<br />
des modèles <strong>en</strong> plastique<br />
métallisé (polyester ou<br />
autre).<br />
Les traits pointillés qui <strong>en</strong>tour<strong>en</strong>t<br />
le transistor représ<strong>en</strong>t<strong>en</strong>t<br />
un blindage que<br />
vous devrez installer pour<br />
assurer la séparation <strong>en</strong>tre<br />
l'<strong>en</strong>trée et la sortie de I ' amplificateur<br />
et supprimer<br />
ainsi les risques d'oscillation.<br />
la construclion<br />
La platine d'expérim<strong>en</strong>tation<br />
est bi<strong>en</strong> t<strong>en</strong>tante pour<br />
un montage avec aussi<br />
peu de composants. En<br />
réalité elle est inutilisable<br />
car les capacités parasites<br />
et la longueur des liaisons<br />
Liste des composants<br />
RI = 270 S2<br />
PI = 2,5 (2,2) kQ var.<br />
CI à C3 = 1 nF (CMS)<br />
C4 = 2,2MF/16V<br />
C5 = 47 MF/1 6 V<br />
C6 = 1 nF céramique<br />
D1 = z<strong>en</strong>er 4,7 V/400<br />
mW<br />
T1 = BFG65 (voir texte)<br />
L1 à L3 = 6 spires de fil<br />
de 0,2 mm sur tore de<br />
ferrite<br />
circuit Imprimé<br />
bloc secteur 12 V/100 mA<br />
pr<strong>en</strong>n<strong>en</strong>t beaucoup<br />
d'importance <strong>en</strong> haute fréqu<strong>en</strong>ce.<br />
Vous devrez donc<br />
copier aussi fidèlem<strong>en</strong>t<br />
que possible le dessin des<br />
circuits imprimés de la figure<br />
2, <strong>en</strong> le calquant ou<br />
<strong>en</strong> le photocopiant. Gravez<br />
les deux circuits <strong>en</strong> une<br />
seule fois, percez-les puis<br />
séparez-les à la scie.<br />
Les trois cond<strong>en</strong>sateurs<br />
C1, C2 et C3, de même<br />
que le transistor, sont montés<br />
<strong>en</strong> surface, c'est-à-dire<br />
sans trous pour les connexions.<br />
Comm<strong>en</strong>cez par<br />
ces composants à montage<br />
<strong>en</strong> surface, p<strong>en</strong>dant<br />
que la place est libre autour<br />
Le montage de T1 se<br />
fait sans pliage des broches.<br />
Vous devrez percer<br />
un trou de 5 mm de diamètre<br />
pour loger le corps<br />
du transistor dans l'épaisseur<br />
de la platine. Ainsi ses<br />
connexions arhv<strong>en</strong>t à plat<br />
sur les plages de cuivre où<br />
elles seront soudées. C'est<br />
ainsi que doiv<strong>en</strong>t être montés<br />
les transistors HF, <strong>en</strong>castrés<br />
dans le circuit<br />
imprimé.<br />
Le repérage des broches<br />
du transistor est simple : la<br />
connexion la plus longue<br />
est celle du collecteur, celle<br />
de la base lui fait face,<br />
les deux autres sont celles<br />
de l'émetteur Ces deux<br />
connexions d'émetteur<br />
sont équival<strong>en</strong>tes et vous<br />
pouvez donc monter le<br />
transistor à plat v<strong>en</strong>tre ou<br />
sur le dos, mais ne confondez<br />
pas base et collecteur<br />
car c'est le meilleur moy<strong>en</strong><br />
de I ' <strong>en</strong>voyer ad patres (ou<br />
de lui faire r<strong>en</strong>dre son dernier<br />
souffle, si vous préférez).<br />
Comme les autres, ni<br />
plus ni moins, le BFG65<br />
craint la chaleur, faites<br />
donc <strong>en</strong> sorte de souder<br />
vite, étamez le circuit imprimé<br />
d'avance.<br />
Notez que tous les composants<br />
sont montés côté<br />
m<br />
7<br />
m<br />
0<br />
k<br />
k<br />
0<br />
0<br />
X<br />
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