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I<br />

I<br />

nous fallait ici un transistor<br />

spécial et notre choix s'est<br />

porté sur le BFG65, dont la<br />

bande passante est de<br />

2 GHz (gigahertz, 10^<br />

hertz) avec un bruit propre<br />

extrêmem<strong>en</strong>t faible. Son<br />

aspect n'est pas plus habituel<br />

que ses caractéristiques<br />

: l'émetteur est sorti<br />

par deux connexions reliées<br />

intérieurem<strong>en</strong>t.<br />

La diode z<strong>en</strong>er D1 fixe I ' int<strong>en</strong>sité<br />

continue qui traverse<br />

le transistor. La t<strong>en</strong>sion<br />

de la base est toujours inférieure<br />

de 4,7 V à celle du<br />

collecteur La différ<strong>en</strong>ce<br />

<strong>en</strong>tre la t<strong>en</strong>sion d'alim<strong>en</strong>tation<br />

et celle du collecteur<br />

se retrouve aux bornes de<br />

R1 et du pot<strong>en</strong>tiomètre P1,<br />

qui sert à régler I ' int<strong>en</strong>sité.<br />

Les bobines, comme nous<br />

l'avons vu plus haut, bloqu<strong>en</strong>t<br />

les t<strong>en</strong>sions alternatives<br />

mais laiss<strong>en</strong>t passer<br />

le courant continu.<br />

Tous les cond<strong>en</strong>sateurs, à<br />

l'exception de C1, serv<strong>en</strong>t<br />

au découplage <strong>en</strong>tre alternatif<br />

et continu. Le montage<br />

de C4 et C3 <strong>en</strong> parallèle<br />

ne signifie pas que nous<br />

ayons besoin d'un capacité<br />

précise de 2,201 i^F, car<br />

la tolérance des cond<strong>en</strong>sateurs<br />

chimiques peut aller<br />

jusqu'à + 30%. En fait<br />

ces deux cond<strong>en</strong>sateurs<br />

se partag<strong>en</strong>t la tâche. Les<br />

cond<strong>en</strong>sateurs chimiques<br />

ont une inductance importante<br />

qui les empêche de<br />

remplir leur rôle <strong>en</strong> haute<br />

fréqu<strong>en</strong>ce ; ils font donc<br />

leur travail <strong>en</strong> basse fréqu<strong>en</strong>ce,<br />

grâce à leur capacité<br />

importante. Pour les<br />

hautes fréqu<strong>en</strong>ces, ce<br />

sont des cond<strong>en</strong>sateurs<br />

de faible capacité et sans<br />

inductance appréciable<br />

qui <strong>en</strong>tr<strong>en</strong>t <strong>en</strong> jeu. Ce sont<br />

des modèles <strong>en</strong> plastique<br />

métallisé (polyester ou<br />

autre).<br />

Les traits pointillés qui <strong>en</strong>tour<strong>en</strong>t<br />

le transistor représ<strong>en</strong>t<strong>en</strong>t<br />

un blindage que<br />

vous devrez installer pour<br />

assurer la séparation <strong>en</strong>tre<br />

l'<strong>en</strong>trée et la sortie de I ' amplificateur<br />

et supprimer<br />

ainsi les risques d'oscillation.<br />

la construclion<br />

La platine d'expérim<strong>en</strong>tation<br />

est bi<strong>en</strong> t<strong>en</strong>tante pour<br />

un montage avec aussi<br />

peu de composants. En<br />

réalité elle est inutilisable<br />

car les capacités parasites<br />

et la longueur des liaisons<br />

Liste des composants<br />

RI = 270 S2<br />

PI = 2,5 (2,2) kQ var.<br />

CI à C3 = 1 nF (CMS)<br />

C4 = 2,2MF/16V<br />

C5 = 47 MF/1 6 V<br />

C6 = 1 nF céramique<br />

D1 = z<strong>en</strong>er 4,7 V/400<br />

mW<br />

T1 = BFG65 (voir texte)<br />

L1 à L3 = 6 spires de fil<br />

de 0,2 mm sur tore de<br />

ferrite<br />

circuit Imprimé<br />

bloc secteur 12 V/100 mA<br />

pr<strong>en</strong>n<strong>en</strong>t beaucoup<br />

d'importance <strong>en</strong> haute fréqu<strong>en</strong>ce.<br />

Vous devrez donc<br />

copier aussi fidèlem<strong>en</strong>t<br />

que possible le dessin des<br />

circuits imprimés de la figure<br />

2, <strong>en</strong> le calquant ou<br />

<strong>en</strong> le photocopiant. Gravez<br />

les deux circuits <strong>en</strong> une<br />

seule fois, percez-les puis<br />

séparez-les à la scie.<br />

Les trois cond<strong>en</strong>sateurs<br />

C1, C2 et C3, de même<br />

que le transistor, sont montés<br />

<strong>en</strong> surface, c'est-à-dire<br />

sans trous pour les connexions.<br />

Comm<strong>en</strong>cez par<br />

ces composants à montage<br />

<strong>en</strong> surface, p<strong>en</strong>dant<br />

que la place est libre autour<br />

Le montage de T1 se<br />

fait sans pliage des broches.<br />

Vous devrez percer<br />

un trou de 5 mm de diamètre<br />

pour loger le corps<br />

du transistor dans l'épaisseur<br />

de la platine. Ainsi ses<br />

connexions arhv<strong>en</strong>t à plat<br />

sur les plages de cuivre où<br />

elles seront soudées. C'est<br />

ainsi que doiv<strong>en</strong>t être montés<br />

les transistors HF, <strong>en</strong>castrés<br />

dans le circuit<br />

imprimé.<br />

Le repérage des broches<br />

du transistor est simple : la<br />

connexion la plus longue<br />

est celle du collecteur, celle<br />

de la base lui fait face,<br />

les deux autres sont celles<br />

de l'émetteur Ces deux<br />

connexions d'émetteur<br />

sont équival<strong>en</strong>tes et vous<br />

pouvez donc monter le<br />

transistor à plat v<strong>en</strong>tre ou<br />

sur le dos, mais ne confondez<br />

pas base et collecteur<br />

car c'est le meilleur moy<strong>en</strong><br />

de I ' <strong>en</strong>voyer ad patres (ou<br />

de lui faire r<strong>en</strong>dre son dernier<br />

souffle, si vous préférez).<br />

Comme les autres, ni<br />

plus ni moins, le BFG65<br />

craint la chaleur, faites<br />

donc <strong>en</strong> sorte de souder<br />

vite, étamez le circuit imprimé<br />

d'avance.<br />

Notez que tous les composants<br />

sont montés côté<br />

m<br />

7<br />

m<br />

0<br />

k<br />

k<br />

0<br />

0<br />

X<br />

il<br />

m<br />

T)<br />

in<br />

0<br />

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0<br />

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