21.07.2013 Views

Elka Analog – Pertemuan 3

Elka Analog – Pertemuan 3

Elka Analog – Pertemuan 3

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

PENGUAT FREKUENSI RENDAH<br />

Titik Kerja Transistor Hubungan Bipolar (THB)<br />

Gambar berikut menunjukkan rangkaian emiter-umum.<br />

Rangkaian catu tetap<br />

ELEKTRONIKA ANALOG <strong>Pertemuan</strong> 3<br />

Catu kolektor VCC : memberi arus basis pencatu IB dan arus kolektor I<br />

B C<br />

Kapasitor pem-blok Cb1<br />

: tanpa ada sinyal masuk berlaku sbg rangkaian<br />

terbuka mem-blok tegangan DC<br />

Cb1 dan Cb2 dipilih cukup besar shg dpt dianggap<br />

sbg rangkaian terhubung pendek pada sinyal masuk<br />

frekuensi rendah (reaktansi kecil)<br />

Biasanya transistor mempunyai harga-harga batas yang telah ditentukan pabrik,<br />

misalnya disipasi kolektor maksimum PC maks, tegangan kolektor maksimum VC<br />

maks, arus kolektor maksimum IC maks, dan tegangan emiter-ke-basis maksimum<br />

VEB maks. Gambar berikut menunjukkan tiga besaran yang pertama pada suatu<br />

transistor tertentu.<br />

1


Karakteristik kolektor emiter-umum: garis beban arus searah (as) atau dc dan<br />

arus bolak-balik (abb) atau ac<br />

• Dalam keadaan dc<br />

Garis beban as diperoleh sesuai dengan resistansi RC melalui titik IC = 0<br />

dan VCE = VCC. Arus kolektor IC Jenuh didekati dengan persamaan<br />

V<br />

I C ≅<br />

R<br />

CC<br />

C<br />

Dan tegangan kolektor VCE Jenuh diberikan pada data sheet.<br />

Jika RL = ∞ dengan arus basis besar dan simetris, titik kerja Q1 harus<br />

dipilih di pusat garis beban as sinyal masuk maksimum boleh berayun<br />

kira-kira 40 μA di sekitar Q1.<br />

• Jika RL ≠ ∞ maka beban efektif pada kolektor menjadi<br />

R R || R<br />

'<br />

L =<br />

C<br />

L<br />

garis beban dinamis (garis beban abb) harus digambar melalui titik Q1<br />

dengan kemiringan yang sesuai dengan RL’.<br />

2


Untuk memperoleh ayunan yang lebih besar dapat dipilih titik kerja Q2<br />

(memungkinkan ayunan hingga 60 μA).<br />

Rangkaian Catu Tetap<br />

Titik kerja Q2 ditentukan dgn memilih resistansi Rb sedemikian shg arus basis IB<br />

sama dgn IB2.<br />

I<br />

B<br />

V<br />

=<br />

CC<br />

−V<br />

Dengan VBE = 0,7 V (silikon) dan VBE = 0,2 V (germanium).<br />

Jika VCC >>> VBE maka<br />

R<br />

b<br />

V<br />

I B ≈<br />

R<br />

BE<br />

CC<br />

b<br />

Arus IB B tetap, dan rangkaian pada gambar di atas disebut rangkaian catu tetap.<br />

Catu Mandiri atau Catu Emiter<br />

Rangkaian catu mandiri diperlihatkan pada gambar berikut.<br />

(a) Rangkaian catu mandiri (b) Penyederhanaan rangkaian pada (a)<br />

3


Dari penyederhanaan rangkaian diperoleh:<br />

V<br />

R V<br />

2 CC<br />

≡ dan<br />

R2<br />

+ R1<br />

Dan dari Hukum Kirchoff diperoleh<br />

Jika IB B


Atau<br />

IC = 50 IB B .............................(2)<br />

Dengan substitusi pers (2) ke pers (1) diperoleh<br />

I C<br />

I B<br />

1,<br />

55<br />

= = 1,<br />

3mA<br />

1,<br />

2<br />

= 0 , 02×<br />

1,<br />

3 =<br />

0,<br />

026<br />

mA<br />

Tegangan kolektor ke emiter diperoleh dengan<br />

VCE = VCC <strong>–</strong> IC RC <strong>–</strong> (IB B + IC)<br />

Re<br />

= 22,5 <strong>–</strong> (1,3 mA X 5,6 kΩ) <strong>–</strong> (0,026 mA + 1,3 mA) X 1 kΩ<br />

= 22,5 <strong>–</strong> 7,28 <strong>–</strong> 1,326<br />

= 13,9 V<br />

Model THB Pendekatan Sinyal Lemah<br />

Model pendekatan sinyal lemah sederhana untuk transistor hubungan bipolar<br />

diperlihatkan pada gambar berikut.<br />

(a) (b)<br />

Pada model pendekatan (a), resistansi antara basis <strong>–</strong> emiter adl hie ohm. Pada<br />

model pendekatan (b), dipasang resistansi rbb’ atau dengan kata lain<br />

hie = rbb’ + rb’e<br />

5


Agar dua model pendekatan di atas identik maka harus terdapat hubungan<br />

atau<br />

hfe ib = gm vb’e = gm rb’e ib<br />

hfe = gm rb’e<br />

dengan hfe adl perolehan arus (tanpa dimensi) dan gm disebut transkonduksi dari<br />

transistor.<br />

Penguat Emiter Umum (CE, Common Emitter)<br />

Konfigurasi penguat emiter umum diperlihatkan pd gambar berikut.<br />

Penguat emiter<br />

umum<br />

Model pengganti<br />

pendekatan<br />

parameter-h<br />

Besaran yang penting adl perolehan arus, resistansi masuk, perolehan tegangan,<br />

dan resistansi keluar.<br />

6


Perolehan arus (penguatan arus) AI didefinisikan sbg perbandingan arus keluar<br />

dan arus masuk atau<br />

I<br />

L<br />

AI ≡ = −<br />

I b<br />

Pada model pengganti pendekatan parameter-h terlihat bahwa Ic = hfe Ib shg<br />

I<br />

I<br />

L c fe b<br />

AI ≡ = − = − = −<br />

I b I b I b<br />

h<br />

I<br />

h<br />

Resistansi masuk Ri menggambarkan resistansi sumber sinyal dan didefinisikan<br />

sbg<br />

V<br />

b<br />

R i ≡ =<br />

I b<br />

h<br />

ie<br />

Perolehan tegangan (penguatan tegangan) AV didefinisikan sbg perbandingan<br />

tegangan keluar Vc ke tegangan masuk Vb atau<br />

V<br />

c<br />

A V ≡ =<br />

Vb<br />

I<br />

I<br />

L<br />

b<br />

R<br />

h<br />

L<br />

ie<br />

Dengan mengganti IL/Ib dengan AI dan hie dengan Ri maka pers di atas dpt<br />

dinyatakan kembali sbg<br />

A =<br />

V<br />

A<br />

Dan untuk penguat emiter umum pers di atas dapat dinyatakan pula sbg<br />

A<br />

V<br />

=<br />

−<br />

h<br />

h<br />

fe<br />

ie<br />

R<br />

L<br />

I<br />

R<br />

R<br />

i<br />

L<br />

Selain penguatan tegangan yang dinyatakan di atas, juga terdapat penguatan<br />

tegangan yang diperhitungkan dgn memperhatikan resistansi sumber Rs yang<br />

didefinisikan sbg<br />

I<br />

I<br />

fe<br />

c<br />

b<br />

7


V<br />

V<br />

V<br />

c c b<br />

A VS ≡ = =<br />

Vs<br />

Vb<br />

Vs<br />

Dengan memperhatikan rangkaian model pengganti pendekatan parameter-h<br />

diperoleh Vb<br />

Sehingga<br />

A<br />

VS<br />

V<br />

b<br />

ie<br />

=<br />

h<br />

V<br />

ie<br />

AV<br />

hie<br />

=<br />

h + R<br />

s<br />

s<br />

h<br />

ie<br />

+ R<br />

s<br />

AI<br />

RL<br />

=<br />

h + R<br />

ie<br />

Resistansi keluar Ro didefinisikan dgn menyamakan VS = 0 dan RL = ∞. Maka jika<br />

terminal keluaran mempunyai tegangan V2 dan arus yg mengalir adl I2<br />

V<br />

Ro ≡<br />

I<br />

2<br />

2<br />

s<br />

A<br />

V<br />

V<br />

V<br />

Jika VS = 0 Ib = 0 I2 = Ic = hfe Ib = 0 shg<br />

R o<br />

V<br />

=<br />

I<br />

2<br />

2<br />

V2<br />

=<br />

0<br />

= ∞<br />

Resistansi keluar juga dpt dihitung dengan memperhatikan RL, shg resistansi<br />

keluar menjadi<br />

R<br />

'<br />

o<br />

=<br />

R<br />

R<br />

o<br />

o<br />

R<br />

L<br />

+ R<br />

L<br />

b<br />

s<br />

8

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!