5. semicondutores intrínsecos - Univasf

CRIAÇÃO E ANIQUILAÇÃO DE PARES e-b
Elétrons e buracos são gerados aos pares quando há transição da B.V. para a B.C.
PROCESSOS DE GERAÇÃO DE PARES e-b
TÉRMICO (T > 0 K)
Envolvendo interações
elétrons-fônons de rede
ÓPTICO ( hνννν > E g)
Envolvendo interações
elétrons-fótons incidentes
Em cada evento de geração de um par e-b as leis de conservação são satisfeitas.
Def. “n” é a concentração de elétrons na B.C. a uma dada T.
Def. “p” é a concentração de buracos na B.V. a uma dada T.
Num SEMICONDUTOR INTRÍNSECO: n = p = n i (E g, T)
Seja qual for o processo de transição, ele é DINÂMICO.
Def. “g” é a taxa de geração de pares e-b (cm -3 s -1 ).
Def. “r” é a taxa de recombinação de pares e-b (cm -3 s -1 ).
Princípio do
BALANCEAMENTO DETALHADO
g = r