12-10 Hardware Totalcapaci<strong>da</strong><strong>de</strong> exigem mais bits para seu en<strong>de</strong>reçamento. Entretanto, no mesmosoquete on<strong>de</strong> instalamos um módulo <strong>de</strong> 512 MB, também precisam sersuportados módulos <strong>de</strong> menores capaci<strong>da</strong><strong>de</strong>s, o que resulta em variações nonúmero <strong>de</strong> bits <strong>de</strong> en<strong>de</strong>reços. Essas diferenças não são uma<strong>de</strong>spadronização. O que ocorre é que o barramento <strong>de</strong>ve ser compatívelcom módulos <strong>de</strong> diferentes capaci<strong>da</strong><strong>de</strong>s. Outros sinais são padronizados emmódulos <strong>de</strong> qualquer capaci<strong>da</strong><strong>de</strong>. Por exemplo, os sinais RAS e CAS dosmódulos SDRAM DIMM/168 <strong>de</strong>vem sempre ocupar os pinos 115 e 111,respecticamente. A figura 6 mostra a utilização <strong>de</strong> todos os pinos dobarramento utilizado pelas memórias SDRAM DIMM/168.*** 75%***Figura12.6Pinagem <strong>de</strong> umbarramento <strong>de</strong>memóriaSDRAMDIMM/168.A seguir apresentamos uma breve <strong>de</strong>scrição dos mais importantes sinais <strong>de</strong>um barramento <strong>de</strong> SDRAM DIMM/168.SinalRASCASWECK0-CK3DQ0-DQ63CB0-CB7A0-A12DescriçãoRow Address Strobe. Ligado diretamente aos pinos <strong>de</strong> RAS dos chips<strong>de</strong> memória encontrados nos módulos DIMM/168.Column Address Strobe. Ligado diretamente aos pinos <strong>de</strong> CAS doschips <strong>de</strong> memória.Write Enable. Também ligado nos pinos <strong>de</strong> mesmo nome nas memórias,é usado para indicar se a atual operação é <strong>de</strong> leitura (bit 1) ou escrita (bit0).São sinais idênticos e transmitem aos chips do módulo, os sinais <strong>de</strong>clock necessários aos seu funcionamento. Em módulos PC133, esteclock é <strong>de</strong> 133 MHz.São os 64 bits do barramento <strong>de</strong> <strong>da</strong>dos do módulo.São 8 bits adicionais usados para checagem <strong>de</strong> erros (Pari<strong>da</strong><strong>de</strong> ou ECC)Barramento <strong>de</strong> en<strong>de</strong>reços, especifica a célula <strong>de</strong> memória a ser acessa<strong>da</strong>.
Capítulo 12 – <strong>Barramentos</strong> <strong>da</strong> <strong>placa</strong> <strong>de</strong> <strong>CPU</strong> 12-11BA0, BA1 Selecionamento <strong>de</strong> banco. Ca<strong>da</strong> chip <strong>de</strong> SRAM possui 4 bancosinternos. Esses dois bits são usados para o selecionamento do banco<strong>de</strong>sejado. O mesmo selecionamento é enviado a todos os chips domódulo.S0, S1, S2, S3 Selecionamento <strong>de</strong> banco <strong>de</strong>ntro do módulo. Existem módulos <strong>de</strong> 1 e <strong>de</strong>dois bancos. Normalmente os <strong>de</strong> 1 banco usam chips <strong>de</strong> um só lado,enquanto os <strong>de</strong> 2 bancos possuem chips em ambos os lados. O primeirobanco é sempre ativado pelos sinais S0 e S2, enquanto o segundo banco,quando existe, é ativado pelos sinais S1 e S3.DQMB0-DQMB7 Ca<strong>da</strong> um <strong>de</strong>sses 8 bits <strong>de</strong> controle ativa o bits consecutivos dobarramento <strong>de</strong> <strong>da</strong>dos do módulo. DQMB0 habilita os bits DQ0-DQ7;DQMB1 habilita os bits DQ8-DQ15, e assim por diante, até DQMB7que habilita os bits DQ56-DQ63. Através <strong>de</strong>sses controles, o chipset,mediante comando apropriado do processador, po<strong>de</strong> acessar grupos <strong>de</strong>8, 16, 32 ou 64 bits na célula en<strong>de</strong>reça<strong>da</strong>. Isso é útil, por exemplo,quando é preciso gravar um <strong>da</strong>do em um único byte, ou em outrasporções menores que os 64 bits do barramento <strong>de</strong> <strong>da</strong>dos do módulo.VCCAlimentação <strong>de</strong> +3,3 volts.VSSLigados ao terraCélulas <strong>de</strong> memória em um módulo DIMM têm 64 bits, ou seja, 8 bytes. Éinteressante observar como essas células são en<strong>de</strong>reça<strong>da</strong>s. São usados 3grupos <strong>de</strong> sinais:SinaisFuncionamentoS0, S1, S2 e S3 Esses sinais fazem a distinção entre módulos <strong>de</strong> face simples e <strong>de</strong> facedupla. Nos módulos <strong>de</strong> face simples, <strong>de</strong>vem ser ativadossimultaneamente os sinais S0 e S2. Nos módulos <strong>de</strong> face dupla, os sinaisS0 e S2 ativam os chips <strong>de</strong> uma face, e os sinais S1 e S3 ativam os chips<strong>da</strong> outra face. Mais especificamente:S0 ativa os bits DQ0-DQ31 <strong>da</strong> primeira faceS2 ativa os bits DQ32-DQ63 <strong>da</strong> primeira faceS1 ativa os bits DQ0-DQ31 <strong>da</strong> segun<strong>da</strong> faceS3 ativa os bits DQ32-DQ63 <strong>da</strong> segun<strong>da</strong> faceBA0, BA1Portanto esses sinais po<strong>de</strong>m representar até 2 combinações:S0 e S2 ativosS1 e S3 ativosEsses sinais são enviados a todos os chips do módulo. Servem paraselecionar um dos 4 bancos internos que um chip <strong>de</strong> SDRAM po<strong>de</strong> ter.Portanto esses sinais po<strong>de</strong>m representar 4 combinações:Banco 0: BA1=0 e BA0=0Banco 1: BA1=0 e BA0=1Banco 2: BA1=1 e BA0=0Banco 3: BA1=1 e BA0=1