BOPI in intregime - agepi

INVENŢII MD - BOPI 12/2012
(22) 2011.05.12
(71) UNIVERSITATEA DE STAT DIN MOLDOVA,
MD; BARANOV Simion, MD; CINIC Boris,
MD; GORCEAC Leonid, MD
(72) BARANOV Simion, MD; CINIC Boris, MD;
GORCEAC Leonid, MD
(54) Procedeu de fabricare a dispozitivului semiconductor
cu joncţiune p-n în relief
(57) Invenţia se referă la energetica netradiţională
şi electrotehnică, în special, la dispozitivele
semiconductoare de conversie a radiaţiei solare
în energie electrică şi poate fi utilizată în
fabricarea celulei fotovoltaice, precum şi în
fabricarea dispozitivelor semiconductoare de
temperatură înaltă.
Procedeul de fabricare a dispozitivului semiconductor
cu joncţiune p-n în relief include
degresarea epitaxiei unui substrat, executat
ca o placă din compus A 3 B 5 de tip n sau p,
dezorientată cristalografic, în soluţie organică
şi corodarea lui, de exemplu, în soluţie amoniacală.
După aceasta pe substrat se formează
o microstructură tridimensională în relief cu
dimensiuni de 30…3000 nm, de exemplu, prin
corodare chimică în soluţia acidă selectivă
HCl:HNO 3:H 2O. Pe suprafeţele reliefate ale
substratului se creşte primul strat epitaxial,
apoi se formează joncţiunea p-n prin creşterea
stratului al doilea epitaxial de tip opus
primului strat. Procedeul mai include înlăturarea
primului şi celui de-al doilea straturi
epitaxiale de pe una din suprafeţele substratului,
de exemplu, prin şlefuire mecanică, formarea
contactelor electrice, de exemplu, prin
depunerea unui strat metalic pe suprafaţa
stratului al doilea epitaxial şi pe suprafaţa şlefuită
a substratului, şi decuparea plăcii cu
structura obţinută în cristale.
Revendicări: 2
*
* *
(54) Method for manufacturing a semiconductor
device with relief p-n junction
(57) The invention relates to alternative power engineering
and electrical engineering, in particular
to semiconductor devices for conversion
of solar radiation into electrical energy and
can be used in the manufacture of the photoelectric
cell, and in the manufacture of hightemperature
semiconductor devices.
The method for manufacturing a semiconductor
device with relief p-n junction includes the
degreasing of substrate epitaxy, made as a
crystallographically disoriented plate of A 3 B 5 n
or p-type compound, in organic solution and
its etching, for example, in ammonia solution.
After that, on the substrate is formed a relief
three-dimensional microstructure with sizes of
30…3000 nm, for example, by chemical etching
in the selective acid solution HCl:HNO 3:H 2O.
On relief surfaces of the substrate is grown
the first epitaxial layer, then is formed the p-n
junction by growing the second epitaxial layer
opposite to the first layer of the type. The
method further includes the removal of the
first and second epitaxial layers from one surface
of the substrate, for example, by mechanical
grinding, the formation of electrical
contacts, for example, by applying a metal
layer on the surface of the second epitaxial
layer and the ground surface of the substrate,
and cutting of the plate with the resulting
structure into crystals.
Claims: 2
*
* *
(54) Способ изготовления полупроводникового
прибора с рельефным p-n переходом
(57) Изобретение относится к нетрадиционной
энергетике и электротехнике, в частности, к
полупроводниковым устройствам преобразования
солнечного излучения в электрическую
энергию и может быть использовано
при изготовлении фотоэлектрического элемента,
а также при изготовлении высокотемпературных
полупроводниковых приборов.
Способ изготовления полупроводникового
прибора с рельефным p-n переходом
включает обезжиривание эпитаксии подложки,
выполненной в виде кристаллографически
дезориентированной пластины из
соединения A 3 B 5 n- или p-типа, в органическом
растворе и ее травление, например, в
аммиачном растворе. После этого на подложке
формируют рельефную трехмерную
микроструктуру с размерами 30…3000 нм,
например, химическим травлением в селективном
кислом растворе HCl:HNO 3:H 2O.
На рельефных поверхностях подложки выращивают
первый эпитаксиальный слой,
затем формируется p-n переход выращиванием
второго эпитаксиального слоя противоположного
первому слою типа. Способ
еще включает удаление первого и второго
эпитаксиальных слоев с одной из поверхностей
подложки, например, механическим
шлифованием, формирование электрических
контактов, например, нанесением металлического
слоя на поверхность второго
эпитаксиального слоя и на шлифованную
поверхность подложки, и резку пластины с
полученной структурой на кристаллы.
П. формулы: 2
19