2. CIRCUITE NUMERICE Licenta 2008 - AUTOMATICA si ...

1. Pentru ca o familie de circuite integrate numerice să fie
viabilă, nivelele logice de intrare şi respectiv ieşire trebuie:
a. să fie mai mari de 1V
b. să fie egale
c. să fie mai mici de 5V
d. să fie compatibile
2. Marginile de zgomot de curent continuu, pentru o familie
de circuite integrate numerice, caracterizează:
a. tensiunea de prag
b. consumul propriu
c. imunitatea la perturbaţii
d. compatibilitatea nivelelor logice
3. Fan-out-ul, pentru o familie de circuite integrate
numerice, exprimă:
a. curentul de scurtcircuit al ieşirii
b. numărul maxim de intrări care poate fi comandat
de ieşire
c. curentul de ieşire
d. curentul de intrare
4. Timpii de creştere(rise), respectiv de cădere(fall), pentru
o formă de undă numerică descriu:
a. viteza de variaţie a semnalului
b. gradul de amortizare
c. supracreşterea pozitivă
d. întârzierea intrare-ieşire
5. Timpul de propagare, pentru o poartă oarecare, descrie:
a. imunitatea la perturbaţii
b. amplitudinea maximă a semnalului de iesire
c. caracteristica statică de transfer
d. întârzierea intrare-iesire
6. Pentru un circuit numeric, care din următoarele informaţii
pot fi determinate pe baza caracteristicii statice de transfer:
a. curentul de ieşire
b. timpul de propagare
c. tensiunea de prag
d. curentul de intrare
7. Semnul curentului de intrare, pentru o poartă TTL
oarecare, este:
a. negativ când intrarea este în “1” şi pozitiv când
intrarea este in “0”
b. pozitiv când intrarea este în “1” şi negativ când
intrarea este in “0”
c. pozitiv, oricare ar fi valoarea tensiunii de intrare
d. negativ, oricare ar fi valoarea tensiunii de intrare
8. Dacă pe o intrare a unei porţi TTL oarecare se aplică o
tensiune de –6V:
a. intrarea se comportă ca şi când ar fi flotantă (în
aer)
b. curentul de intrare se autolimitează la valori sigure
c. tensiunea respectivă este interpretată ca un “1”
2. CIRCUITE NUMERICE
Licenta 2008 - AUTOMATICA si MECATRONICA
1
d. etajul de intrare se distruge, dacă nu există un
mijloc de limitare a curentului
9. Care din următoarele valori de tensiune se încadrează
într-un nivel logic TTL standardizat (şi valid):
a. 1.8V
b. 1.2V
c. 1.4V
d. 2.4V
10. In cazul unui circuit TTL oarecare, în urma
scurtcircuitării ieşirii în “0” la tensiunea de alimentare
Vcc=5V:
a. curentul de ieşire este limitat intern la o valoare
sigură
b. etajul de ieşire se distruge
c. nu se întâmplă nimic, dacă scurtcircuitul durează
putin
d. tensiunea de ieşire ajunge la 2.5V
11. Nivele de intrare compatibile CMOS înseamnă că
tensiunea de prag este:
a. două treimi din tensiunea de alimentare
b. jumătate din tensiunea de alimentare
c. aproximativ 1.4V
d. egală cu tensiunea de alimentare
12. In condiţii normale de funcţionare, curentul de intrare
pentru o poartă CMOS este:
a. identic cu curentul de alimentare
b. oricum mai mare ca la portile TTL
c. nesemnificativ
d. de ordinul mA
13. O poartă din familia TTL Low Power Schottky (74LS),
cu etaj de intrare de tip DTL, are tensiunea de prag:
a. aproximativ egală cu 1.4V
b. mai mică decât orice alt tip de circuit TTL
c. egală cu cea a tuturor circuitelor TTL
d. dependentă de tensiunea de alimentare
14. O poartă cu intrare de tip trigger Schmitt are:
a. 2 tensiuni de prag diferite
b. 3 tensiuni de prag diferite
c. o singură tensiune de prag, dar variabilă
d. un timp de propagare mai mic decât o poartă
normală
15. Pentru o poartă cu intrare de tip trigger Schmitt,
histerezisul caracteristicii statice de transfer reflectă:
a. nivelele logice de intrare egale cu cele de ieşire
b. nivelele logice de intrare mai mari
c. timpul de propagare mai mare
d. dependenţa de sensul de variaţie al tensiunii de
intrare

16. Două sau mai multe ieşiri de porţi se pot conecta (lega)
împreună dacă:
a. ieşirile porţilor sunt de tip colector(sau drenă) in
gol
b. intrările au aceleaşi nivele logice
c. tensiunea de alimentare a porţilor este aceiaşi
d. ieşirile porţilor au şi rezistenţe serie
17. Care din următoarele constituie diferenţe funcţionale
semnificative între circuitele de memorie SRAM(RAM
static) şi respectiv DRAM(RAM dinamic):
a. curentul de alimentare(consumul propriu)
b. mecanismul de acces
c. tensiunile de alimentare
d. timpul de acces
18. Care din următoarele afirmaţii, legate de celulele de
memorare SRAM(RAM static) şi respectiv DRAM(RAM
dinamic), este adevărată:
a. principiul de memorare utilizat este diferit
b. celulele DRAM folosesc numai tranzistoare
bipolare
c. dimensiunile tranzistoarelor pentru cele 2 tipuri de
celule sunt mult diferite
d. celulele SRAM sunt realizate numai in tehnologie
NMOS
19. Pentru un circuit bistabil de tip D, cu comutare pe front,
apariţia stării metastabile este legată direct de neîndeplinirea
unei condiţii referitoare la:
a. timpul de propagare de la intrarea de reset la ieşire
b. frecvenţa maximă de funcţionare
c. timpul de setup(pregătire)
d. timpul de propagare de la intrarea de ceas la ieşire
20. Pentru o poartă CMOS, prezenţa circuitului de protecţie
la descărcări electrostatice are drept consecinţe:
a. cresterea timpului de propagare
b. mărirea impedanţei de intrare
c. posibilitatea apariţiei alimentării pirat şi a
fenomenului de latch-up(zăvorâre)
d. mărirea nivelelor logice de intrare
21. Un condensator de decuplare se plasează, faţă de
bornele de alimentare ale circuitului integrat:
a. cât mai departe dacă este un condensator polarizat
b. cât mai departe posibil
c. cât mai aproape posibil
d. nu contează
22. Un condensator de decuplare se conectează, faţă de
bornele de alimentare ale circuitului integrat:
a. în paralel
b. în serie
c. serie si paralel
d. numai dacă tensiunea de alimentare este mai mare
de 5V
2
23. O rezistenţă de 1KOhm conectată serie între iesirea unei
porti si respectiv intrarea alteia:
a. afectează tensiunea de prag dacă intrarea este
CMOS
b. afectează numai regimul dinamic dacă intrarea este
CMOS
c. afectează nivelele logice de intrare dacă intrarea
este CMOS
d. nu afectează nivelele logice dacă intrarea este TTL
24. Pentru o poartă CMOS în regim static, dacă se
conectează o rezistenţă de 1KOhm serie, între sursa de
alimentare si borna de alimentare(V DD ) a circuitului:
a. sunt afectate semnificativ nivelele logice de iesire
b. tensiunea de alimentare a porţii practic nu se
modifică
c. tensiunea de alimentare a porţii scade semnificativ
d. tensiunea de alimentare a porţii creste
nesemnificativ
25. Pentru un circuit EPROM propriu-zis, ştergerea
informaţiei memorate se face:
a. la fel ca la circuitele EEPROM
b. prin expunerea microcircuitului la radiaţii
ultraviolete
c. prin expunerea microcircuitului la radiaţii
infraroşii
d. prin modalităţi exclusiv electrice
26. Un circuit bistabil de tip D-latch(transparent) diferă de
un circuit bistabil de tip D cu comutare pe front, prin:
a. momentul transferării la ieşire a informaţiei de la
intrare
b. momentul transferării la ieşire a informaţiei de la
intrare şi al memorării acesteia
c. momentul memorării informaţiei de la intrare
d. timpii de propagare de la intrare la iesire
27. Pentru un circuit de memorie, împrospătarea periodică a
informaţiei este necesară:
a. numai la circuitele SRAM
b. numai la circuitele DRAM
c. la anumite tipuri de circuite EPROM
d. la toate circuitele de tip RAM
28. Conexiunea de masă (GND) a unui circuit integrat
numeric TTL sau CMOS trebuie să fie, de regulă:
a. conectată printr-o inductanţă la borna de masă a
sursei de alimentare
b. la potenţialul de referinţă, de 0V
c. la un potenţial nu mai mare de 0.5V
d. conectată printr-o rezistenţă la borna de masă a
sursei de alimentare

29. O linie de transmisie este adaptată atunci cand;
a. impedanţa caracteristică a liniei este foarte mare
b. impedanţa caracteristică a liniei este foarte mică
c. impedanţa sursei este egală cu cea a sarcinii
d. impedanţa caracteristică a liniei este egală cu cea a
sursei şi respectiv a sarcinii
30. Terminatorii de linie au rolul de a:
a. micşora încărcarea ieşirii(sursei) conectată la linie
b. mări imunitatea la perturbaţii a liniei
c. mări impedanţa caracteristică a liniei
d. asigura adaptarea de impedanţa la capetele liniei
3