BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET'ler (Alan Etkili transistorler)

Şekil 16: N tipi, azaltan kanallı MOSFETin devre bağlantı şemasıŞekil 17: N tipi, azaltan kanallı MOSFET'in ! D -V DS karakteristik eğrisiŞekil 18: N tipi, azaltan kanallı MOSFET'in transfer karakteristiği eğrisiŞekil 17'dc verilen I D -V DS statik karakteristik eğrisi incelenecek olursa MOSFET in Gucunun polarma gerilimi negatif (-) ve pozitif (+) polariteli olarak uygulanmıştır. V GSgerilimi negatif polariteli olarak artırıldıkça D-S uçlan arasından geçen I D akımı azalmaktadır.Negatif polariteli V GS gerilimi belli bir V p değerine ulaştığında D-S uçlan arasından geçen I Dakımı O (sıfır) değerine iner. I D akımının O değerine inmesini sağlayan V GS gerilimine kıstırma(pinch-off) gerilimi (V p ) denir.Şekil 17'de kesik çizgiyle gösterilen "k" eğrisine kadar her bir eğri V p (pinch-off)gerilimine ulaşıncaya kadar I D akımı da artar. Bu değerden sonra gerilim artsa bile I akımı sabitkalır.Azaltan kanallı MOSFET'lerin D-S uçları arasından geçen akımın herhangi bir V GSdeğerindeki miktarını bulmak için kullanılan denklem JFET'lerde olduğu gibi,2 VGSI D I DSS1 şeklindedir. Buna göre azaltan kanallı MOSFET'ler JFET'lerle VPaynı biçimde çalışırlar.