BÃLÃM 1: JFET ve MOSFET'ler (Alan Etkili transistorler)

More documents

Recommendations

Info

Hassas yapılı olan MOSFET'lerin G ucundaki ince silisyum (silikon) oksit tabakasıinsan bedenindeki statik elektrik yüküyle bile delinebilir. Ü nedenle bu elemanlara el iledokunmadan bedendeki durgun (statik) elektrik yükünün boşaltılması gerekir. AyrıcaMOSFET'lerin lehimlenmesinde düşük güçlü (fazla ısınmayan) ve topraklı havyalarkullanılmalıdır. Şekil 11 'de azaltan kanallı, şekil 12'de ise çoğaltan kanallı MOSFET sembolleriverilmiştir.Şekil 12; Çoğaltan kanallı MOSFET sembolleri2. MOSFET ÇEŞİTLERİUygulamada kullanılan MOSFET çeşitleri şunlardır:a. Azaltan kanallı (depletion tipi, D-MOSFET) MOSFET,b.Çoğaltan kanallı (enhancement tipi,endüksiyon tipi, E-MOSFET) MOSFET3. MOSFET’lerin yapısıa. Azaltan kanallı ? MOSFET'lerŞekil 13'te yapısı verilen azaltan kanallı MOSFET'te G ucu N tipi kanalmaddesinden silisyum oksit ve silisyum nitrat tabakalarıyla ayrılmıştır.substrate (SS, bulk, alt katman)Şekil 13: Azaltan kanallı MOSFET'in yapısıAzaltan kanallı MOSFET'in G ucuna uygulanan gerilim 0 voltken, D-S uçlarına birgerilim uygulandığında N tipi kanaldan belli değerde bir akım (I DSS ) geçişi olur.G ucuna uygulanan ters polarma geriliminin değeri artırıldıkça D-S kanalından geçenakım (Ip) azalır.
.Çoğaltan kanallı MOSFET'lerŞekil 14'te yapısı verilen çoğaltan kanallı MOSFET'te D-S uçları arasında kanalmaddesi yoktur. G ucuna herhangi bir gerilim uygulanmadığında D-S uçları arasından biralam geçişi olmaz. G ucunun bağlı olduğu metal parça ile P tipi gövde (substrate) birkondansatör özelliği gösterir. Bilindiği gibi iki iletken ve bir yalıtkan "kondansatörü" oluşturur.substrate (SS, bulk, ait katman)Şekil 14: Çoğaltan kanallı: MOSFET'in yapısıÇoğaltan kanallı MOSFETin G ucuna (+) polariteli gerilim uygulandığında kapasiteÖzelliğinden dolayı P tipi gövdeye bağlı iki N maddesinin arasında şekil 15'te görüldüğü gibi(-) yükler toplanır. D-S uçları arasındaki bölgede toplanan (-) yükler P tipi maddenin içinde azsayıda bulunan azınlık taşıyıcılardır.substrate (SS, bulk, alt katman)Şekil 15: Çoğaltan kanallı MOSFET'te D-S uçları arasında (-} yüklerin toplanışıD-S uçları arasında biriken (-) yükler doğal (tabî) bir kanal oluşumunu sağlar. Bu sayedeD-S uçlan arasından akım geçişi başlar.G ucuna uygulanan (+) polariteli gerilimin değeri artırıldıkça D-S uçlan arasındabiriken (-) yükler çoğalır ve geçen akım da artar.Çoğaltan kanallı MOSFET'in G ucuna gerilim uygulanmadığı zaman. D-Sarasından alanı geçişi olmaz4.MOSFET karakteristikleria.N tipi, azaltan kanallı MOSFET’lerin karakteristikleriŞekil 16'da N tipi, azaltan kanallı MOSFET'in deney bağlantı şeması verilmiştir.Bu devre kullanılarak şekil 17'de verilen I D -V DS statik karakteristik eğrisi ve şekil 18'deverilen transfer karakteristik eğrisi elde edilebilir.
Page 1 and 2: BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET’ler (Al
Page 3 and 4: Şekil 5: JFET'in G-S uçları aras
Page 5 and 6: - JFET’in transfer (V GS - I D )
Page 7: Geçirgenlik, V DS gerilimi sabitke
Page 11 and 12: Şekil 19: N tipi, çoğaltan kanal
Page 13 and 14: Örnek: N tipi, çoğaltan kanallı
Page 15 and 16: Örnek: Aşağıda verilen S ucu ş
Page 17 and 18: Şekil 25: Gerilim bölücü diren
Page 19 and 20: 2. MOSFET'lerin polarmasıa. Sabit
Page 21 and 22: Şekil 28: V GS =0 V'ken JFET'in V
Page 23 and 24: Çıkış karakteristiğinde görü
Page 25 and 26: Şekil 35-a'da verilen sabit polarm
Page 27 and 28: D. MOSFET DeneyleriDeney 1: MOSFET
Page 29: R D (k) R S (k) C S (μF) Av2,2 1 4

BÃLÃM 1: JFET ve MOSFET'ler (Alan Etkili transistorler)

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

BÃLÃM 1: JFET ve MOSFET'ler (Alan Etkili transistorler)