BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET'ler (Alan Etkili transistorler)

JFET'e uygulanan V DD gerilimi doğrusal bir şekilde artırılmaya devam edilirse I D akımının şekil7'de görüldüğü gibi doğrusal olarak artmadığı görülür.Şekil 6'da V DD gerilimi O V’tan 4 V'a doğru artırıldığında I akımın şekil 7'de görüldüğü gibidoğrusala yakın düzgünlükte arttığı görülür. V DD gerilimi 4 volttan itibaren artırılsa bile I D akımındaki artışdurur. I D akımının artışının durduğu noktaya saturasyon (doyum, pinch-off} noktası denir. Doyum (pinchoff)noktası kritik gerilim değeri olarak da adlandırılır ve V p ile gösterilir.FET'in G ucuna uygulanan ters polarma gerilimi V GG =0 voltken D-S uçları arasından geçen I Dalarmı, V DD gerilimi artırılsa bile belli değerde sabitlesin Akımın sabit olduğu bu değere I DSS (D-S uçlarıarasından geçen doyum akımı) denir.FET'in D-S uçları arasından geçen akım, V DS uçlan arasındaki gerilim artırılmaya devametmesine karşın pek fazla artmaz. Şekil 7'de verilen karakteristik eğride doyum (pinch-off) bölgesiolarak adlandırılan bölgede JFET'ten geçen I DSS akımı hemen hemen aynı değerde kalır.Sekil 6'da verilen deney bağlantı şemasında V DD kaynağının gerilim değeri artırılarak D-S uçlarıarasındaki V DS gerilimi yükseltilecek olursa I D akımı yüksek bir değere çıkar. I D akımının aşırı artmasıise JFET'in bozulmasına yol açar. Şekil 7'deki karakteristik eğrisinde bozulma (breakdown, kırılma)noktası (C) olarak gösterilen bu değeri JFET'e uygulamamak gerekir.7. JFET’lerin elektriksel karakteristikleria. JFET’in çıkış (V DS - I D ) KarakteristiğiFET'in G ucu şekil 6'da görüldüğü gibi şaseye bağlıyken V DS kaynağının gerilim değeri belli birnoktaya ulaştığında D-S uçları arasından belli büyüklükte bir akım geçer. Buna I DSS akımı denir.G ucuna uygulanan V GS ters polarma gerilimi şekil 8'de görüldüğü gibi artırıldığında (örneğin-1 voltyapıldığında) I D akımı şekil 9'da görüldüğü gibi azalır.Şekil 8: JFET'in G ucuna uygulanan gerilim O volttan yüksekken I D akımının ve V DS geriliminin değişimininincelenebilmesi için kurulan deney bağlantı şemasıŞekil 9: JFET'in G- S uçlan arasına uygulanan gerilim 1 voltken D-S uçlar; arasına bağlanan V DD kaynağınıngerilim değeri 0 V’tan itibaren artırıldığında I D akımının değeri I DSS değerinin altına iner.V GG kaynağıyla G ucuna uygulanan ters polarma gerilimi biraz daha artırıldığında (örneğin-1,5 V yapıldığında) I D akımı şekil 9'da görüldüğü gibi daha da azalır. V GS = -2 V yapıldığında ise I Dakımı 0 A değerine iner.Sonuç olarak V GG kaynağıyla G ucun; uygulanan ters gerilim -0,5, -l, -1,5, ..., -2 V şeklindeartırılmaya devam edilirse I D akımı 0 düzeyine doğru iner. I D akımının azalmasının nedeni kanalbölgesinin elektron ve oyuk yönünden fakirleşmiş bir hâle gelmesindendir. Kanal bölgesininfakirleşmiş hâle gelmesini sağlayan etken ise bilindiği gibi G-S uçlar arasının ters polarılmışolmasıdır.