01.12.2014 Views

T - Bakı Dövlət Universiteti

T - Bakı Dövlət Universiteti

T - Bakı Dövlət Universiteti

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

БДУ, Физика Проблемляри Институту: «Физиканын Мцасир Проблемляри» ЫЫЫ Республика Конфрансы<br />

nanohissəciyinn tam elektron enerjisi tapılmışdır. Kupmans teoremindən istifadə edərək Au 16<br />

nanohissəciyinin ionlaşma potensialının qiyməti hesablanmışdır. cqi<br />

-ləri bilərək qızıl atomların<br />

effektiv yükləri müəyyən edilmişdir.<br />

Kompüter hesablamaları “Nanomateriallrın kimyəvi fizikası” kafedrasında mövcud olan<br />

proqramdan istifadə edərək aparılmışdır.<br />

Ədəbiyyat<br />

1. Paşayev F.H., Həsənov A.Q. Atom və molekullrain elektron quruluşunun öyrənilməsində örtmə<br />

inteqrallarinin rolu. «Elm və təhsildə İnformasiya və kommunikasiya texnologiyalarının tətbiqi»<br />

Mövzusunda III Beynəlxalq konfransın materialları, Bakı, 14-16 oktyabr 2009, Azərbaycan.<br />

2. F.G.Pashaev. Use of Filter-Steinborn B and Guseinov Q q ns auxiliary functions in evaluation of<br />

two-center overlap integrals over Slater type orbitals, J Math Chem (2009) 45: 884–890.<br />

3. I.I.Guseinov, B.A.Mamedov. Unified treatment of overlap integrals with integer and noninteger<br />

n Slater-type orbitals using translational and rotational transformations for spherical harmonics,<br />

Canadian Journal of Physics, 82 (2004) 205-211.<br />

АМОРФ ХЯЛИТЯЛИ Ал0,8Ни0,2н-Си ДИОДЛАРЫНЫН ЕЛЕКТРОФИЗИКИ<br />

ПАРАМЕТРЛЯРИ АРАСЫНДА КОРРЕЛЙАСИЙАНЫН ТЯДГИГИ<br />

И.М.Яфяндийева, Л..Aбdullayeva, Т.З.Гулийева, Ш.М.Гоъайева, М.Н.Аьайев,<br />

Ş.С.Сцлейманов<br />

Бакы Дювлят Университети, Физика Проблемляри ЕТИ<br />

Електрониканын мцасир инкишафы бир тяряфдян фундаментал елмлярин (бярк ъисим физикасы,<br />

йарымкечириъиляр физикасы), диэяр тяряфдян технолоэийанын уьурларына ясасланыр. Бу сащядя сон<br />

елми наилиййятляр эюстярир ки, микроелектрониканын ( щям дя наноелектрониканын) эяляъяк<br />

инкишафы- йени физики вя техноложи идейалар ясасында мцмкцндцр. Бу бахымдан металйарымкечириъи<br />

контакты (МЙК) вя метал -йарымкечириъи контактынын тохунма сярщяддиндя (ТС)<br />

баш верян електрофизики просеслярин арашдырылмасына мараг нязяря чарпаъаг дяряъядя артмышдыр<br />

1,2,3. Беля ки, хассяляри юнъядян мялум олан ъищазларын йарадылмасы мцасир ъищазгайырманын<br />

ян мцщцм тялабатларындандыр. Бу тялябаты юдямяк мягсядиля контакт структурларында<br />

електрофизики параметрляринин вя йцкдашыйыъыларын дашынма механизминин юйрянилмясиня бюйцк<br />

диггят айрылыр 4,7.<br />

Йухарыдакылары ясас тутараг аморф метал тябягяли Ал0,8Ни0,2-nSi Шоттки диодлары тядгиг<br />

едилмишдир.<br />

Експериментин кечирилмяси вя алынмыш нятиъялярин мцзакиряси<br />

Ал0,8Ни0,2 аморф хялитяси вакуум електрон–шца бухарланмасы методу иля алынмышдыр 6. Алтлыг<br />

олараг (111) орийентасийалы н-тип силисиум лювщясиндян истифадя олунмушдур. Диод матриси<br />

сащяляри (114)х10 -6 см 2 диапозонунда дяйишян 14 диоддан ибарятдир.<br />

Ал0,8Ни0,2/н-Си диодларынын волт-ампер характеристикалары (ВАХ) эениш температур<br />

(298458)К вя эярэинлик (дцз истигамятдя (0,10,5)В, яксиня истигамятдя (0,120)В)<br />

интервалында тядгиг едилмишдир. Тядгиг олунан нцмуняляр диод нязяриййясинин бцтцн тялябляриня<br />

ъаваб верир.<br />

Ишдя цмуми шякилдя 8х10 -6 см 2 юлчцлц сащяйя малик диодлун тядгигиндян алынан нятиъяляр<br />

якс олунмушдур.<br />

34

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!