Проектирование микросхем и микропроцессоров - Тамбовский ...
Проектирование микросхем и микропроцессоров - Тамбовский ...
Проектирование микросхем и микропроцессоров - Тамбовский ...
- TAGS
- const
- www.tstu.ru
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Табл<strong>и</strong>ца 2<br />
Толщ<strong>и</strong>на слоя окс<strong>и</strong>да, мкм<br />
Цвет<br />
пр<strong>и</strong> порядке <strong>и</strong>нтерференц<strong>и</strong><strong>и</strong><br />
I II III IV<br />
Серый 0,05<br />
Рыжевато-кор<strong>и</strong>чневный 0,07<br />
Кор<strong>и</strong>чневый 0,10<br />
С<strong>и</strong>н<strong>и</strong>й 0,15<br />
Жёлтый 0,22 0,39 0,57 0,77<br />
Оранжевый 0,25 0,41 0,58 0,80<br />
Красный 0,27 0,44 0,62<br />
Ф<strong>и</strong>олетовый 0,30 0,46 0,63 0,86<br />
Голубой 0,31 0,49 0,68 0,87<br />
Зелёный 0,35 0,52 0,74<br />
Пр<strong>и</strong> толщ<strong>и</strong>нах плёнок, превышающ<strong>и</strong>х 0,1 мкм, <strong>и</strong> ок<strong>и</strong>слен<strong>и</strong><strong>и</strong> пр<strong>и</strong> температурах более 1000°С рост толщ<strong>и</strong>ны плёнк<strong>и</strong><br />
подч<strong>и</strong>няется парабол<strong>и</strong>ческому закону:<br />
X 2 = kt,<br />
где Х – толщ<strong>и</strong>на двуок<strong>и</strong>с<strong>и</strong> кремн<strong>и</strong>я; k – константа скорост<strong>и</strong> роста; t – время ок<strong>и</strong>слен<strong>и</strong>я.<br />
В атмосфере сухого к<strong>и</strong>слорода пр<strong>и</strong> атмосферном давлен<strong>и</strong><strong>и</strong><br />
−2<br />
2 ⎛ 1,7<br />
t = 1,19 ⋅10<br />
x exp<br />
⎞<br />
⎜ ⎟ ,<br />
⎝ kT ⎠<br />
где t – время ок<strong>и</strong>слен<strong>и</strong>я (м<strong>и</strong>н); X – толщ<strong>и</strong>на окс<strong>и</strong>да (мкм); k – постоянная Больцмана : k = 8,62 . 10 -5 (ЭВ/град); T – температура<br />
(К).<br />
В атмосфере паров воды пр<strong>и</strong> атмосферном давлен<strong>и</strong><strong>и</strong><br />
2 0,8<br />
t = 0,1377 x exp<br />
⎛ ⎞<br />
⎜ ⎟.<br />
⎝ kT ⎠<br />
Пр<strong>и</strong> выращ<strong>и</strong>ван<strong>и</strong><strong>и</strong> на поверхност<strong>и</strong> кремн<strong>и</strong>я маск<strong>и</strong>рующего слоя окс<strong>и</strong>да последн<strong>и</strong>й обычно форм<strong>и</strong>руется <strong>и</strong>з двух <strong>и</strong>л<strong>и</strong><br />
трёх слоёв: первый слой толщ<strong>и</strong>ной 0,02 … 0,05 мкм выращ<strong>и</strong>вают в атмосфере сухого к<strong>и</strong>слорода, второй – толщ<strong>и</strong>ной 0,4 …<br />
0,8 мкм – в парах воды <strong>и</strong> трет<strong>и</strong>й – 0,2 мкм – снова в сухом к<strong>и</strong>слороде. Такое многослойное выращ<strong>и</strong>ван<strong>и</strong>е окс<strong>и</strong>да<br />
определяется тем, что в сухом к<strong>и</strong>слороде образуется плотный окс<strong>и</strong>д, а в парах воды обеспеч<strong>и</strong>вается высокая скорость роста<br />
(но меньшая плотность).<br />
Порядок выполнен<strong>и</strong>я работы<br />
1. Изуч<strong>и</strong>ть последовательность операц<strong>и</strong>й <strong>и</strong>зготовлен<strong>и</strong>я ПИМС, <strong>и</strong>спользуя набор пласт<strong>и</strong>н, взятых на разл<strong>и</strong>чных стад<strong>и</strong>ях<br />
технолог<strong>и</strong>ческого процесса. Просматр<strong>и</strong>вая с помощью м<strong>и</strong>кроскопа весь набор, рекомендуется упорядоч<strong>и</strong>ть расположен<strong>и</strong>е<br />
пласт<strong>и</strong>н по мере усложнен<strong>и</strong>я форм<strong>и</strong>руемых структур. Выбрать на кр<strong>и</strong>сталле какую-л<strong>и</strong>бо транз<strong>и</strong>сторную структуру.<br />
Прослед<strong>и</strong>ть процесс её форм<strong>и</strong>рован<strong>и</strong>я, определ<strong>и</strong>ть на<strong>и</strong>менован<strong>и</strong>е технолог<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>х операц<strong>и</strong>й, пользуясь маршрутной картой.<br />
Результаты выполнен<strong>и</strong>я данного пункта сводятся в табл. 3.<br />
Табл<strong>и</strong>ца 3<br />
№<br />
образ<br />
ца<br />
На<strong>и</strong>менован<strong>и</strong>е<br />
операц<strong>и</strong>й в<br />
маршрутной<br />
карте<br />
Номер<br />
операц<strong>и</strong><strong>и</strong> в<br />
маршрутной<br />
карте<br />
Характерн<br />
ые<br />
пр<strong>и</strong>знак<strong>и</strong><br />
операц<strong>и</strong><strong>и</strong><br />
В<strong>и</strong>д <strong>и</strong><br />
пр<strong>и</strong>ч<strong>и</strong>на<br />
брака<br />
Эск<strong>и</strong>з<br />
тополог<strong>и</strong><strong>и</strong><br />
структуры<br />
2. Изуч<strong>и</strong>ть технолог<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>е операц<strong>и</strong><strong>и</strong> <strong>и</strong>зготовлен<strong>и</strong>я ПИМС, указав характерные пр<strong>и</strong>знак<strong>и</strong> каждой операц<strong>и</strong><strong>и</strong> на<br />
соответствующей пласт<strong>и</strong>не набора. Используя альбом контроля качества (<strong>и</strong>меется на рабочем месте), указать в<strong>и</strong>ды <strong>и</strong><br />
пр<strong>и</strong>ч<strong>и</strong>ны брака на каждой операц<strong>и</strong><strong>и</strong> <strong>и</strong>здел<strong>и</strong>я. Результаты выполнен<strong>и</strong>я пункта занест<strong>и</strong> в табл. 3.<br />
3. Измер<strong>и</strong>ть параметры окс<strong>и</strong>дных слоёв ПИМС, для чего, пользуясь данным<strong>и</strong> табл. 2, определ<strong>и</strong>ть толщ<strong>и</strong>ну слоя окс<strong>и</strong>да<br />
на всех пласт<strong>и</strong>нах, <strong>и</strong>меющ<strong>и</strong>х данный слой. По результатам выполнен<strong>и</strong>я пункта заполн<strong>и</strong>ть табл. 4.
Change language