Проектирование микросхем и микропроцессоров - Тамбовский ...
Проектирование микросхем и микропроцессоров - Тамбовский ...
Проектирование микросхем и микропроцессоров - Тамбовский ...
- TAGS
- const
- www.tstu.ru
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Табл<strong>и</strong>ца 4<br />
№ пласт<strong>и</strong>ны Цвет окс<strong>и</strong>да Толщ<strong>и</strong>на слоя окс<strong>и</strong>да, мкм<br />
4. Рассч<strong>и</strong>тать время выращ<strong>и</strong>ван<strong>и</strong>я маск<strong>и</strong>рующего окс<strong>и</strong>да на одной <strong>и</strong>з пласт<strong>и</strong>н, пользуясь формулам<strong>и</strong> (1), (2). Найт<strong>и</strong> время<br />
ок<strong>и</strong>слен<strong>и</strong>я для случаев:<br />
а) окс<strong>и</strong>д выращ<strong>и</strong>вается в сухом к<strong>и</strong>слороде;<br />
б) окс<strong>и</strong>д выращ<strong>и</strong>вается в парах воды;<br />
в) окс<strong>и</strong>д <strong>и</strong>меет трёхслойную структуру.<br />
Содержан<strong>и</strong>е отчёта<br />
1. Результаты выполнен<strong>и</strong>я работы, сведенные в табл. 3 <strong>и</strong> 4.<br />
2. Расчёты времен<strong>и</strong> выращ<strong>и</strong>ван<strong>и</strong>я окс<strong>и</strong>дной плёнк<strong>и</strong>.<br />
Контрольные вопросы<br />
1. Какова последовательность операц<strong>и</strong>й <strong>и</strong>зготовлен<strong>и</strong>я ПИМС<br />
2. Изобраз<strong>и</strong>ть сечен<strong>и</strong>е ПИМС после заданной операц<strong>и</strong><strong>и</strong>.<br />
3. Каково назначен<strong>и</strong>е скрытого слоя, верт<strong>и</strong>кального слоя, раздел<strong>и</strong>тельной д<strong>и</strong>ффуз<strong>и</strong><strong>и</strong>, друг<strong>и</strong>х областей ПИМС<br />
4. Для чего нужен эп<strong>и</strong>такс<strong>и</strong>альный слой Почему область коллектора не форм<strong>и</strong>руют, как <strong>и</strong> друг<strong>и</strong>е област<strong>и</strong>, д<strong>и</strong>ффуз<strong>и</strong>ей, а<br />
наращ<strong>и</strong>вают с помощью эп<strong>и</strong>такс<strong>и</strong><strong>и</strong><br />
5. Расскаж<strong>и</strong>те о фотошаблонах, <strong>и</strong>х назначен<strong>и</strong><strong>и</strong>, особенностях, технолог<strong>и</strong><strong>и</strong> <strong>и</strong>зготовлен<strong>и</strong>я.<br />
6. Охарактер<strong>и</strong>зуйте отдельные операц<strong>и</strong><strong>и</strong> технолог<strong>и</strong>ческого процесса ПИМС: фотол<strong>и</strong>тограф<strong>и</strong>ю, ок<strong>и</strong>слен<strong>и</strong>е, д<strong>и</strong>ффуз<strong>и</strong>ю <strong>и</strong><br />
др.<br />
7. Какое оборудован<strong>и</strong>е <strong>и</strong> матер<strong>и</strong>алы пр<strong>и</strong>меняются на отдельных технолог<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>х операц<strong>и</strong>ях<br />
8. С какой целью провод<strong>и</strong>тся форм<strong>и</strong>рован<strong>и</strong>е маск<strong>и</strong>рующего окс<strong>и</strong>да <strong>и</strong>з двух <strong>и</strong>л<strong>и</strong> трёх слоев<br />
9. С какой целью провод<strong>и</strong>тся двухстад<strong>и</strong>йная д<strong>и</strong>ффуз<strong>и</strong>я<br />
10. Охарактер<strong>и</strong>зуйте методы контроля параметров слоёв.<br />
11. Как<strong>и</strong>е в<strong>и</strong>ды технолог<strong>и</strong>ческого брака Вам <strong>и</strong>звестны <strong>и</strong> как<strong>и</strong>м<strong>и</strong> пр<strong>и</strong>ч<strong>и</strong>нам<strong>и</strong> он<strong>и</strong> вызваны<br />
12. Из как<strong>и</strong>х соображен<strong>и</strong>й выб<strong>и</strong>раются толщ<strong>и</strong>на <strong>и</strong> удельное сопрот<strong>и</strong>влен<strong>и</strong>е подложк<strong>и</strong> <strong>и</strong> эп<strong>и</strong>такс<strong>и</strong>ального слоя<br />
13. Для чего область эм<strong>и</strong>ттера делается с высокой степенью лег<strong>и</strong>рован<strong>и</strong>я (n+)<br />
14. Зачем пр<strong>и</strong> создан<strong>и</strong><strong>и</strong> n-областей с металл<strong>и</strong>ческой разводкой зону контакта дополн<strong>и</strong>тельно лег<strong>и</strong>руют<br />
15. На какой операц<strong>и</strong><strong>и</strong> форм<strong>и</strong>руются рез<strong>и</strong>сторы ПИМС<br />
16. Для чего металл<strong>и</strong>зац<strong>и</strong>я делается многослойной<br />
Сп<strong>и</strong>сок рекомендуемой л<strong>и</strong>тературы<br />
1. Еф<strong>и</strong>мов, И.Б. М<strong>и</strong>кроэлектрон<strong>и</strong>ка. Ф<strong>и</strong>з<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>е <strong>и</strong> технолог<strong>и</strong>ческ<strong>и</strong>е основы, надёжность / И.Б Еф<strong>и</strong>мов, И.Я. Козырь,<br />
Ю.И. Горбунов. – М. : Высшая школа, 1986. – С. 202 – 207, 217 – 221, 241 – 244, 250 – 254, 292 – 296.
Change language