一般講演プログラム 第一日（12 月 1 日） A 会場 薄膜 ... - 応用物理学会

第 二 日 (12 月 2 日 ) F 会 場結 晶 工 学 (09:00-10:24) 座 長 鈴 木 芳 文 ( 九 工 大 工 )△2Fa-1 ZnCdTeO を 用 いた 中 間 バンド 型 太 陽 電 池 の 作 製 と 評 価佐 大 理 工 1 , JST さきがけ 2 ○ 長 尾 康 弘 1 , 田 中 徹 1,2 , 斉 藤 勝 彦 1 , 郭 其 新 1 , 西 尾 光 弘1△2Fa-2 AlN 溶 液 成 長 に 向 けた AlN(0001) 基 板 前 処 理 - 水 素 ガスエッチング 条 件 の 最 適 化 -九 大 院 工 1 , 九 大 応 力 研 2 , JFE ミネラル 3 ○ 末 次 弘 茂 1 , 梶 原 隆 司 1 , 寒 川 義 裕 1,2 , 永 田 俊 郎 3 ,田 中 悟 1, 柿 本 浩 一1,22Fa-32Fa-42Fa-52Fa-6MOVPE 法 により 成 長 された P ドープ Zn 1-x Mg x Te エピ 膜 の 電 気 的 性 質 及 びフォトルミネッセンス 特 性 に 及ぼすアニール 処 理 効 果佐 大 理 工 ○ 藤 木 良 太 , 伊 藤 綾 祐 , 田 中 健 人 , 斉 藤 勝 彦 , 田 中 徹 , 郭 其 新 , 西 尾 光 弘有 機 金 属 気 相 エピタキシャル 法 で 成 長 された ZnTe 膜 の 燐 ドーピングに 及 ぼす 原 料 供 給 量 の 影 響佐 大 理 工 ○ 田 中 健 人 , 藤 木 良 太 , 齋 藤 勝 彦 , 田 中 徹 , 郭 其 新 , 西 尾 光 弘MOVPE 法 で 作 製 された ZnTe 薄 膜 の 表 面 形 態 とフォトルミネッセンス 特 性佐 大 理 工 ○ 伊 藤 綾 祐 , 藤 木 良 太 , 斉 藤 勝 彦 , 田 中 徹 , 郭 其 新 , 西 尾 光 弘Al 電 極 の 透 明 化 により 作 製 された ZnTe 緑 色 LED の 特 性佐 大 理 工 ○ 山 下 純 司 , 丸 山 祐 一 , 斉 藤 勝 彦 , 田 中 徹 , 郭 其 新 , 西 尾 光 弘結 晶 工 学 (10:36-12:00) 座 長 大 久 保 利 一 ( 大 分 大 工 )2Fa-72Fa-82Fa-9ZnTe 緑 色 LED の 為 の Al 電 極 のエッチング佐 大 理 工 ○ 丸 山 祐 一 , 山 下 純 司 , 斉 藤 勝 彦 , 田 中 徹 , 郭 其 新 , 西 尾 光 弘分 子 線 エピタキシー 法 により ZnTe 基 板 上 に 成 長 させた n 型 ZnS 薄 膜 の 作 製 と 評 価佐 大 理 工 1 , JST さきがけ 2 ○ 宮 原 雅 宜 1 , 田 中 徹 1,2 , 斉 藤 勝 彦 1 , 郭 其 新 1 , 西 尾 光 弘1MOVPE 法 による(111)GaAs 基 板 上 への ZnTe 薄 膜 成 長 及 び 特 性 評 価佐 大 理 工 ○ 出 木 場 透 , 平 野 博 之 , 田 中 徹 , 斉 藤 勝 彦 , 西 尾 光 弘 , 郭 其 新2Fa-10 原 料 供 給 シーケンスが 原 子 層 エピタキシー 法 による GaAsN 薄 膜 成 長 に 与 える 影 響宮 崎 大 工 ○ 芳 賀 章 博 , 貞 任 萌 , 原 口 智 宏 , 鈴 木 秀 俊 , 福 山 敦 彦 , 尾 関 雅 志 , 碇 哲 雄2Fa-11 Si 表 面 への In 照 射 による GaAs/Si(111) 中 の 回 転 双 晶 軽 減宮 崎 大 工 ○ 伊 東 大 樹 , 太 刀 掛 弘 晃 , 鈴 木 秀 俊 , 福 山 敦 彦 , 碇 哲 雄2Fa-12 原 料 ガス 断 続 供 給 による GaAs および GaAsN のナノワイヤの 作 製宮 崎 大 工 ○ 肘 井 優 伸 , 前 田 幸 治 , 境 健 太 郎 , 原 口 智 宏 , 山 内 俊 浩 , 鈴 木 秀 俊 , 碇 哲 雄結 晶 工 学 ・ビーム 応 用 (13:00-14:24) 座 長 鈴 木 芳 文 ( 九 工 大 工 )2Fp-12Fp-22Fp-32Fp-42Fp-52Fp-6RF スパッタリング 法 による Si 基 板 上 の InGaN 薄 膜 成 長 に 関 する 研 究佐 大 理 工 ○ 中 尾 友 也 , 斉 藤 勝 彦 , 田 中 徹 , 西 尾 光 弘 , 郭 其 新エキシマレーザーを 用 いた P のレーザー 化 学 ドーピングによる 4H-SiC への 低 抵 抗 層 の 形 成九 大 シ 情 ○ 西 紘 史 , 池 田 晃 裕 , 池 上 浩 , 浅 野 種 正PCS 法 により 作 製 した C12A7 エレクトライド 材 料 の 微 細 構 造 に 関 する 研 究久 留 米 高 専 ○ 原 賢 治 , 有 司 , 川 上 雄 士 , 周 致 霆 , 奥 山 哲 也Ga ドープした ZnO ナノ 粒 子 の 微 細 構 造 に 関 する 研 究久 留 米 高 専 1 , 豊 橋 技 科 大2 ○ 尾 方 将 剛 1 , 有 司 1 , 松 山 清 1 , 奥 山 哲 也 1 , 武 藤 浩 行2PLD 法 によりα-Al 2 O 3 基 板 上 に 作 成 した Ga 2 O 3 薄 膜 の 評 価佐 大 理 工 ○ 若 松 剛 次 , 木 稲 貴 治 , 斉 藤 勝 彦 , 田 中 徹 , 西 尾 光 弘 , 郭 其 新屈 折 イメージングの 計 算 DFI 空 間 分 解 能 評 価 のための九 工 大 工 1 , 九 州 大 学 シンクロトロン 光 利 用 研 究 センター2, 東 京 理 科 大 学3 ○ 岡 村 賢 一 1 , 金 歌 1 ,鈴 木 芳 文 1 , 近 浦 吉 則 2 , 安 藤 正 海3- 11 -