Überspannungsschutz - 3-K-Elektrik
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Gasgefüllte Überspannungsableiter – Definitionen, Messbedingungen<br />
Ansprechspannungen<br />
Spark-Over Voltages<br />
1000<br />
800<br />
600<br />
400<br />
200<br />
U<br />
Ansprechstossspannung<br />
Impuls spark-over voltage<br />
1000 V/ µs<br />
Dynamisches Ansprechverhalten<br />
Dynamic response<br />
100 V/ µs<br />
0 2 4 6 µs 0 2 4 s<br />
Ansprechgleichspannung<br />
DC spark-over voltage<br />
Statisches Ansprechverhalten<br />
Static Staic response<br />
100 V / s<br />
Ansprechgleichsspannung Uag Ansprechstoßspannung Uas Maximaler Einzel-Ableitstoßstrom<br />
Dieser Ansprechwert wird mit Die Ansprechstoßspannung Einzelbelastung mit einem Stroßeiner<br />
Gleichspannung langsamen beschreibt das dynamische Ver- strom der Wellenform 8/20 µs<br />
Anstiegs von du/dt = 100 V/s halten eines Ableiters. Die im Pro-<br />
(Bild 17) ermittelt. duktteil angegebenen Ansprech- Ableitwechselstrom<br />
werte beziehen sich auf eine Effektivwert eines Wechselstro-<br />
Nennansprechgleichspannung UagN Spannungsanstiegsgeschwindig- mes, für 9 Zyklen bei 50 Hz.<br />
Nomineller Wert zur Typenkenn- keit von du/dt = 100 V/µs und<br />
zeichnung eines Ableiters. Auf ihn 1 kV/µs (Bild 17).<br />
werden Beriebseigenschaften<br />
bzw. Toleranzen sowie Grenz- Nennableitstoßstrom isN<br />
und Prüfwerte bezogen. Er reprä- Nomineller Ableitstrom der Welsentiert<br />
die Einzelwerte der lenform 8/20 µs (Bild 18).<br />
Ansprechgleichspannung, die Forderung nach:<br />
durch die physikalischen Vorgän- ITU-T und DIN VDE: 10 Belastunge<br />
der Gasentladung einer statis- gen im Abstand von:<br />
tischen Verteilung unterliegen. ITU-T: kein Akkumulieren der<br />
Temperatur des Prüflings<br />
Toleranz der UagN in % DIN VDE: 1 min<br />
Diese Angabe in % wird bezogen<br />
auf die Nennansprechgleichspan- Nennableitwechselstrom IwN<br />
nungswerte unter Berücksichti- Nomineller Effektivwert eines<br />
gung der Exemplar- und der ferti- Wechselstromes, 50 Hz,<br />
gungsbedingten Kollektivstreuung Dauer 1 s<br />
liegen. Forderung nach:<br />
ITU-T: 10 Belastungen (kein<br />
Akkumulieren der Temperatur des<br />
Prüflings)<br />
DIN VDE: 5 Belastungen<br />
(Abstand 3 min)<br />
t<br />
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