Diskrete Bauteile Transistoren und Dioden 32 SOT-23 für verschiedene Anwendungen VCBE VCBO IC hFE (bei IC )PD Polarität Spannung (V) Spannung Strom (A) Min. Max. Leistung (W) Best.-Nr. Typ (V) PNP* 45 — 0,8 100 0,33 147-1190 BCW68HTA NPN 45 75 0,8 100 0,33 147-1188 BCW66HTA PNP* 80 — 0,5 50 0,33 147-1191 FMMTA56TA NPN 120 140 1 20 0,5 147-1187 FMMT494TA PNP 150 160 1 50 0,5 147-1189 FMMT555TA Typ Best.-Nr. Preis pro Stück FMMT494TA 147-1187● 0,711 BCW66HTA 147-1188● 0,662 FMMT555TA 147-1189● 0,670 BCW68HTA 147-1190● 0,662 FMMTA56TA 147-1191● 0,613 SOT-23F P D = 1.5W Erweiterte Prozessfähigkeit wurde verwendet, um die Leistung dieses Transistor zu verbessern. Die Bauform SOT23F ist mit der Anschlussfläche SOT23 gemäß Industriestandard kompatibel, bietet jedoch geringeres Profil and höhere Ableitung für Anwendungen, bei denen Leistungsdichte von erheblicher Wichtigkeit ist. VCBE Polarität Spannung (V) IC Strom (A) VCE(sat) Spannung Max.(V) hFE (bei IC ) Min. Typ PNP 60 4 0,27 30 ZXTP19060CFFTA NPN 60 5,5 0,175 30 ZXTN19060CFFTA PNP 100 2 0,95 20 ZXTP19100CFFTA NPN 100 4,5 0,235 130 ZXTN19100CFFTA PNP 400 0,2 0,9 100 ZXTP08400BFFTA NPN 400 0,5 0,95 10 ZXTN08400BFFTA Typ Best.-Nr. Preis pro Stück ZXTN08400BFFTA 147-1195● 1,16 ZXTP19100CFFTA 147-1196● 1,66 ZXTP08400BFFTA 147-1199● 1,16 ZXTP19060CFFTA 147-1201● 1,66 ZXTN19060CFFTA 147-1202● 1,66 ZXTN19100CFFTA 147-1203● 1,66 Schaltung mit geringer Sättigung PNP, SOT-23-6 P D =1.1W Die neue vierte Generation Transistoren mit ulltrageringer Sättigung verwendet die Zetex Matrixstruktur in Kombination mit erweiterter Baugruppentechnologie für extrem geringe Verlustleistung. Dadurch eignet sie sich ausgezeichnet für Schaltungsanwendungen mit hoher Effizienz und geringer Spannung. • Geringe Äquivalenz bei Widerstand • Extrem geringe Sättigungsspannung • h FE bis zu 6A SOT-23-6 VCBE IC SpannungStrom (A) VCE(sat) Leistung Max. hFE (bei IIC) Min. Best.-Nr. Typ (V) (V) 12 3 0,3 180 147-1192 ZXT10P12DE6TA 20 2,5 1,05 150 147-1194 ZXT10P20DE6TA Typ Best.-Nr. Preis pro Stück ZXT10P12DE6TA 147-1192● 1,34 ZXT10P20DE6TA 147-1194● 1,34 SOT-23 mit hoher Leistung • Hoher Spitzenstrom • Geringe Sättigungsspannung • Hohe Durchlass-Blockier- Spannung SMD Bauformen enthalten bipolare Transistoren und separate Dioden und reduzieren die Leiterplattenfläche. www.farnell.ch Schweiz: 044-204 64 64 VCBO VCBE IC hFE (bei IC)PD Polarität Spannung Spannung Strom Min. Leistung Typ (V) (V) (A) Max.(W) NPN 20 12 2 370 0,35 ZXTN25012EFLTA PNP 25 25 1,5 160 0,35 ZXTP25020DFLTA NPN 100 100 2 220 0,35 ZXTN25020DFLTA NPN 130 130 1,5 170 0,35 ZXTN25040DFLTA PNP 130 130 1,5 170 0,35 ZXTP25040DFLTA Typ Best.-Nr. Preis pro Stück Typ Best.-Nr. Preis pro Stück NPN PNP ZXTN25012EFLTA 147-1182● 0,85 ZXTP25020DFLTA 147-1185● 0,85 ZXTN25020DFLTA 147-1183● 0,85 ZXTP25040DFLTA 147-1186● 0,85 ZXTN25040DFLTA 147-1184● 0,85 Dual Komplementär Hochleistung VCEO 40V VCE (sat) max 0,5V IC 2A Wandlerpolarität NPN / PNP hFE 150 Transistor Polarität IC Strom (mA) SM-8 (8-lead SOT-223) Bipolar + Diode Gehäuse BEST-NR. Diode, IF Strom (mA) VCE(sat) max Spannung (V) Typ Best.-Nr. Nur 3,20 147-1150● Preis pro Stück Bipolar + Diode (UMT-5) PNP 150 100 0.5 UML1NTR 152-5595● 0,39 Bipolar + Diode Geringe Spannung VCE(sat) (UMT-5) NPN 150 100 0.25 UML2NTR 152-5596● 0,39 PNP 500 200 0.25 UML4NTR 152-5597● 0,53 NPN 500 200 0.25 UML6NTR 152-5598● 0,53 Bipolar + Diode Geringe Spannung VCE(sat) (EMT-5) PNP (R1=47k, R2=47k) 500 200 — EML17T2R 152-5455● 0,38 NPN (R1=2.2k, R2=46k) 500 200 — EML20T2R 152-5456● 0,36 Hybrid Gehäuse Für Leistungsmanagement Erweiterte Prozessfähigkeit wurde verwendet für höhere Stromleistung; dadurch eignet sich dieses Bauelement ausgezeichnet für Anwendungen, die hohen Impulsstrom erfordern. • Leistungsschaltkreis in einem Gehäuse • Geringere Montagekosten und Montagefläche Widerstand R1,R2 ID IC Preis pro Typ Anschlüsse typ, (Ω) Strom (mA) Strom (mA) Best.-Nr. Stück N-Kanal MOSFET + PNP-RET Bipolar (EMT-6) EMF32T2R B 4.7k, N/A 100 100 152-5448● 0,47 EMF33T2R B + BE 1k,100 100 500 152-5449● 0,49 N-Kanal MOSFET + PNP Bipolar (EMT-6) EMF6T2R Kein Widerstand N/A 100 500 152-5452● 0,76 EMF9T2R Kein Widerstand N/A 100 500 152-5454● 0,81 NPN-RET + PNP (EMT-6) EMF5T2R B + BE 47k, 47k N/A 500(PNP), 100(NPN 152-5450● 0,56 EMF8T2R B + BE 47k, 47k N/A 500(PNP), 100(NPN 152-5453● 0,56 Dual NPN (SMT-6) IMX1T110 Kein Widerstand Dual PNP (UMT-6) N/A N/A 150 152-5457● 0,52 UMT1NTN Kein Widerstand N/A N/A 150 152-5599● 0,22
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