Zur korrekten Verwendung von Platin in RFA-Labors 5 ...
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Zerstörung dieses Tiegels war e<strong>in</strong> Aufreißen, wie Bild 5c, unten l<strong>in</strong>ks, zeigt. Es waren auch<br />
Risse festzustellen, die <strong>von</strong> der Innenseite des Tiegels ausg<strong>in</strong>gen und deutliche Spuren <strong>von</strong><br />
Kohlenstoffverunre<strong>in</strong>igungen zeigten (Bild 5d, unten rechts). Es sche<strong>in</strong>t, dass Kohlenstoff durch<br />
die Dissoziation <strong>von</strong> SiC an der äußeren Oberfläche freigesetzt wurde und dann durch die<br />
gesamte Dicke des Bodens entlang der Korngrenzen <strong>in</strong> die PtAu5-Legierung diffundierte. Es<br />
konnte nicht festgestellt werden, ob die Zerstörung durch die Anwesenheit <strong>von</strong> Kohlenstoff<br />
selbst an den Korngrenzen verursacht wurde oder durch Reduktion <strong>von</strong> „<strong>Plat<strong>in</strong></strong>-Giften“ <strong>in</strong> der<br />
Probe.<br />
Bild 5<br />
Risse <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em PtAu5-Tiegel (SiC-Verunre<strong>in</strong>igungen an äußerer Oberfläche).<br />
Bild 6 zeigt e<strong>in</strong>en außergewöhnlich dramatischen Fall <strong>von</strong> lokaler Aufschmelzung, der durch<br />
SiC während des Probenaufschlusses <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em Zementwerk verursacht wurde. In diesem Fall<br />
wurde der Tiegel <strong>in</strong> e<strong>in</strong>er Induktionsspule erwärmt. Spuren <strong>von</strong> SiC waren am Rand des Tiegels<br />
vorhanden. Als dieser Teil des Tiegels dem Schmelzpunkt des Pt-Pt 3 Si-Eutektikums ausgesetzt<br />
war (830°C), begann das <strong>Plat<strong>in</strong></strong> zu schmelzen. E<strong>in</strong> großer Tropfen des geschmolzenen Pt-Si-<br />
Eutektikums, der noch Partikel <strong>von</strong> unreagiertem SiC enthielt, lief an der Innenseite des Tiegels<br />
herunter und setzte das Aufschmelzen des <strong>Plat<strong>in</strong></strong>s während des Abs<strong>in</strong>kens fort. Als der<br />
geschmolzene Tropfen die Oberfläche des Aufschlusses erreichte, lief er etwas ause<strong>in</strong>ander<br />
und das SiC griff e<strong>in</strong>en größeren Bereich der <strong>in</strong>neren Oberfläche des Tiegels an (Bild 6, rechts).<br />
Dennoch war der Silizium-Gehalt des <strong>Plat<strong>in</strong></strong>s ausreichend, um den Schmelzprozess<br />
fortzusetzen, bis der Boden des Tiegels erreicht war. Die metallographische Untersuchung des<br />
Bodens zeigte SiC-Partikel im wiedererstarrten <strong>Plat<strong>in</strong></strong>.<br />
<strong>Zur</strong> <strong>korrekten</strong> <strong>Verwendung</strong> <strong>von</strong> <strong>Plat<strong>in</strong></strong> <strong>in</strong> <strong>RFA</strong>-<strong>Labors</strong> 6