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Zur korrekten Verwendung von Platin in RFA-Labors 5 ...

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Zerstörung dieses Tiegels war e<strong>in</strong> Aufreißen, wie Bild 5c, unten l<strong>in</strong>ks, zeigt. Es waren auch<br />

Risse festzustellen, die <strong>von</strong> der Innenseite des Tiegels ausg<strong>in</strong>gen und deutliche Spuren <strong>von</strong><br />

Kohlenstoffverunre<strong>in</strong>igungen zeigten (Bild 5d, unten rechts). Es sche<strong>in</strong>t, dass Kohlenstoff durch<br />

die Dissoziation <strong>von</strong> SiC an der äußeren Oberfläche freigesetzt wurde und dann durch die<br />

gesamte Dicke des Bodens entlang der Korngrenzen <strong>in</strong> die PtAu5-Legierung diffundierte. Es<br />

konnte nicht festgestellt werden, ob die Zerstörung durch die Anwesenheit <strong>von</strong> Kohlenstoff<br />

selbst an den Korngrenzen verursacht wurde oder durch Reduktion <strong>von</strong> „<strong>Plat<strong>in</strong></strong>-Giften“ <strong>in</strong> der<br />

Probe.<br />

Bild 5<br />

Risse <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em PtAu5-Tiegel (SiC-Verunre<strong>in</strong>igungen an äußerer Oberfläche).<br />

Bild 6 zeigt e<strong>in</strong>en außergewöhnlich dramatischen Fall <strong>von</strong> lokaler Aufschmelzung, der durch<br />

SiC während des Probenaufschlusses <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em Zementwerk verursacht wurde. In diesem Fall<br />

wurde der Tiegel <strong>in</strong> e<strong>in</strong>er Induktionsspule erwärmt. Spuren <strong>von</strong> SiC waren am Rand des Tiegels<br />

vorhanden. Als dieser Teil des Tiegels dem Schmelzpunkt des Pt-Pt 3 Si-Eutektikums ausgesetzt<br />

war (830°C), begann das <strong>Plat<strong>in</strong></strong> zu schmelzen. E<strong>in</strong> großer Tropfen des geschmolzenen Pt-Si-<br />

Eutektikums, der noch Partikel <strong>von</strong> unreagiertem SiC enthielt, lief an der Innenseite des Tiegels<br />

herunter und setzte das Aufschmelzen des <strong>Plat<strong>in</strong></strong>s während des Abs<strong>in</strong>kens fort. Als der<br />

geschmolzene Tropfen die Oberfläche des Aufschlusses erreichte, lief er etwas ause<strong>in</strong>ander<br />

und das SiC griff e<strong>in</strong>en größeren Bereich der <strong>in</strong>neren Oberfläche des Tiegels an (Bild 6, rechts).<br />

Dennoch war der Silizium-Gehalt des <strong>Plat<strong>in</strong></strong>s ausreichend, um den Schmelzprozess<br />

fortzusetzen, bis der Boden des Tiegels erreicht war. Die metallographische Untersuchung des<br />

Bodens zeigte SiC-Partikel im wiedererstarrten <strong>Plat<strong>in</strong></strong>.<br />

<strong>Zur</strong> <strong>korrekten</strong> <strong>Verwendung</strong> <strong>von</strong> <strong>Plat<strong>in</strong></strong> <strong>in</strong> <strong>RFA</strong>-<strong>Labors</strong> 6

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