Kurs- und Modulkatalog - LNQE - Leibniz Universität Hannover
Kurs- und Modulkatalog - LNQE - Leibniz Universität Hannover
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<strong>Kurs</strong>- <strong>und</strong> <strong>Modulkatalog</strong><br />
für den<br />
Bachelor- <strong>und</strong> Masterstudiengang<br />
Nanotechnologie<br />
der Fakultäten für<br />
Elektrotechnik <strong>und</strong> Informatik<br />
Maschinenbau<br />
Mathematik <strong>und</strong> Physik<br />
<strong>und</strong> der<br />
Naturwissenschaftlichen Fakultät<br />
der<br />
<strong>Leibniz</strong> <strong>Universität</strong> <strong>Hannover</strong><br />
- Prüfungsordnung 2012 -
Impressum<br />
Herausgeber<br />
Fakultät für Mathematik <strong>und</strong> Physik der Gottfried Wilhelm <strong>Leibniz</strong> <strong>Universität</strong> <strong>Hannover</strong><br />
Prof. Dr. Luis Santos<br />
Bearbeitet von: Dr. A. Rull<br />
Adresse: Schneiderberg 39, D-30167 <strong>Hannover</strong><br />
Telefon: +49 (0)511 / 762 - 16019<br />
Fax: +49 (0)511 / 762 - 16099<br />
E-Mail: rull@lnqe.uni-hannover.de<br />
Online unter:<br />
http://www.lnqe.uni-hannover.de/study_nano_master_modulkatalog.html
11.10.2012 Teil A:Bachelorstudium<br />
Inhaltsverzeichnis<br />
Einleitung .................................................................................................................. 1<br />
Teil A: Bachelorstudium ............................................................................................ 2<br />
Allgemeines ........................................................................................................... 2<br />
Gr<strong>und</strong>lagenstudium (109 LP) ................................................................................ 2<br />
Vertiefungsstudium (42 LP) ................................................................................... 4<br />
Fachpraktikum (12 Wochen, 15 LP) ...................................................................... 5<br />
Fachexkursionen (4 Tage, 2 LP) ........................................................................... 5<br />
Bachelorarbeit (360 St<strong>und</strong>en, 12 LP) .................................................................... 5<br />
Beispielstudienpläne Gr<strong>und</strong>studium 92 LP ............................................................ 6<br />
Beispielstudienpläne Vertiefungsstudium Bachelor (88 LP) .................................. 7<br />
Teil B: Masterstudium ............................................................................................... 9<br />
Allgemeines ........................................................................................................... 9<br />
Gr<strong>und</strong>lagenkurse ................................................................................................... 9<br />
Wahlkompetenzfelder (48 LP) ............................................................................... 9<br />
Wahlkurse (12 LP) .............................................................................................. 10<br />
Labore (360 St<strong>und</strong>en, 12 LP) .............................................................................. 10<br />
Fachexkursionen (2 Tage, 1 LP) ......................................................................... 10<br />
Masterarbeit (6 Monate, 30 LP) ........................................................................... 10<br />
Pflicht-Kompetenzfeld: Methoden der Nanotechnologie (mind. 17 LP) ................... 11<br />
Wahl-Kompetenzfeld 1: Chemie* (mind. 16 LP) ..................................................... 12<br />
Wahl-Kompetenzfeld 2: Chemie der Nanowerkstoffe* (mind. 16 LP) ..................... 13<br />
Wahl-Kompetenzfeld 3: Lasertechnik/Photonik (mind. 16 LP) ................................ 14<br />
Wahl-Kompetenzfeld 4: Materialphysik (mind. 16 LP) ............................................ 15<br />
Wahl-Kompetenzfeld 5: Mikro- <strong>und</strong> Nanoelektronik (mind. 16 LP) ......................... 16<br />
Wahl-Kompetenzfeld 6: Mikroproduktionstechnik (mind. 16 LP) ............................. 17<br />
Wahl-Kompetenzfeld 7: Nano- <strong>und</strong> Mikroprozesstechnik (mind. 16LP) .................. 18<br />
Wahl-Kompetenzfeld 8: Biomedizintechnik (mind. 16 LP) ...................................... 19<br />
Laborpraktika .......................................................................................................... 20<br />
Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen .......................................................... 21
11.10.2012 Einleitung<br />
Einleitung<br />
Liebe Studentinnen <strong>und</strong> Studenten,<br />
vor Ihnen liegt der <strong>Kurs</strong>- <strong>und</strong> <strong>Modulkatalog</strong> für die Studiengänge<br />
Bachelor of Science <strong>und</strong> Master of Science Nanotechnologie.<br />
Dieser Studiengang ist von den Fakultäten für Maschinenbau,<br />
Elektrotechnik <strong>und</strong> Informatik, Mathematik <strong>und</strong> Physik <strong>und</strong> von der<br />
Naturwissenschaftlichen Fakultät in Zusammenarbeit mit dem<br />
Laboratorium für Nano- <strong>und</strong> Quantenengineering (<strong>LNQE</strong>)<br />
eingerichtet, um den Bereich der Nanotechnologie in Forschung<br />
<strong>und</strong> Lehre am Standort <strong>Hannover</strong> zu stärken <strong>und</strong> weiter<br />
auszubauen.<br />
Durch die Verknüpfung der Disziplinen Chemie, Elektrotechnik<br />
<strong>und</strong> Informatik, Maschinenbau, Mathematik <strong>und</strong> Physik qualifiziert<br />
Sie dieser Studiengang besonders im hochinterdisziplinären<br />
Fachgebiet der Nanotechnologie <strong>und</strong> bereitet Sie auf eine<br />
Tätigkeit im Umfeld der Schlüsseltechnologie „Nanotechnologie“<br />
des 21. Jahrh<strong>und</strong>erts vor.<br />
Bei Bedarf unterstützt Sie Frau Dr. Rull, Studiengangskoordinatorin<br />
für Nanotechnologie, bei der Planung <strong>und</strong> Organisation<br />
Ihres Studiums oder beantwortet Ihre Fragen zum Studium.<br />
Darüber hinaus finden Sie Unterstützung zu Studienfragen bei<br />
erfahrenen Studentinnen <strong>und</strong> Studenten oder den<br />
wissenschaftlichen Mitarbeiterinnen <strong>und</strong> Mitarbeitern in den<br />
Instituten. Scheuen Sie sich nicht, diese Möglichkeiten in<br />
Anspruch zu nehmen.<br />
Viel Erfolg in ihrem Studium wünscht<br />
Prof. Luis Santos<br />
Studiendekan der Fakultät für Mathematik <strong>und</strong> Physik<br />
Seite 1
11.10.2012 Teil A:Bachelorstudium<br />
Teil A: Bachelorstudium<br />
Bitte beachten Sie, dass alle Angaben sich auf die neue Prüfungsordnung 2012<br />
beziehen. Für Studierende, die vor SoSe 2012 das Studium begonnen haben, gilt<br />
die Prüfungsordnung 2010.<br />
Allgemeines<br />
Die Regelstudienzeit des Bachelorstudiengangs „Nanotechnologie“ beträgt sechs<br />
Semester. Die Ausbildung setzt sich zum einen aus Vorlesungen <strong>und</strong> Übungen<br />
zusammen. Darin werden Gr<strong>und</strong>lagen <strong>und</strong> vertiefende Kenntnisse aus<br />
verschiedenen Studienschwerpunkten gelehrt. Zum anderen erfolgt die<br />
praktische Ausbildung durch eine Studienarbeit, durch 12 Wochen<br />
berufspraktische Tätigkeiten <strong>und</strong> Fachexkursionen sowie die Bachelorarbeit als<br />
Abschlussarbeit. Insgesamt sind 180 Leistungspunkte (LP) zu erreichen, welche<br />
sich wie folgt auf die einzelnen Leistungen aufteilen:<br />
Gr<strong>und</strong>lagenkurse 109 LP<br />
Vertiefungsstudium 42 LP<br />
Bachelorarbeit (360 St<strong>und</strong>en) 12 LP<br />
Fachpraktikum (12 Wochen) 15 LP<br />
Fachexkursionen (4 Tage) 2 LP<br />
Gr<strong>und</strong>lagenstudium (109 LP)<br />
Im Gr<strong>und</strong>lagenstudium werden hauptsächlich in den ersten drei Semestern<br />
technische, mathematische <strong>und</strong> naturwissenschaftliche Kenntnisse vermittelt.<br />
Kompetenzfeld: Allgemein (4 LP)<br />
Einführung in die Nanotechnologie<br />
Kompetenzfeld: Chemie (16 LP)<br />
Einführung in die Allgemeine <strong>und</strong><br />
Anorganische Chemie<br />
Seite 2<br />
Caro, Osten,<br />
Rissing, Pfnür<br />
Binnewies,<br />
Renz<br />
WS 4 LP<br />
WS 10 LP<br />
Physikalische Chemie I Imbihl, Caro SS 6 LP
11.10.2012 Teil A: Bachelorstudium<br />
Kompetenzfeld: Elektrotechnik <strong>und</strong> Informatik (21 LP)<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Elektrotechnik I<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Elektrotechnik II<br />
Zimmermann/<br />
Garbe<br />
Zimmermann/<br />
Garbe<br />
Gr<strong>und</strong>praktikum Elektrotechnik Dierker<br />
WS 6 LP<br />
SS 8 LP<br />
SS<br />
<strong>und</strong><br />
WS<br />
4 LP<br />
Informationstechnisches Praktikum Niemann WS 3 LP<br />
Kompetenzfeld: Maschinenbau (16 LP)<br />
Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnologie Rissing WS 4 LP<br />
Technische Mechanik f. Maschinenbau I<br />
Technische Mechanik f. Maschinenbau II<br />
Kompetenzfeld: Mathematik (26 LP)<br />
Wallaschek/<br />
Wriggers<br />
Wallaschek/<br />
Wriggers<br />
WS 6 LP<br />
SS 6 LP<br />
Mathematik für Ingenieure I Frühbis-Krüger/ WS 9 LP<br />
Mathematik für Ingenieure II<br />
Lehrende der<br />
Mathematik SS 9 LP<br />
Mathematik für Ingenieure III<br />
WS 4 LP<br />
Attia<br />
Mathematik für Ingenieure IV SS 4 LP<br />
Kompetenzfeld: Physik (26 LP)<br />
Physik I – Mechanik <strong>und</strong> Relativität<br />
WS 6 LP<br />
Physik II - Elektrizität Lehrende der SS 8 LP<br />
Physik III - Optik, Atomphysik,<br />
Quantenphänomene<br />
Physik<br />
WS 8 LP<br />
Gr<strong>und</strong>praktikum Physik Scholz SS<br />
4 L<br />
P<br />
Seite 3
11.10.2012 Teil A:Bachelorstudium<br />
Vertiefungsstudium (42 LP)<br />
Im Vertiefungsstudium erfolgt eine fachliche Spezialisierung der erlernten<br />
Gr<strong>und</strong>lagen in zwei von den Kompetenzfeldern Chemie, Elektrotechnik <strong>und</strong><br />
Informatik, Maschinenbau <strong>und</strong> Physik, d.h. die Studierenden wählen zwei<br />
Kompetenzfelder nach ihren Wünschen aus <strong>und</strong> gestalten so ihren St<strong>und</strong>enplan.<br />
Es muss ein ingenieurwissenschaftliches (Elektrotechnik oder Maschinenbau) <strong>und</strong><br />
ein naturwissenschaftliches (Chemie oder Physik) Kompetenzfeld gewählt<br />
werden. Zusätzlich erfolgt eine weitere Spezialisierung durch die Belegung eines<br />
Wahl-Kompetenzfeldes aus dem Masterprogramm. Das Vertiefungsstudium<br />
beinhaltet darüber hinaus das Fachpraktikum, Fachexkursionen <strong>und</strong> die<br />
Bachelorarbeit im 6. Semester.<br />
Kompetenzfeld: Chemie (16LP)<br />
Instrumentelle Methoden 1 Behrens WS 6 LP<br />
Anorganische Chemie 1<br />
Technische Chemie 1<br />
Kompetenzfeld: Elektrotechnik <strong>und</strong> Informatik (16LP)<br />
Seite 4<br />
Behrens,<br />
Schneider<br />
Bellgardt /<br />
Scheper<br />
SS 6 LP<br />
SS 4 LP<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Materialwissenschaften Osten SS 4 LP<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Messtechnik – Messtechnik I Reithmeier SS 4 LP<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Halbleiterbauelemente Osten WS 4 LP<br />
Sensorik <strong>und</strong> Nanosensoren Zimmermann WS 4 LP<br />
Kompetenzfeld: Maschinenbau (16 LP)<br />
Entwicklungs- <strong>und</strong> Konstruktionsmethodik Lachmayer WS 4 LP<br />
Mikro- <strong>und</strong> Nanosysteme Rissing SS 4 LP<br />
Werkstoffk<strong>und</strong>e Bach<br />
Kompetenzfeld: Physik (16 LP)<br />
WS<br />
<strong>und</strong><br />
SS<br />
8 LP<br />
Einführung in die Festkörperphysik Pfnür WS 8 LP<br />
Elektronik <strong>und</strong> Messtechnik Block<br />
WS<br />
<strong>und</strong><br />
SS<br />
8 LP
11.10.2012 Teil A: Bachelorstudium<br />
Spezialisierung (10 LP)<br />
Im Modul Spezialisierung kann entweder der Bachelorpfad oder der Masterpfad<br />
belegt werden.<br />
Bachelorpfad:<br />
Gewerblicher Rechtsschutz Metzger SS 4 LP<br />
Qualitätsmanagement Denkena SS 4 LP<br />
Technisches Englisch Traynor SS 2 LP<br />
Alternativ: Veranstaltungen des Bachelorpfads können durch Veranstaltungen<br />
aus dem Angebot „Starting Business“ ersetzt werden, sofern diese mit<br />
Leistungspunkten versehen sind.<br />
Masterpfad: Belegung eines Wahl-Kompetenzfeldes aus dem Masterstudium im<br />
Umfang von mindestens 10 LP (siehe Teil B). Dabei muss mindestens eine<br />
Pflichtveranstaltung belegt werden.<br />
Fachpraktikum (12 Wochen, 15 LP)<br />
Um eine praxisnahe Ausbildung im Fach Nanotechnologie zu bieten, wird im<br />
Gr<strong>und</strong>lagenstudium eine berufspraktische Tätigkeit gefordert. Dieses Praktikum<br />
wird in Industriebetrieben durchgeführt <strong>und</strong> vermittelt den Studierenden so den<br />
Zusammenhang zwischen der universitären Ausbildung <strong>und</strong> der praktischen<br />
Tätigkeit.<br />
Fachexkursionen (4 Tage, 2 LP)<br />
Fachexkursionen zu Firmen oder Forschungseinrichtungen in einem Umfang von<br />
vier Tagen.<br />
Bachelorarbeit (360 St<strong>und</strong>en, 12 LP)<br />
Den Abschluss des Studiums bildet die Bachelorarbeit. Dabei beträgt die<br />
Bearbeitungszeit 360 St<strong>und</strong>en, also ca. 9 Wochen Vollzeit. Die Arbeit kann<br />
allerdings studienbegleitend geschrieben werden, daher ist der<br />
Bearbeitungszeitraum als sechs Monate festgelegt worden. Zusätzlich zu der<br />
schriftlichen Ausarbeitung gehört zu der Bachelorarbeit auch ein Vortrag, der zu<br />
einem Drittel in die Note einfließt.<br />
Seite 5
11.10.2012 Teil A:Bachelorstudium<br />
Beispielstudienpläne Gr<strong>und</strong>studium 92 LP<br />
Einführung in die<br />
Nanotechnologie<br />
Einf. Allgemeine <strong>und</strong><br />
Anorganische Chemie<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der<br />
Elektrotechnik I<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der<br />
Elektrotechnik II<br />
Gr<strong>und</strong>praktikum<br />
Elektrotechnik<br />
Mikro- <strong>und</strong><br />
Nanotechnologie<br />
Technische Mechanik I<br />
<strong>und</strong> II<br />
Mathematik für<br />
Ingenieure I, II, III<br />
Seite 6<br />
1. Semester<br />
SWS<br />
Allgemein (4 LP)<br />
4 LP<br />
2. Semester<br />
SWS<br />
Kompetenzfeld: Chemie (10 LP)<br />
Kompetenzfeld: Elektrotechnik <strong>und</strong> Informatik (18 LP)<br />
6 LP<br />
8 LP<br />
Kompetenzfeld: Maschinenbau (16LP)<br />
6 LP 6 LP<br />
Kompetenzfeld: Mathematik (22 LP)<br />
3. Semester<br />
SWS<br />
10 LP<br />
2 LP 2 LP<br />
4 LP<br />
9 LP 9 LP 4 LP<br />
Kompetenzfeld: Physik (22LP)<br />
Physik I, II <strong>und</strong> III 6 LP 8 LP 8 LP<br />
Summe<br />
31 LP 33 LP 28 LP
11.10.2012 Teil A: Bachelorstudium<br />
Beispielstudienpläne Vertiefungsstudium Bachelor (88 LP)<br />
Vorschlag 1: Vertiefung Elektrotechnik <strong>und</strong> Physik<br />
4. Semester<br />
SWS<br />
Pflichtfächer (19 LP)<br />
Physikalische Chemie I 6 LP<br />
Informationstechnisches<br />
Praktikum<br />
Mathematik für Ingenieure IV 4 LP<br />
Gr<strong>und</strong>praktikum Physik 4 LP<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der<br />
Materialwissenschaften<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der<br />
Messtechnik - Messtechnik I<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der<br />
Halbleiterbauelemente<br />
5. Semester<br />
SWS<br />
3 LP<br />
Kompetenzfeld: Elektrotechnik (16 LP)<br />
4 LP<br />
4 LP<br />
4 LP<br />
Sensorik <strong>und</strong> Nanosensoren 4 LP<br />
Kompetenzfeld: Physik (16 LP)<br />
Einf. in die Festkörperphysik 8 LP<br />
Elektronik <strong>und</strong> Messtechnik 2LP 6LP<br />
Wahl-Kompetenzfeld Spezialisierung (10 LP): Bachelorpfad<br />
Gewerblicher Rechtsschutz 3 LP<br />
6. Semester<br />
SWS<br />
Qualitätsmanagement 4 LP<br />
Technisches Englisch 3 LP<br />
Weitere Leistungen (29 LP)<br />
Bachelorarbeit 12 LP<br />
Fachexkursionen 2 LP<br />
Betriebspraktikum 15 LP<br />
Summe 30 LP 27 LP 31 LP<br />
Seite 7
11.10.2012 Teil A:Bachelorstudium<br />
Vorschlag 2: Vertiefung Maschinenbau <strong>und</strong> Chemie<br />
Seite 8<br />
4.<br />
Semester<br />
SWS<br />
Pflichtfächer (19 LP)<br />
Physikalische Chemie I 6 LP<br />
Informationstechnisches<br />
Praktikum<br />
Mathematik für Ingenieure IV 4 LP<br />
Gr<strong>und</strong>praktikum Physik 4 LP<br />
Kompetenzfeld: Chemie (16 LP)<br />
5.<br />
Semester<br />
SWS<br />
3 LP<br />
Instrumentelle Methoden 1 6 LP<br />
Anorganische Chemie 1 6 LP<br />
Technische Chemie 1 4 LP<br />
Kompetenzfeld: Maschinenbau (16 LP)<br />
Entwicklungs- <strong>und</strong> Konstruktionsmethodik<br />
Mikro- <strong>und</strong> Nanosysteme 4 LP<br />
4 LP<br />
6.<br />
Semester<br />
SWS<br />
Werkstoffk<strong>und</strong>e 3 LP 5 LP<br />
Wahl-Kompetenzfeld Spezialisierung: WK 1 Chemie)<br />
Physikalische Chemie II 4 LP<br />
Weitere Studienleistungen (29 LP)<br />
Bachelorarbeit 12 LP<br />
Fachexkursionen 2 LP<br />
Betriebspraktikum 15 LP<br />
Summe 30 LP 20 LP 32 LP
11.10.2012 Teil B: Masterstudium<br />
Teil B: Masterstudium<br />
Allgemeines<br />
Die Regelstudiendauer des Masterstudiengangs Nanotechnologie beträgt vier<br />
Semester, wovon ein Semester auf die Masterarbeit entfällt. Insgesamt sind 120<br />
Leistungspunkte (LP) zu erreichen, welche sich wie folgt aufteilen:<br />
Pflicht-Kompetenzfeld „Methoden der<br />
Nanotechnologie“<br />
17 LP<br />
3 Wahlkompetenzfelder (WK) 3 x 16 LP 48 LP<br />
Mind. 3 Wahlkurse aus dem Angebot<br />
der <strong>Leibniz</strong> <strong>Universität</strong> (Studium<br />
Generale) einschließlich der<br />
Kompetenzfelder<br />
12 CP<br />
3 Labore 360 St<strong>und</strong>en 12 LP<br />
Fachexkursionen 2 Tage 1 LP<br />
Masterarbeit 6 Monate 30 LP<br />
Gr<strong>und</strong>lagenkurse<br />
Die Gr<strong>und</strong>lagenkurse des Pflicht-Kompetenzfeldes sind von allen Studierenden<br />
zu besuchen <strong>und</strong> vermitteln wichtige Kenntnisse aus den Methoden der<br />
Nanotechnologie.<br />
Wahlkompetenzfelder (48 LP)<br />
Neben den Gr<strong>und</strong>lagenkursen sind von den Studierenden drei der angebotenen<br />
Wahlkompetenzfelder als Vertiefungsfächer zu wählen:<br />
� Chemie<br />
� Chemie der Nanowerkstoffe<br />
� Lasertechnik/Photonik<br />
� Materialphysik<br />
� Mikro- <strong>und</strong> Nanoelektronik<br />
� Mikroproduktionstechnik<br />
� Nano- <strong>und</strong> Mikroprozesstechnik<br />
� Biomedizintechnik<br />
Die Wahlkompetenzfelder gliedern sich wiederum in Pflicht- <strong>und</strong><br />
Wahlveranstaltungen. In jedem der drei Wahlkompetenzfelder müssen<br />
mindestens 16 LP erreicht werden.<br />
Die Liste der Wahlveranstaltungen der Pflicht- <strong>und</strong> Wahlkompetenzfelder kann<br />
durch den Prüfungsausschuss erweitert werden.<br />
Seite 9
11.10.2012 Teil B: Masterstudium<br />
Wahlkurse (12 LP)<br />
Für das Studium Generale besteht die Wahlfreiheit aus dem gesamten Angebot<br />
der <strong>Universität</strong>, sofern die Veranstaltungen mit Leistungspunkten versehen sind.<br />
Labore (360 St<strong>und</strong>en, 12 LP)<br />
Im Rahmen des Studiums müssen die Studierenden drei verschiedene Labore<br />
absolvieren. Als Labore sind ein Labor Halbleitertechnologie (Prof. Osten), ein<br />
Laborpraktikum Festkörperphysik (Dozenten der Festkörperphysik) sowie ein<br />
Mikrotechniklabor (Prof. Rissing) vorgesehen.<br />
Fachexkursionen (2 Tage, 1 LP)<br />
Fachexkursionen zu Firmen oder Forschungseinrichtungen in einem Umfang<br />
von zwei Tagen.<br />
Masterarbeit (6 Monate, 30 LP)<br />
Den Abschluss des Studiums bildet die Masterarbeit mit einer Gesamtdauer von<br />
sechs Monaten. Zusätzlich zu der schriftlichen Ausarbeitung geht der Vortrag<br />
über die Arbeit mit einem Drittel in die Note ein.<br />
Seite 10
11.10.2012 Pflichtkompetenzfeld<br />
Pflicht-Kompetenzfeld: Methoden der Nanotechnologie (mind. 17 LP)<br />
Das Pflicht-Kompetenzfeld „Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnologie“ vermittelt Kenntnisse<br />
auf den Gebieten der Materialien <strong>und</strong> Nanomaterialien, Nanobauteile <strong>und</strong> Physik<br />
der Solarzelle.<br />
Pflichtveranstaltungen<br />
Physikalische Materialchemie Caro WS 8 LP<br />
Quantenstrukturbauelemente 1 Haug SS 4 LP<br />
Wahlveranstaltungen<br />
Physik der Solarzelle Brendel SS 6 LP<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Materialanalytik (nur 2V,<br />
kein P)<br />
Einführung in die Festkörperphysik 2 (nur<br />
V+Ü)<br />
Praktikum zu Einführung in die<br />
Festkörperphysik²<br />
Giese/Lacayo WS 2 LP<br />
Lehrende der<br />
Physik<br />
Lehrende der<br />
Physik<br />
WS 5 LP<br />
WS 3 LP<br />
1<br />
Kenntnisse der Vorlesung „Einführung in die Festkörperphysik“ werden<br />
vorausgesetzt.<br />
2<br />
Wenn nicht schon im Bachelorstudium belegt.<br />
Seite 11
11.10.2012 Wahlkompetenzfelder<br />
Wahl-Kompetenzfeld 1: Chemie* (mind. 16 LP)<br />
Ziel des Wahl-Kompetenzfeldes (WK) ist die Vermittlung von Kenntnissen in der organischen,<br />
anorganischen <strong>und</strong> physikalischen Chemie. Darüber hinaus werden den<br />
Studierenden Kenntnisse aus dem der Bereich der instrumentellen Methoden der<br />
Chemie vermittelt.<br />
Pflichtveranstaltungen<br />
Instrumentelle Methoden II (2V)<br />
Praktikum zur Vorlesung<br />
„Funktionsprinzipien ausgewählter<br />
Festkörpermaterialien“ (3P)<br />
Wahlveranstaltungen<br />
Anorganische Chemie II ( nur 2V)<br />
Anorganische Chemie III (nur 2V)<br />
Organische Chemie I(4V+1Ü)<br />
Instrumentelle Methoden III (2V)<br />
Seite 12<br />
Heitjans,<br />
Duddeck,<br />
Wiebcke<br />
SS 3 LP<br />
Caro WS 4 LP<br />
Renz /<br />
Schneider<br />
Binnewies /<br />
Wiebcke,<br />
Locmelis<br />
Butenschön /<br />
Kalesse<br />
Duddeck,<br />
Heitjans<br />
WS 3 LP<br />
WS 3 LP<br />
WS 6 LP<br />
WS 3LP<br />
Physikalische Chemie II Caro/ Becker WS 4LP
11.10.2012 Wahlkompetenzfelder<br />
Wahl-Kompetenzfeld 2: Chemie der Nanowerkstoffe* (mind. 16 LP)<br />
Mit Hilfe dieses Wahl-Kompetenzfeldes werden gr<strong>und</strong>legende Kenntnisse über<br />
die anorganische <strong>und</strong> physikalische Chemie von Festkörpern, Materialien <strong>und</strong><br />
Nanomaterialien vermittelt. Im Wahlteil können die Studierenden darüber hinaus<br />
Kenntnisse über die Eigenschaften <strong>und</strong> die Materialsynthese von Nanomaterialien<br />
gewinnen.<br />
Pflichtveranstaltungen<br />
Anorganische Materialchemie<br />
(6V+1Ü, ohne P)<br />
Wahlveranstaltungen<br />
Grenzflächen, Kolloide <strong>und</strong> Nanoteilchen<br />
(2V+2V)<br />
Praktikum Grenzflächen, Kolloide <strong>und</strong><br />
Nanoteilchen (3P)<br />
Behrens /<br />
WS<br />
<strong>und</strong><br />
SS 3<br />
8 LP<br />
Becker / Caro / SS 5 LP<br />
Feldhoff SS 3LP<br />
Anorgan. Chemie für Lehramt (2S+6P) Schneider WS 6 LP<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Materialanalytik (nur 2V,<br />
ohne P)<br />
Molekulare <strong>und</strong> polymere Materialien (3V,<br />
ohne P)<br />
Giese/Lacayo WS 2 LP<br />
Giese, Renz SS 3 LP<br />
* Eine vorhergehende Belegung des WK 1 (als WK Spezialisierung im Bachelor-<br />
Vertiefungsstudium oder als ein WK im Masterstudium) ist Voraussetzung für<br />
eine anschließende Belegung des WK 2.<br />
3 Erste Vorlesung im Wintersemester, zweite Vorlesung im<br />
Sommersemester.<br />
Seite 13
11.10.2012 Wahlkompetenzfelder<br />
Wahl-Kompetenzfeld 3: Lasertechnik/Photonik (mind. 16 LP)<br />
Das Wahlkompetenzfeld thematisiert die Lasertechnik <strong>und</strong> die Photonik. In den<br />
Pflichtveranstaltungen werden dabei physikalische Gr<strong>und</strong>lagen vermittelt, während<br />
in den Wahlveranstaltungen der Erwerb weiterführender theoretischer Kenntnisse<br />
<strong>und</strong> die Betrachtung von Anwendungen der Lasertechnik <strong>und</strong> Photonik vermittelt<br />
werden.<br />
Pflichtveranstaltungen<br />
Lasermaterialbearbeitung<br />
Photonik für Ingenieure<br />
Wahlveranstaltungen<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Lasermedizin &<br />
Biophotonik<br />
Nichtlineare Optik<br />
Seite 14<br />
Overmeyer/<br />
Stute<br />
Dozenten der<br />
Physik<br />
Dozenten der<br />
Physik<br />
Dozenten der<br />
Physik<br />
(Kovacev)<br />
SS 4 LP<br />
WS 4 LP<br />
WS 3 LP<br />
SS<br />
5 LP<br />
Physik der Solarzelle Brendel SS 6 LP<br />
Seminar zu Photonik<br />
Atom- <strong>und</strong> Molekülphysik<br />
Praktikum zu Atom- <strong>und</strong> Molekülphysik<br />
Dozenten der<br />
Physik<br />
Dozenten der<br />
Physik<br />
Dozenten der<br />
Physik<br />
WS<br />
WS<br />
WS<br />
3LP<br />
5 LP<br />
3 LP
11.10.2012 Wahlkompetenzfelder<br />
Wahl-Kompetenzfeld 4: Materialphysik (mind. 16 LP)<br />
Ziel des Wahlkompetenzfeldes ist es die Vermittlung von Kenntnissen auf dem<br />
Spezialgebiet der Oberflächen- <strong>und</strong> Grenzflächenphysik. Die Studierenden lernen<br />
die experimentellen Methoden <strong>und</strong> deren physikalische Gr<strong>und</strong>lagen, sowie<br />
wesentliche Modellvorstellungen aus diesem Bereich kennen.<br />
Pflichtveranstaltungen<br />
Beschichtungstechnik <strong>und</strong> Lithografie Rissing WS 4 LP<br />
Oberflächenphysik<br />
Wahlveranstaltungen<br />
Dozenten der<br />
Physik<br />
WS 5 LP<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Epitaxie Fissel SS 4 LP<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Materialanalytik (MAVP-1)<br />
Caro / Giese /<br />
Lacayo<br />
WS 6 LP<br />
Thermodynamik I (für Maschinenbauer) Kabelac WS 4 LP<br />
Physik in Nanostrukturen<br />
Dozenten der<br />
Physik<br />
(Tegenkamp)<br />
SS<br />
4 LP<br />
Seite 15
11.10.2012 Wahlkompetenzfelder<br />
Wahl-Kompetenzfeld 5: Mikro- <strong>und</strong> Nanoelektronik (mind. 16 LP)<br />
Das Wahlkompetenzfeld Mikro- <strong>und</strong> Nanoelektronik vermittelt neben Gr<strong>und</strong>lagen<br />
der Nanoelektronik <strong>und</strong> Kenntnissen der Technologie integrierter Bauelemente im<br />
Pflichtteil die elektrischen Eigenschaften verschiedener Speicherelemente mit<br />
besonderer Berücksichtigung der Anwendung in höchstintegrierten<br />
mikroelektronischen Schaltungen.<br />
Pflichtveranstaltungen<br />
Halbleitertechnologie 4 Osten WS 4 LP<br />
Technologie integrierter Bauelemente Osten SS 4 LP<br />
Wahlveranstaltungen<br />
Bipolarbauelemente Wietler WS 4 LP<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Epitaxie Fissel SS 4 LP<br />
Gr<strong>und</strong>lagen integrierter Analogschaltungen Mathis WS 4 LP<br />
Physik in Nanostrukturen<br />
Seite 16<br />
Dozenten der<br />
Physik<br />
(Tegenkamp)<br />
SS 4 LP<br />
MOS-Transistoren <strong>und</strong> Speicher Wietler SS 4LP<br />
4 Falls schon im Bachelor belegt, muss „Sensoren <strong>und</strong> Nanosensorik“ (Prof. Zimmermann)<br />
gehört werden.
11.10.2012 Wahlkompetenzfelder<br />
Wahl-Kompetenzfeld 6: Mikroproduktionstechnik (mind. 16 LP)<br />
Im Pflichtteil dieses Wahlkompetenzfeldes werden die gr<strong>und</strong>legenden Kenntnisse<br />
über die Fertigungstechniken von Halbleiterbauelementen <strong>und</strong> Nanosystemen<br />
vermittelt. Im Wahlteil erfolgt der Erwerb von Kenntnissen zur Aufbau- <strong>und</strong><br />
Verbindungstechnik, zur optischen Messtechnik <strong>und</strong> dem Qualitätsmanagement.<br />
Pflichtveranstaltungen<br />
Nanoproduktionstechnik Rissing SS 4 LP<br />
Produktion optoelektronischer Systeme Overmeyer WS 4 LP<br />
Wahlveranstaltungen<br />
Aufbau- <strong>und</strong> Verbindungstechnik Rissing SS 4 LP<br />
Optische Messtechnik<br />
Reithmeyer/<br />
Vynnyk<br />
SS 4 LP<br />
Qualitätsmanagement Denkena SS 4 LP<br />
Seite 17
11.10.2012 Wahlkompetenzfelder<br />
Wahl-Kompetenzfeld 7: Nano- <strong>und</strong> Mikroprozesstechnik (mind. 16LP)<br />
Die Studierenden sollen den allgemeinen Aufbau <strong>und</strong> die wichtigsten Eigenschaften<br />
von Clustern <strong>und</strong> Kolloiden erlernen. Besonders wichtig ist dabei das Verständnis<br />
der Grenzflächenphänomene, welche der Stabilisierung von Clustern sowohl in der<br />
Gasphase als auch in flüssiger <strong>und</strong> fester Phase zugr<strong>und</strong>e liegen. Die Vorlesung<br />
Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnologie in der Biomedizin vermittelt einen Überblick über den<br />
Einsatz von Mikro- <strong>und</strong> Nanosystemen in der Biomedizin. Dabei geht sie auf die<br />
Anforderungen <strong>und</strong> Aufgaben solcher Systeme sowie deren Einsatzgebiete in der<br />
Biomedizintechnik ein. Weitere Schwerpunkte dieses Wahlkompetenzfeldes liegen<br />
in den Bereichen Beschichtungstechnik <strong>und</strong> Lithografie sowie Nanoproduktionstechnik.<br />
Pflichtveranstaltungen<br />
Grenzflächen, Kolloide <strong>und</strong><br />
Nanoteilchen(2V+2V)<br />
Wahlveranstaltungen<br />
Seite 18<br />
Becker /<br />
Caro<br />
SS 5 LP<br />
Beschichtungstechnik <strong>und</strong> Lithografie Rissing WS 4 LP<br />
Nanoproduktionstechnik Rissing SS 4 LP<br />
Praktikum Grenzflächen, Kolloide <strong>und</strong><br />
Nanoteilchen (3P)<br />
Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnologie in der<br />
Biomedizin<br />
Feldhoff SS 3LP<br />
Rissing WS 4 LP
11.10.2012 Wahlkompetenzfelder<br />
Wahl-Kompetenzfeld 8: Biomedizintechnik (mind. 16 LP)<br />
Pflichtveranstaltungen<br />
Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnologie in der<br />
Biomedizin<br />
Rissing WS 4 LP<br />
Sensoren in der Medizintechnik Zimmermann SS 4 LP<br />
Wahlveranstaltungen<br />
Biomedizinische Technik für Ingenieure I Glasmacher WS 4 LP<br />
Biokompatible Werkstoffe I Glasmacher/<br />
Bach<br />
Implantologie Glasmacher/<br />
Krettek/<br />
Vogt<br />
SS 4 LP<br />
SS 4 LP<br />
Laser in der Biomedizintechnik Kaierle WS 4 LP<br />
Biomaterialien <strong>und</strong> Bionanomaterialien Behrens 4 LP<br />
Biophotonik Krüger SS 2 LP<br />
Seite 19
11.10.2012 Wahlkompetenzfelder<br />
Laborpraktika<br />
Die Studierenden erwerben spezielle praktische Fertigkeiten <strong>und</strong> Kenntnisse der<br />
Festkörperphysik <strong>und</strong> können die entsprechend erforderlichen Methoden selber<br />
anwenden. Dabei entwickeln sie neben dem Fachwissen auch ihre<br />
Kommunikationsfähigkeit <strong>und</strong> Methodenkompetenz bei der Umsetzung von<br />
Fachwissen weiter. Das Labor Halbleitertechnologie vermittelt anhand mehrerer<br />
Versuche praxisnah die wichtigen Aspekte der Halbleitertechnologie. Im<br />
Laborpraktikum Mikrotechnik erlernen die Studierenden Gr<strong>und</strong>lagen des<br />
spinabhängigen Transports, mit dem die Erfassung magnetischer Felder möglich<br />
ist sowie die dazugehörige Messtechnik.<br />
Festkörperphysik<br />
Seite 20<br />
Dozenten der<br />
Festkörperphysik<br />
WS/<br />
SS<br />
4 LP<br />
Halbleitertechnologie Osten WS 4 LP<br />
Mikrotechnik Rissing<br />
WS/<br />
SS<br />
4 LP
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen<br />
Beschreibung der <strong>Kurs</strong>e nach <strong>Kurs</strong>titeln sortiert<br />
Bachelorstudium……………………………………………………………………….22<br />
Masterstudium…………………………………………………………………………55<br />
Seite 21
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Anorganische Chemie 1<br />
Inorganic Chemistry I<br />
Dozent: Behrens, Schneider<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Im Zentrum der Veranstaltung steht die Erlangung der Fachkompetenz im Fach<br />
Anorganische<br />
Chemie. Die Studierenden können am Ende der Veranstaltung gr<strong>und</strong>legende Konzepte der<br />
Anorganischen Chemie verstehen <strong>und</strong> anwenden <strong>und</strong> verfügen über eine breite<br />
Stoffkenntnis. Die Übung soll den Studierenden ein Verständnis für die Vorgänge im<br />
Anorganisch-chemischen Experiment anhand von Demonstrationsversuchen vermitteln,<br />
die sich auf bereits gehörte Vorlesungsinhalte beziehen. Studierende der Nanotechnologie<br />
sollen Gr<strong>und</strong>kenntnisse zu Struktur <strong>und</strong> chemischer Zusammensetzung von<br />
anorganischen Bauelementen erhalten.<br />
Inhalt:<br />
Vorkommen, Darstellung, Struktur, Eigenschaften <strong>und</strong> Verwendung der Elemente sowie<br />
die Herstellung, Eigenschaften <strong>und</strong> Verwendung ihrer wichtigsten Verbindungen; industriell<br />
wichtige Stoffe finden besondere Berücksichtigung. Die Vorlesung folgt in ihrer Gliederung<br />
dem Aufbau des Periodensystems <strong>und</strong> behandelt nacheinander die Chemie des<br />
Wasserstoffs, der Elemente des s-Blocks (Alkalimetalle, Erdalkalimetalle) <strong>und</strong> des p-Blocks<br />
(Triele, Tetrele, Pentele, Chalkogene, Halogene, Edelgase) sowie ausgewählte Elemente<br />
der Nebengruppen (I. <strong>und</strong> II. Nebengruppe, III. Nebengruppe gemeinsam mit Lanthanoiden<br />
<strong>und</strong> Actinoiden, IV. bis VIII. Nebengruppe). Spezielle Themen (Strukturen von Metallen,<br />
Strukturtypen ionischer Verbindungen, Molekülorbital-Beschreibung zweiatomiger<br />
Moleküle, Einflüsse anorganischer Stoffe auf die Umwelt, Koordinationschemie) werden in<br />
Exkursen abgehandelt. Vom Molekül zum nanostrukturierten anorganischen Material.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Gr<strong>und</strong>kenntnisse in Allgemeiner Chemie<br />
Voraussetzungen:---<br />
Literaturempfehlung:<br />
M. Binnewies, M. Jäckel, H. Willner, G. Rayner-Canham, Allgemeine <strong>und</strong> -Anorganische<br />
Chemie, 1. Aufl., 2004, Spektrum Verlag; C.E. Mortimer, Chemie, 6. Aufl. 1996, Georg-<br />
Thieme-Verlag, Stuttgart<br />
Besonderheiten:<br />
Die mündliche Prüfung wird mit 16 LP gewichtet, d.h. die Note der mündlichen Prüfung<br />
zählt für die ganze Vertiefung Chemie.<br />
Präsenzstudienzeit: 70h Art der Prüfung: keine V4/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 110h Studienleistung: mündlich SS<br />
Empfohlen ab dem: 4.Semester LP: 6<br />
Seite 22
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Einführung in die Allgemeine <strong>und</strong> Anorganische Chemie<br />
Introduction to General and Inorganic Chemistry<br />
Verantwortliche: Binnewies, Renz<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden werden in die Lage versetzt, einfache Konzepte der Chemie zu<br />
verstehen <strong>und</strong> anzuwenden. Die in der Vorlesung behandelten Themen werden in<br />
Übungsgruppen anhand von vorgegebenen Übungsaufgaben vertieft. Dies ist die erste der<br />
Chemievorlesungen, hier sollen zukünftige Nanotechnologen stoffliches Verständnis <strong>und</strong><br />
stoffliche Kenntnisse als Basis der Materialwissenschaft erwerben. Diese gr<strong>und</strong>legenden<br />
Kenntnisse bilden die Basis materialwissenschaftlicher Aspekte der Nanotechnologie.<br />
Inhalt:<br />
- Atombau<br />
- Chemische Bindung<br />
- Aufbau von Elementen <strong>und</strong> Verbindungen<br />
- Schmelz- <strong>und</strong> Siedeverhalten von Ein- <strong>und</strong> Zweistoffsystemen<br />
- Thermodynamik chemischer Reaktionen: Massenwirkungsgesetz,<br />
homogene <strong>und</strong> heterogene Gleichgewichte<br />
- Kinetik chemischer Reaktionen: Arrhenius-Beziehung, Reaktionsordnung<br />
- Chemie wässriger Lösungen: Säuren/Basen, Oxidation/Reduktion,<br />
schwerlösliche Ionenverbindungen<br />
- Nomenklatur anorganischer <strong>und</strong> organischer Stoffe<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
---<br />
Voraussetzungen:<br />
Literaturempfehlung:<br />
M. Binnewies, M. Jäckel, H. Willner, G. Rayner-Canham, Allgemeine <strong>und</strong> Anorganische<br />
Chemie, 1. Auflage 2004, Spektrum-Verlag<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: h Art der Prüfung: keine V/Ü/S1/P2<br />
Selbststudienzeit: h Studienleistung: schriftlich, Vortrag, Labor WS<br />
Empfohlen ab dem: 3.Semester LP: 10<br />
Seite 23
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Einführung in die Festkörperphysik<br />
Introduction to Solid State Physics<br />
Dozent: Dozenten der Festkörperphysik<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden erwerben einen Einblick in die Konzepte der Festkörperphysik <strong>und</strong><br />
lernen beispielhaft Untersuchungsmethoden zu deren elektronischen <strong>und</strong> strukturellen<br />
Eigenschaften kennen <strong>und</strong> selber anwenden. Diese Kenntnisse sind entscheidend für das<br />
Verständnis der Funktionsweise nanoelektronischer Bauelemente. Die theoretischen <strong>und</strong><br />
experimentellen Übungen fördern auch die Kommunikationsfähigkeit <strong>und</strong> die<br />
Methodenkompetenz bei der Umsetzung von Fachwissen.<br />
Inhalt:<br />
In Vorlesung (3 SWS), Übung (1 SWS) <strong>und</strong> Laborpraktikum (3 SWS) werden<br />
folgende Themen behandelt:<br />
- Kristalle <strong>und</strong> Kristallstrukturen<br />
- reziprokes Gitter, Kristallbindung, Gitterschwingungen<br />
- thermische Eigenschaften,<br />
- Quantisierung, Zustandsdichte, Fermigas<br />
-<br />
- Anregungen in Festkörpern,<br />
- experimentelle Methoden: Röntgenbeugung, Rastersonden- <strong>und</strong><br />
Elektronenmikroskopie, Leitfähigkeit, Magnetowiderstand, Halleffekt,<br />
- Quantenhalleffekt<br />
- Eigenschaften niedrigdimensionaler Festkörper zum Einsatz in der<br />
Nanoelektronik<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Prüfungsvoraussetzungen: abgeschlossene Module Experimentalphysik I, Physik II <strong>und</strong><br />
Physik III<br />
Voraussetzungen:<br />
Literaturempfehlung:<br />
Ashcroft and Mermin, „Solid State Physics“<br />
Kittel, „Einführung in die Festkörperphysik“<br />
K. Kopitzki, „Einführung in die Festkörperphysik“<br />
Besonderheiten:<br />
zusätzliche Studienleistung: Übungsaufgaben, Laborübung<br />
Präsenzstudienzeit: 120h Art der Prüfung: schriftl./mündl. V3/Ü1/L3<br />
Selbststudienzeit: 120h Studienleistung: Übung, Labor WS<br />
Empfohlen ab dem: 5.Semester LP: 8<br />
Seite 24
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Einführung in die Nanotechnologie<br />
Introduction to Nanotechnology<br />
Verantwortliche: Caro, Osten, Rissing, Pfnür<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Der <strong>Kurs</strong> soll einen ersten Überblick über die vielfältigen Forschungen <strong>und</strong> Anwendungen<br />
von aktueller Nanotechnologie geben. Er ist gedacht als eine Reihe von anschaulichen<br />
Übersichtsvorlesungen, die die Lust auf mehr wecken.<br />
Inhalt:<br />
- Bottom-up, top-down <strong>und</strong> Quanteneffekte in kleinsten Dimensionen<br />
- Chemie der Nanomaterialien<br />
- Synthese, Charakterisierung <strong>und</strong> Verarbeitung von Nanoteilchen<br />
-Chemische <strong>und</strong> physikalische Methoden der Nanostrukturierung von Materie<br />
- Funktionsprinzipien von Nanomaterialien<br />
- Organisation von Nanoteilchen<br />
- elektronische Bauelemente im Nanobereich-<br />
- Technologien zur Herstellung ultradünner Schichten <strong>und</strong> Analysemethoden<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
---<br />
Voraussetzungen:<br />
Literaturempfehlung:<br />
� Wiley-VCH, Weinheim; B<strong>und</strong>esministerium für Bildung <strong>und</strong> Forschung:<br />
Nanotechnologie - Innovationen für die Welt von morgen.<br />
� Jeremy J. Ramsden: Nanotechnology: An Introduction, Elsevier 2011<br />
Besonderheiten:<br />
Professorenkollektiv<br />
Präsenzstudienzeit: 36h Art der Prüfung: schriftlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 84h Studienleistung: keine WS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 4<br />
Seite 25
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Elektronik <strong>und</strong> Messtechnik<br />
Electronics and Physics of Technical Measurements<br />
Dozent: Block<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden sollen den Umgang mit experimentelle <strong>und</strong> numerische Methoden der<br />
elektronischen Messtechnik kennen lernen, diese selber anwenden <strong>und</strong><br />
Modellvorstellungen entwickeln zur Erklärung der experimentellen <strong>und</strong> numerischen<br />
Ergebnisse. Die hier erworbenen messtechnischen Fähigkeiten lassen sich zu einem<br />
erheblichen Teil auf nanoelektronische Bauelemente übertragen. Das Praktikum fördert<br />
auch die Kommunikationsfähigkeit <strong>und</strong> die Methodenkompetenz bei der Umsetzung von<br />
Fachwissen.<br />
Inhalt:<br />
In Vorlesung "Elektronik" (2 SWS), Vorlesung "Messtechnik" (2 SWS) <strong>und</strong> Praktikum<br />
"Elektronikpraktikum" (4 SWS) werden folgende Inhalte behandelt:<br />
- Gr<strong>und</strong>begriffe der Elektronik<br />
- Passive Bauelemente, Transistor<br />
- Analoge Gr<strong>und</strong>schaltungen (Filter)<br />
- Operationsverstärker (OPV)<br />
- Statische <strong>und</strong> dynamische OPV-Beschaltung<br />
- Gr<strong>und</strong>lagen HF-Technik<br />
- Signalgeneratoren/Phasenschieber<br />
- elektronische Regler<br />
- DA/AD-Wandlung.<br />
- Praktikum: Auswahl aus 8 Versuchen zu Themen der Vorlesungen<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Experimentalphysik I, Physik II<br />
Voraussetzungen:<br />
Literaturempfehlung:<br />
U.Tietze, C. Schenk: Halbleiterschaltungstechnik, Springer Verlag<br />
Hering, Bressler, Gutekunst: Elektronik für Ingenieure, Springer Verlag<br />
P. Horowitz, W. Hill: The Art of Electronics, CA press<br />
Besonderheiten:<br />
zusätzliche Studienleistung: Laborübung<br />
Präsenzstudienzeit: 120h Art der Prüfung: schrift./mündlich V4/Ü0/P4<br />
Selbststudienzeit: 120h Studienleistung: Labor WS/SS<br />
Empfohlen ab dem: 4.Semester LP: 8<br />
Seite 26
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Entwicklungs- <strong>und</strong> Konstruktionsmethodik<br />
Theory of Engineering Design<br />
Dozent: Lachmayer<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Das Gr<strong>und</strong>studium vermittelt, ausgehend von den wissenschaftlichen <strong>und</strong> technischen<br />
Gr<strong>und</strong>lagen, Wissen über die "Bausteine" für die Entwicklung <strong>und</strong> Konstruktion von<br />
Produkten. Diese Vorlesung des Vertiefungsstudiums stellt die Bausteine in den Gesamtzusammenhang<br />
des methodischen Vorgehens bei der Entwicklung eines Produktes von<br />
der Idee bzw. der K<strong>und</strong>enanforderung bis zur Serieneinführung. Im Teil I stehen dabei die<br />
qualitativen Aspekte im Vordergr<strong>und</strong>. Bei der Entwicklung <strong>und</strong> Konstruktion stehen<br />
Innovation <strong>und</strong> Optimierungen neuer Technologien, Verfahren <strong>und</strong> Produkte im<br />
Vordergr<strong>und</strong>.<br />
Inhalt:<br />
Gesamtwirtschaftliches Umfeld von Entwicklung <strong>und</strong> Konstruktion;<br />
Zwang zur Innovation; Einbindung des Geschäftsprozesses eines Unternehmens;<br />
Produktplanung- <strong>und</strong> Ideenfindung; Ermittlung von K<strong>und</strong>enanforderungen <strong>und</strong> technischen<br />
Anforderungen (Pflichten- <strong>und</strong> Lastenheft);<br />
Lösungsfindung: von der Funktionsstruktur über die Wirk- zur Baustruktur, Bewertung <strong>und</strong><br />
Auswahl alternativer Lösungen;<br />
Gr<strong>und</strong>regeln, Richtlinien <strong>und</strong> Prinzipien der Gestaltung einschließlich Gr<strong>und</strong>begriffen der<br />
Sicherheitstechnik;<br />
Schutz von Erfindungen (Patente <strong>und</strong> Gebrauchsmuster);<br />
Organisation des Entwicklungs- <strong>und</strong> Konstruktionsprozesses.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
---<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskript<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 42h Art der Prüfung: schriftl./mündl. V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 78h Studienleistung: keine WS<br />
Empfohlen ab dem: 5.Semester LP: 4<br />
Seite 27
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Gewerblicher Rechtsschutz<br />
Industrial Property (Patent and Trade Mark Law)<br />
Dozent: Metzger<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Vorlesung bietet eine Einführung in die Gr<strong>und</strong>lagen des gewerblichen Rechtsschutzes<br />
im deutschen <strong>und</strong> europäischen Recht <strong>und</strong> stellt die verschiedenen Schutzrechte <strong>und</strong> die<br />
gemeinsamen Strukturprinzipien vor. Die Veranstaltung vermittelt die notwendigen<br />
Gr<strong>und</strong>kenntnisse, um in Unternehmen oder in der Rechtsberatung im Patent- <strong>und</strong><br />
Markenwesen tätig zu sein.<br />
Inhalt:<br />
Der <strong>Kurs</strong> behandelt vertiefend das Patent- <strong>und</strong> Markenrecht. Hierbei werden jeweils<br />
zunächst die Gr<strong>und</strong>lagen erörtert, insbesondere Schutzvoraussetzungen, Entstehung des<br />
Schutzrechts, Inhaberschaft, Schutzbereich, Schranken, Übertragbarkeit <strong>und</strong> Lizenzen. Im<br />
Anschluss werden spezifische Fragen aus dem Bereich der Informationstechnologie<br />
beleuchtet, insbesondere die Themen Softwarepatente bzw. computerimplementierte<br />
Erfindungen <strong>und</strong> Halbleiterschutz sowie Kennzeichenkonflikte im Internet (Metatags,<br />
Adwords, Hyperlinks) <strong>und</strong> Domainnamestreitigkeiten.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Rechtliche Vorkenntnisse sind erwünscht.<br />
Voraussetzungen:<br />
Literaturempfehlung:<br />
Besonderheiten:<br />
Präsenzstudienzeit: 28h Art der Prüfung: mündlich V2<br />
Selbststudienzeit: 56h Studienleistung: SS<br />
Empfohlen ab dem: 4.Semester LP: 3<br />
Seite 28
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Elektrotechnik I<br />
Basics of Electrical Engineering I<br />
Dozent: Zimmermann, Garbe<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden sollen Probleme zu den unten genannten Gebieten verstehen, qualitativ<br />
<strong>und</strong> quantitativ analysieren <strong>und</strong> mit angepassten Methoden lösen können.<br />
Inhalt:<br />
Elektrotechnische Gr<strong>und</strong>begriffe, Gleichstromnetzwerke, Wechselstromnetzwerke,<br />
Ortskurven.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
---<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
H. Haase, H. Garbe, H. Gerth: Gr<strong>und</strong>lagen der Elektrotechnik (Lehrbuch),<br />
SchöneworthVerlag, <strong>Hannover</strong> 2005; H. Haase, H. Garbe: Gr<strong>und</strong>lagen der Elektrotechnik -<br />
Übungsaufgaben mit Lösungen, SchöneworthVerlag, <strong>Hannover</strong> 2002; H. Haase, H. Garbe:<br />
Formelsammlung Gr<strong>und</strong>lagen der Elektrotechnik, Institutsdruckschrift 2002<br />
Besonderheiten:<br />
Lehrveranstaltung bestehend aus Vorlesung, Hörsaalübung <strong>und</strong> Gruppenübung.<br />
Präsenzstudienzeit: 56h Art der Prüfung: keine V2/Ü2<br />
Selbststudienzeit: 124h Studienleistung: schriftlich WS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 6<br />
Seite 29
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Elektrotechnik II<br />
Basics of Electrical Engineering II<br />
Dozent: Garbe/Zimmermann<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden sollen Probleme zu den unten genannten Gebieten verstehen, qualitativ<br />
<strong>und</strong> quantitativ analysieren <strong>und</strong> mit angepassten Methoden lösen können.<br />
Inhalt:<br />
Mathematische Begriffe der Feldtheorie, Elektrisches Feld, Strömungsfeld, magnetisches<br />
Feld<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der ET I<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
H. Haase, H. Garbe, H. Gerth: Gr<strong>und</strong>lagen der Elektrotechnik (Lehrbuch),<br />
SchöneworthVerlag, <strong>Hannover</strong> 2005; H. Haase, H. Garbe: Gr<strong>und</strong>lagen der Elektrotechnik -<br />
Übungsaufgaben mit Lösungen, SchöneworthVerlag, <strong>Hannover</strong> 2002; H. Haase, H. Garbe:<br />
Formelsammlung Gr<strong>und</strong>lagen der Elektrotechnik, Institutsdruckschrift 2002<br />
Besonderheiten:<br />
Lehrveranstaltung bestehend aus Vorlesung, Hörsaalübung <strong>und</strong> Gruppenübung.<br />
Präsenzstudienzeit: 84 h Art der Prüfung: schriftlich V3/Ü3<br />
Selbststudienzeit: 156h Studienleistung: keine SS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 8<br />
Seite 30
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Materialwissenschaften<br />
Introduction to Material Science<br />
Dozent: Osten<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Behandelt werden alle Aspekte der modernen Materialwissenschaften. Dabei geht es<br />
insbesondere um die Herausbildung von Kenntnissen über die Beziehungen zwischen<br />
mikroskopischem Materialaufbau (atomare bzw. kristalline Struktur, nanoskopische Defekte<br />
usw.) <strong>und</strong> makroskopischen mechanischen bzw. elektrischen Eigenschaften für<br />
verschiedene Materialien, sowie über Möglichkeiten der gezielten Gestaltung von<br />
Materialien für die unterschiedlichsten Anwendungsfelder. Daneben soll das<br />
materialphysikalische Verständnis von Alltagsprozessen erweitert werden.<br />
Inhalt:<br />
- Systematisierung der Eigenschaften von Materialien<br />
- atomare Struktur der Materie<br />
- chemische Bindungen<br />
- kristalline Materialien <strong>und</strong> Kristallstrukturen<br />
- Realstrukturen <strong>und</strong> nanoskopische Defekte<br />
- Stoffmischungen, Zustandsdiagramme<br />
- Methoden der Festkörperdiagnostik<br />
- Herstellung <strong>und</strong> Eigenschaften dünner Schichten<br />
- mechanische <strong>und</strong> elektrische Eigenschaften von Metallen<br />
- magnetische Materialien<br />
- dielektrische Materialien<br />
- Halbleitermaterialien.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
---<br />
Voraussetzungen:<br />
Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskipt (online); D. Spickermann: Werkstoffe der Elektrotechnik <strong>und</strong> Elektronik, J.<br />
Schlembach Fachverlag 2002; J.S. Shackelford: Introduction to Material Science for<br />
Engineers, Pearson Education International 2005<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 45h Art der Prüfung: schriftlich V3<br />
Selbststudienzeit: 75h Studienleistung: keine SS<br />
Empfohlen ab dem: 4.Semester LP: 4<br />
Seite 31
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Messtechnik – Messtechnik I<br />
Basics of Measurement Technique<br />
Dozent: Reithmeier<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Einführung in die Gr<strong>und</strong>lagen der Messtechnik <strong>und</strong> Demonstration an typischen Aufgaben.<br />
Inhalt:<br />
Gr<strong>und</strong>begriffe; mathematisches Modell des Messvorgangs; Dynamik zeitkontinuierlicher<br />
Messsysteme; stationärer Zustand; Messkennlinien; Abgleichverfahren; Linearisierung um<br />
Betriebspunkt; Übertragungsverhalten im Zeit- <strong>und</strong> Frequenzbereich;<br />
Fouriertransformation;<br />
aktive <strong>und</strong> passive Verbesserung des Übertragungsverhaltens; Verstärkung analoger<br />
Messsignale (Operationsverstärker); passive <strong>und</strong> aktive Filterung analoger Messsignale;<br />
Messwert- <strong>und</strong> Messfehlerstatistik; Fehlerquellen; Arten von Messfehlern;<br />
Häufigkeitsverteilungen zufälliger Fehler; Fehlerfortpflanzung; lineare Regression <strong>und</strong><br />
Korrelation für Paare unterschiedlicher Messgrößen.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Mathematik I-III<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Siehe Literaturliste zur Vorlesung oder unter www.imr.uni-hannover.de/lehre.<br />
Besonderheiten: Die Vorlesung heißt Messtechnik I<br />
Präsenzstudienzeit: 56h Art der Prüfung: schriftlich V2/Ü2<br />
Selbststudienzeit: 64h Studienleistung: keine SS<br />
Empfohlen ab dem: 4.Semester LP: 4<br />
Seite 32
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Halbleiterbauelemente<br />
Introduction to semicanductor devices<br />
Dozent: Osten<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Einführung in die halbleiterphysikalischen Gr<strong>und</strong>lagen <strong>und</strong> der Funktionsprinzipien der<br />
wichtigsten in der Elektronik eingesetzten Halbleiterbauelemente auf einfachem Niveau. Im<br />
Ergebnis sollen die Studierenden die Basisfähigkeiten erwerben, um weiterführende<br />
Fragestellungen der elektronischen Bauelemente bearbeiten zu können, was auch eine<br />
wichtige Voraussetzung für die Nanoelektronik darstellt.<br />
Inhalt:<br />
Entwicklung der Halbleiterelektronik<br />
Bandstruktur von Halbleitern<br />
Halbleitermaterialien: Herstellung, Dotierung usw. am Beispiel von Silizium<br />
Ladungsträger: Verteilung, Generation/Rekombination, Transport<br />
Halbleiter im Kontakt: pn-Übergang, Dioden, Solarzellen<br />
Gr<strong>und</strong>prinzipien von Transistoren: Bipolar <strong>und</strong> Feldefffekttransistor<br />
Gr<strong>und</strong>prinzipien von Speicherzellen<br />
Optoelektronische Bauelemente: LED <strong>und</strong> Laser<br />
Herstellung von Bauelementen: Silizium-Technologie im Überblick<br />
Zukünftige Entwicklungen der Elektronik<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
---<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
F. Thuselt: Physik der Halbleiterbauelemente, Einführendes Lehrbuch für<br />
Ingenieure <strong>und</strong> Physiker, Springer 2005<br />
Vorlesungsskript Hofmann, Halbleiterelektronik; S.M. Sze, Semiconductor Devices:<br />
Physics and Technology, Wiley 2002; R.F. Pierret, Semiconductor Device F<strong>und</strong>amentals,<br />
Addison-Wesley, 1996<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 45h Art der Prüfung: schriftlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 75h Studienleistung: keine WS<br />
Empfohlen ab dem: 4.Semester LP: 4<br />
Seite 33
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Gr<strong>und</strong>praktikum Elektrotechnik (für Nanotechnologie)<br />
Seite 34<br />
(Laboratory of Electrical Engineering)<br />
Semesterlage Sommersemester + Wintersemester<br />
Modulverantwortliche(r) Dierker<br />
Lehrveranstaltungen<br />
(SWS)<br />
Leistungsnachweis zum<br />
Erwerb der LP<br />
Notenzusammensetzung -<br />
Leistungspunkte<br />
(ECTS):<br />
Kompetenzziele:<br />
4<br />
Elektrotechnisches Gr<strong>und</strong>lagenlabor I (4<br />
Versuche SS)<br />
Elektrotechnisches Gr<strong>und</strong>lagenlabor II<br />
(4Versuche WS)<br />
Studienleistung: 2 x Laborübungen<br />
Präsenzstudium<br />
(h):<br />
32 Selbststudium<br />
(h):<br />
Die Studierenden sollen theoretische <strong>und</strong> abstrakte elektrotechnische<br />
Arbeitsweisen praktisch umsetzen können <strong>und</strong> den gr<strong>und</strong>legenden Umgang mit<br />
einfachen elektrotechnischen Geräten beherrschen.<br />
Inhalte:<br />
Stoffplan Labor I: Versuche zu Gleichstrom <strong>und</strong> Gleichfeldern<br />
Stoffplan Labor II: Versuche zu elektromagnetischen Feldern, Wechsel- <strong>und</strong><br />
Drehstrom, Transistoren<br />
Gr<strong>und</strong>legende Literatur:<br />
� Versuchsvorbereitung anhand des Laborskripts<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Vorlesungsstoff "Gr<strong>und</strong>lagen der Elektrotechnik I <strong>und</strong> II"<br />
ggf. Eingangsvoraussetzungen <strong>und</strong> ggf. Teilnehmerzahlbegrenzung:<br />
Die Teilnahme am Elektrotechnischen Gr<strong>und</strong>lagenlabor II ist gr<strong>und</strong>sätzlich nur<br />
Möglich, wenn das Labor I vollständig anerkannt wurde.<br />
88
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Gr<strong>und</strong>praktikum Physik (für Nanotechnologie)<br />
Semesterlage Sommersemester<br />
Modulverantwortliche(r) Dr. Rüdiger Scholz<br />
Lehrveranstaltungen<br />
(SWS)<br />
Leistungsnachweis zum<br />
Erwerb der LP<br />
Notenzusammensetzung -<br />
Leistungspunkte<br />
(ECTS):<br />
Kompetenzziele:<br />
4<br />
Gr<strong>und</strong>praktikum: Mechanik, Optik <strong>und</strong><br />
Atomphysik<br />
Studienleistung: Laborübungen – 8 Versuche<br />
Präsenzstudium<br />
(h):<br />
32 Selbststudium<br />
(h):<br />
Die Studierenden sind mit den Gr<strong>und</strong>prinzipien des Experimentierens vertraut.<br />
Sie kennen die Funktion <strong>und</strong> Genauigkeit verschiedener Messgeräte <strong>und</strong> sind mit<br />
computergestützter Datenerfassung vertraut. Sie sind in der Lage<br />
Messergebnisse in tabellarischer <strong>und</strong> graphischer Form übersichtlich<br />
darzustellen. Studierende sind mit der Anpassung von Funktionen an Messdaten<br />
vertraut. Sie können angemessene Fehlerabschätzungen ausführen <strong>und</strong><br />
beherrschen die Fehlerfortpflanzung.<br />
Inhalte: Praktikumsexperimente bilden eine Auswahl aus:<br />
Mechanik: Schwingungen, Gekoppelte Pendel, Kreisel, Ultraschall, Akustik,<br />
Maxwellrad, Temperatur, Viskosität, Spezifische Wärme, Wasserdämpfe<br />
Optik <strong>und</strong> Atomphysik: Linsen, Interferometer, Beugung, Mikroskop, Prisma,<br />
Gitter, Fotoeffekt, Spektralapparat, Polarisation<br />
Gr<strong>und</strong>legende Literatur:---<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
� Physik I – Mechanik <strong>und</strong> Relativität<br />
� Physik II – Elektrizität<br />
� Physik III – Optik, Atomphysik <strong>und</strong> Quantenphänomene<br />
ggf. Eingangsvoraussetzungen <strong>und</strong> ggf. Teilnehmerzahlbegrenzung:<br />
88<br />
Seite 35
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Informationstechnisches Praktikum<br />
Informationtechnology (Practical Work)<br />
Dozent: Niemann<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Ziel des IT Praktikums ist einerseits die Schulung des algorithmischen, lösungs-orientierten<br />
Denkens <strong>und</strong> andererseits die praktische Umsetzung von Algorithmen in der<br />
Programmiersprache C. Nach erfolgreicher Teilnahme sollen die Teilnehmer in der Lage<br />
sein, zu einfachen algorithmischen Problemen einen Lösungsansatz zu finden <strong>und</strong> den<br />
Algorithmus in C zu realisieren.<br />
Inhalt:<br />
Absolventen von technischen Studiengängen sehen sich sowohl im Studium als auch in der<br />
Praxis oft kleineren Programmierprojekten ausgesetzt, in denen sie entweder selber<br />
programmieren müssen, oder ein Programmierer angeleitet werden muss, oder wo die<br />
eingesetzte Spezialsoftware algorithmisches Denken voraussetzt. Das für diese Zwecke<br />
nötige Gr<strong>und</strong>verständnis von Rechnern <strong>und</strong> deren Programmierung soll in diesem<br />
Praktikum vermittelt werden. Im Rahmen des Praktikums werden Gr<strong>und</strong>lagen der<br />
Informatik <strong>und</strong> des Programmierens behandelt <strong>und</strong> am Beispiel der Programmiersprache C<br />
geübt. Zu den Gr<strong>und</strong>lagen der Informatik gehören:<br />
- Prinzipielle Möglichkeiten <strong>und</strong> Grenzen der Berechenbarkeit, d.h. was kann überhaupt<br />
programmiert werden <strong>und</strong> was nicht?<br />
- was sind Algorithmen? Wie gelangt man von einer Problemstellung strukturiert zu einer<br />
Lösung/zu einem Algorithmus?<br />
- Eigenschaften von Algorithmen<br />
- Datenstrukturen, wie können Daten je nach Zweck sinnvoll im Rechner dargestellt werden?<br />
- Prinzipieller Aufbau <strong>und</strong> Funktionsweise eines Rechners<br />
Diese Gr<strong>und</strong>lagen werden dann praktisch in C geübt. Dazu wird erklärt, was eine Programmiersprache<br />
ist, wie sie allgemein aufgebaut ist <strong>und</strong> was man genau unter dem Schreiben<br />
von Programmen versteht. Kurze Ausblicke in benachbarte <strong>und</strong> weiterführende Gebiete<br />
(wie Softwaretechnik, Objektorientierte Programmierung, C++, …) werden gegeben. In der<br />
Vorlesung werden die Sprachkonstrukte, Datentypen <strong>und</strong> Befehle von C erklärt <strong>und</strong> Algorithmen<br />
<strong>und</strong> deren Umsetzung in Programme an praktischen Beispielen gezeigt. Zu den<br />
Vorlesungsinhalten gibt es dann jeweils praktische Übungsaufgaben. Abgeschlossen wird<br />
die Veranstaltung durch eine praktische Programmierprüfung. Zur Bearbeitung der Übungsaufgaben<br />
<strong>und</strong> auch für die Abschlussprüfung steht der Rechnerpool im Otto-Klüsner-Haus<br />
mit entsprechender Software zur Verfügung.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Elementare Kenntnisse im Umgang mit einem Rechner<br />
Voraussetzungen: ---<br />
Literaturempfehlung: Handbuch des RRZN „Die Programmiersprache C“, Standardwerke<br />
Besonderheiten:---<br />
Präsenzstudienzeit: 42h Art der Prüfung: keine V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 48h Studienleistung: praktisch am Rechner WS<br />
Empfohlen ab dem: 5.Semester LP: 3<br />
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11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Modulname, Nr. Instrumentelle Methoden 1<br />
Lehrform (SWS,<br />
V Molekülsymmetrie / Kristallographie (2 SWS)<br />
Gruppengröße)<br />
V Instrumentelle Methoden I (2 SWS)<br />
Semester WS / 5. Semester<br />
Verantwortliche Behrens<br />
Dozenten Behrens, Duddeck, Grabow, Schneider, Vogt,<br />
Wiebcke<br />
Sprache Deutsch<br />
Arbeitsaufwand 56 h Präsenzzeit<br />
124 h Selbststudium<br />
Leistungspunkte 6 LP<br />
Voraussetzungen nach keine<br />
Prüfungsordnung<br />
Empfohlene Voraussetzungen Gr<strong>und</strong>kenntnisse in Mathematik <strong>und</strong> Physik<br />
Studienleistungen Klausur (2 h) über die Themengebiete des Moduls<br />
Prüfungsleistungen<br />
Medienformen: Tafelanschrieb, Overheadfolien, Arbeitsblätter,<br />
Experimente<br />
Vorlesung: Molekülsymmetrie/Kristallographie<br />
Lernziele:<br />
Die Studierenden erwerben gr<strong>und</strong>legende Kenntnisse zum Verständnis von<br />
Molekülsymmetrie, Molekülbeweglichkeit <strong>und</strong> Kristallographie. Diese<br />
Gr<strong>und</strong>kenntnisse werden in den Lehrveranstaltungen „Instrumentelle Methoden I-<br />
III“ <strong>und</strong> den folgenden Praktika vertieft <strong>und</strong> angewendet.<br />
Inhalte:<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Gruppentheorie<br />
Molekülsymmetrie <strong>und</strong> Symmetrielemente; Konstitution, Konfiguration <strong>und</strong><br />
Konformation von Molekülen; Chiralität, Prochiralität <strong>und</strong> Pseudochiralität;<br />
Konformationsanalyse<br />
Kristallographie: Der kristalline Zustand, Kristallstruktur, Gitterbegriff, Gr<strong>und</strong>begriffe<br />
der Kristallmorphologie, Bravais-Gitter, Kristallklassen, Raumgruppen,<br />
kristallographische Beschreibung von Kristallstrukturen<br />
Literatur:<br />
Borchardt-Ott,<br />
Zschunke, Dale<br />
Weitere Literatur wird in der LV bekannt gegeben.<br />
Vorlesung: Instrumentelle Methoden I<br />
Lernziele:<br />
Die Studierenden erhalten gr<strong>und</strong>legende Kenntnisse in den Themenbereichen<br />
Lichtmikroskopie, Röntgenspektroskopie, IR-Spektroskopie <strong>und</strong> NMR-<br />
Spektroskopie sowie vertiefte Kenntnisse in der Röntgenbeugung. Die erworbenen<br />
Kenntnisse werden in nachfolgenden Lehrveranstaltungen angewendet.<br />
Seite 37
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Inhalte:<br />
IR-Spektroskopie:<br />
Elektrische Dipole, harmonischer/anharmonischer Oszillator;<br />
Molekülschwingungen/-rotationen; Zusammenhang Molekülsymmetrie –<br />
Dipolmoment – IR-Spektrum; Prinzip der FT-IR, Aufbau eines IR-Spektrometers;<br />
Vergleich zur RAMAN-Spektroskopie; Zusammenhang: Kraftkonstante - Wellenzahl<br />
anhand typischer Bindungssituationen; Charakteristische Gruppenschwingungen;<br />
IR-Spektren typischer Stoffklassen der Chemie; Messmethoden (fest, flüssig,<br />
Lösung, gasförmig); wichtige IR-Banden; Fingerprint-Bereich; OH-Banden;<br />
Isotopeneffekte<br />
NMR-Spektroskopie:<br />
Prinzip der NMR; Kernspin; Anregung; Relaxation; NMR-aktive Kerne;<br />
Abschirmung; Chemische Verschiebung; charakteristische chemische 1H- <strong>und</strong><br />
13C-NMR-Verschiebungen wichtiger funktio-neller Gruppen; Spin-Spin-<br />
Kopplungen; Kopplungskonstanten; Überlagerung mehrerer Kopplungen;<br />
Pascalsches Dreieck; Karplus-Kurve; NMR-Lösungsmittel<br />
Massenspektrometrie:<br />
Ionisierung; Erkennung von Heteroatomen; typische Fragmentierungsreaktionen<br />
Lichtmikroskopie:<br />
Aufbau eines Mikroskops; Polarisiertes Licht; Aufbau eines<br />
Polarisationsmikroskops; Dichroismus; Doppelbrechung;<br />
ordentlicher/außerordentlicher Strahl; Kristalle im Polarisationsmikroskop<br />
Röntgenspektroskopie:<br />
Spektroskopische Eigenschaften von Röntgenstrahlen; Erzeugung von<br />
Röntgenstrahlen; Detektion von Röntgenstrahlen; Röntgenfluoreszenzanalyse<br />
Röntgenbeugung:<br />
Beugung von Röntgenstrahlen am eindimensionalen Gitter; Beugung am<br />
dreidimensionalen Gitter; Beugung an Netzebenen; Geometrie der Beugung;<br />
Braggsche Gleichung; Beugung höherer Ordnung; Quadratische Formen; Gitter<br />
<strong>und</strong> reziprokes Gitter; Ewald-Konstruktion; Intensitäten von<br />
Röntgenbeugungsphänomenen; Beugung an einer Struktur; Einkristallmethoden;<br />
Gang einer Röntgen-Einkristallstrukturanalyse; Röntgenbeugung am Pulver;<br />
Allgemeine Charakteristika von Röntgen-Pulverdiffraktogrammen; Qualitative<br />
Phasenanalyse; Kristallographische Datenbanken; Indizierung von Röntgen-<br />
Pulverdiffraktogrammen; Gitterkonstantenbestimmung; Spezielle Aspekte der<br />
Röntgen-Pulverdiffraktometrie<br />
Literatur:<br />
Hesse-Meyer-Zeeh,<br />
Manfred Reichenbächer, Jürgen Popp: Strukturanalytik organischer <strong>und</strong><br />
anorganischer Verbindungen<br />
Lothar Spieß, Robert Schwarzer, Herfried Behnken, Gerd Teichert: Moderne<br />
Röntgenbeugung<br />
Werner Massa: Kristallstrukturbestimmung<br />
Aktuelle Literatur wird in der Vorlesung bekannt gegeben<br />
Seite 38
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Mathematik I für Ingenieure<br />
Mathematics for Engineering Students I<br />
Dozent: Dozenten der Mathematik E-Mail:<br />
studiendekanat@maphy.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
In diesem <strong>Kurs</strong> werden die Gr<strong>und</strong>begriffe der linearen Algebra mit Anwendungen auf die<br />
Lösung von linearen Gleichungssystemen <strong>und</strong> auf Eigenwertprobleme vermittelt. Ein weiterer<br />
Schwerpunkt besteht in der exakten Einführung des Grenzwertbegriffes in seinen<br />
unterschiedlichen Ausführungen <strong>und</strong> darauf aufbauender Gebiete wie der Differential- <strong>und</strong><br />
Integralrechnung. Potenzreihen, Reihenentwicklungen, z.B.<br />
Taylorreihen, beschließen den <strong>Kurs</strong>. Mathematische Schlussweisen <strong>und</strong> darauf aufbauende<br />
Methoden stehen im Vordergr<strong>und</strong> der Stoffvermittlung.<br />
Inhalt:<br />
- Reelle <strong>und</strong> komplexe Zahlen<br />
- Vektorräume; Lineare Gleichungssysteme<br />
- Determinanten<br />
- Eigenwerte <strong>und</strong> Eigenvektoren<br />
- Folgen <strong>und</strong> Reihen<br />
- Folgen <strong>und</strong> Reihen<br />
- Stetigkeit<br />
- Elementare Funktionen<br />
- Differentiation in einer Veränderlichen<br />
- Integralrechnung in einer Veränderlichen<br />
- Potenzreihen <strong>und</strong> Taylorformel<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
---<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Meyberg, Vachenauer: Mathematik I.<br />
Papula: Mathematik für Ingenieure <strong>und</strong> Naturwissenschaftler<br />
Besonderheiten:<br />
Anstelle der geforderten Klausur am Ende des Semesters können vorlesungsbe-<br />
gleitende Prüfungen in Form schriftlicher Kurzklausuren abgelegt werden.<br />
Präsenzstudienzeit: 98h Art der Prüfung: keine V4/Ü3<br />
Selbststudienzeit: 172 h Studienleistung: schriftlich WS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 9<br />
Seite 39
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Mathematik II für Ingenieure<br />
Mathematics for Engineering Students II<br />
Dozent: Dozenten der Mathematik E-Mail:<br />
studiendekanat@maphy.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
In diesem <strong>Kurs</strong> werden die Methoden der Differential- <strong>und</strong> Integralrechnung weiter ausgebaut<br />
<strong>und</strong> auf kompliziertere Gebiete angewandt. Dazu gehören die Differentialrechnung angewandt<br />
auf reellwertige <strong>und</strong> auf vektorwertige Funktionen; die Integralrechnung wird auf<br />
Mehrfachintegrale <strong>und</strong> Linienintegrale erweitert. In technischen Anwendungen spielen<br />
Differentialgleichungen eine große Rolle; im Mittelpunkt stehen daher im letzten Teil dieser<br />
Veranstaltung Differentialgleichungen 1.Ordnung <strong>und</strong> lineare Differentialgleichungssysteme<br />
mit konstanten Koeffizienten.<br />
Inhalt:<br />
- Differentialrechnung von Funktionen mehrerer Veränderlicher (reellwertige Funktionen<br />
mehrerer Veränderlicher, partielle Ableitungen, Richtungsableitung, Differenzierbarkeit,<br />
vektorwertige Funktionen, Taylorformel, lokale Extrema, Implizite Funktionen, Extrema unter<br />
Nebenbedingungen)<br />
- Integralrechnung von Funktionen mehrerer Veränderlicher (Kurven im R^3, Kurvenintegrale,<br />
Mehrfachintegrale, Satz von Green, Transformationsregel, Flächen <strong>und</strong> Oberflächenintegrale<br />
im Raum, Sätze von Gauß <strong>und</strong> Stokes)<br />
- Gewöhnliche Differentialgleichungen (Differentialgleichungen erster Ordnung, lineare<br />
Differentialgleichungen n-ter Ordnung, Systeme von<br />
Differentialgleichungen)<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Mathematik I für Ingenieure<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Meyberg, Vachenauer: Mathematik II<br />
Papula: Mathematik für Ingenieure <strong>und</strong> Naturwissenschaftler II + III<br />
Besonderheiten:<br />
Anstelle der geforderten Klausur am Ende des Semesters können vorlesungsbe-<br />
gleitende Prüfungen in Form schriftlicher Kurzklausuren abgelegt werden.<br />
Präsenzstudienzeit: 84h Art der Prüfung: schriftlich V3/Ü3<br />
Selbststudienzeit: 186h Studienleistung: keine SS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 9<br />
Seite 40
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Mathematik III für Ingenieure<br />
Mathematics for Engineering Students III<br />
Dozent: Dozenten der Mathematik E-Mail:<br />
studiendekanat@maphy.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Aufbauend auf den Kenntnissen aus Mathematik I <strong>und</strong> II werden in Mathematik III<br />
verschiedenste Werkzeuge der Ingenieurmathematik erlernt, die für das<br />
Gr<strong>und</strong>lagenstudium relevant sind. Diese finden auch in anderen Modulen des Bachelor<br />
Anwendung <strong>und</strong> sind Gr<strong>und</strong>lage für die zu erwerbenden Kenntnisse <strong>und</strong> Fertigkeiten im<br />
Masterstudium.<br />
Inhalt:<br />
Folgende Schwerpunkte werden in der Vorlesung vermittelt:<br />
- Fourierentwicklungen<br />
- Direkte <strong>und</strong> iterative Verfahren für Lineare Gleichungssysteme<br />
- Matrizeneigenwertprobleme<br />
- Interpolation <strong>und</strong> Ausgleichsrechnung<br />
- Numerische Quadratur<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Mathematik I <strong>und</strong> II für Ingenieure<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Wird in der Vorlesung bekannt gegeben.<br />
Besonderheiten:<br />
In die Vorlesung ist die Übung integriert (2+1 SWS). Zusätzlich wird empfohlen, eine Gruppe<br />
in "Mathematik III für Ingenieure - Fragest<strong>und</strong>en" zu belegen.<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: keine V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: schriftlich WS<br />
Empfohlen ab dem: 3.Semester LP: 4<br />
Seite 41
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Mathematik IV für Ingenieure<br />
Mathematics for Engineering Students IV<br />
Dozent: Dozenten der Mathematik E-Mail:<br />
studiendekanat@maphy.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Aufbauend auf den Kenntnissen aus Mathematik I, II <strong>und</strong> III werden in Mathematik IV<br />
verschiedenste Werkzeuge der Ingenieurmathematik erlernt, die für das Gr<strong>und</strong>lagenstudium<br />
relevant sind. Diese finden auch in anderen Modulen des Bachelor Anwendung <strong>und</strong> sind<br />
Gr<strong>und</strong>lage für die zu erwerbenden Kenntnisse <strong>und</strong> Fertigkeiten im Masterstudium.<br />
Inhalt:<br />
Folgende Schwerpunkte werden in der Vorlesung vermittelt:<br />
- Nichtlineare Gleichungen <strong>und</strong> Systeme<br />
- Laplace-Transformation<br />
- Gewöhnliche <strong>und</strong> partielle Differentialgleichungen<br />
- Randwertaufgaben<br />
- Eigenwertaufgaben für gewöhnliche Differentialgleichungen<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Mathematik I, II <strong>und</strong> III für Ingenieure<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Wird in der Vorlesung bekannt gegeben.<br />
Besonderheiten: In die Vorlesung ist die Übung integriert (2+1 SWS). Zusätzlich wird<br />
empfohlen, eine Gruppe in "Mathematik III für Ingenieure - Fragest<strong>und</strong>en" zu belegen.<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: keine V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: schriftlich SS<br />
Empfohlen ab dem: 3.Semester LP: 4<br />
Seite 42
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Mikro- <strong>und</strong> Nanosysteme<br />
Micro and Nano Systems<br />
Dozent: Rissing<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Ziel der Vorlesung ist die Vermittlung von Kenntnissen über die wichtigsten<br />
Anwendungsbereiche der Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnik. Ein mikrotechnisches System hat die<br />
Komponenten Mikrosensorik, Mikroaktorik <strong>und</strong> Mikroelektronik. Vermittelt werden Aufbau<br />
<strong>und</strong> Wirkprinzip der Mikrobauteile sowie Anforderungen der Systemintegration. Auf<br />
Nanometerskala treten neue Effekte auf, die in der Vorlesung vorgestellt werden <strong>und</strong> die<br />
die Studierenden erklären können. Exemplarisch wird der Einsatz von Nanotechnologie in<br />
verschiedenen Anwendungsbereichen dargestellt wie die Nutzung magnetoresistiver<br />
Sensoreffekte (z.B. GMR-Effekt) oder die Nanopositionierung im Bereich Aktorik.<br />
Inhalt:<br />
- Funktionsprinzipien der Mikro- <strong>und</strong> Nanosensorik <strong>und</strong> -aktorik<br />
- Gr<strong>und</strong>lagen der Mikro- <strong>und</strong> Nanotribologie<br />
- Einführung in die Halbleitertechnik;<br />
- Anwendungen der Mikrosystemtechnik in den Feldern Daten- <strong>und</strong> Informationstechnik,<br />
Telekommunikation, Automobiltechnik, Luft- <strong>und</strong> Raumfahrttechnik,<br />
Industrieautomatisierung <strong>und</strong> Biomedizintechnik<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Vorlesung Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnologie<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskript;<br />
Hauptmann: Sensoren, Prinzipien <strong>und</strong> Anwendungen, Carl Hanser Verlag, München 1990.<br />
Tuller: Microactuators, Kluwer Academic Publishers, Norwell 1998.<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 42h Art der Prüfung: mündlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 78h Studienleistung: keine SS<br />
Empfohlen ab dem: 4.Semester LP: 4<br />
Seite 43
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnologie<br />
Micro and Nano Technology<br />
Dozent: Rissing<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Ziel der Vorlesung ist die Vermittlung von Kenntnissen über Prozesse <strong>und</strong> Anlagen, die der<br />
Herstellung von Mikro- <strong>und</strong> Nanobauteilen dienen. Bei der Mikrotechnologie liegt der<br />
Schwerpunkt auf Verfahren der Dünnfilmtechnik. Die Herstellung der Bauteile erfolgt durch<br />
Einsatz von Beschichtungs-, Ätz- <strong>und</strong> Dotiertechniken in Verbindung mit Fotolithografie.<br />
Beim Übergang zur Nanotechnologie werden letztere durch Verfahren der<br />
Selbstorganisation ergänzt. Hier kommen spezielle Verfahren zum Einsatz, die unter der<br />
Bezeichnung Bottom up- <strong>und</strong> Top down-Prozesse zusammengefasst werden. Studierende<br />
können zwischen den einzelnen Prozessen unterscheiden <strong>und</strong> verstehen den<br />
gr<strong>und</strong>legenden Aufbau von Mikro- <strong>und</strong> Nanosystemen.<br />
Inhalt:<br />
- Gr<strong>und</strong>lagen der Vakuumtechnik<br />
- Beschichtungstechnik: Physikalische (Physical Vapor Deposition - PVD) <strong>und</strong> chemische<br />
(Chemical Vapor Deposition - CVD) Abscheidung von Filmen aus der Dampfphase,<br />
galvanische Verfahren<br />
- Dotierung <strong>und</strong> Oberflächenumwandlung<br />
- Ätztechnik: Nasschemisches Ätzen, physikalisches, physikalisch-chemisches <strong>und</strong><br />
chemisches Trockenätzen<br />
- Fotolithografische Verfahren zur Strukturdefinition<br />
- Nanotechnologie: Bottom up- <strong>und</strong> Top down-Prozesse<br />
- Fertigung im Reinraum<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
---<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskript; Wautelet: Nanotechnologie, Oldenbourg, 2008; M.J. Madou:<br />
F<strong>und</strong>amentals of Microfabrication. 2. Ausgabe, Boca Raton [u.a.]: CRC Press, 2002; S.<br />
Büttgenbach: Mikromechanik : Einführung in Technologie <strong>und</strong> Anwendungen. 2. Auflage,<br />
Teubner, 1994<br />
Besonderheiten:<br />
Reinraumübungen<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: schriftlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: keine WS<br />
Empfohlen ab dem: 3.Semester LP: 4<br />
Seite 44
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Physik I - Mechanik <strong>und</strong> Relativität<br />
Semesterlage Wintersemester<br />
Modulverantwortliche(r) Institute der Experimentalphysik<br />
Lehrveranstaltungen<br />
(SWS)<br />
Leistungsnachweis zum<br />
Erwerb der LP<br />
Notenzusammensetzung -<br />
Vorlesung Mechanik <strong>und</strong> Relativität<br />
Übung zu Mechanik <strong>und</strong> Relativität<br />
Studienleistung: Übungsaufgaben, Klausur<br />
Leistungspunkte<br />
(ECTS):<br />
6<br />
Präsenzstudium<br />
(h):<br />
90 Selbststudium<br />
Kompetenzziele:<br />
(h):<br />
90<br />
Die Studierenden haben eine anschauliche Vorstellung physikalischer<br />
Phänomene der Mechanik <strong>und</strong> Relativität gewonnen. Sie kennen die<br />
einschlägigen Gesetzmäßigkeiten <strong>und</strong> können diese mit Schlüsselexperimenten<br />
begründen. Die Studierenden sind mit der Bearbeitung von Beispielaufgaben der<br />
Mechanik <strong>und</strong> Relativität vertraut <strong>und</strong> können Aufgaben mit angemessenem<br />
Schwierigkeitsgrad eigenständig lösen.<br />
Inhalte:<br />
� Mechanik eines Massepunktes, Systeme von Massepunkten <strong>und</strong> Stöße<br />
� Dynamik starrer ausgedehnter Körper<br />
� Reale <strong>und</strong> flüssige Körper, Strömende Flüssigkeiten <strong>und</strong> Gase<br />
� Temperatur, Ideales Gas, Wärmetransport<br />
� Mechanische Schwingungen <strong>und</strong> Wellen<br />
Gr<strong>und</strong>legende Literatur:<br />
� Demtröder, Experimentalphysik 1, Mechanik <strong>und</strong> Wärme, Springer Verlag<br />
� Gerthsen, Physik, Springer Verlag<br />
� Tipler, Physik, Spektrum Akademischer Verlag<br />
� Feynman, Lectures on Physics, Band 1; Addison-Wesley Verlag<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Schulkenntnisse in Mathematik <strong>und</strong> Physik (gymnasiale Oberstufe)<br />
ggf. Eingangsvoraussetzungen <strong>und</strong> ggf. Teilnehmerzahlbegrenzung: keine<br />
Seite 45
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Seite 46<br />
Physik II - Elektrizität<br />
Semesterlage Sommersemester<br />
Modulverantwortliche(r) Institute der Experimentalphysik<br />
Lehrveranstaltungen<br />
(SWS)<br />
Leistungsnachweis zum<br />
Erwerb der LP<br />
Notenzusammensetzung -<br />
Vorlesung Elektrizität<br />
Übung zu Elektrizität<br />
Studienleistung: Übungsaufgaben <strong>und</strong> Klausur<br />
Leistungspunkte<br />
Präsenzstudium Selbststudium<br />
8<br />
90<br />
(ECTS):<br />
(h):<br />
(h):<br />
Kompetenzziele:<br />
Die Studierenden verfügen über f<strong>und</strong>iertes Faktenwissen auf dem Gebiet der<br />
Elektrizitätslehre. Sie sind in der Lage die einschlägigen Gesetzmäßigkeiten<br />
herzuleiten <strong>und</strong> können diese mit Schlüsselexperimenten begründen. Die<br />
Studierenden können Aufgaben mit angemessenem Schwierigkeitsgrad<br />
eigenständig lösen.<br />
Inhalte:<br />
� Elektrostatik, Elektrischer Strom, Statische Magnetfelder, Zeitlich<br />
veränderliche Felder<br />
� Maxwellsche Gleichungen, Elektromagnetische Wellen<br />
� mehrdimensionale Bewegung: Impuls, Drehimpuls, Potential<br />
� Zentralkraft: Kepler-Problem, effektives Potential, Streuquerschnitt<br />
Gr<strong>und</strong>legende Literatur:<br />
� Demtröder, Experimentalphysik 2, Elektrizität <strong>und</strong> Optik, Springer Verlag<br />
� Gerthsen, Physik, Springer Verlag<br />
� Tipler, Physik, Spektrum Akademischer Verlag<br />
� Feynman, Lectures on Physics, Band 2; Addison-Wesley Verlag<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Vorlesungen Mechanik <strong>und</strong> Relativität <strong>und</strong> Mathematische Methoden der Physik<br />
ggf. Eingangsvoraussetzungen <strong>und</strong> ggf. Teilnehmerzahlbegrenzung: keine<br />
150
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Physik III - Optik, Atomphysik, Quantenphänomene<br />
Semesterlage Wintersemester<br />
Modulverantwortliche(r) Institute der Experimentalphysik<br />
Lehrveranstaltungen<br />
(SWS)<br />
Leistungsnachweis zum<br />
Erwerb der LP<br />
Vorlesung Optik, Atomphysik,<br />
Quantenphänomene<br />
Übung zu Optik, Atomphysik,<br />
Quantenphänomene<br />
Studienleistung: Übungsaufgaben<br />
Prüfungsleistung: mündliche Prüfung<br />
Notenzusammensetzung Note der mündlichen Prüfung<br />
Leistungspunkte<br />
Präsenzstudium Selbststudium<br />
8<br />
90<br />
150<br />
(ECTS):<br />
(h):<br />
(h):<br />
Kompetenzziele:<br />
Die Studierenden kennen die f<strong>und</strong>amentalen experimentellen Bef<strong>und</strong>e <strong>und</strong><br />
verstehen die zugr<strong>und</strong>e liegenden physikalischen Gesetzmäßigkeiten der Optik<br />
<strong>und</strong> Atomphysik. Die Studierenden sind in der Lage diese Gesetzmäßigkeiten<br />
eigenständig auf physikalische Problemstellungen anzuwenden.<br />
Inhalte:<br />
� Geometrische Optik<br />
� Welleneigenschaften des Lichts: Interferenz, Beugung, Polarisation,<br />
Doppelbrechung<br />
� Optik, optische Instrumente<br />
� Materiewellen, Welle-Teilchen-Dualismus<br />
� Aufbau von Atomen<br />
� Energiezustände, Drehimpuls, magnetisches Moment<br />
Mehrelektronensysteme, Pauli-Prinzip Spektroskopie, spontane <strong>und</strong> stimulierte<br />
Emission<br />
Gr<strong>und</strong>legende Literatur:<br />
� Demtröder Experimentalphysik 2 <strong>und</strong> 3, Springer Verlag<br />
� Berkeley Physikkurs<br />
� Bergmann/Schäfer<br />
� Haken, Wolf, Atom- <strong>und</strong> Quantenphysik, Springer Verlag<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Module Physik I - Mechanik <strong>und</strong> Relativität <strong>und</strong> Physik II - Elektrizität<br />
ggf. Eingangsvoraussetzungen <strong>und</strong> ggf. Teilnehmerzahlbegrenzung: keine<br />
Seite 47
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Physikalische Chemie I<br />
Physical Chemistry I<br />
Dozent: Caro, Heitjans, Becker, Imbihl<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden erhalten durch die Vorlesung <strong>und</strong> Übungen die Fähigkeit, die<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Thermodynamik, der Kinetik <strong>und</strong> der Gleichgewichtselektrochemie zu<br />
verstehen <strong>und</strong> anzuwenden. Insbesondere das Verständnis thermo-dynamischer Potentiale<br />
<strong>und</strong> deren Anwendung auf chemische Probleme steht im Mittelpunkt. Das Verständnis von<br />
Struktur-Eigenschaft-Beziehungen nanostrukturierter Materie soll vermittelt <strong>und</strong> verstanden<br />
werden.<br />
Inhalt:<br />
Die Eigenschaften der Gase; Der Erste Hauptsatz der Thermodynamik; Thermochemie;<br />
Bildungsenthalpien; Zustandsfunktionen <strong>und</strong> totale Differentiale; Der zweite Hauptsatz; Der<br />
Dritte Hauptsatz der Thermodynamik; Freie Energie <strong>und</strong> Freie Enthalpie; Das chemische<br />
Potential; Physikalische Umwandlung reiner Stoffe; Die thermodynamische Beschreibung<br />
von Mischungen; Kolligative Eigenschaften; Aktivitäten; Phasendiagramme; Das chemische<br />
Gleichgewicht; Die Verschiebung des Gleichgewichtes bei Änderung der Reaktionsbedingung;<br />
Gleichgewichtselektrochemie; Formalkinetik. Änderung der physikalisch-chemischen<br />
Eigenschaften nanostrukturierter Systeme, insbesondere bei Vergrößerung der Oberfläche.<br />
In den Übungen wird der Vorlesungsstoff zusammenfassend anhand von Übungsaufgaben<br />
wiederholt. Dabei steht u.a. auch der Anwendungsbezug im Vordergr<strong>und</strong>. Zu einem Anteil<br />
von etwa 25% der Übungsaufgaben wird der gelehrte Vorlesungsstoff vom Studierenden<br />
weiter entwickelt, so dass ein erweitertes Verständnis resultiert.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
---<br />
Voraussetzungen:<br />
Literaturempfehlung:<br />
P.W. Atkins, Physikalische Chemie, 3. korr. Aufl., 2002;<br />
G. Wedler, Lehrbuch der Physikalischen Chemie, 4. Aufl., 1997<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 63h Art der Prüfung: schriftlich V4/Ü2<br />
Selbststudienzeit: 117h Studienleistung: keine SS<br />
Empfohlen ab dem: 4.Semester LP: 6<br />
Seite 48
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Sensorik <strong>und</strong> Nanosensoren - Messen nicht-elektrischer<br />
Größen<br />
Dozent: Zimmermann Webseite:<br />
http://www.geml.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden sollen einen Überblick über die verschiedenen Sensorprinzipien <strong>und</strong><br />
Messmethoden zur Erfassung nicht-elektrischer Größen erhalten. Es werden sowohl die<br />
gängigen physikalischen, optischen, chemischen <strong>und</strong> biochemischen Sensoren (unter<br />
anderem in Form von Halbleitersensoren) <strong>und</strong> Messmethoden als auch Nanosensoren<br />
vorgestellt, die aufgr<strong>und</strong> ihrer Eigenschaften völlig neue Möglichkeiten in der Sensorik<br />
bieten.<br />
Inhalt:<br />
Theoretische Gr<strong>und</strong>lagen <strong>und</strong> Anwendungsbeispiele verschiedener Sensorprinzipien<br />
(physikalisch, halbleitend, optisch, chemisch <strong>und</strong> biochemisch) <strong>und</strong> Messmethoden zur<br />
Erfassung nicht-elektrischer Größen: Temperatur, geometrische Größen (Weg, Winkel,<br />
Lage, Position, Füllstand), mechanische Größen (Kraft, Druck, Masse, Drehmoment,<br />
Dichte, Viskosität, Oberflächenspannung), kinematische Größen (Drehzahl,<br />
Beschleunigung, Geschwindigkeit), strömungstechnische Größen (Volumenstrom,<br />
Massendurchfluss), Magnetfeld, optische <strong>und</strong> akustische Größen, chemische <strong>und</strong><br />
biochemische Größen (Feuchte, pH-Wert, Stoffkonzentration), Nanosensoren.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Keine. Ein gutes Verständnis physikalisch-naturwissenschaftlicher Zusammenhänge ist<br />
hilfreich. Das Labor „Sensorik - Messen nicht-elektrischer Größen“ <strong>und</strong> die Vorlesung<br />
„Sensoren in der Medizintechnik“ sind empfehlenswerte Ergänzungen.<br />
Literaturempfehlungen:<br />
Eine entsprechende Literaturliste wird zu beginn der Vorlesung zur Verfügung gestellt.<br />
Präsenzstudienzeit: 42h Art der Prüfung: schriftlich oder mündlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 78h Studienleistung: keine WS<br />
Empfohlen ab dem: 5.Semester LP: 4<br />
Seite 49
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Technische Chemie 1<br />
Technical Chemistry I<br />
Dozent: Bellgardt, Scheper<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden erarbeiten sich im Rahmen der Vorlesung Gr<strong>und</strong>lagen auf dem Gebiet<br />
der chemischen Reaktionstechnik. Sie lernen, welche Gr<strong>und</strong>kenntnisse notwendig sind, um<br />
eine chemische Reaktion unter wirtschaftlichen Bedingungen in großtechnischem Maßstab<br />
durchführen zu können. Diese Kenntnisse werden von Ihnen in den Übungen an Hand von<br />
Aufgabenstellungen aus der Praxis vertieft. Neben der Fachkompetenz erhalten die<br />
Studierenden Einblicke in die berufliche Praxis der chemischen Produktionstechnik. Dabei<br />
werden gesetzliche Regelungen, z.B. Genehmigungsfragen, nicht ausgeklammert (Zusatzqualifikation).<br />
Fragen der sicheren Produktion, des Freisetzens <strong>und</strong> Entsorgens von<br />
Nanoteilchen werden behandelt.<br />
Inhalt:<br />
Die Vorlesung beginnt mit einer Zusammenstellung der für die Reaktionstechnik wichtigen<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der chemischen Thermodynamik. Sie behandelt die Beschreibung von<br />
Nichtgleichgewichts-Systemen anhand von Bilanz- u. Materialgleichungen. Praxisrelevante<br />
Aussagen aus der Chemischen Kinetik folgen, wobei auch die Kinetik heterogener<br />
katalysierter Prozesse berücksichtigt wird. Mit der Vorstellung des Verweilzeitverhaltens<br />
von idealem Durchfluss-Rührkessel, idealem Strömungsrohr <strong>und</strong> idealer Kaskade beginnt<br />
die eigentliche Diskussion der Technischen Reaktionsführung. Die Behandlung der<br />
Gr<strong>und</strong>typen chemischer Reaktoren <strong>und</strong> deren Umsatzverhalten anhand der Bilanzgleichungen<br />
hat zunächst die isotherme Reaktionsführung im Auge. Das Umsatzverhalten nicht<br />
isothermer Reaktoren folgt. Risiken des unkontrollierten Freisetzens von Nanoteilchen.<br />
Produktion von Nanoteilchen in unterschiedlichen Mengen-Maßstäben <strong>und</strong> deren scale up.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Gr<strong>und</strong>kenntnisse in Mathematik sowie in den Gr<strong>und</strong>lagen der<br />
Physikalischen Chemie<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Wird in der Vorlesung bekannt gegeben<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 42h Art der Prüfung: keine V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 78h Studienleistung: schriftlich WS<br />
Empfohlen ab dem: 6.Semester LP: 4<br />
Seite 50
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Technische Mechanik I für Maschinenbauer<br />
Engineering Mechanics I<br />
Dozent: Wallaschek,Wriggers<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Ziel der Vorlesung ist die Vermittlung von Kenntnissen über die Gr<strong>und</strong>begriffe der<br />
Mechanik. Die Studierenden lernen das Schnittprinzip <strong>und</strong> das darauf aufbauende<br />
Freikörperbild kennen. Im Anschluss daran erfolgt eine Einführung in die Statik starrer<br />
Körper, insbesondere der ebenen Systeme. Nach der Erklärung der Gleichgewichtsbedingungen<br />
können die Studierenden das erlernte Wissen auf technische Beispiele<br />
anwenden. Dazu gehören auch Systeme mit Reibung <strong>und</strong> die Berechnung von<br />
Beanspruchungsgrößen.<br />
Inhalt:<br />
- Gr<strong>und</strong>größen, Maßeinheiten, Axiomatik der Statik;<br />
- Reduktion allgemeiner Kraftsysteme;<br />
- Gleichgewichtsbedingungen, deren Anwendung auf überwiegend ebene Systeme von<br />
Stäben <strong>und</strong> Balken: Auflagerreaktionsberechnungen, Schwerpunkte, Reibung, Stabwerke;<br />
- Beanspruchungsgrößen: Normalkraft- <strong>und</strong> Querkraftverteilung, Biegemomentenverlauf.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
---<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskript, Aufgaben- <strong>und</strong> Formelsammlung. Hagedorn: Technische Mechanik, Bd.1<br />
- Statik, Verlag Harri Deutsch, Frankfurt a.M., 2003; Gross, Hauger, Schnell: Technische<br />
Mechanik, Bd. 1- Statik, Springer Verlag.<br />
Besonderheiten:<br />
Integrierte Lehrveranstaltung bestehend aus Vorlesung, Hörsaalübung <strong>und</strong> Gruppenübung.<br />
Präsenzstudienzeit: 53h Art der Prüfung: keine V2/Ü3<br />
Selbststudienzeit: 127h Studienleistung: schriftlich WS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 6<br />
Seite 51
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Technische Mechanik II für Maschinenbauer<br />
Engineering Mechanics II<br />
Dozent: Wallaschek,Wriggers<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Im Rahmen der Vorlesung erfolgt eine Einführung in die Festigkeitslehre. Die Studierenden<br />
erwerben dabei Kenntnisse über die in schlanken Bauteilen (Stäbe <strong>und</strong> Balken)<br />
auftretenden<br />
Belastungen <strong>und</strong> die dadurch erzeugten Verformungen. Für statisch bestimmte Systeme<br />
können die Studierenden die Beanspruchungsgrößen dabei vorab mit den in "Technische<br />
Mechanik I" gelehrten Methoden berechnen. Für die Berechnung statisch unbestimmter<br />
Systeme werden geeignete Verfahren vorgestellt.<br />
Inhalt:<br />
- Spannungen <strong>und</strong> Formänderungen von Zugstäben, homogenen Biegebalken bei<br />
vorwiegend gerader Biegung sowie Torsionsstäben;<br />
- Berechnung der Biegelinie bei statisch bestimmten <strong>und</strong> unbestimmten Systemen;<br />
Knickung;<br />
- Ebener Spannungs- <strong>und</strong> Dehnungszustand;<br />
- Verfahren zur Berechnung statisch unbestimmter Systeme/Fachwerke;<br />
- Mohr'scher Kreis;<br />
- Versagenskriterien;<br />
- Kesselformeln;<br />
- Passive Formänderungsarbeiten;<br />
- Hydrostatik.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Technische Mechanik I<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskript, Aufgaben- <strong>und</strong> Formelsammlung. Hagedorn: Techn. Mechanik, Bd. 2 -<br />
Festigkeitslehre, Verlag Harri Deutsch, Frankfurt a.M., 2003. Gross, Hauger, Schnell:<br />
Techn. Mechanik, Bd 2 - Festigkeitslehre, Springer Verlag.<br />
Besonderheiten:<br />
Integrierte Lehrveranstaltung bestehend aus Vorlesung, Hörsaalübung <strong>und</strong> Gruppenübung.<br />
Präsenzstudienzeit: 53h Art der Prüfung: keine V2/Ü3<br />
Selbststudienzeit: 127h Studienleistung: schriftlich SS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 6<br />
Seite 52
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Modulname, Nr.<br />
Technisches Englisch<br />
(Technical English)<br />
Regelmäßigkeit Jährlich, Sommersemester<br />
Modulverantwortung Traynor<br />
Art der Lehrveranstaltungen<br />
(SWS)<br />
Leistungsnachweis<br />
zum Erwerb der LP<br />
Englisch für Nanotechnologie, C1 (2SWS)<br />
Hausarbeit (Essay)<br />
Notenzusammensetzung Note der Hausarbeit<br />
Leistungspunkte<br />
(ECTS):<br />
Kompetenzziele:<br />
2<br />
Präsenzstudium<br />
(h):<br />
26<br />
Selbststudium<br />
(h):<br />
Die Studierenden sind in der Lage eigenständig zu ausgewählten Themen der<br />
Nanotechnologie zu recherchieren <strong>und</strong> sich in das von ihnen gewählte Spezialthema<br />
zu vertiefen. In diesem Zusammenhang kennen sie nicht nur die Fachtermini der<br />
Nanotechnologie in englischer Fachsprache sondern erwerben durch die<br />
Ausarbeitung eines Vortrags Soft Skills (Präsentationstechnik).<br />
Inhalte:<br />
Anhand von englischer Originalliteratur wird ein aktuelles Thema aus dem Bereich<br />
der Nanotechnologie ausgewählt, zu dem ein schriftlicher Aufsatz verfasst <strong>und</strong> ein<br />
mündlicher Vortrag ausgearbeitet werden soll.<br />
Gr<strong>und</strong>legende Literatur: wird in der Veranstaltung bekanntgegeben<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: 7 Jahre Schulunterricht in Englisch<br />
ggf. Eingangsvoraussetzungen <strong>und</strong> ggf. Teilnehmerzahlbegrenzung: ---<br />
34<br />
Seite 53
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Modulname, Nr.<br />
Regelmäßigkeit jährlich<br />
Modulverantwortung Wallaschek<br />
Art der Lehrveranstaltungen<br />
(SWS)<br />
Leistungsnachweis<br />
zum Erwerb der LP<br />
Seite 54<br />
Werkstoffk<strong>und</strong>e<br />
(Material Science)<br />
Werkstoffk<strong>und</strong>e A: Gr<strong>und</strong>lagen der Werkstoffk<strong>und</strong>e (V2) WS<br />
Werkstoffk<strong>und</strong>e B: Eisenmetalle (V2) SoSe<br />
Gr<strong>und</strong>lagenlabor Werkstoffk<strong>und</strong>e (Laborpraktikum) SoSe<br />
Studienleistung: Laborpraktikum<br />
Prüfungsleistung: beide Klausuren zu Werkstoffk<strong>und</strong>e A <strong>und</strong> B<br />
Notenzusammensetzung Durchschnitt der beiden Klausurnoten<br />
Leistungspunkte<br />
(ECTS):<br />
8 Präsenzstudium (h): 48 Selbststudium (h): 192<br />
Kompetenzziele:<br />
Die Studierenden kennen die gr<strong>und</strong>legenden, metallischen Werkstoffe für Konstruktionen <strong>und</strong><br />
sonstige Anwendungen mit Schwerpunkt auf eisenhaltigen Werkstoffen. Sie sind in der Lage,<br />
aufgr<strong>und</strong> der erlernten physikalisch-chemischen Eigenschaften verschiedenster Werkstoffe <strong>und</strong><br />
deren Legierungselemente, Zusammenhänge zu deren metallurgischem Verhalten herzustellen<br />
<strong>und</strong> können diese Fähigkeit auf andere Bereiche im Studium übertragen. Studierende sind im<br />
praktischen Umgang mit diesen Werkstoffen durch die Durchführung von praktischen Übungen<br />
erprobt.<br />
Inhalte:<br />
Leichtmetalle, Verb<strong>und</strong>metalle, Hartmetalle, Glasmetalle <strong>und</strong> amorphe Metalle, Polymerwerkstoffe,<br />
Keramik, zerstörungsfreie Prüfverfahren; Zugversuch, Wärmebehandlung,<br />
Kerbschlagbiegeversuch, Härtemessung, Korrosionsversuch, Tribometerversuch,<br />
Metallographieversuch, zerstörungsfreie Prüfmethoden<br />
Gr<strong>und</strong>legende Literatur:<br />
� Vorlesungsskript;<br />
� Bargel, Schulze: Werkstoffk<strong>und</strong>e.<br />
� Hornbogen: Werkstoffe;<br />
� Macherauch: Praktikum in der Werkstoffk<strong>und</strong>e.<br />
� Askeland: Materialwissenschaften<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: ---<br />
ggf. Eingangsvoraussetzungen <strong>und</strong> ggf. Teilnehmerzahlbegrenzung: ---
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Anorganische Chemie II<br />
Inorganic Chemistry II<br />
Dozent: Urland, Behrens, Binnewies, Schneider<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden können am Ende der Veranstaltung wesentliche Konzepte <strong>und</strong><br />
ausgewählte spezielle Aspekte der Anorganischen Chemie verstehen <strong>und</strong> anwenden<br />
(Fachkompetenz). Die Lehrinhalte bauen direkt auf die im Modul CBV-1 vermittelten<br />
Gr<strong>und</strong>lagen auf. Da etwa die Hälfte der Materialien der Nanotechnologie anorganischer<br />
Natur ist, vermittelt diese Veranstaltung weitere materialwissenschaftliche Gr<strong>und</strong>lagen der<br />
Nanotechnologie.<br />
Inhalt:<br />
Spezielle Aspekte der Chemie der Hauptgruppenelemente:<br />
- MO-Theorie von zweiatomigen Molekülen, dreiatomigem Moleküle<br />
- Wasserstoffbrückenbindungen<br />
- Borane <strong>und</strong> Boranate<br />
- Molekülchemie<br />
- nichtwässrige Lösungsmittel<br />
- spezielle Aspekte der Chemie der Nebengruppenelemente:<br />
- MO-Theorie von Komplexen<br />
- magnetische Eigenschaften<br />
- spektroskopische Eigenschaften<br />
- metallorganische Komplexe<br />
- Elementalkyle<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Gr<strong>und</strong>kenntnisse in Anorganischer Chemie, Lehrinhalte der V<br />
Molekülsymmetrie & Kristallographie <strong>und</strong> Instrumentelle Methoden I<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
M. Binnewies, M. Jäckel, H. Willner, G. Rayner-Canham, Allgemeine <strong>und</strong> Anorganische<br />
Chemie, 1. Aufl., 2004, Spektrum Verlag; C.E. Mortimer, Chemie, 6. Aufl., 1996, Georg-<br />
Thieme-<br />
Verlag, Stuttgart<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 20h Art der Prüfung: mündlich V1/SE1<br />
Selbststudienzeit: 70h Studienleistung: WS<br />
Empfohlen ab dem: 5.Semester LP: 3<br />
Seite 55
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Anorganische Chemie III<br />
Inorganic Chemistry III<br />
Dozent: Urland, Behrens, Binnewies, Wiebcke<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden können am Ende der Veranstaltung spezielle Themen aus dem Bereich<br />
der Anorganischen Chemie verstehen <strong>und</strong> speziellere Konzepte anwenden. Verständnis<br />
der Herstellung <strong>und</strong> Handhabung von Nanoteilchen.<br />
Inhalt:<br />
Die Vorlesung befasst sich mit aktuellen spezielleren Themen aus der Chemie fester Stoffe,<br />
der Chemie anorganischer Molekülverbindungen <strong>und</strong> der Chemie von Komplexen<br />
der Nebengruppenmetalle. Die Lehrinhalte bauen auf den im Modul CBVP-3 vermittelten<br />
Gr<strong>und</strong>lagen auf. Herstellung <strong>und</strong> Stabilität von anorganischen Nanoteilchen,<br />
Depositionierung anorganischer Nanoteilchen.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Kenntnisse in Anorganischer Stoffchemie <strong>und</strong> den<br />
theoretischen Gr<strong>und</strong>lagen instrumenteller Methoden<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
M. Binnewies, M. Jäckel, H. Willner, G. Rayner-Canham, Allgemeine <strong>und</strong> Anorganische<br />
Chemie, 1. Auflage 2004, Spektrum-Verlag; E. Riedel, Moderne anorganische Chemie, de<br />
Gruyter 1999<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 21h Art der Prüfung: schriftlich V2<br />
Selbststudienzeit: 69h Studienleistung: WS<br />
Empfohlen ab dem: 5.Semester LP: 3<br />
Seite 56
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Anorganische Materialchemie<br />
Anorganische Materialchemie<br />
Modulname, Nr.<br />
(ohne Praktikum)<br />
Art der Lehrveranstaltung / SWS V Anorganische Chemie von Materialien <strong>und</strong><br />
Nanosystemen (3 SWS, WS)<br />
Ü Anorganische Chemie von Materialien <strong>und</strong><br />
Nanosystemen (1 SWS, WS)<br />
V Festkörpersynthese <strong>und</strong> Materialpräparation (3 SWS,<br />
SoSe)<br />
Semester WS / ab1. Semester <strong>und</strong> SoSe / ab 2. Semester<br />
Verantwortlicher Behrens<br />
Dozenten Behrens, Schneider<br />
Sprache Deutsch<br />
Arbeitsaufwand 98 h Präsenzzeit 142 h Selbststudium<br />
Leistungspunkte 8 LP<br />
Voraussetzungen nach<br />
Prüfungsordnung<br />
Keine<br />
Empfohlene Voraussetzungen Fortgeschrittene Kenntnisse in anorganischer Chemie<br />
Studienleistungen keine<br />
Prüfungsleistungen mündliche Prüfung (30 min) über die Themengebiete<br />
des Moduls<br />
Medienform Tafelanschrieb, Overheadfolien, Powerpoint-<br />
Präsentation, Übungsblätter<br />
Vorlesung/Übungen: Anorganische Chemie von Materialien <strong>und</strong> Nanosystemen<br />
Angestrebte Lernziele:<br />
Die Strukturen <strong>und</strong> Eigenschaften sowie die Struktur-Eigenschafts-Beziehungen <strong>und</strong><br />
Anwendungen von wichtigen Materialien, vor allem anorganischen Festkörpern, sollen erlernt<br />
werden. Dabei sollen die Studierenden erkennen, dass sich die Eigenschaften ausgedehnter<br />
Systeme (Bulk-Materialien) stark von nanoskaligen Materialien unterscheiden können.<br />
Inhalte:<br />
In der Veranstaltung wird das Bändermodell auf Basis chemischer Konzepte (LCAO-Ansatz<br />
zur Erzeugung von Kristallorbitalen) hergeleitet <strong>und</strong> es werden die daraus ableitbaren<br />
gr<strong>und</strong>legenden<br />
elektronischen <strong>und</strong> spektroskopischen Eigenschaften (elektrische Leitfähigkeit, Art der<br />
Bandlücke etc.) der Materialien erläutert. Die Defektstrukturen verschiedener anorganischer<br />
Materialien <strong>und</strong> ihr Einfluss auf deren Chemie werden erläutert.<br />
Die Struktur-Eigenschaftsbeziehungen wichtiger Arten anorganischer Festkörper (Metalle,<br />
kovalente Verbindungen, Halbleiter, ionische Verbindungen, intermetallische Verbindungen,<br />
Silicate) werden behandelt, jeweils auch unter Berücksichtigung ihrer nanoskaligen Analoga.<br />
Dabei werden insbesondere mechanische Eigenschaften, elektrische Eigenschaften,<br />
dielektrische <strong>und</strong> magnetische Eigenschaften besprochen.<br />
Literatur: [1] Smart & Moore: Einführung in die Festkörperchemie, [2] U. Müller: Anorganische<br />
Strukturchemie, [3] A.R. West: Gr<strong>und</strong>lagen der Festkörperchemie. Weitere empfehlenswerte<br />
Literatur wird in der Vorlesung vorgestellt.<br />
Seite 57
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Vorlesung: Festkörpersynthese <strong>und</strong> Materialpräparation<br />
Angestrebte Lernziele:<br />
Die Studierenden sollen verschiedene Syntheseverfahren für die Herstellung von<br />
anorganischen Festkörpern <strong>und</strong> für die Präparation anorganischer Materialien erlernen <strong>und</strong><br />
befähigt werden, deren Vor- <strong>und</strong> Nachteile gegeneinander abzugrenzen, um ein Gefühl für die<br />
Wahl derjenigen Methode zu erhalten, welche für eine gegebene Aufgabenstellung am<br />
geeignetsten ist.<br />
Inhalte:<br />
Im ersten Teil der Veranstaltung werden klassische Synthesemethoden vorgestellt:<br />
Reaktionen im festen Zustand (Fest-fest-Reaktionen, selbstfortschreitende Reaktionen,<br />
Mechanosynthese, druckinduzierte Umwandlungen), Flüssig-fest-Reaktionen (<br />
Einkristallzuchtverfahren, Präzipitation, Kristallisation, Solvothermalsynthesen, Sol-Gel-<br />
Verfahren, Glasbildung <strong>und</strong> Glaskristallisation) <strong>und</strong> Gas-fest-Reaktionen (Transportreaktionen,<br />
Gasphasenabscheidung, Sputtering, Aerosol-Verfahren).<br />
Im weiteren Verlauf der Vorlesung wird auf Methoden mit erhöhter Kontrolle über den<br />
Reaktionsausgang, wie strukturdirigierende Synthesen (Precursor-Verfahren, Einsatz<br />
molekularer <strong>und</strong> aggregierter Strukturdirektoren, Biomineralisation) <strong>und</strong> strukturlimitierte<br />
Synthesen (Ionenaustausch, Intercalation, Insertion) eingegangen.<br />
Literatur:<br />
[1] Smart & Moore, Einführung in die Festkörperchemie, [2] U. Schubert, N. Hüsing, Synthesis<br />
of Inorganic Materials, Wiley VCH, 2004. Weitere empfehlenswerte Literatur wird zu Beginn<br />
der Veranstaltung vorgestellt<br />
Seite 58
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Atom- <strong>und</strong> Molekülphysik<br />
Semesterlage Wintersemester<br />
Modulverantwortliche(r) Institut für Quantenoptik<br />
Lehrveranstaltungen (SWS)<br />
Leistungsnachweis zum<br />
Erwerb der LP<br />
Notenzusammensetzung -<br />
Vorlesung Atom- <strong>und</strong> Molekülphysik<br />
Übung Atom- <strong>und</strong> Molekülphysik<br />
Praktikum Laborpraktikum Atom- <strong>und</strong> Molekülphysik<br />
Studienleistung: Laborübung<br />
Prüfungsleistung: Klausur oder mündl. Prüfung<br />
Leistungspunkte<br />
Präsenzstudium<br />
Selbststudium<br />
8<br />
105<br />
135<br />
(ECTS):<br />
(h):<br />
(h):<br />
Kompetenzziele:<br />
Die Studierenden verstehen die gr<strong>und</strong>legenden Konzepte der Atom- <strong>und</strong> Molekülphysik<br />
<strong>und</strong> können diese eigenständig auf ausgewählte Probleme anwenden. Sie kennen<br />
fortgeschrittene experimentelle Methoden des Gebietes <strong>und</strong> können diese unter Anleitung<br />
anwenden.<br />
Inhalte:<br />
� Zusammenfassung H-Atom<br />
� Atome in statischen elektrischen <strong>und</strong> magnetischen Feldern<br />
� Fein-/Hyperfeinstrukturen atomarer Zustände<br />
� Wechselwirkung mit dem EM Strahlungsfeld<br />
� Mehrelektronensysteme<br />
� Atomspektren/Spektroskopie<br />
� Vibration <strong>und</strong> Rotation von Molekülen<br />
� Elektronische Struktur von Molekülen<br />
� Dissoziation <strong>und</strong> Ionisation von Molekülen<br />
� Ausgewählte Experimente der modernen Atom- <strong>und</strong> Molekülphysik<br />
Gr<strong>und</strong>legende Literatur:<br />
� T. Mayer-Kuckuck, Atomphysik, Teubner, 1994<br />
� B. Bransden, C. Joachain, Physics of Atoms and Molecules, Longman 1983<br />
� H. Haken, H. Wolf, Atom- <strong>und</strong> Quantenphysik sowie Molekülphysik <strong>und</strong><br />
Quantenchemier, Springer<br />
� R. Loudon, The Quantum Theory of Light, OUP, 1973<br />
� W. Demtröder, Molekülphysik, Oldenbourg, 2003 ISBN: 3486249746<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
� Module Mechanik <strong>und</strong> Relativität, Elektrizität, Optik, Atomphysik, Quantenphänomene<br />
<strong>und</strong> Moleküle, Kerne, Teilchen, Festkörper<br />
ggf. Eingangsvoraussetzungen <strong>und</strong> ggf. Teilnehmerzahlbegrenzung:<br />
Seite 59
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Aufbau- <strong>und</strong> Verbindungstechnik<br />
Electronic Packaging<br />
Dozent: Rissing E-Mail:<br />
rissing@impt.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es ist die Vermittlung von Kenntnissen über Prozesse <strong>und</strong> Anlagen, die der<br />
Hausung von Bauelementen <strong>und</strong> der Verbindung von Komponenten dienen. Wesentlich ist<br />
die Beschreibung der Prozesse, die zu den Arbeitsbereichen Packaging,<br />
Oberflächenmontage von Komponenten <strong>und</strong> Chip-on-Board zu rechnen sind. Die<br />
Studierenden erhalten in diesem <strong>Kurs</strong> ein Verständnis für die unterschiedlichen Ansätze,<br />
die in der Aufbau- <strong>und</strong> Verbindungstechnik bei der Systemintegration von Mikro- <strong>und</strong><br />
Nanobauteilen zum Einsatz kommen.<br />
Inhalt:<br />
- Gr<strong>und</strong>lagen der SMD-Technik<br />
- Verfahren der COB-Technik<br />
- Die-Bonden<br />
- Wire-Bonden (Thermosonic, Thermokompressions- <strong>und</strong> Ultraschallbonden)<br />
- Vergießen <strong>und</strong> Molden<br />
- Advanced Packaging<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
---<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Reichl: Direkt-Montage, Springer-Verlag, 1998.<br />
Ning-Cheng Lee: Reflow Soldering Processes and Troubleshooting, Newnes 2001.<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: mündlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: SS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 4<br />
Seite 60
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Beschichtungstechnik <strong>und</strong> Lithografie<br />
Deposition Technology and Lithography<br />
Dozent: Rissing E-Mail:<br />
rissing@impt.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Ziel der Vorlesung ist die Vermittlung eines physikalischen <strong>und</strong> chemischen<br />
Gr<strong>und</strong>verständnisses der in der Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnologie zum Einsatz kommenden<br />
Prozesse sowie deren mathematische Beschreibung. Dargestellt werden physikalische<br />
(PVD) <strong>und</strong> chemische (CVD) Wachstumsprozesse dünner Schichten, Analysetechniken<br />
sowie optische Gr<strong>und</strong>lagen der Fotolithografie.<br />
Inhalt:<br />
- Gr<strong>und</strong>lagen der Materialwissenschaften: Kristallstruktur u. Wachstum dünner Schichten:<br />
- Vakuumtechnologie: Viskoser <strong>und</strong> molekularer Gastransport im technischen Vakuum;<br />
- Atomarer Filmniederschlag: Thermodynamische Gr<strong>und</strong>lagen der physikalischen (PVD)<br />
<strong>und</strong> chemischen (CVD) Deposition von Filmen aus der Dampfphase;<br />
- Charakterisierung dünner Schichten;<br />
- Fotolithografie: Optische Gr<strong>und</strong>lagen, Fresnelbeugung bei Kontakt- <strong>und</strong><br />
Proximitybelichtung, Fraunhoferbeugung bei Projektionsbelichtung, Chemie von<br />
Fotolacken.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Vorlesung Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnologie<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskript. Ohring: The Material Science of Thin Films, Academic Press, San Diego<br />
1992. Thompson et al.: Introduction into Microlithography, 2 nd Edition, American Chemical<br />
Society, Washington DC 1994.<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: mündlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: WS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 4<br />
Seite 61
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Bipolarbauelemente<br />
Microelectronic Devices I: Bipolar Devices<br />
Dozent: Wietler<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Aufbauend auf der Vorlesung "Halbleiterelektronik" aus dem Bachelorstudium sollen<br />
vertiefte Kenntnisse der physikalischen Vorgänge in Halbleiterbauelementen <strong>und</strong> deren<br />
Funktionsmechanismen erworben werden. Auf Gr<strong>und</strong> dieses Wissens sollen die statischen<br />
<strong>und</strong> dynamischen Eigenschaften der Bipolarbauelemente erarbeitet werden. Im Ergebnis<br />
sollen die Studierenden die wichtigsten wissenschaftlichen Kenntnisse erwerben, die einen<br />
Einstieg in die Forschung <strong>und</strong> Entwicklung auf dem Gebiet der Bauelemente der<br />
Mikroelektronik <strong>und</strong> der Nanoelektronik ermöglichen.<br />
Inhalt:<br />
- Physikalische Gr<strong>und</strong>lagen der Halbleiterelektronik<br />
- PN- <strong>und</strong> Metall-Halbleiter-Dioden<br />
- Bipolartransistoren<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Halbleiterelektronik I, Halbleitertechnologie<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskript: Hofmann, Bipolarbauelemente (Physik, Dioden, Bipolartransistor); R.F.<br />
Pierret, Semiconductor Device F<strong>und</strong>amentals, Addison-Wesley, 1996; ; R.S. Muller and<br />
T.I. Kamins, Device Electronics for Integrated Circuits, John Wiley & Sons, 2003; S.M. Sze<br />
and K.K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience, 2007<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 45h Art der Prüfung: mündlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 75h Studienleistung: WS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 4<br />
Seite 62
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Grenzflächen, Kolloide <strong>und</strong> Nanoteilchen<br />
Colloids and Interfaces and organisation of nanoparticle<br />
Dozent: Caro, Feldhoff<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden sollen den allgemeinen Aufbau <strong>und</strong> die wichtigsten Eigenschaften von<br />
Clustern <strong>und</strong> Kolloiden erlernen. Besonders wichtig ist dabei das Verständnis der<br />
Grenzflächenphänomene, welche der Stabilisierung von Clustern <strong>und</strong> Nanoteilchen.<br />
sowohl in der Gasphase als auch in flüssiger <strong>und</strong> fester Phase zugr<strong>und</strong>e liegen.<br />
Gr<strong>und</strong>lagen für die Handhabung von Systemen aus Nanoteilchen werden vermittelt.<br />
Inhalt:<br />
Es wird die Synthese <strong>und</strong> Stabilisierung von Clustern <strong>und</strong> Nanoteilchen in der Gasphase<br />
<strong>und</strong> kolloidalen Lösungen vorgestellt <strong>und</strong> die Bildung von Kolloidassoziaten erläutert. Zum<br />
Verständnis werden Phänomene der Thermodynamik von Oberflächen, die Wechselwirkungspotentiale<br />
(van der Waals-Kräfte) <strong>und</strong> die Transporteigenschaften innerhalb von<br />
Suspensionen besprochen. Es werden bedeutende Aspekte der Adsorption auf Festkörperoberflächen,<br />
der Adsorption an geladenen Grenzflächen, der Elektrokinetik <strong>und</strong> der<br />
Koagulation von Clustern diskutiert. Die statistische Mechanik von Flüssigkeiten <strong>und</strong><br />
Streuexperimente an kolloidalen Strukturen werden vorgestellt. Der Einfluss von externen<br />
Feldern auf die Größe <strong>und</strong> Form kolloidaler Teilchen wird untersucht. Begriffe wie<br />
Rheologie, Zetapotential oder Doppelschicht werden diskutiert.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Fortgeschrittene Kenntnisse in Physikalischer Chemie<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
R. J. Hunter, Fo<strong>und</strong>ations of Colloid Science, Oxford University Press, 2004; H.-D. Dörfler,<br />
Grenzflächen- <strong>und</strong> Kolloidchemie, VCH Verlag, 1994; G. Brezinsky, H. Mügel,<br />
Grenzflächen <strong>und</strong> Kolloide, Spektrum Verlag, 1993<br />
Besonderheiten:<br />
1. Vorlesung: Physikalische Chemie von Grenzflächen<br />
2. Vorlesung: Kolloide <strong>und</strong> Nanoteilchen<br />
Prüfung: Klausur (2 St) über die Themengebiete des Moduls<br />
Präsenzstudienzeit: 63h Art der Prüfung: schriftlich V4/P2<br />
Selbststudienzeit: 177h Studienleistung: Laborübung SS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 8<br />
Seite 63
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Epitaxie<br />
Basics of Epitaxy<br />
Dozent: Fissel E-Mail:<br />
fissel@lfi.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Epitaxie ist eine wissenschaftliche Methode zur Untersuchung der Mechanismen des<br />
Wachstums (der Herstellung) von einkristallinen Schichten <strong>und</strong> Schichtsystemen.<br />
Gleichzeitig stellt die Epitaxie eine wichtige Technologie der heutigen Mikroelektronik dar.<br />
Interessant für zukünftige Anwendungen der Epitaxie ist insbesondere die Möglichkeit der<br />
kontrollierten Erzeugung von kristallinen Materialien <strong>und</strong> Materialsystemen auf<br />
Größenskalen von wenigen Nanometern. Die Studierenden erwerben somit f<strong>und</strong>iertes<br />
Wissen über die theoretischen <strong>und</strong> experimentellen Gr<strong>und</strong>lagen zukunftsträchtiger<br />
Methoden der Nanotechnologie. Sie kennen verschieden experimentelle Ansätze <strong>und</strong><br />
können diese aufgr<strong>und</strong> ihrer Stärken <strong>und</strong> Schwächen einordnen.<br />
Inhalt:<br />
- Gr<strong>und</strong>lagen der Kristallographie<br />
- Verfahren <strong>und</strong> Methoden der Epitaxie<br />
- Epitaxie niedrig-dimensionaler Strukturen<br />
- Experimentelle Untersuchungen der Epitaxieprozesse<br />
- Mechanismen des Schichtwachstums<br />
- Dotierungen <strong>und</strong> Defekte in Epitaxieschichten<br />
- Oberflächen <strong>und</strong> ihre Präparation<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Halbleitertechnologie<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskript „Epitaxie“; Fissel, A ; Schneider, H.S.; Ickert, L.: Halbleiterepitaxie, Dr.<br />
Alfred<br />
Hüthig Verlag, Heidelberg 1984; Kleber, W.: Einführung in die Kristallographie; Verlag<br />
Technik,<br />
Berlin<br />
Besonderheiten:<br />
Laborführung im Rahmen der Vorlesung<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: mündlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: SS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 4<br />
Seite 64
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Lasermedizin <strong>und</strong> Biophotonik<br />
Introduction to Medical Laser Application and Biophotonics<br />
Dozent: Heisterkamp, Lubatschowski E-Mail:<br />
h.lubatschowski@lzh.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden werden an die Gr<strong>und</strong>lagen der Laser-Gewebe-Wechselwirkung<br />
herangeführt <strong>und</strong> lernen diese an klinisch relevanten Anwendungsbeispielen umzusetzen.<br />
Inhalt:<br />
- Lasersysteme für den Einsatz in Medizin <strong>und</strong> Biologie<br />
- Strahlführungssysteme <strong>und</strong> optische medizinische Geräte<br />
- Optische Eigenschaften von Gewebe<br />
- Thermische Eigenschaften von Gewebe<br />
- Photochemische Wechselwirkung<br />
- Vaporisation/Koagulation<br />
- Photoablation, Optoakustik<br />
- Photodisruption, nichtlineare Optik<br />
- klinische Anwendungsbeispiele<br />
- Zellchirurgie<br />
- Multiphotonen-Mikroskopie<br />
- Optische Pinzette<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Veranstaltungen „Kohärente Optik" bzw. „Nichtlineare Optik"<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Eichler, Seiler: „Lasertechnik in der Medizin." Springer-Verlag.<br />
Welch, van Gemert: „Optical-Thermal Response of Laser-Irradiated Tissue." Plenum<br />
Press.<br />
Bille, Schlegel: „Medizinische Physik." Bd. 2: Medizinische Strahlphysik, Springer.<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 21h Art der Prüfung: schriftlich V2<br />
Selbststudienzeit: 69h Studienleistung: WS<br />
Empfohlen ab dem: 3.Semester LP: 3<br />
Seite 65
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Materialanalytik<br />
Basics of Material Analytics<br />
Dozent: Giese, Lacayo, Wiebcke<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Es sollen verschiedene Methoden zur Charakterisierung von Festkörpern erlernt werden.<br />
Die Festkörper können dabei sowohl als Bulk-Materialien als auch als Nanoteilchen<br />
vorliegen, <strong>und</strong> hauptsächlich organische oder anorganische Zusammensetzung aufweisen.<br />
Von besonderer Bedeutung für die Studierenden der Nanotechnologie ist, dass sich sowohl<br />
die chemische Zusammensetzung als auch die molekulare Struktur nanopartikulärer <strong>und</strong><br />
makroskopischer Materie unterscheiden.<br />
Inhalt:<br />
Die Gr<strong>und</strong>lagen der hochauflösenden <strong>und</strong> analytischen Elektronenmikroskopie werden am<br />
Beispiel mikro- <strong>und</strong> nanostrukturierter Feststoffe vermittelt. Schwerpunkte der Analytik<br />
werden die energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDXS) <strong>und</strong> die Feinbereichselektronenbeugung<br />
(SAED) sein. Die gr<strong>und</strong>legenden Prinzipien der Transmissions- (TEM),<br />
<strong>und</strong> Rasterelektronenmikroskopie (SEM) werden behandelt. Dies umfassen Elektronenquellen,<br />
Elektronenlinsen, Aberrationen, Auflösungsvermögen, Hellfeld- (BF) <strong>und</strong><br />
Dunkelfeldabbildung (DF) im Beugungsabsorptionskontrast sowie den Phasenkontrast<br />
(HRTEM) als auch die Abbildung mit Sek<strong>und</strong>ärelektronen (SE) oder Rückstreuelektronen<br />
(BSE). Die Porosität von Festkörpern wird mit Hilfe der Adsorption von Gasen ermittelt. Die<br />
hierbei genutzten Verfahren <strong>und</strong> die Modelle, die zur Bestimmung der inneren Oberflächen<br />
<strong>und</strong> der Porengrößenverteilungen führen, werden vorgestellt <strong>und</strong> erläutert.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Gr<strong>und</strong>kenntnisse in anorganischer, organischer <strong>und</strong><br />
physikalischer Chemie, Gr<strong>und</strong>kenntnisse in instrumentellen Analysenverfahren<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
DIN 51005, Thermische Analyse (TA), Beuth Verlag GmbH, Berlin 30, Nov. 1983; W. F.<br />
Hemminger, H. K. Cammenga: Methoden der thermischen Analyse, Springer Verlag,<br />
Berlin, Heidelberg, 1989, S. 57<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 70h Art der Prüfung: schriftlich V2/P3<br />
Selbststudienzeit: 110h Studienleistung: WS<br />
Empfohlen ab dem: 1. Semester LP: 6<br />
Seite 66
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Gr<strong>und</strong>lagen integrierter Analogschaltungen<br />
Basics of Analog Integrated Circuit<br />
Dozent: Mathis E-Mail:<br />
mathis@tet.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Im Rahmen dieser Lehrveranstaltung werden die Gr<strong>und</strong>züge der modernen<br />
Analogschaltungstechnik im Hinblick auf Anwendungen der CMOS-Analogtechnik<br />
im GHz-Bereich dargestellt. Insbesondere bei Frequenzen oberhalb von 20 GHz müssen<br />
nanostrukturierte CMOS-Bauelemente eingesetzt werden, um die entsprechenden<br />
Spezifkationen solcher Schaltungen zu erfüllen, d. h. moderne analoge CMOS-<br />
Schaltungstechnik ist nur möglich, wenn Verfahren der Nanoelektronik eingesetzt werden.<br />
Inhalt:<br />
- Einführung: Lineare <strong>und</strong> nichtlineare Modelle der analogen Schaltungstechnik<br />
- Mathematische Gr<strong>und</strong>lagen nichtlinearer dynamischer Netzwerke<br />
- Die wichtigsten Modellklassen nichtlinearer Netzwerke<br />
- Nichtlineare Übertragungssysteme <strong>und</strong> deren Eigenschaften<br />
- Oszillatoren, PLL <strong>und</strong> Sigma-Delta-Wandler: Analysemethoden<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
---<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
T.H. O'Dell: Die Kunst des Entwurfs elektronischer Schaltungen (deutsche Bearbeitung J.<br />
Krehnke, W. Mathis), Springer-Verlag 1990; T. H. O'Dell: Circuits for Electronic<br />
Instrumentation, Cambridge Univ Press, 2005<br />
Besonderheiten:<br />
Simulationsbasierte Übung<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: mündlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: WS<br />
Empfohlen ab dem: 5.Semester LP: 4<br />
Seite 67
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Instrumentelle Methoden II<br />
Instrumentelle Methoden III<br />
Instrumental Methods II and III<br />
Dozent: Caro, Heitjans, Behrens, Berger, Binnewies, Duddeck<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden haben gr<strong>und</strong>legende Kenntnisse in den Themenbereichen, Optische <strong>und</strong><br />
NMR-Spektroskopie sowie Massenspektrometrie, Chromatographie <strong>und</strong> Elektrophorese<br />
<strong>und</strong> der thermischen Analyse. Sie können die Verfahren auf der Basis der vermittelten<br />
Gr<strong>und</strong>lagen in den Praktika anwenden. Sie sind in die physikalisch-chemischen<br />
Messmethoden eingeführt. Die Veranstaltung soll den Studierenden in die Lage versetzen,<br />
im Fall eines Materialversagens eigenständig oder in Zusammenarbeit mit speziell<br />
ausgebildeten Analytikern chemisch-analytische Methoden einzusetzen <strong>und</strong> auszuwerten.<br />
Inhalt:<br />
- Physikalische Gr<strong>und</strong>lage: Kernspins im Magnetfeld, Freier<br />
Induktionsabfall, Einführung Fourier-Transformation-NMR,<br />
Spin-Gitter- <strong>und</strong> Spin-Spin-Relaxation.<br />
- Optische Spektroskopie: Elektronenniveaus, UV/VIS-Spektrometer,<br />
UV/VIS-Spektren, Inkrementenregeln für Diene <strong>und</strong> Enone.<br />
- Chromatographie <strong>und</strong> Elektrophorese: Theoretische Gr<strong>und</strong>lagen,<br />
DC, LC: analytische Verfahren, präparative Verfahren.<br />
- Thermische Analyse: Physikalisch-chemische Gr<strong>und</strong>lagen,<br />
Differentielle Thermoanalyse (DTA), Thermogravimetrie (TG),<br />
Differential Scanning Calorimetry (DSC), Experimentelle Aufbauten<br />
<strong>und</strong> Anwendungsbeispiele.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Gr<strong>und</strong>kenntnisse in Mathematik <strong>und</strong> Physik, Gr<strong>und</strong>lagen der<br />
Anorganischen, Organischen <strong>und</strong> Physikalischen Chemie<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Aktuelle Literatur wird in der Vorlesung bekannt gegeben<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 28+28h Art der Prüfung: schriftlich V2+V2<br />
Selbststudienzeit: 62+62h Studienleistung: keine SS + WS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 3+3<br />
Seite 68
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Laborpraktikum Festkörperphysik<br />
Lab course in solid state physics<br />
Dozent: Dozenten der Festkörperphysik E-Mail:<br />
kahrs@fkp.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden erwerben spezielle praktische Fertigkeiten <strong>und</strong> Kenntnisse der<br />
Festkörperphysik <strong>und</strong> können die entsprechend erforderlichen Methoden selber anwenden.<br />
Dabei entwickeln sie neben dem Fachwissen auch ihre Kommunikationsfähigkeit <strong>und</strong><br />
Methodenkompetenz bei der Umsetzung von Fachwissen weiter.<br />
Inhalt:<br />
- Quantenhalleffekt<br />
- Epitaxie<br />
- Vakuumtechnik<br />
- Bindungszustände an Oberflächen <strong>und</strong> Grenzflächen<br />
- Beugungsverfahren mit Röntgenstrahlen <strong>und</strong> langsamen Elektronen<br />
- Tunnelmikroskopie <strong>und</strong> –spektroskopie<br />
- Nanostrukturierung, Elektronenstrahllithografie<br />
- Elektronenmikroskopie<br />
- Resonantes Tunneln<br />
.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Einführung in die Festkörperphysik<br />
Voraussetzungen:<br />
Literaturempfehlung:<br />
Wird im Praktikum bekanntgegeben<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 60h Art der Prüfung: Protokoll P4<br />
Selbststudienzeit: 60h SS/WS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 4<br />
Seite 69
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Laborpraktikum Halbleitertechnologie<br />
Lab Course in semiconductor technology<br />
Dozent: Osten, E-Mail:<br />
Osten@mbe.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Das Labor vermittelt anhand mehrerer Versuche praxisnah die wichtigen Aspekte der<br />
Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen.<br />
Inhalt:<br />
Die Teilnehmer werden in dem Labor alle zur Herstellung einer integrierten<br />
Schaltung notwendigen Prozessschritte kennen lernen <strong>und</strong> zum größten Teil<br />
selbst ausführen. Die von den Teilnehmern hergestellten Halbleiterbauelemente<br />
werden elektrisch charakterisiert.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Kenntnisse aus den Vorlesungen "Halbleitertechnologie" <strong>und</strong> "Gr<strong>und</strong>lagen der<br />
Halbleiterbauelemente" sind Voraussetzung für die Teilnahme an dem Labor.<br />
Voraussetzungen:<br />
Literaturempfehlung:<br />
Wird im Praktikum bekanntgegeben<br />
Besonderheiten:<br />
Das Labor wird als Blockveranstaltung im Januar 2012 durchgeführt.<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: Protokoll P4<br />
Selbststudienzeit: 88h WS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 4<br />
Seite 70
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Laborpraktikum Mikrotechnik<br />
Lab Course in Microtechnology<br />
Dozent: Rissing E-Mail:<br />
rissing@impt.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden erlernen Gr<strong>und</strong>lagen des spinabhängigen Transports, mit dem die<br />
Erfassung magnetischer Felder möglich ist sowie die dazugehörige Messtechnik.<br />
Inhalt:<br />
- Herstellung von Nanometerschichten zur Fertigung von GMR-Sensoren<br />
- Magnetische Charakterisierung der Schichten<br />
- Aufnahme der elektrischen Kennlinie des GMR-Sensors<br />
Besprechen mit Prof. Rissing<br />
.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Vorlesung „Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnologie“<br />
Voraussetzungen:<br />
Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskript „Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnologie“<br />
Besonderheiten:<br />
Arbeiten im Reinraum<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: Protokoll P4<br />
Selbststudienzeit: 88h WS/SS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 4<br />
Seite 71
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Lasermaterialbearbeitung<br />
Laser Material Processing<br />
Dozent: Overmeyer / Stute E-Mail: u.stute@lzh.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Der <strong>Kurs</strong> vermittelt das Spektrum der Lasertechnik in der aktuellen Produktion sowie das<br />
Potential der Lasertechnik in zukünftigen Anwendungen. Dabei werden die wissenschaftlichen<br />
<strong>und</strong> technischen Gr<strong>und</strong>lagen zum Einsatz von Lasersystemen sowie zur Wechselwirkung des<br />
Strahls mit unterschiedlichen Materialien vermittelt. Anhand der Anwendungen werden<br />
notwendige physikalische Vorrausetzungen zur Bearbeitung wie z.B. Wellenlänge, Fluenz,<br />
Pulsspitzenleistung erarbeitet <strong>und</strong> mit der spezifischen Prozess- , Handhabungs- <strong>und</strong><br />
Regelungstechnik verb<strong>und</strong>en.<br />
Inhalt:<br />
- Laser <strong>und</strong> Systemtechnik<br />
- Laserbearbeitung von Metallen: Bohren, Schneiden, Schweissen, Härten<br />
- Laser in der Glasbearbeitung: Fügen, Formen, Bohren, Schneiden<br />
- Laser in der Mikrotechnik: Bohren, Strukturieren, Trennen<br />
- Laserprozesse in der Photovoltaikproduktion<br />
- Laserbearbeitung im Leichtbau<br />
- Marktsituation der Lasertechnik<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Gr<strong>und</strong>lagen Optik, empfohlen Gr<strong>und</strong>lagen Strahlquellen<br />
Voraussetzungen: ---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Empfehlung erfolgt in der Vorlesung; Vorlesungsskript<br />
Besonderheiten:<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: mündlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: SS<br />
Empfohlen ab dem: 2. Semester LP: 4<br />
Seite 72
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnologie in der Biomedizin<br />
Micro Biomedical Engineering<br />
Dozent: Rissing E-Mail:<br />
rissing@impt.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Vorlesung vermittelt einen Überblick über den Einsatz von Mikro- <strong>und</strong> Nanosystemen<br />
in der Biomedizin. Dabei geht sie auf die Anforderungen <strong>und</strong> Aufgaben solcher Systeme<br />
sowie deren Einsatzgebiete in der Biomedizintechnik ein. Neben einem allgemeinen<br />
Überblick über die Einsatzfelder werden anwendungsspezifische Systemlösungen<br />
vorgestellt. Praktische Übungen ergänzen die Vorlesung. Die Studierenden lernen, mikro-<br />
<strong>und</strong> nanotechnologische Anwendungen <strong>und</strong> Systeme in der Biomedizintechnik zu<br />
verstehen <strong>und</strong> können diese näher erläutern.<br />
Inhalt:<br />
- Biomaterialien für Dünnfilmschichten (metallische, keramische <strong>und</strong> polymere),<br />
Biofunktionalität<br />
- Biomedizinische Sensoren<br />
- Nanopartikel <strong>und</strong> medizinische Anwendungen<br />
- Implantate, Prothesen <strong>und</strong> künstliche Organe in Mikrotechnik<br />
- Werkzeuge der Biotechnologie<br />
- Gewebeverträglichkeit: Oberflächenimmobilisierung<br />
- Zellsortierung<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Mikro- <strong>und</strong> Nanotechnologie<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskript<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: mündlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: keine WS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 4<br />
Seite 73
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Modulname, Nr.<br />
Regelmäßigkeit Sommersemester<br />
Modulverantwortung Rissing<br />
Art der Lehrveranstaltungen<br />
(SWS)<br />
Leistungsnachweis<br />
zum Erwerb der LP<br />
Seite 74<br />
Nanoproduktionstechnik<br />
(Nano and Microproduction<br />
Engineering)<br />
(Block-)Vorlesung „Nanoproduktionsrechnik“ (V2 + Ü1)<br />
Prüfungsleistung: mündliche Prüfung<br />
Notenzusammensetzung Note der mündlichen Prüfung<br />
Leistungspunkte<br />
(ECTS):<br />
4 Präsenzstudium (h): 30 Selbststudium (h): 90<br />
Kompetenzziele:<br />
Die Studierenden erwerben spezielle Kenntnisse auf dem Gebiet der Photovoltaik <strong>und</strong> können<br />
diese selber anwenden. Photovoltaik stellt ein wichtiges Anwendungsgebiet der<br />
Nanotechnologie dar. Die Übungen fördern auch die Kommunikationsfähigkeit <strong>und</strong> die<br />
Methodenkompetenz bei der Umsetzung von Fachwissen.<br />
Inhalte:<br />
� Halbleitergr<strong>und</strong>lagen<br />
� Optische Eigenschaften von Halbleitern<br />
� Transport von Elektronen <strong>und</strong> Löchern<br />
� Mechanismen der Ladungsträger-Rekombination<br />
� Herstellungsverfahren für Solarzellen<br />
� Charakterisierungsmethoden für Solarzellen<br />
� Möglichkeiten <strong>und</strong> Grenzen der Wirkungsgradverbesserung<br />
Gr<strong>und</strong>legende Literatur:<br />
� Würfel, P.: Physik der Solarzellen, Spektrum Akademischer Verlag, 2000<br />
� Goetzberger, A.; Voß, B.; Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner 1994.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Einführung in die Festkörperphysik<br />
ggf. Eingangsvoraussetzungen <strong>und</strong> ggf. Teilnehmerzahlbegrenzung: ---
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Nichtlineare Optik<br />
Non-linear Optics<br />
Dozent: Dozenten der Quantenoptik<br />
<strong>und</strong> Gravitationsphysik<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden erwerben spezielle Kenntnisse der nichtlinearen Laseroptik <strong>und</strong> können<br />
die entsprechend erforderlichen mathematischen Methoden selber anwenden.<br />
Inhalt:<br />
- Nichtlineare optische Suszeptibilität<br />
- Kristalloptik, Tensoroptik<br />
- Wellengleichung mit nichtlinearen Quelltermen<br />
- Frequenzverdopplung, Summen-, Differenzfrequenzerzeugung<br />
- OPA/OPO<br />
- Phasenanpassungs-Schemata, Quasiphasenanpassung<br />
- Elektro-optischer Effekt<br />
- Frequenzverdreifachung, Kerr-Effekt, Clausius-Mosotti<br />
- Nichtlineare Effekte durch Strahlungsdruck <strong>und</strong> thermische Ausdehnung<br />
- Raman-, Brillouinstreuung<br />
- Solitonen, gequetschte Pulse (Kerr squeezing)<br />
- Nichtlineare Propagation<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Gr<strong>und</strong>kenntnisse in Atom- <strong>und</strong> Molekülphysik<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Agrawal: Nonlinear Fiber optics, Academic Press<br />
Boyd: Nonlinear Optics, Academic Press<br />
Shen: Nonlinear Optics<br />
Dmitriev: Handbook of nonlinear crystals, Springer<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 42h Art der Prüfung: schriftlich V3/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 108h Studienleistung: SS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 5<br />
Seite 75
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Oberflächenphysik<br />
Surface Physics<br />
Dozent: Dozenten der Festkörperphysik<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden erwerben erweiterte Kenntnisse auf dem Spezialgebiet der<br />
Oberflächen- <strong>und</strong> Grenzflächenphysik <strong>und</strong> lernen die experimentellen Methoden<br />
<strong>und</strong> deren physikalische Gr<strong>und</strong>lagen, sowie wesentliche Modellvorstellungen<br />
aus dem Bereich der Nanowissenschaften kennen.<br />
Inhalt:<br />
In Vorlesung (3 SWS) <strong>und</strong> Übung (1 SWS) werden folgende Inhalte behandelt:<br />
- Struktur von Festkörperoberflächen <strong>und</strong> zugehörige Messmethoden<br />
- Elektronische Eigenschaften von<br />
- Bindung von Atomen <strong>und</strong> Molekülen and Grenzflächen<br />
- einfache Reaktionskinetik<br />
- Strukturierung <strong>und</strong> Selbstorganisation<br />
- Defekte <strong>und</strong> deren physikalische Auswirkungen<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Einführung in die Festkörperphysik<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
physics“, Springer<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 60h Art der Prüfung: schriftl./mündl. V3/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 90h Studienleistung: WS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 5<br />
Seite 76
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Optische Messtechnik<br />
Optical Measuring Technique<br />
Dozent: Reithmeier<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Nach dem Besuch der Vorlesung sollen die Studenten in der Lage sein, ein geeignetes<br />
Messverfahren für eine bestimmte Messaufgabe im Mikro-/Nanometerbereich nach<br />
bestimmten Kriterien auszuwählen <strong>und</strong> sich dabei der Grenzen des jeweiligen Messverfahrens<br />
bewusst sein. Es wird ein Überblick über aktuell in der Industrie <strong>und</strong> der<br />
Forschung angewendete Messtechnik vermittelt, wobei der Schwerpunkt auf dem<br />
Messprinzip liegt.<br />
Inhalt:<br />
- Messverfahren zur Bestimmung der Makro- <strong>und</strong> Mikrogeometrie von Kleinstbauteilen;<br />
- Optische Mikrosensoren;<br />
- Strahlen- <strong>und</strong> wellenoptische Gr<strong>und</strong>lagen;<br />
- Interferometrische Messverfahren;<br />
- Interferenzmikroskopie (kohärent <strong>und</strong> Weißlicht);<br />
- Konfokale Mikroskopie, Triangulationsverfahren;<br />
- Mikroskopische Streifenprojektion;<br />
- Reflexions- <strong>und</strong> Autofokussensoren etc.;<br />
- Anwendungen.<br />
Übungen finden an den optischen <strong>und</strong> taktilen Messeinrichtungen in den Laboren des<br />
Instituts für Mess- <strong>und</strong> Regelungstechnik (imr) statt.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Gr<strong>und</strong>lagen der Messtechnik<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Siehe Literaturliste zur Vorlesung oder unter www.imr.uni-hannover.de.<br />
Besonderheiten:<br />
Prüfung je nach Teilnehmerzahl: Einzelprüfung mündlich 20 Min. oder schriftlich 90 Min.<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: schriftl./mündl. V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: SS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 4<br />
Seite 77
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Organische Chemie I<br />
Organic Chemistry I<br />
Dozent: Butenschön / Kalesse<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden werden in die Lage versetzt, die Gr<strong>und</strong>lagen <strong>und</strong> Prinzipien der<br />
Organischen Chemie zu verstehen <strong>und</strong> in den Übungsaufgaben anzuwenden. Die<br />
Übungen sind so gestaltet, dass neben einer Vertiefung auch die Weiterentwicklung der<br />
Vorlesungsinhalte erreicht wird (Fachkompetenz). Stoffliches Verständnis für organischstämmige<br />
Materialien der Nanotechnologie (Polymere), die etwa 50% der Materialien der<br />
Nanotechnologie ausmachen, soll entwickelt werden.<br />
Inhalt:<br />
Vermittlung von Gr<strong>und</strong>kenntnissen über die folgenden Themen: Struktur <strong>und</strong> Bindung<br />
organischer Moleküle; Alkane; Stereochemie; Halogenalkane; Nucleophile Substitution;<br />
Eliminierung; Addition; Alkohole; Ether; NMR-Spektroskopie; Alkene; Infrarot-<br />
Spektroskopie; Alkine; Delokalisierte Systeme; Aromatizität, elektrophile aromatische<br />
Substitution, Reaktionen der Benzolderivate, Aldehyde, Ketone, Umpolung, Enole, Enone,<br />
metallorganische Reagenzien, Reduktionen, Oxidationen, Carbonsäuren, Derivate <strong>und</strong><br />
Reaktionen, Massenspektrometrie, Amine, Kohlenhydrate, Aminosäuren, Peptide,<br />
Nukleinsäuren, Terpene, Polyketide. Diese Moleküle finden sich als Baugruppe oder<br />
Lösungsmittel in den organischen Materialien <strong>und</strong> Hilfsstoffen der Nanotechnologie wieder.<br />
Die oben aufgeführten Inhalte, speziell die Stoffgruppen <strong>und</strong> Konzepte, sollen in der Übung<br />
anhand von konkreten Beispielen vertieft werden.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Gr<strong>und</strong>lagen der Allgemeinen Chemie<br />
Voraussetzungen:<br />
Literaturempfehlung:<br />
K.P.C. Vollhardt, N.E. Schore, Organische Chemie, 3. Aufl., Wiley-VCH (2000), Clayden<br />
Greeves, Warren, Wothers, Organic Chemistry, Oxford University Press, ISBN<br />
0198503466<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 42h Art der Prüfung: schriftlich V2/Ü2<br />
Selbststudienzeit: 138h Studienleistung: WS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 6<br />
Seite 78
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Photonik für Ingenieure<br />
Photonics Engineers<br />
Dozent: Dozenten der Quantenoptik<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden erwerben spezielle Kenntnisse der integrierten Optik, können die<br />
entsprechend erforderlichen mathematischen Methoden selber anwenden, ein Teilgebiet<br />
eigenständig vertiefen, darüber in einem Vortrag referieren <strong>und</strong> eine anschließende<br />
Diskussion führen. Sie entwickeln so neben der Fachkompetenz auch ihre Methodenkompetenz<br />
bei der Literaturrecherche, dem Medieneinsatz <strong>und</strong> der Umsetzung von Fachwissen<br />
sowie ihre Präsentationstechniken <strong>und</strong> die Fähigkeit zur Diskussionsführung weiter.<br />
Inhalt:<br />
- Wellen in Materie<br />
- Dielektrische Wellenleiter (planar, Glasfaser), integrierte Wellenleiter<br />
- Photonische Kristalle<br />
- Wellenleiter – Moden<br />
- Nichtlineare Faseroptik<br />
- Faseroptische Komponenten (Zirkulatoren, AWG, Fiber-Bragg-Gratings,<br />
Modulatoren)<br />
- Faserlaser<br />
- Laserdioden, Photodetektoren<br />
- Optische Nachrichtentechnik (RZ, NRZ, WDM/TDM)<br />
- Netzwerke<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Kohärente Optik, Quantenoptik, Nichtlineare Optik<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Reider, “Photonik”, Springer; Menzel, “Photonik”; Agrawal, “Nonlinear Fiber optics”,<br />
Academic Press; Yariv; Originalliteratur<br />
Besonderheiten:<br />
Prüfungsleistung: mündliche Prüfung oder Klausur nach Wahl des Dozenten<br />
<strong>und</strong> Seminarvortrag<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: schriftl./mündl. V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: WS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 4<br />
Seite 79
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Seminar zu Photonik<br />
SWS<br />
2<br />
Regelmäßigkeit: Wintersemester<br />
Seite 80<br />
Leistungspunkte:<br />
3<br />
Verantwortung<br />
Institut für Quantenoptik<br />
Inhalt:<br />
Nach Absprache mit den Dozenten. Das Seminar muss in Zusammenhang mit der Vorlesung<br />
Photonik belegt werden.<br />
Gr<strong>und</strong>legende Literatur:<br />
� Reider, Photonik, Springer<br />
� Menzel, Photonik, Springer<br />
� Agrawal, Nonlinear Fiber optics, Academic Press<br />
� Originalliteratur<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
� Kohärente Optik<br />
� Nichtlineare Optik
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Modulname, Nr.<br />
Physik der Solarzelle<br />
(Solar Cell Physics)<br />
Regelmäßigkeit Sommersemester<br />
Modulverantwortung Brendel / Altermatt<br />
Art der Lehrveranstaltungen<br />
(SWS)<br />
Leistungsnachweis<br />
zum Erwerb der LP<br />
Vorlesung „Physik der Solarzelle“ (V2+Ü2)<br />
Prüfungsleistung: Klausur oder mündliche Prüfung<br />
Notenzusammensetzung Note der Klausur<br />
Leistungspunkte<br />
(ECTS):<br />
5 Präsenzstudium (h): 60 Selbststudium (h): 90<br />
Kompetenzziele:<br />
Die Studierenden erwerben spezielle Kenntnisse auf dem Gebiet der Photovoltaik <strong>und</strong> können<br />
diese selber anwenden. Photovoltaik stellt ein wichtiges Anwendungsgebiet der<br />
Nanotechnologie dar. Die Übungen fördern auch die Kommunikationsfähigkeit <strong>und</strong> die<br />
Methodenkompetenz bei der Umsetzung von Fachwissen.<br />
Inhalte:<br />
� Halbleitergr<strong>und</strong>lagen<br />
� Optische Eigenschaften von Halbleitern<br />
� Transport von Elektronen <strong>und</strong> Löchern<br />
� Mechanismen der Ladungsträger-Rekombination<br />
� Herstellungsverfahren für Solarzellen<br />
� Charakterisierungsmethoden für Solarzellen<br />
� Möglichkeiten <strong>und</strong> Grenzen der Wirkungsgradverbesserung<br />
Gr<strong>und</strong>legende Literatur:<br />
� Würfel, P.: Physik der Solarzellen, Spektrum Akademischer Verlag, 2000<br />
� Goetzberger, A.; Voß, B.; Knobloch, J.: Sonnenenergie: Photovoltaik, Teubner 1994.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Einführung in die Festkörperphysik<br />
ggf. Eingangsvoraussetzungen <strong>und</strong> ggf. Teilnehmerzahlbegrenzung: ---<br />
Seite 81
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Physikalische Chemie II<br />
Physical Chemistry II<br />
Dozent: Caro, Heitjans, Becker, Imbihl E-Mail:<br />
joerg-august.becker@pci.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden lernen den Aufbau der Materie auf der Gr<strong>und</strong>lage der Quantenmechanik<br />
kennen (Fachkompetenz). Das Verständnis der Eigenschaften nanostrukturierter<br />
Materialien <strong>und</strong> von Nanopartikeln soll vermittelt werden.<br />
Inhalt:<br />
Bausteine der Atome; Bohr’sches Atommodell; Gr<strong>und</strong>lagen der Wellenmechanik; Die<br />
Heisenberg’sche Unschärferelation; Die Schrödinger-Gleichung; Einfache Systeme:<br />
Teilchen im Kasten; starrer Rotator; Harmonischer Oszillator; das H-Atom;<br />
Mehrelektronensysteme; Pauli-Verbot <strong>und</strong> Slater-Determinanten; Gr<strong>und</strong>lagen der<br />
Spektroskopie; Quantenchemische Näherungsverfahren, Elektronische Eigenschaften von<br />
Nanoteilchen (Teilchen im Kasten) <strong>und</strong> daraus abgeleitet Größenquantisierungseffekte in<br />
Optik, Elektronik <strong>und</strong> Photonik<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Gr<strong>und</strong>legende Kenntnisse in Physikalischer Chemie<br />
(Thermodynamik), Physik <strong>und</strong> Mathematik<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
P.W. Atkins, Physikalische Chemie, 3. korr. Aufl., 2002; G. Wedler, Lehrbuch der<br />
Physikalischen Chemie, 4. Aufl., 1997<br />
Weitere Literatur wird in der Vorlesung bekannt gegeben.<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: schriftlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: WS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 4<br />
Seite 82
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Physikalische Materialchemie<br />
Modulbezeichnung Physikalische Materialchemie<br />
Art der Lehrveranstaltung<br />
/ SWS<br />
V Physikalische Chemie von Festkörpern <strong>und</strong> Nanosystemen: (3 SWS)<br />
Ü Physikalische Chemie von Festkörpern <strong>und</strong> Nanosystemen (1 SWS)<br />
V Funktionsprinzipien ausgewählter Festkörpermaterialien (3 SWS)<br />
Semester WS / ab 1. Semester<br />
Verantwortlicher Caro<br />
Dozenten V1: Feldhoff, Heitjans<br />
V2: Bahnemann, Caro, N.N.<br />
Sprache Deutsch<br />
Arbeitsaufwand 98 h Präsenzzeit; 172 h Selbststudium<br />
Leistungspunkte 8 LP<br />
Voraussetzungen nach<br />
Prüfungsordnung<br />
Keine<br />
Empfohlene<br />
Voraussetzungen<br />
Fortgeschrittene Kenntnisse in Physikalischer Chemie<br />
Studienleistungen ---<br />
Prüfungsleistungen mündliche Prüfung (30 min) über die Themengebiete des Moduls<br />
Medienform Tafelanschrieb, Overheadfolien, Powerpoint-Präsentation,<br />
Übungsblätter<br />
Vorlesung 1 / Übungen: Physikalische Chemie von Festkörpern <strong>und</strong> Nanosystemen<br />
Angestrebte Lernziele:<br />
Die Studierenden sollen die physikalischen bzw. physikalisch-chemischen Gr<strong>und</strong>lagen zum<br />
Verständnis der besonderen Eigenschaften von Festkörper-Systemen als komplexes<br />
Funktionsmaterial erlernen; insbesondere sollen dabei jene Unterschiede erkannt werden, die<br />
auftreten, wenn die Abmessungen der Festkörper-Teilchen in den Bereich weniger Nanometer<br />
hinein absinken. Ferner sollen die Gr<strong>und</strong>lagen für die Anwendung nanostrukturierter Festkörper<br />
<strong>und</strong> Anordnungen von Nanoteilchen in Bauteilen erarbeitet werden.<br />
Inhalte:<br />
Als Gr<strong>und</strong>lage zur Beschreibung elektronischer Zustände <strong>und</strong> Eigenschaften von Festkörpern<br />
wird das Bändermodell besprochen. Dabei wird das Bändermodell auf der Basis der Konzepte<br />
der Festkörperphysik erläutert <strong>und</strong> es werden elektrische Leiter, Halbleiter <strong>und</strong> Isolatoren<br />
unterschieden.<br />
In einem weiteren Schwerpunkt der Veranstaltung wird die Thermodynamik der realen<br />
Festkörper unter besonderer Berücksichtigung nanostrukturierter Systeme auf der Basis der<br />
Grenzflächenthermodynamik behandelt. Darauf aufbauend werden Fragen der Kinetik <strong>und</strong><br />
Dynamik in Festkörpern diskutiert.<br />
Desweiteren wird die Elektrochemie besprochen mit Blick auf Elektroden (metallische<br />
Elektroden, Halbleiterelektroden, Ultra-Mikroelektroden, Bezugselektroden, Fermi-Energie),<br />
Elektronentransfer, Ladungsträgerinjektion, Thermodynamik geladener Grenzflächen<br />
einschließlich elektrochemischer Gleichgewichte <strong>und</strong> experimenteller Techniken zur<br />
Leitfähigkeitsmessung in Lösungen. Darauf aufbauend wird die Festkörperelektrochemie mit<br />
Seite 83
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Festionenleitern als Elektrolytsysteme behandelt. Dabei wird zwischen kristallinen ionischen<br />
Leitern, Gläsern <strong>und</strong> Polymeren unterschieden. Grenzflächengleichgewichte <strong>und</strong><br />
Transportvorgänge werden aus thermodynamischer Sicht besprochen. Ionen- <strong>und</strong><br />
Elektronentransport, Ferromagnetika <strong>und</strong> –elektrika (Multiferroika) sowie Thermoelektrika<br />
werden im Hinblick auf Festkörper <strong>und</strong> Nanosysteme unter Berücksichtigung experimenteller<br />
Methoden betrachtet.<br />
Literatur:<br />
[1] Ch. Kittel, Einführung in die Festkörperphysik; [2] M.N. Rudden, J. Wilson, Elementare<br />
Festkörperphysik <strong>und</strong> Halbleiterelektronik; [3] J. Maier, Festkörper – Fehler <strong>und</strong> Funktion,<br />
Prinzipien der physikalischen Festkörper-chemie; [4] P.G. Bruce, Solid State Electrochemistry,<br />
Cambridge University Press, 1995.Empfehlenswerte weitere (aktuelle) Literatur wird zu Beginn<br />
der Veranstaltung vorgestellt.<br />
Vorlesung 2: Funktionsprinzipien ausgewählter Festkörpermaterialien<br />
Angestrebte Lernziele:<br />
Die Studierenden sollen die Funktionsprinzipien <strong>und</strong> die physikalisch-chemischen<br />
Eigenschaften von Festkörpermaterialien mit großer aktueller Bedeutung in der Anwendung<br />
kennen lernen. Es soll eine Verständnis für den funktionsorientierten Aufbau komplexer<br />
Materialien erzielt werden <strong>und</strong> es sollen die aktuellen Optimierungsmöglichkeiten für<br />
ausgewählte Materialsysteme erkannt werden.<br />
Inhalte:<br />
Es wird beispielhaft eine Reihe von Materialien <strong>und</strong> Materialklassen behandelt, wobei die<br />
auftretenden Struktur-Eigenschafts-Beziehungen im Vordergr<strong>und</strong> stehen sollen. Es soll dabei<br />
immer die gedankliche Kette abgebildet werden vom Molekül zum Material zum Bauelement.<br />
Am Beispiel folgender Materialien soll dieser Systemgedanke exemplarisch verfolgt <strong>und</strong><br />
dargestellt werden:<br />
� „Hartwerkstoffe“: Fragen der chemischen Stabilität <strong>und</strong> der Nanostruktur der Hartstoffe<br />
werden in Abhängigkeit von der Geometrie als Kompaktmaterial oder Dünnschicht<br />
behandelt. Besonderes Augenmerk gilt den speziellen mechanischen Eigenschaften von<br />
nanostrukturierten Werkstoffen.<br />
� „Metalle“: Ausgehend vom Modell der metallischen Bindung werden Eigenschaften wie<br />
elektrische <strong>und</strong> Wärmeleitung, Deformierbarkeit bei gleichzeitig hoher mechanischer<br />
Stabilität erklärt.<br />
� „Magnetische Materialien“: Festkörper mit interessanten magnetischen Eigenschaften<br />
<strong>und</strong> ihre typischen Anwendungen sowie die Struktur-Eigenschaft-Korrelationen werden<br />
vorgestellt. Das Phänomen <strong>und</strong> die Ursachen der Supraleitung werden erläutert.<br />
� „Katalysatoren“: Herstellung <strong>und</strong> Stabilisierung nanoskaliger Oxid- <strong>und</strong> Metallpartikeln<br />
auf üblichen Trägern wie Oxiden oder Kohlenstoff, wobei Schwerpunkte die Nanostruktur<br />
der Kontaktfläche zwischen Katalysator <strong>und</strong> Katalysator-Träger <strong>und</strong> der hierarchische<br />
Strukturaufbau sind.<br />
� Photokatalytisches System“: Komplexes Zusammenwirken von Superhydrophilie <strong>und</strong><br />
Photo-Oxidation in Halbleiterkatalysatoren mit Nano-Design beim Schadstoffabbau in<br />
gasförmiger <strong>und</strong> flüssiger Phase. Darüber hinaus werden „smarte“ Nanomaterialien mit<br />
maßgeschneiderten Oberflächeneigenschaften für die Anwendung in der Photokatalyse<br />
behandelt.<br />
� „Membranmaterialien“: Poröse <strong>und</strong> dichte Materialien <strong>und</strong> ihre Strukturierung zu<br />
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11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Membranen für die Gastrennung. Im Rahmen der Lehreinheit „Molekulare Elektronik“<br />
werden gr<strong>und</strong>legende Fragen der molekularen Materialien behandelt. Es werden<br />
ausgewählte Synthesen vorgestellt <strong>und</strong> Wege der Selbstorganisation von Molekülen zu<br />
„molekularen Drähten“ <strong>und</strong> „Schaltern“ aufgezeigt. Weiterhin werden Aspekte der<br />
Kontaktierung <strong>und</strong> Vermessung diskutiert.<br />
� „Sensorik“: Es werden moderne Systeme zur Gassensorik erläutert. Dabei spielen die<br />
elektrochemische Gr<strong>und</strong>lagen der Nachweise bzw. der Ionenleitung <strong>und</strong> die Darstellung<br />
der notwendigen komplexen modularen Aufbauten entscheidende Rollen.<br />
� „Brennstoffzellen“: Die Aufbau- <strong>und</strong> Wirkprinzipien der aktuell angewendeten<br />
Brennstoffzell-Systeme werden erläutert – dabei wird ein Hauptaugenmerk auf das<br />
funktionelle Ineinandergreifen der verschiedenen Komponenten gelegt.<br />
� „Solarzellen“: Es werden die verschiedenen Aufbau- <strong>und</strong> Funktionsstrategien moderner<br />
photovoltaischer Zellen (Si-Solarzellen, Halbleiter-Dünnschichtzellen, farbstoffsensibilisierte<br />
Zellen <strong>und</strong> rein organische Solarzellen vorgestellt <strong>und</strong> miteinander<br />
verglichen.<br />
� „Batterien“: Es werden moderne Batteriesysteme mit Schwerpunk auf Li+-Ionen-Speicher<br />
vorgestellt, dabei liegt der Schwerpunkt auf den Struktur-Eigenschaft-Beziehungen.<br />
� „Halbleiterbauelemente“: Der Aufbau <strong>und</strong> die Wirkungsweise von Dioden <strong>und</strong> Feldeffekt-<br />
Transistoren werden erklärt, im Mittelpunkt steht dabei die Elektrochemie von Halbleiter-<br />
Metall- <strong>und</strong> Halbleiter-Halbleiter-Kontakten.<br />
� „Photonische Materialien“: Es werden die Prinzipien moderner optisch aktiver Werkstoffe<br />
für die Entwicklung von Mikro-Lasern, die optische Datenspeicherung <strong>und</strong> die optische<br />
Leiterbahnentechnik vorgestellt.<br />
Darüber hinaus werden die besonderen optischen Quantengrößeneffekte in niedrigdimensionalen<br />
Systemen, insbesondere von Quantendrähten <strong>und</strong> Quantenpunkten diskutiert.<br />
Literatur:<br />
[1] W. Göpel, C. Ziegler, Einführung in die Materialwissenschaften: Physikalisch-Chemische<br />
Gr<strong>und</strong>lagen <strong>und</strong> Anwendungen, Teubner, 1996; [2] C.N.R. Rao, A. Müller, A.K. Cheetham, The<br />
Chemistry of Nanomaterials, Wiley-VCH, 2004; [3] R. Memming, D. Vanmaekelbergh,<br />
Semiconductor Electrochemistry, Wiley-VCH, 2001; [4] M.N. Rudden, J. Wilson, Elementare<br />
Festkörperphysik <strong>und</strong> Halbleiterelektronik, Spektrum Verlag, 1995, [5] J. Jahns, Photonik,<br />
Oldenbourg Verlag, 2001. Empfehlenswerte weitere (aktuelle) Literatur wird zu Beginn der<br />
Veranstaltung vorgestellt.<br />
Seite 85
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Praktikum zur Vorlesung „Funktionsprinzipien ausgewählter<br />
Festkörpermaterialien“<br />
Art der Lehrveranstaltung<br />
/ SWS<br />
Semester WS / 1. Semester<br />
Verantwortlicher Caro<br />
Dozenten Bahnemann, Caro, N.N.<br />
Seite 86<br />
P Funktionsprinzipien ausgewählter Festkörpermaterialien (3 SWS)<br />
Sprache Deutsch<br />
Arbeitsaufwand 42 h Präsenzzeit;48 h Selbststudium<br />
Leistungspunkte 4 LP<br />
Voraussetzungen nach<br />
Prüfungsordnung<br />
Keine<br />
Empfohlene<br />
Voraussetzungen<br />
Fortgeschrittene Kenntnisse in Physikalischer Chemie<br />
Studienleistungen Erfolgreiche Durchführung aller vorgegebenen Versuche, erfolgreiche<br />
Erstellung der Protokolle zu den Versuchen<br />
Prüfungsleistungen ---
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Produktion optoelektronischer Systeme<br />
Production of Electronic Systems<br />
Dozent: Overmeyer E-Mail:<br />
ita@ita.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Ziel der Vorlesung ist die Vermittlung von Kenntnissen über die Fertigungstechniken von<br />
Halbleiterbauelementen <strong>und</strong> Mikrosystemen. Dabei stehen die Fertigungsprozesse des<br />
"Back-end process", also die Fertigung ab dem Vereinzeln von Wafern im Vordergr<strong>und</strong>. Es<br />
werden Techniken wie Waferbearbeitung, Bonden (Die-, Wire-, Flip-Chip-), Burn-In <strong>und</strong><br />
Einhausen von Bauteilen mit besonderer Berücksichtigung optoelektronischer Bauteile<br />
erläutert. Behandelt werden ferner applikationsspezifische Montagetechniken sowie<br />
Verfahren zur Integration elektronischer <strong>und</strong> mikrotechnischer Systeme.<br />
Inhalt:<br />
- Mechanische Waferbearbeitung;<br />
- Mechanische Chipverbindungstechniken (Bonden, Mikrokleben, Löten);<br />
- Elektrische Kontaktierverfahren (Die-, Wire-, Flip-Chip-Bonding);<br />
- Gehäusebauformen der Halbleitertechnik;<br />
- Aufbau <strong>und</strong> Strukturierung/Herstellung von Schaltungsträgern (Leiterplatten,<br />
Multi-Chip-Modul (MCM));<br />
- Markieren, Beschriften <strong>und</strong> Verpacken;<br />
- Leiterplattenbestückungs- <strong>und</strong> Löttechniken;<br />
- Applikationsspezifische Montagetechniken;<br />
- Montage von optoelektronischen Bauelementen.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
---<br />
Voraussetzungen:<br />
---<br />
Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskript; weitere Literatur wird in der Vorlesung angegeben.<br />
Besonderheiten:<br />
---<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: mündlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: WS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 4<br />
Seite 87
11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Qualitätsmanagement<br />
Quality Management<br />
Dozent: Denkena<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Es soll die Bedeutung des Qualitätsmanagements nähergebracht sowie Wissen über<br />
anzuwendende Vorgehensweisen, Werkzeuge <strong>und</strong> Methoden gelehrt werden. Die<br />
Vorlesung „Qualitätsmanagement" vermittelt die Gr<strong>und</strong>lagen des Qualitätsmanagements,<br />
die Gr<strong>und</strong>gedanken des Total Quality Management (TQM) sowie die Anwendung von<br />
Qualitätswerkzeugen <strong>und</strong> -methoden für alle Phasen der Produktenstehung.<br />
Inhalt:<br />
Qualitätsmanagement (QM); Total Quality Management (TQM); Bewertungsverfahren für<br />
QM-Systeme; QM-Werkzeuge <strong>und</strong> -Methoden; Quality Function Deployment (QFD);<br />
Fehlerbaumanalyse (FTA ); Fehlermöglichkeits- <strong>und</strong> Einfluss-Analyse (FMEA); Quality<br />
Gates; Design Review; Qualitätsaudits; Systems Engineering; Techniken der Problemlösung;<br />
Managementwerkzeuge (M7); Versuchsmethodik; Statistische Prozessregelung<br />
(SPC); Qualitätsregelkarten; Fähigkeitsanalysen; Qualitätskosten <strong>und</strong> Unternehmenspolitik;<br />
Target-Costing; Unterstützende Werkzeuge des Quality-Cost-Engineering etc.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
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Voraussetzungen:<br />
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Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskript<br />
Besonderheiten:<br />
Blockveranstaltung<br />
Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: mündlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: SS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 4<br />
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11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Quantenstrukturbauelemente<br />
Dozent: Haug<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
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Inhalt:<br />
- Quanteneffekte in Halbleiterstrukturen<br />
- Physik zweidimensionaler Elektrongase<br />
- Quantendrähte<br />
- Quantenpunkte<br />
- Kohärenz- <strong>und</strong> Wechselwirkungseffekte<br />
- Einzelelektronentunneltransistor<br />
- Quantencomputing<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
- Einführung in die Festkörperphysik<br />
- Fortgeschrittene Festkörperphysik<br />
Voraussetzungen:<br />
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Literaturempfehlung:<br />
- C. Weisbuch, B. Vinter, Quantum Semiconductor Structures, Academic Pr Inc<br />
- S.M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, Wiley<br />
- M.J. Kelly, Low-Dimensional Semiconductors: Materials, Physics, Technology, Devices,<br />
Oxford University Press<br />
Besonderheiten:<br />
Präsenzstudienzeit: 42h Art der Prüfung: mündlich V3/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 78h Studienleistung: keine SS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 4<br />
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11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Technologie integrierter Bauelemente<br />
Technology for Integrated Devices<br />
Dozent: Osten<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Gegenwärtige mikroelektronische Schaltungen auf Silizium haben bereits Strukturmaße<br />
unter 100 nm. Die heutige Prozessorgeneration enthält bereits mehr als eine Milliarde<br />
aktive Bauelemente. Diese Vorlesung behandelt spezielle <strong>und</strong> komplexe Probleme bei der<br />
Herstellung von integrierten Bauelementen auf Basis von Silizium. Die Studierenden sollen<br />
in die Lage versetzt werden, einfache Prozessabläufe zur Herstellung von nanoelektronischen<br />
Systemen selbst entwerfen zu können sowie komplexe Abläufe zu verstehen.<br />
Inhalt:<br />
- Manufacturing<br />
- Ausbeutekontrolle<br />
- Isolationstechniken<br />
- Kontakte <strong>und</strong> Interconnects<br />
- Einfache Prozessabläufe<br />
- ein komplexer CMOS-Ablauf im Detail<br />
- High-K Dielektrika<br />
- Gr<strong>und</strong>lagen der Epitaxie/verspannte Schichten<br />
- Heteroepitaktische Bauelemente<br />
- Lösungen durch modulare Integration<br />
- zukünftige Material- <strong>und</strong> Bauelementelösungen<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
Empfohlene Vorkenntnisse: Halbleitertechnologie Halbleiterelektronik, Bipolarbauelemente<br />
Voraussetzungen:<br />
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Literaturempfehlung:<br />
Vorlesungsskipt (online); B. Hoppe: Mikroelektronik, Teil 2 (Herstellungsprozesse für<br />
integrierte Schaltungen), Vogel-Fachbuchverlag, 1998<br />
T. Giebel, Gr<strong>und</strong>lagen der CMOS-Technologie, Teubner<br />
Besonderheiten:<br />
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Präsenzstudienzeit: 45h Art der Prüfung: mündlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 75h Studienleistung: SS<br />
Empfohlen ab dem: 2.Semester LP: 4<br />
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11.10.2012 Teil C: Verzeichnis der <strong>Kurs</strong>beschreibungen: Master<br />
Thermodynamik I<br />
Thermodynamics I<br />
Dozent: Kabelac / Luke E-Mail:<br />
ift@ift.uni-hannover.de<br />
Ziel des <strong>Kurs</strong>es:<br />
Die Studierenden erwerben Kenntnisse zur Einteilung <strong>und</strong> Abgrenzung von verschiedenen<br />
Energieformen <strong>und</strong> können thermische Prozesse <strong>und</strong> Prozesse der Energie- <strong>und</strong><br />
Stoffumwandlung berechnen <strong>und</strong> bewerten.<br />
Inhalt:<br />
Der 1. Hauptsatz (HS) der Thermodynamik formuliert das Prinzip der Energieerhaltung <strong>und</strong><br />
bereitet den Rahmen für Energiebilanz-Gleichungen. Somit werden zunächst unterschiedliche<br />
Energieformen, Bilanzräume <strong>und</strong> Bilanzarten eingeführt, um quantitative Rechnungen<br />
auf Basis des 1.HS für offene <strong>und</strong> geschlossene Systeme durchführen zu können. Der<br />
2.HS führt den Begriff der Entropie ein, mit dem die verschiedenen Erscheinungsformen<br />
der Energie bewertet werden können. Die Entropie ist - im Gegensatz zur Energie – keine<br />
Erhaltungsgröße; sie kann z. B. durch Lagerreibung oder Strömungsturbulenzen (also<br />
Dissipation von Energie) erzeugt werden. Die Größe der Entropieerzeugung, die über den<br />
2.HS aus einer Entropiebilanz berechnet werden kann, ist ein Gütekriterium des<br />
betrachteten Prozesses. Die Anwendung von Bilanzgleichungen wird an einfachen ersten<br />
Beispielen dargestellt, wozu auch einfache Modelle zur Berechnung von Stoffeigenschaften<br />
eingeführt werden.<br />
Empfohlene Vorkenntnisse:<br />
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Voraussetzungen:<br />
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Literaturempfehlung:<br />
Baehr: Thermodynamik, 10. Aufl. Berlin: Springer, 2000.<br />
Stephan; Mayinger: Thermodynamik Bd. 1: Einstoffsysteme, 15. Aufl. Berlin: Springer,<br />
1998.<br />
Besonderheiten:<br />
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Präsenzstudienzeit: 32h Art der Prüfung: schriftlich V2/Ü1<br />
Selbststudienzeit: 88h Studienleistung: WS<br />
Empfohlen ab dem: 1.Semester LP: 4<br />
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