Маркировка модулей памяти ValueRAM - OCS

Маркировка модулей
памяти ValueRAM
Данное справочное руководство предназначено для того, чтобы оказать помощь при выборе
модулей памяти ValueRAM® на основании их технических характеристик. В данном документе
представлено большинство наших основных модулей памяти, однако их названия могут отличаться.
На оборотной странице представлено краткое описание терминов, которые используются для
описания данных модулей памяти, созданных на базе отраслевых стандартов.
DDR3 for Desktops and Servers (PC3-8500, PC3-10600)
Kingston ValueRAM
KVR 1333 D3 L D 4 R 9 S L K2 / 4G H F
Speed 1066/1333
DDR2 for Notebooks, Desktops, and Servers (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)
Kingston ValueRAM
DDR for Servers (PC2700, PC3200)
Kingston ValueRAM
KVR 333 S 4 R 25 / 512 I
Speed 333/400
Ranks
S: Single Rank
D: Dual Rank
DRAM Type
4: x4 DRAM chip
8: x8 DRAM chip
R: Registered
CAS Latency
Capacity
(see chart)
Special Designators
I: Intel Validated
DDR for Notebooks, Desktops, and PC2100 Servers (PC2100, PC2700, PC3200)
Kingston ValueRAM
DDR3
KVR 400 D2 D 8 N 3 H K2/512
Speed 400/533/667/800
KVR 266 X72 R 4 C2 L K2 /512 D
Speed 266/333/400
Ranks
D: Dual Rank
S: Single Rank
Q: Quad Rank
DDR2
X72 ECC
X64 Non-ECC
Ranks
S: Single Rank
D: Dual Rank
Q: Quad Rank
R: Registered
S: SODIMM
R: Registered
P: Parity S: Thermal Sensor
DRAM Type
4: x4 DRAM chip
8: x8 DRAM chip
DRAM Type
4: x4 DRAM chip
8: x8 DRAM chip
CAS Latency
* For server memory, if an S/D/Q designators is not shown, please check product list for ranks.
CAS Latency
L: Low Profile
A: DDR400 3-3-3
SDRAM for Notebooks, Desktops, and Servers (PC100, PC133)
K: Kit +
Number of pieces
L: Low Voltage DRAM Type CAS Latency L: Very Low Profile
4: x4 DRAM chip
8: x8 DRAM chip
N: Non–ECC H: High Profile
E: ECC
L: Very Low Profile
S: SODIMM
F: FB-DIMM M: MiniDIMM
K: Kit +
number of pieces
K: Kit +
Number of pieces
Capacity
(see chart)
Capacity (see chart)
Capacity
(see chart)
U: MicroDIMM P: Parity Registered (for AMD DDR2 Servers)
Special Designators*
S: Single Rank
D: Dual Rank
Q: Quad Rank
DRAM MFGR
H: Hynix
E: Elpida
Special Designators
I: Intel Validated
Special Designators
I: Intel Validated
I
Server Premier Die
Revision
Kingston ValueRAM
KVR 133 X72 R C2 L/256 A
Speed 100/133
X72 ECC
X64 Non-ECC
R: Registered
S: SODIMM
CAS Latency
Capacity
(see chart)
L: Low Profile
SS: Single-Sided
Q: Low Density/Legacy
(16x8 chips)
Special Designators
A: Monolithic Board
Подробнее >>
Module Capacities Currently Available
256MB | 512MB | 1GB | 2GB | 4GB | 8GB | 16GB
For more information, please visit:
valueram.com

SDRAM for Notebooks, Desktops, and Servers (PC100, PC133)
Kingston ValueRAM
Маркировка модулей памяти ValueRAM
KVR 133 X72 R C2 L/256 A
Speed 100/133
X72 ECC
X64 Non-ECC
R: Registered
S: SODIMM
CAS Latency
Module Capacities Currently Available
256MB | 512MB | 1GB | 2GB | 4GB | 8GB | 16GB
For more information, please visit:
valueram.com
Capacity
(see chart)
L: Low Profile
SS: Single-Sided
Q: Low Density/Legacy
(16x8 chips)
Special Designators
A: Monolithic Board
Модули памяти DRAM x4 и x8
Модули памяти Registered DIMM для серверов могут иметь 4 (“x4”)
или 8 (“x8”) чипов DRAM. 8-чиповые серверные модули памяти, как
правило, имеют более низкую стоимость, но только 4-чиповые модули
памяти могут поддерживать такие функциональные возможности,
как коррекция ошибок в несколько бит (multiple-bit error correction),
технология Chipkill, Memory Scrubbing и Intel Single Device Data
Correction (SDDC).
Модуль X64
Модуль памяти без буферизации и без кода коррекции ошибок с
64-битной шириной пропускания данных.
Модуль X72
Модуль памяти без буферизации с кодом коррекции ошибок ECC или
модуль памяти Registered
DIMM (с технологией ECC). Модули с технологией ECC имеют 72-битную
ширину пропускания данных (64 бита данных + 8 бит ECC).
Емкость
Общее количество ячеек памяти, содержащееся в модуле памяти,
выраженное в мегабайтах или гигабайтах. Для комплектов емкость
указывается как общая емкость всех модулей памяти, включенных в
комплект.
Задержка сигнала CAS
Один из ключевых показателей задержки (указывается в тактовых
циклах), когда данные становятся доступными в модуле памяти. После
загрузки команды чтения или записи, а также адресов строки/столбца
задержка сигнала CAS предоставляет время ожидания (окончательное),
необходимое для подготовки этих данных к записи или чтению.
DDR2
Второе поколение технологии производства модулей памяти DDR.
Модули памяти DDR2 не имеют обратной совместимости с модулями
памяти DDR из-за разницы в значениях напряжения (1,8 В против 2,5
В), различных конфигураций выводов и несовместимой технологии
производства чипов.
DDR3
Третье поколение технологии производства модулей памяти DDR.
Модули памяти DDR3 не имеют обратной совместимости с модулями
памяти DDR из-за разницы в значениях напряжения (1,5 В), различных
конфигураций выводов и несовместимой технологии производства
чипов.
Плотность
Синоним термина "Емкость"; как правило, используется в отношении
чипов DRAM.
Технология ECC (код коррекции ошибок)
Данная технология представляет собой метод проверки целостности
данных, которые хранятся в модуле DRAM. Она позволяет находить
ошибки длиною в несколько бит и находить и исправлять ошибки
длиною в один бит.
FB-DIMM (Fully Buffered DIMM)
Серверные модули памяти следующего поколения, которые включают в
себя буферный чип Advanced Memory Buffer, расположенный в модуле,
который предназначен для соединения двух высокоскоростных
последовательных соединений с контролером памяти.
Intel Validated (проверено Intel)
Оборудование, которое имеет подобную маркировку, было проверено
лабораторией корпорации Intel для подтверждения совместимости с
серверными платформами Intel
Kit (комплект)
Комплект, который включает в себя несколько модулей памяти. K2 =
комплект из двух модулей.
Устаревший модуль памяти (или модуль памяти с
низкой плотностью)
Данный термин относится к модулям памяти, которые предназначены
для установки в старые системы, например, необходимо использовать
модули памяти SDRAM объемом 128 Мб, если контроллер памяти не
поддерживает модули памяти SDRAM объемом 256 Мб.
Ранк: 1-ранковые, 2-ранковые и 4-ранковые модули
памяти
Необходимо учитывать этот показатель при установке модулей памяти
в рабочие станции и серверы. Если общее число ранков превышает
допустимое для системной памяти количество ранков, то может
произойти следующее: система не загрузится, возникнут ошибки
памяти, система не сможет определить полный объём доступной
памяти. Воспользуйтесь руководством пользователя для вашей
системы, чтобы узнать поддерживаемое количество ранков памяти.
Registered DIMM
Модуль памяти, содержащий одну или несколько микросхем
регистров, используемых для передачи и синхронизации адресных
и управляющих сигналов от контроллера памяти системной платы, и
микросхему замкнутой петли фазовой автоподстройки частоты (PLL),
используемую для передачи синхросигналов материнской платы
на все микросхемы DRAM. В большинстве платформ для рабочих
станций и серверов используются Registered DIMM. Некоторые
серверы начального уровня и рабочие станции поддерживают
только Unbuffered DIMM. Воспользуйтесь руководством пользователя
для вашей системы, чтобы получить сведения о типе необходимых
модулей памяти.
SODIMM
Малогабаритный модуль памяти с двухрядным расположением
выводов. Модуль памяти уменьшенного форм-фактора,
предназначенный для использования в мобильных ПК и других
компактных устройствах.
Частота
Скорость передачи данных или тактовая частота, которую
поддерживает модуль памяти.
Server Premier
Серверная память с полностью контролируемой спецификацией
используемых материалов (BOM), начиная с PCB и заканчивая ревизией
кристалла микросхемы.
©2011 Kingston Technology Corporation, 17600 Newhope Street, Fountain Valley, CA 92708 USA. Все права защищены. Все товарные марки и
зарегистрированные товарные знаки являются собственностью своих законных владельцев. Отпечатано в США MKF-220.1RU