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MOSFET en alta frecuencia: Modelo de pequeña señal Cgd G D Cgs g m v gs r ds Cds S ω T ≈ g m C gs = 3 2 µ 0 V OV L 2 (∼ 14 GHz, canal N, V OV = 200 mV, L = 0,35 µm)
MOSFET en alta frecuencia: Capacidades parásitas TRIODO (Interruptores, Condensadores MOS de inversión) S C GS G D G Modelo normal 1/2 W·L·Cox D r ON Modelo no cuasi−estático D W·L·Cox 1/2r ON G C SB B C DB 1/2 W·L·Cox S 1/2r ON S C GS = W · L · C OX
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